JPH05177536A - ＣｄＴｅウェハーの鏡面研磨方法 - Google Patents
ＣｄＴｅウェハーの鏡面研磨方法Info
- Publication number
- JPH05177536A JPH05177536A JP4078588A JP7858892A JPH05177536A JP H05177536 A JPH05177536 A JP H05177536A JP 4078588 A JP4078588 A JP 4078588A JP 7858892 A JP7858892 A JP 7858892A JP H05177536 A JPH05177536 A JP H05177536A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- cdte
- abrasive grains
- wafer
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スクラッチ及びダメージ層に関しては従来方
法と同等であり、かつ従来方法よりも低い表面粗度を持
った鏡面を得るＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨方法を提供
する。 【構成】 砥粒を溶かした研磨液６及び研磨布２を用い
てメカニカルなポリッシングを行い、最終的な仕上げと
して化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いてケミカル
な短時間ポリッシングを行うＣｄＴｅウエハーの鏡面研
磨方法。
法と同等であり、かつ従来方法よりも低い表面粗度を持
った鏡面を得るＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨方法を提供
する。 【構成】 砥粒を溶かした研磨液６及び研磨布２を用い
てメカニカルなポリッシングを行い、最終的な仕上げと
して化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いてケミカル
な短時間ポリッシングを行うＣｄＴｅウエハーの鏡面研
磨方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｄＴｅウエハー及びＣ
ｄＺｎＴｅ，ＣｄＭｎＴｅ，ＨｇＣｄＴｅ等の各種混晶
のＣｄＴｅ系ウエハーの鏡面研磨技術に関し、表面粗度
が低く、スクラッチフリーでダメージ層の小さい鏡面を
得る研磨方法に関するものである。
ｄＺｎＴｅ，ＣｄＭｎＴｅ，ＨｇＣｄＴｅ等の各種混晶
のＣｄＴｅ系ウエハーの鏡面研磨技術に関し、表面粗度
が低く、スクラッチフリーでダメージ層の小さい鏡面を
得る研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅウエハーは、赤外線や放射線の
検出器として期待されているＨｇＣｄＴｅエピウエハー
用の基板として使用されるが、そのためには表面が平坦
であり、ダメージ層の小さい鏡面を得ることが要求され
る。この要求を満たすには、まずラッピングを行ってス
ライスによるダメージ層を取り除き、表面の平坦度をあ
る程度整え、しかる後ポリッシングを行って目的とする
鏡面を得る。
検出器として期待されているＨｇＣｄＴｅエピウエハー
用の基板として使用されるが、そのためには表面が平坦
であり、ダメージ層の小さい鏡面を得ることが要求され
る。この要求を満たすには、まずラッピングを行ってス
ライスによるダメージ層を取り除き、表面の平坦度をあ
る程度整え、しかる後ポリッシングを行って目的とする
鏡面を得る。
【０００３】従来、ＣｄＴｅウエハーのポリッシングと
しては、臭素とメタノールとの混合液を研磨液とし、ケ
ミカルなエッチング効果を利用して研磨する方法が用い
られている。この方法は、研質発泡ポリウレタンを張り
付けた研磨盤を回転し、ウエハー支持板にワックス等で
貼り付けたＣｄＴｅウエハーを研磨盤に押し付けながら
回転させて研磨を行い鏡面を得るものである。（J.Crys
t Growth 80(1987)459参照）。
しては、臭素とメタノールとの混合液を研磨液とし、ケ
ミカルなエッチング効果を利用して研磨する方法が用い
られている。この方法は、研質発泡ポリウレタンを張り
付けた研磨盤を回転し、ウエハー支持板にワックス等で
貼り付けたＣｄＴｅウエハーを研磨盤に押し付けながら
回転させて研磨を行い鏡面を得るものである。（J.Crys
t Growth 80(1987)459参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した臭素メタノー
ル研磨液を用いた従来の研磨方法は、スクラッチがな
く、ダメージ層の小さい鏡面を得ることができるが、表
面粗度の点で問題がある。つまり、光学干渉計によって
測定した表面粗度が、ＲＭＳ＝21.8（nm）、うねり（Ｐ
−Ｖ）＝158 （nm／mm）と非常に大きくなる。
ル研磨液を用いた従来の研磨方法は、スクラッチがな
く、ダメージ層の小さい鏡面を得ることができるが、表
面粗度の点で問題がある。つまり、光学干渉計によって
測定した表面粗度が、ＲＭＳ＝21.8（nm）、うねり（Ｐ
−Ｖ）＝158 （nm／mm）と非常に大きくなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点を
解消し、スクラッチ及びダメージ層に関しては従来の方
法と同等であり、かつ従来法よりも低い表面粗度を持っ
た鏡面を得るＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨方法を提供す
るもので、その特徴は、砥粒を溶かした研磨液及び研磨
布を用いてメカニカルなポリッシングを行い、最終的な
仕上げとして化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いて
ケミカルな短時間ポリッシングを行うことにある。
解消し、スクラッチ及びダメージ層に関しては従来の方
法と同等であり、かつ従来法よりも低い表面粗度を持っ
た鏡面を得るＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨方法を提供す
るもので、その特徴は、砥粒を溶かした研磨液及び研磨
布を用いてメカニカルなポリッシングを行い、最終的な
仕上げとして化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いて
ケミカルな短時間ポリッシングを行うことにある。
【０００６】
（実施例１）ＣｄＴｅウエハーは粒径３μm のアルミナ
砥粒を水に溶かした研磨液とガラス研磨盤を用いてラッ
ピングを行い、 200〜 300μm 程度削り落すことによっ
てスライスによるダメージ層を取り除いて準備した。こ
のようなＣｄＴｅウエハーをメカニカルな方法でポリッ
シングを行った。この際の砥粒には分散型のアルミナ砥
粒を用いた。砥粒としては、１μm ， 0.1μm ，0.05μ
m のものを使用し、粒径の大きさの順に第１〜第３ポリ
ッシングの３段階に分けてポリッシングを行った。最後
に、第４ポリッシングとして、臭素メタノール溶液を用
いてケミカルにポリッシングを行って仕上げをした。
砥粒を水に溶かした研磨液とガラス研磨盤を用いてラッ
ピングを行い、 200〜 300μm 程度削り落すことによっ
てスライスによるダメージ層を取り除いて準備した。こ
のようなＣｄＴｅウエハーをメカニカルな方法でポリッ
シングを行った。この際の砥粒には分散型のアルミナ砥
粒を用いた。砥粒としては、１μm ， 0.1μm ，0.05μ
m のものを使用し、粒径の大きさの順に第１〜第３ポリ
ッシングの３段階に分けてポリッシングを行った。最後
に、第４ポリッシングとして、臭素メタノール溶液を用
いてケミカルにポリッシングを行って仕上げをした。
【０００７】図１はポリッシングに使用した研磨装置の
模式図である。第１〜第３のポリッシングは、ガラス製
のウエハー支持板３にワックスを用いて貼付けたＣｄＴ
ｅウエハー４を、研磨布２として不織布を貼付けた研磨
盤１の上に加圧シリンダー５により面圧を制御しながら
押し付けてセットし、各粒径のアルミナ砥粒を拡散させ
た研磨液６を攪拌器で攪拌して滴下させながら、研磨盤
１とウエハー支持板３を回転させることによって行っ
た。
模式図である。第１〜第３のポリッシングは、ガラス製
のウエハー支持板３にワックスを用いて貼付けたＣｄＴ
ｅウエハー４を、研磨布２として不織布を貼付けた研磨
盤１の上に加圧シリンダー５により面圧を制御しながら
押し付けてセットし、各粒径のアルミナ砥粒を拡散させ
た研磨液６を攪拌器で攪拌して滴下させながら、研磨盤
１とウエハー支持板３を回転させることによって行っ
た。
【０００８】第１〜第３のポリッシング時の条件は次の
通りである。 （第１ポリッシング） 研磨液 １μm アルミナ砥粒 ５ｇ グリセリン 25ml 水 50ml 面圧 40〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 10μm （第２ポリッシング） 研磨液 0.1μm アルミナ砥粒 ２ｇ グリセリン 17ml 水 153ml 面圧 10g/cm2 以下 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 ５μm （第３ポリッシング） 研磨液 0.05μm アルミナ砥粒 １ｇ グリセリン 11ml 水 100ml 面圧 10g/cm2 以下 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 ２μm
通りである。 （第１ポリッシング） 研磨液 １μm アルミナ砥粒 ５ｇ グリセリン 25ml 水 50ml 面圧 40〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 10μm （第２ポリッシング） 研磨液 0.1μm アルミナ砥粒 ２ｇ グリセリン 17ml 水 153ml 面圧 10g/cm2 以下 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 ５μm （第３ポリッシング） 研磨液 0.05μm アルミナ砥粒 １ｇ グリセリン 11ml 水 100ml 面圧 10g/cm2 以下 研磨盤回転数 20rpm 研磨量 ２μm
【０００９】それぞれのポリッシングでの研磨量は、ラ
ッピング又は前回のポリッシングによって生じるダメー
ジ層を削り取れる量とした。又第２、第３ポリッシング
では面圧を小さく設定したが、これは砥粒径を小さくす
ることによって生じるＣｄＴｅウエハー表面への砥粒の
付着を防ぐためである。これら第１〜第３のポリッシン
グによって従来の方法よりも表面粗度の低い鏡面を得る
ことが出来る。
ッピング又は前回のポリッシングによって生じるダメー
ジ層を削り取れる量とした。又第２、第３ポリッシング
では面圧を小さく設定したが、これは砥粒径を小さくす
ることによって生じるＣｄＴｅウエハー表面への砥粒の
付着を防ぐためである。これら第１〜第３のポリッシン
グによって従来の方法よりも表面粗度の低い鏡面を得る
ことが出来る。
【００１０】最終的な仕上げの第４ポリッシングは、研
磨液として臭素メタノール溶液、研磨布として硬質発泡
ポリウレタンを用い、上記と同様の研磨装置によって行
った。第４ポリッシング時の条件は次の通りである。 （第４ポリッシング） 研磨液 臭素 ８ml メタノール ４l 面圧 40〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨時間 １min 第４ポリッシングを短時間行うことによって、表面粗度
を高くすることなく、第１〜第３ポリッシングによって
生じたスクラッチ及びダメージ層を低減することができ
る。
磨液として臭素メタノール溶液、研磨布として硬質発泡
ポリウレタンを用い、上記と同様の研磨装置によって行
った。第４ポリッシング時の条件は次の通りである。 （第４ポリッシング） 研磨液 臭素 ８ml メタノール ４l 面圧 40〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨時間 １min 第４ポリッシングを短時間行うことによって、表面粗度
を高くすることなく、第１〜第３ポリッシングによって
生じたスクラッチ及びダメージ層を低減することができ
る。
【００１１】上述の方法を用いて研磨を行った結果得ら
れたＣｄＴｅウエハー鏡面は、光学干渉計を用いて測定
した表面粗度が、ＲＭＳ＝１nm、うねり（Ｐ−Ｖ）＝10
nm／mmであった。この結果は、従来の臭素メタノール研
磨液を用いて得られる鏡面と比較して非常に良好であ
る。又スクラッチはほとんど認めることができないレベ
ルであり、ダメージ層は、臭素メタノール溶液でエッチ
ングし二結晶Ｘ線回折のＦＷＨＭによって評価した結果
0.5μm 以下におさえられていた。
れたＣｄＴｅウエハー鏡面は、光学干渉計を用いて測定
した表面粗度が、ＲＭＳ＝１nm、うねり（Ｐ−Ｖ）＝10
nm／mmであった。この結果は、従来の臭素メタノール研
磨液を用いて得られる鏡面と比較して非常に良好であ
る。又スクラッチはほとんど認めることができないレベ
ルであり、ダメージ層は、臭素メタノール溶液でエッチ
ングし二結晶Ｘ線回折のＦＷＨＭによって評価した結果
0.5μm 以下におさえられていた。
【００１２】（実施例２）次に、第４ポリッシングにお
ける研磨液として、次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いた
例を示す。第１から第３ポリッシングまでの条件は前記
実施例１と同様であり、又第４ポリッシングにおける研
磨布も硬質発泡ポリウレタンを用いた。第４ポリッシン
グの条件を以下に示す。
ける研磨液として、次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いた
例を示す。第１から第３ポリッシングまでの条件は前記
実施例１と同様であり、又第４ポリッシングにおける研
磨布も硬質発泡ポリウレタンを用いた。第４ポリッシン
グの条件を以下に示す。
【００１３】（第４ポリッシング） 研磨液 次亜塩素酸ナトリウム 3.6ｇ 純水 1000ml 面圧 40 〜100g/cm2 研磨盤回転数 20rpm 研磨時間 １min
【００１４】本実施例により得られたウェハ鏡面も、前
記実施例１と同様に、光学干渉計を用いて測定した表面
粗度が、ＲＭＳ＝１nm、うねり（Ｐ−Ｖ）＝10nm／mmで
あった。この結果は、従来の臭素メタノール研磨液を用
いて得られる鏡面と比較して非常に良好である。又スク
ラッチはほとんど認めることができないレベルであり、
ダメージ層は、臭素メタノール溶液でエッチングし二結
晶Ｘ線回折のＦＷＨＭによって評価した結果 0.5μm 以
下におさえられていた。
記実施例１と同様に、光学干渉計を用いて測定した表面
粗度が、ＲＭＳ＝１nm、うねり（Ｐ−Ｖ）＝10nm／mmで
あった。この結果は、従来の臭素メタノール研磨液を用
いて得られる鏡面と比較して非常に良好である。又スク
ラッチはほとんど認めることができないレベルであり、
ダメージ層は、臭素メタノール溶液でエッチングし二結
晶Ｘ線回折のＦＷＨＭによって評価した結果 0.5μm 以
下におさえられていた。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＣｄＴｅ
ウエハーの鏡面研磨方法によれば、スクラッチフリーで
ダメージ層が小さく、かつ低い表面粗度をもつ十分に良
好な鏡面が得られる。従って、これを基板としＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル膜等を成長させて作製した各種デバ
イスの品質向上を保証することが出来る。
ウエハーの鏡面研磨方法によれば、スクラッチフリーで
ダメージ層が小さく、かつ低い表面粗度をもつ十分に良
好な鏡面が得られる。従って、これを基板としＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル膜等を成長させて作製した各種デバ
イスの品質向上を保証することが出来る。
【図１】本発明のポリッシングで使用した研磨装置の模
式図である。
式図である。
１ 研磨盤 ２ 研磨布 ３ ウエハー支持板 ４ ＣｄＴｅウエハー ５ 加圧シリンダー ６ 研磨液
Claims (3)
- 【請求項１】 砥粒を溶かした研磨液及び研磨布を用い
てメカニカルなポリッシングを行い、最終的な仕上げと
して化学性の研磨液及び硬質の研磨布を用いてケミカル
な短時間ポリッシングを行うことを特徴とするＣｄＴｅ
ウエハーの鏡面研磨方法。 - 【請求項２】 メカニカルなポリッシングの砥粒にはア
ルミナ砥粒を用い、ケミカルなポリッシングの研磨液に
は臭素メタノール溶液を用いることを特徴とする請求項
１記載のＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨方法。 - 【請求項３】 メカニカルなポリッシングの砥粒にはア
ルミナ砥粒を用い、ケミカルなポリッシングの研磨液に
は次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いることを特徴とする
請求項１記載のＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4078588A JPH05177536A (ja) | 1991-10-30 | 1992-02-27 | ＣｄＴｅウェハーの鏡面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-313925 | 1991-10-30 | ||
| JP31392591 | 1991-10-30 | ||
| JP4078588A JPH05177536A (ja) | 1991-10-30 | 1992-02-27 | ＣｄＴｅウェハーの鏡面研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05177536A true JPH05177536A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=26419646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4078588A Pending JPH05177536A (ja) | 1991-10-30 | 1992-02-27 | ＣｄＴｅウェハーの鏡面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05177536A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07314324A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-12-05 | Memc Electron Materials Inc | 表面粗さを減少させるための半導体ウエハの粗研磨法 |
| WO2011040566A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Jx日鉱日石金属株式会社 | エピタキシャル成長用ＣｄＴｅ系半導体基板及び基板収納物 |
| CN103659468A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法 |
| CN106086897A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-11-09 | 吴江创源新材料科技有限公司 | 一种不锈钢导光板抛光液及其制备方法和应用 |
| CN107470987A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-12-15 | 北京交通大学 | 一种基于磁流变胶的超光滑平面抛光装置及抛光方法 |
| CN113583573A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-02 | 安徽光智科技有限公司 | 锗晶体用抛光液及其制备方法 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4078588A patent/JPH05177536A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07314324A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-12-05 | Memc Electron Materials Inc | 表面粗さを減少させるための半導体ウエハの粗研磨法 |
| WO2011040566A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Jx日鉱日石金属株式会社 | エピタキシャル成長用ＣｄＴｅ系半導体基板及び基板収納物 |
| US8513775B2 (en) | 2009-09-30 | 2013-08-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | CdTe semiconductor substrate for epitaxial growth and substrate container |
| JP5449381B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-03-19 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | エピタキシャル成長用ＣｄＴｅ系半導体基板、基板の保管方法及びエピタキシャル成長方法 |
| CN103659468A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法 |
| CN106086897A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-11-09 | 吴江创源新材料科技有限公司 | 一种不锈钢导光板抛光液及其制备方法和应用 |
| CN107470987A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-12-15 | 北京交通大学 | 一种基于磁流变胶的超光滑平面抛光装置及抛光方法 |
| CN107470987B (zh) * | 2017-08-04 | 2019-09-10 | 北京交通大学 | 一种基于磁流变胶的超光滑平面抛光装置及抛光方法 |
| CN113583573A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-02 | 安徽光智科技有限公司 | 锗晶体用抛光液及其制备方法 |
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