JPH05177536A - CdTeウェハーの鏡面研磨方法 - Google Patents

CdTeウェハーの鏡面研磨方法

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JPH05177536A
JPH05177536A JP4078588A JP7858892A JPH05177536A JP H05177536 A JPH05177536 A JP H05177536A JP 4078588 A JP4078588 A JP 4078588A JP 7858892 A JP7858892 A JP 7858892A JP H05177536 A JPH05177536 A JP H05177536A
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JP
Japan
Prior art keywords
polishing
cdte
abrasive grains
wafer
chemical
Prior art date
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Pending
Application number
JP4078588A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsushi Hashio
克司 橋尾
Yoshihiro Wakayama
義博 若山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPH05177536A publication Critical patent/JPH05177536A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スクラッチ及びダメージ層に関しては従来方
法と同等であり、かつ従来方法よりも低い表面粗度を持
った鏡面を得るCdTeウエハーの鏡面研磨方法を提供
する。 【構成】 砥粒を溶かした研磨液6及び研磨布2を用い
てメカニカルなポリッシングを行い、最終的な仕上げと
して化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いてケミカル
な短時間ポリッシングを行うCdTeウエハーの鏡面研
磨方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はCdTeウエハー及びC
dZnTe,CdMnTe,HgCdTe等の各種混晶
のCdTe系ウエハーの鏡面研磨技術に関し、表面粗度
が低く、スクラッチフリーでダメージ層の小さい鏡面を
得る研磨方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】CdTeウエハーは、赤外線や放射線の
検出器として期待されているHgCdTeエピウエハー
用の基板として使用されるが、そのためには表面が平坦
であり、ダメージ層の小さい鏡面を得ることが要求され
る。この要求を満たすには、まずラッピングを行ってス
ライスによるダメージ層を取り除き、表面の平坦度をあ
る程度整え、しかる後ポリッシングを行って目的とする
鏡面を得る。
【0003】従来、CdTeウエハーのポリッシングと
しては、臭素とメタノールとの混合液を研磨液とし、ケ
ミカルなエッチング効果を利用して研磨する方法が用い
られている。この方法は、研質発泡ポリウレタンを張り
付けた研磨盤を回転し、ウエハー支持板にワックス等で
貼り付けたCdTeウエハーを研磨盤に押し付けながら
回転させて研磨を行い鏡面を得るものである。(J.Crys
t Growth 80(1987)459参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した臭素メタノー
ル研磨液を用いた従来の研磨方法は、スクラッチがな
く、ダメージ層の小さい鏡面を得ることができるが、表
面粗度の点で問題がある。つまり、光学干渉計によって
測定した表面粗度が、RMS=21.8(nm)、うねり(P
−V)=158 (nm/mm)と非常に大きくなる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点を
解消し、スクラッチ及びダメージ層に関しては従来の方
法と同等であり、かつ従来法よりも低い表面粗度を持っ
た鏡面を得るCdTeウエハーの鏡面研磨方法を提供す
るもので、その特徴は、砥粒を溶かした研磨液及び研磨
布を用いてメカニカルなポリッシングを行い、最終的な
仕上げとして化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いて
ケミカルな短時間ポリッシングを行うことにある。
【0006】
【実施例】
(実施例1)CdTeウエハーは粒径3μm のアルミナ
砥粒を水に溶かした研磨液とガラス研磨盤を用いてラッ
ピングを行い、 200〜 300μm 程度削り落すことによっ
てスライスによるダメージ層を取り除いて準備した。こ
のようなCdTeウエハーをメカニカルな方法でポリッ
シングを行った。この際の砥粒には分散型のアルミナ砥
粒を用いた。砥粒としては、1μm , 0.1μm ,0.05μ
m のものを使用し、粒径の大きさの順に第1〜第3ポリ
ッシングの3段階に分けてポリッシングを行った。最後
に、第4ポリッシングとして、臭素メタノール溶液を用
いてケミカルにポリッシングを行って仕上げをした。
【0007】図1はポリッシングに使用した研磨装置の
模式図である。第1〜第3のポリッシングは、ガラス製
のウエハー支持板3にワックスを用いて貼付けたCdT
eウエハー4を、研磨布2として不織布を貼付けた研磨
盤1の上に加圧シリンダー5により面圧を制御しながら
押し付けてセットし、各粒径のアルミナ砥粒を拡散させ
た研磨液6を攪拌器で攪拌して滴下させながら、研磨盤
1とウエハー支持板3を回転させることによって行っ
た。
【0008】第1〜第3のポリッシング時の条件は次の
通りである。 (第1ポリッシング) 研磨液 1μm アルミナ砥粒 5g グリセリン 25ml 水 50ml 面圧 40〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 10μm (第2ポリッシング) 研磨液 0.1μm アルミナ砥粒 2g グリセリン 17ml 水 153ml 面圧 10g/cm2 以下 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 5μm (第3ポリッシング) 研磨液 0.05μm アルミナ砥粒 1g グリセリン 11ml 水 100ml 面圧 10g/cm2 以下 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 2μm
【0009】それぞれのポリッシングでの研磨量は、ラ
ッピング又は前回のポリッシングによって生じるダメー
ジ層を削り取れる量とした。又第2、第3ポリッシング
では面圧を小さく設定したが、これは砥粒径を小さくす
ることによって生じるCdTeウエハー表面への砥粒の
付着を防ぐためである。これら第1〜第3のポリッシン
グによって従来の方法よりも表面粗度の低い鏡面を得る
ことが出来る。
【0010】最終的な仕上げの第4ポリッシングは、研
磨液として臭素メタノール溶液、研磨布として硬質発泡
ポリウレタンを用い、上記と同様の研磨装置によって行
った。第4ポリッシング時の条件は次の通りである。 (第4ポリッシング) 研磨液 臭素 8ml メタノール 4l 面圧 40〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨時間 1min 第4ポリッシングを短時間行うことによって、表面粗度
を高くすることなく、第1〜第3ポリッシングによって
生じたスクラッチ及びダメージ層を低減することができ
る。
【0011】上述の方法を用いて研磨を行った結果得ら
れたCdTeウエハー鏡面は、光学干渉計を用いて測定
した表面粗度が、RMS=1nm、うねり(P−V)=10
nm/mmであった。この結果は、従来の臭素メタノール研
磨液を用いて得られる鏡面と比較して非常に良好であ
る。又スクラッチはほとんど認めることができないレベ
ルであり、ダメージ層は、臭素メタノール溶液でエッチ
ングし二結晶X線回折のFWHMによって評価した結果
0.5μm 以下におさえられていた。
【0012】(実施例2)次に、第4ポリッシングにお
ける研磨液として、次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いた
例を示す。第1から第3ポリッシングまでの条件は前記
実施例1と同様であり、又第4ポリッシングにおける研
磨布も硬質発泡ポリウレタンを用いた。第4ポリッシン
グの条件を以下に示す。
【0013】(第4ポリッシング) 研磨液 次亜塩素酸ナトリウム 3.6g 純水 1000ml 面圧 40 〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨時間 1min
【0014】本実施例により得られたウェハ鏡面も、前
記実施例1と同様に、光学干渉計を用いて測定した表面
粗度が、RMS=1nm、うねり(P−V)=10nm/mmで
あった。この結果は、従来の臭素メタノール研磨液を用
いて得られる鏡面と比較して非常に良好である。又スク
ラッチはほとんど認めることができないレベルであり、
ダメージ層は、臭素メタノール溶液でエッチングし二結
晶X線回折のFWHMによって評価した結果 0.5μm 以
下におさえられていた。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のCdTe
ウエハーの鏡面研磨方法によれば、スクラッチフリーで
ダメージ層が小さく、かつ低い表面粗度をもつ十分に良
好な鏡面が得られる。従って、これを基板としHgCd
Teエピタキシャル膜等を成長させて作製した各種デバ
イスの品質向上を保証することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のポリッシングで使用した研磨装置の模
式図である。
【符号の説明】
1 研磨盤 2 研磨布 3 ウエハー支持板 4 CdTeウエハー 5 加圧シリンダー 6 研磨液

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 砥粒を溶かした研磨液及び研磨布を用い
    てメカニカルなポリッシングを行い、最終的な仕上げと
    して化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いてケミカル
    な短時間ポリッシングを行うことを特徴とするCdTe
    ウエハーの鏡面研磨方法。
  2. 【請求項2】 メカニカルなポリッシングの砥粒にはア
    ルミナ砥粒を用い、ケミカルなポリッシングの研磨液に
    は臭素メタノール溶液を用いることを特徴とする請求項
    1記載のCdTeウエハーの鏡面研磨方法。
  3. 【請求項3】 メカニカルなポリッシングの砥粒にはア
    ルミナ砥粒を用い、ケミカルなポリッシングの研磨液に
    は次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いることを特徴とする
    請求項1記載のCdTeウエハーの鏡面研磨方法。
JP4078588A 1991-10-30 1992-02-27 CdTeウェハーの鏡面研磨方法 Pending JPH05177536A (ja)

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JP3-313925 1991-10-30
JP31392591 1991-10-30
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