JPH05211235A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05211235A JPH05211235A JP5266391A JP5266391A JPH05211235A JP H05211235 A JPH05211235 A JP H05211235A JP 5266391 A JP5266391 A JP 5266391A JP 5266391 A JP5266391 A JP 5266391A JP H05211235 A JPH05211235 A JP H05211235A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少しの衝撃や取扱いの僅かな不注意でウエハ
が破損することを防止し、製造歩留りを向上させる。 【構成】 半導体回路１’を形成したウエハ１の表面に
所定の深さの切込み３を形成した後、この所定の深さの
切込み３を形成したウエハ１の表面に保護用シート４を
貼り、ウエハ１の裏面を切込み３に達するまで研削して
ウエハ１を複数個の半導体素子６に分離する。これによ
り、従来のような直径が大きく、かつ厚みの薄いウエハ
を取り扱う工程をなくす。
が破損することを防止し、製造歩留りを向上させる。 【構成】 半導体回路１’を形成したウエハ１の表面に
所定の深さの切込み３を形成した後、この所定の深さの
切込み３を形成したウエハ１の表面に保護用シート４を
貼り、ウエハ１の裏面を切込み３に達するまで研削して
ウエハ１を複数個の半導体素子６に分離する。これによ
り、従来のような直径が大きく、かつ厚みの薄いウエハ
を取り扱う工程をなくす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体回路を形成し
たウエハを複数個の半導体素子に分割する際の半導体装
置の製造方法に関するものである。
たウエハを複数個の半導体素子に分割する際の半導体装
置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型軽量化の要望に応
じ、半導体装置に対して薄型化の要望が強まり、それに
伴い半導体素子の厚みを薄くする必要がある。表面に半
導体回路が形成されたウエハを所定の厚みにし、複数個
の半導体素子に分割する工程に関し、従来の半導体装置
の製造方法を図２(a) 〜(f) に基づいて説明する。
じ、半導体装置に対して薄型化の要望が強まり、それに
伴い半導体素子の厚みを薄くする必要がある。表面に半
導体回路が形成されたウエハを所定の厚みにし、複数個
の半導体素子に分割する工程に関し、従来の半導体装置
の製造方法を図２(a) 〜(f) に基づいて説明する。
【０００３】図２(b) に示すように、図２(a) に示す表
面に半導体回路１’が形成されたウエハ１（直径：１５
０〔ｍｍ〕、厚み６２５〔μｍ〕）の表面に保護用シー
ト７が貼りつけられる。この保護用シート７は、ウエハ
１と同一形状で片面に粘着力を有した厚み約１００〔μ
ｍ〕のものであり、次工程のバックグラインド作業に
て、ウエハ１の表面がキズ等のダメージを受けるのを防
止する。
面に半導体回路１’が形成されたウエハ１（直径：１５
０〔ｍｍ〕、厚み６２５〔μｍ〕）の表面に保護用シー
ト７が貼りつけられる。この保護用シート７は、ウエハ
１と同一形状で片面に粘着力を有した厚み約１００〔μ
ｍ〕のものであり、次工程のバックグラインド作業に
て、ウエハ１の表面がキズ等のダメージを受けるのを防
止する。
【０００４】次に、図２(c) に示すように、バックグラ
インド装置（図示せず）により、ウエハ１の裏面が所定
の厚みだけ研削される。これにより、ウエハ１は所定の
厚み（約２００〔μｍ〕）のウエハ１ａとなる。次に、
図２(d) に示すように、ウエハ１ａの表面に貼った保護
用シート７が剥離される。
インド装置（図示せず）により、ウエハ１の裏面が所定
の厚みだけ研削される。これにより、ウエハ１は所定の
厚み（約２００〔μｍ〕）のウエハ１ａとなる。次に、
図２(d) に示すように、ウエハ１ａの表面に貼った保護
用シート７が剥離される。
【０００５】次に、図２(e) に示すように、ウエハ１ａ
の裏面にダイシング用シート２が貼りつけられる。この
ダイシング用シート２は、片面に粘着力を有した厚み約
１５０〔μｍ〕のものであり、次工程のダイシング作業
にて個々に分離された半導体素子が飛散するのを防止す
る。
の裏面にダイシング用シート２が貼りつけられる。この
ダイシング用シート２は、片面に粘着力を有した厚み約
１５０〔μｍ〕のものであり、次工程のダイシング作業
にて個々に分離された半導体素子が飛散するのを防止す
る。
【０００６】そして、図２(f) に示すように、ダイシン
グ装置（図示せず）にて、所望の半導体素子の大きさに
応じて、幅約３５〔μｍ〕で深さはウエハの厚みと同一
寸法の切溝加工が施されることにより、複数個の半導体
素子６に分離される。すなわち、従来の半導体装置の製
造方法を簡略化すると、ウエハ１の表面に保護用シート
７を貼る工程（図２(b) ）→バッググラインド工程（図
２(c) ）→保護用シート７を剥離する工程（図２(d) ）
→ダイシング用シート２を貼る工程（図２(e) ）→ダイ
シング工程（図２(f) ）となる。
グ装置（図示せず）にて、所望の半導体素子の大きさに
応じて、幅約３５〔μｍ〕で深さはウエハの厚みと同一
寸法の切溝加工が施されることにより、複数個の半導体
素子６に分離される。すなわち、従来の半導体装置の製
造方法を簡略化すると、ウエハ１の表面に保護用シート
７を貼る工程（図２(b) ）→バッググラインド工程（図
２(c) ）→保護用シート７を剥離する工程（図２(d) ）
→ダイシング用シート２を貼る工程（図２(e) ）→ダイ
シング工程（図２(f) ）となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体装置の製造方法では、図２(c) に示す
バックグラインド作業を終了したウエハは、直径が１５
０〔μｍ〕の大きさでありながら、厚みは約２００〔μ
ｍ〕であり、非常に薄くなっているため、非常に割れ易
くなっている。その結果、この後の工程において、少し
の衝撃や取扱いの僅かな不注意でもウエハの破損が生
じ、製造歩留りが低下するという問題があった。
うな従来の半導体装置の製造方法では、図２(c) に示す
バックグラインド作業を終了したウエハは、直径が１５
０〔μｍ〕の大きさでありながら、厚みは約２００〔μ
ｍ〕であり、非常に薄くなっているため、非常に割れ易
くなっている。その結果、この後の工程において、少し
の衝撃や取扱いの僅かな不注意でもウエハの破損が生
じ、製造歩留りが低下するという問題があった。
【０００８】この発明の目的は上記問題点に鑑み、少し
の衝撃や取扱いの僅かな不注意でウエハを破損すること
がなく、製造歩留りを向上させた半導体装置の製造方法
を提供することである。
の衝撃や取扱いの僅かな不注意でウエハを破損すること
がなく、製造歩留りを向上させた半導体装置の製造方法
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、次のようにする。表面に半導体回路を
形成したウエハの表面に所定の深さの切込みを形成し、
この所定の深さの切込みを形成したウエハの表面に第１
保護用シートを貼った後、ウエハの裏面を切込みに達す
るまで研削してウエハを複数個の半導体素子に分離す
る。そして、この複数個に分離した半導体素子の裏面に
第２保護用シートを貼り、さらに第１保護用シートを剥
離する。
置の製造方法は、次のようにする。表面に半導体回路を
形成したウエハの表面に所定の深さの切込みを形成し、
この所定の深さの切込みを形成したウエハの表面に第１
保護用シートを貼った後、ウエハの裏面を切込みに達す
るまで研削してウエハを複数個の半導体素子に分離す
る。そして、この複数個に分離した半導体素子の裏面に
第２保護用シートを貼り、さらに第１保護用シートを剥
離する。
【００１０】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、表面に
半導体回路を形成したウエハの表面に所定の深さの切込
みを形成する工程を行う前に、ウエハの裏面にダイシン
グ用シートを貼り、ウエハの裏面を切込みに達するまで
研削してウエハを複数個の半導体素子に分離する工程を
行う前に、ダイシング用シートを剥離することを特徴と
する。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、表面に
半導体回路を形成したウエハの表面に所定の深さの切込
みを形成する工程を行う前に、ウエハの裏面にダイシン
グ用シートを貼り、ウエハの裏面を切込みに達するまで
研削してウエハを複数個の半導体素子に分離する工程を
行う前に、ダイシング用シートを剥離することを特徴と
する。
【００１１】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法におい
て、第２保護用シートとして、紫外線を照射することに
より粘着力が低下する保護用シートを用いることを特徴
とする。
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法におい
て、第２保護用シートとして、紫外線を照射することに
より粘着力が低下する保護用シートを用いることを特徴
とする。
【００１２】
【作用】この発明の構成によれば、従来のように表面に
半導体回路を形成したウエハの裏面を所定の厚みまで研
削した後、このウエハを複数個の半導体素子に分離する
のではなく、半導体回路を形成したウエハの表面に所定
の深さの切込みを形成した後、この所定の深さの切込み
を形成したウエハの表面に第１保護用シートを貼り、ウ
エハの裏面を表面に形成した切込みに達するまで研削し
てウエハを複数個の半導体素子に分離する。したがっ
て、直径が大きく、かつ厚みの薄いウエハを取り扱う工
程をなくすことができる。
半導体回路を形成したウエハの裏面を所定の厚みまで研
削した後、このウエハを複数個の半導体素子に分離する
のではなく、半導体回路を形成したウエハの表面に所定
の深さの切込みを形成した後、この所定の深さの切込み
を形成したウエハの表面に第１保護用シートを貼り、ウ
エハの裏面を表面に形成した切込みに達するまで研削し
てウエハを複数個の半導体素子に分離する。したがっ
て、直径が大きく、かつ厚みの薄いウエハを取り扱う工
程をなくすことができる。
【００１３】
【実施例】図１(a) 〜(h) は、この発明の一実施例の半
導体装置の製造方法を示す工程フロー図である。図１
(b) に示すように、図１(a) に示す表面に半導体回路
１’を形成したウエハ１の裏面にダイシング用シート２
を貼り付ける。このダイシング用シート２は次工程の切
込み形成時のウエハ１を補強する働きを有する。
導体装置の製造方法を示す工程フロー図である。図１
(b) に示すように、図１(a) に示す表面に半導体回路
１’を形成したウエハ１の裏面にダイシング用シート２
を貼り付ける。このダイシング用シート２は次工程の切
込み形成時のウエハ１を補強する働きを有する。
【００１４】次に、図１(c) に示すように、個々の半導
体素子の寸法に合わせて、ダイシング装置（図示せず）
により、ウエハ１の表面に所定の深さの切込み３を形成
する。この所定の深さとは、後の工程で得るべき半導体
素子の所定の厚みより深いものである。次に、図１(d)
に示すように、所定の深さの切込み３を形成したウエハ
１の表面に第１保護用シートとなる保護用シート４を貼
りつける。
体素子の寸法に合わせて、ダイシング装置（図示せず）
により、ウエハ１の表面に所定の深さの切込み３を形成
する。この所定の深さとは、後の工程で得るべき半導体
素子の所定の厚みより深いものである。次に、図１(d)
に示すように、所定の深さの切込み３を形成したウエハ
１の表面に第１保護用シートとなる保護用シート４を貼
りつける。
【００１５】次に、図１(e) に示すように、ウエハ１の
裏面に貼ったダイシング用シート２を剥離する。次に、
図１(f) に示すように、バックグラインド装置（図示せ
ず）によりウエハ１の裏面を研削する。この研削の深さ
は図１(c) に示す工程で形成した切込み３に達するまで
である。これにより、ウエハ１を複数個の半導体素子６
に分離できる。
裏面に貼ったダイシング用シート２を剥離する。次に、
図１(f) に示すように、バックグラインド装置（図示せ
ず）によりウエハ１の裏面を研削する。この研削の深さ
は図１(c) に示す工程で形成した切込み３に達するまで
である。これにより、ウエハ１を複数個の半導体素子６
に分離できる。
【００１６】次に、図１(g) に示すように、複数個に分
離した半導体素子６の裏面に第２保護用シートとなるＵ
Ｖシート５を貼りつける。このＵＶシート５は、紫外線
を照射することにより、粘着力が低下するものである。
これにより、ダイボンディング工程の行う前に、容易に
ＵＶシート５から複数個に分離した半導体素子６を剥離
することができる。
離した半導体素子６の裏面に第２保護用シートとなるＵ
Ｖシート５を貼りつける。このＵＶシート５は、紫外線
を照射することにより、粘着力が低下するものである。
これにより、ダイボンディング工程の行う前に、容易に
ＵＶシート５から複数個に分離した半導体素子６を剥離
することができる。
【００１７】その後、図１(h) に示すように、保護用シ
ート４を剥離する。すなわち、実施例を簡略化すると、
ウエハ１の裏面にダイシング用シート２を貼る工程（図
１(b) ）→ダイシング工程（図１(c) ）→ウエハ１の表
面に保護用シート４を貼る工程（図１(d) ）→ダイシン
グ用シート２を剥離する工程（図１(e) ）→バッググラ
インド工程（図１(f) ）→複数個の半導体素子６の裏面
にＵＶシート５を貼る工程（図１(g) ）→保護用シート
４を剥離する工程（図１(h)）となる。
ート４を剥離する。すなわち、実施例を簡略化すると、
ウエハ１の裏面にダイシング用シート２を貼る工程（図
１(b) ）→ダイシング工程（図１(c) ）→ウエハ１の表
面に保護用シート４を貼る工程（図１(d) ）→ダイシン
グ用シート２を剥離する工程（図１(e) ）→バッググラ
インド工程（図１(f) ）→複数個の半導体素子６の裏面
にＵＶシート５を貼る工程（図１(g) ）→保護用シート
４を剥離する工程（図１(h)）となる。
【００１８】このように、半導体回路１’を形成したウ
エハ１の表面に所定の深さの切込み３を形成した後、こ
の所定の深さの切込み３を形成したウエハ１の表面に保
護用シート４を貼り、ウエハ１の裏面を表面に形成した
切込みに達するまで研削してウエハ１を複数個の半導体
素子６に分離する。したがって、直径が大きく、かつ厚
みの薄いウエハを取り扱う工程をなくすことができる。
エハ１の表面に所定の深さの切込み３を形成した後、こ
の所定の深さの切込み３を形成したウエハ１の表面に保
護用シート４を貼り、ウエハ１の裏面を表面に形成した
切込みに達するまで研削してウエハ１を複数個の半導体
素子６に分離する。したがって、直径が大きく、かつ厚
みの薄いウエハを取り扱う工程をなくすことができる。
【００１９】なお、この実施例ではウエハ１の裏面にダ
イシング用シート２を貼りつけた後、ウエハ１の表面に
切込み３を形成したが、裏面にダイシング用シート２を
貼りつけずに、ウエハの表面に切込みを形成しても良
い。また、実施例では第２保護用シートとして、ＵＶシ
ート５を用いたが、これに限らず他の保護用シートを用
いても良い。
イシング用シート２を貼りつけた後、ウエハ１の表面に
切込み３を形成したが、裏面にダイシング用シート２を
貼りつけずに、ウエハの表面に切込みを形成しても良
い。また、実施例では第２保護用シートとして、ＵＶシ
ート５を用いたが、これに限らず他の保護用シートを用
いても良い。
【００２０】
【発明の効果】この発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、従来のように表面に半導体回路を形成したウエハの
裏面を所定の厚みまで研削した後、このウエハを複数個
の半導体素子に分離するのではなく、半導体回路を形成
したウエハの表面に所定の深さの切込みを形成した後、
この所定の深さの切込みを形成したウエハの表面に第１
保護用シートを貼り、ウエハの裏面を表面に形成した切
込みに達するまで研削してウエハを複数個の半導体素子
に分離する。したがって、直径が大きく、かつ厚みの薄
いウエハを取り扱う工程をなくすことができる。その結
果、従来のように少しの衝撃や取扱いの僅かな不注意で
ウエハを破損することがなく、製造歩留りを向上させる
ことができる。
ば、従来のように表面に半導体回路を形成したウエハの
裏面を所定の厚みまで研削した後、このウエハを複数個
の半導体素子に分離するのではなく、半導体回路を形成
したウエハの表面に所定の深さの切込みを形成した後、
この所定の深さの切込みを形成したウエハの表面に第１
保護用シートを貼り、ウエハの裏面を表面に形成した切
込みに達するまで研削してウエハを複数個の半導体素子
に分離する。したがって、直径が大きく、かつ厚みの薄
いウエハを取り扱う工程をなくすことができる。その結
果、従来のように少しの衝撃や取扱いの僅かな不注意で
ウエハを破損することがなく、製造歩留りを向上させる
ことができる。
【図１】図１(a) 〜(h) は、この発明の一実施例の半導
体装置の製造方法を示す工程フロー図である。
体装置の製造方法を示す工程フロー図である。
【図２】図２(a) 〜(f) は従来の半導体装置の製造方法
を示す工程フロー図である。
を示す工程フロー図である。
１ ウエハ １’ 半導体回路 ２ ダイシング用シート ３ 切込み ４ 保護用シート（第１保護用シート） ５ ＵＶシート（第２保護用シート） ６ 半導体素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に半導体回路を形成したウエハの表
面に所定の深さの切込みを形成する工程と、この所定の
深さの切込みを形成したウエハの表面に第１保護用シー
トを貼る工程と、前記ウエハの裏面を前記切込みに達す
るまで研削して前記ウエハを複数個の半導体素子に分離
する工程と、この複数個に分離した半導体素子の裏面に
第２保護用シートを貼る工程と、前記第１保護用シート
を剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記表面に半導体回路を形成したウエハ
の表面に所定の深さの切込みを形成する工程を行う前
に、前記ウエハの裏面にダイシング用シートを貼り、前
記ウエハの裏面を前記切込みに達するまで研削して前記
ウエハを複数個の半導体素子に分離する工程を行う前
に、前記ダイシング用シートを剥離することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第２保護用シートとして、紫外線を
照射することにより粘着力が低下する保護用シートを用
いることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266391A JPH05211235A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266391A JPH05211235A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211235A true JPH05211235A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=12921110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5266391A Pending JPH05211235A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211235A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| US6184109B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2001223186A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Lintec Corp | 転写テープマウント装置および転写テープマウント方法 |
| US6294439B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6337258B1 (en) | 1999-07-22 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer |
| JP2003007653A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法 |
| KR100452661B1 (ko) * | 1999-02-03 | 2004-10-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100542850B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2006-01-20 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP5266391A patent/JPH05211235A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184109B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
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| KR100542850B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2006-01-20 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 |
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