CN104517804B - 太鼓减薄工艺的去环方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太鼓减薄工艺的去环方法，包括步骤：使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄；在晶圆的背面完成背面工艺；将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；在距离晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽；采用环切工艺将支撑环切除或者磨平。本发明能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。

Description

太鼓减薄工艺的去环方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种太鼓(Taiko)减薄工艺的去环方法。
背景技术
Taiko减薄工艺是由日本DISCO公司开发的一种超薄减薄工艺，Taiko减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分不进行研磨减薄，不进行减薄的边缘部分的宽度约为2毫米～5毫米并由该不进行减薄的边缘部分形成支撑环。
一般当硅片薄到一定程度，且面积较大时，其机械强度大大下降，以8英寸硅片为例，当硅片厚度<200微米时，硅片会发生卷曲，因此无法继续进行搬送、转移和加工。而采用Taiko减薄工艺之后，仅硅片的中间部分减薄，利用硅片的中间部分形成集成电路的器件；利用较厚的支撑环来保持整个硅片的机械强度，防止硅片发生卷曲，有利于后续工艺中对硅片的搬送、转移和加工。
Taiko减薄工艺主要包含贴膜，减薄，揭膜，背面工艺，切割膜(Dicing tape)贴附，环切等步骤。
在其中的环切工艺步骤一般采用机械切割或激光切割将支撑环切除或采用研磨的方法将所述支撑环磨平。在现有环切工艺步骤中，很容易产生边缘崩齿进而导致整片晶圆破碎，即现有环切工艺极容易发生在取环时候的碎片问题，某些产品碎片率更是高达10％左右。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种太鼓减薄工艺的去环方法，能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。
为解决上述技术问题，本发明提供的太鼓减薄工艺的去环方法包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环。
步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺。
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上。
步骤四、在距离所述晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽，所述缓冲沟槽的宽度和深度满足能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件。
步骤五、采用环切工艺将所述晶圆的所述支撑环切除或者磨平。
进一步的改进是，步骤一中对所述晶圆的中间部分进行背面减薄后的厚度为25微米～200微米。
进一步的改进是，步骤一中对所述支撑环的宽度为2毫米～5毫米。
进一步的改进是，步骤四中所述缓冲沟槽采用机械切割或者激光切割的方法形成。
进一步的改进是，步骤四中所述缓冲沟槽的宽度为10微米～200微米。
进一步的改进是，步骤四中所述缓冲沟槽的深度大于等于所述晶圆的中间部分减薄后的厚度。
进一步的改进是，步骤四中所述缓冲沟槽的深度为30微米～200微米。
进一步的改进是，所述切割胶带的厚度为30微米～200微米。
进一步的改进是，所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。
进一步的改进是，步骤五中的所述环切工艺采用机械切割或者激光切割的方法实现对所述支撑环的切除，或者步骤五中的所述环切工艺采用研磨的方式将所述支撑环磨平。
本发明通过在环切工艺之前形成一个缓冲沟槽，缓冲沟槽位于支撑环的内侧，所以在对支撑环进行环切工艺时，缓冲沟槽位于支撑环的环切位置内侧，即使在环切工艺中出现边缘崩齿，缓冲沟槽能将边缘崩齿的不利影响屏蔽在缓冲沟槽和支撑环之间的区域、并不会传递到形成有集成电路器件的晶圆的中间部分，所以不会使整片晶圆破碎，能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明实施例方法流程图；
图2A-图2D是本发明实施例方法各步骤中晶圆结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，是本发明实施例方法流程图；如图2A至图2D所示，是本发明实施例方法各步骤中晶圆结构示意图。本发明实施例太鼓减薄工艺的去环方法包括如下步骤：
步骤一、如图2A所示，使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分1a减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环1b。
所述晶圆的中间部分1a用于形成集成电路器件。较佳为，所述晶圆的中间部分1a进行背面减薄后的厚度为25微米～200微米，具体厚度可以根据集成电路器件的需要而进行调整。
所述支撑环1b用于减薄后的所述晶圆进行支撑，防止所述晶圆发生卷曲，有利于对晶圆进行搬送、转移和加工。较佳为，所述支撑环1b的宽度为2毫米～5毫米。
步骤二、如图2A所示，在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺。所述背面工艺通常包括湿法处理以及背面金属沉积等步骤。
步骤三、如图2A所示，将完成背面工艺的所述晶圆贴附在切割胶带即切割膜(dicing tape)2上并固定在划片环3上。
较佳为，所述切割胶带的厚度为30微米～200微米。
所述切割胶带为经过特殊处理后能够很容易和所述晶圆分离的胶带，如经过紫外线照射后很容易分离的紫外线照射胶带(UV tape)，或者经过热处理后很容易分离的热敏胶带。
步骤四、如图2B所示，在距离所述晶圆的中间部分1a的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽4，所述缓冲沟槽4采用机械切割或者激光切割的方法形成。
所述缓冲沟槽4的宽度和深度满足能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件。
所述缓冲沟槽4的宽度为10微米～200微米。
所述缓冲沟槽4的深度能够根据所述晶圆的中间部分1a的厚度确定，理论上，所述缓冲沟槽4的深度大于等于所述晶圆的中间部分1a减薄后的厚度；一般所述缓冲沟槽4的深度为30微米～200微米，只要能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件即可。图2B中所述缓冲沟槽4的深度大于等于所述晶圆的中间部分1a减薄后的厚度
步骤五、采用环切工艺将所述晶圆的所述支撑环1b切除或者磨平。
本发明实施例方法的环切工艺是采用对所述晶圆的所述支撑环1b切除的方法，首先，如图2C所示，采用机械切割或者激光切割的方法对所述支撑环1b的内侧进行切割并形成闯过所述晶圆的中间部分1a的切割槽5；之后，如图2D所示，进行取环，即将切割分离后的支撑环1b取出。
在其它实施例方法中环切工艺也能采用研磨工艺将所述支撑环1b磨平。
由图2C和图2D可知，缓冲沟槽4位于支撑环1b的环切位置即切割槽5内侧，即使在环切工艺中出现边缘崩齿，缓冲沟槽4能将边缘崩齿的不利影响屏蔽在缓冲沟槽4和支撑环1b之间的区域、并不会传递到形成有集成电路器件的晶圆的中间部分1a，所以不会使整片晶圆破碎，能降低或防止环切步骤中的碎片率。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环；
步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺；
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；
步骤四、在距离所述晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽，所述缓冲沟槽的宽度和深度满足能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件；
步骤五、采用环切工艺将所述晶圆的所述支撑环切除或者磨平。
2.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤一中对所述晶圆的中间部分进行背面减薄后的厚度为25微米～200微米。
3.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤一中对所述支撑环的宽度为2毫米～5毫米。
4.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽采用机械切割或者激光切割的方法形成。
5.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽的宽度为10微米～200微米。
6.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽的深度大于等于所述晶圆的中间部分减薄后的厚度。
7.如权利要求1或6所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽的深度为30微米～200微米。
8.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：所述切割胶带的厚度为30微米～200微米。
9.如权利要求1或8所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。
10.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤五中的所述环切工艺采用机械切割或者激光切割的方法实现对所述支撑环的切除，或者步骤五中的所述环切工艺采用研磨的方式将所述支撑环磨平。
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