JP2892215B2 - ウェーハ研磨方法 - Google Patents
ウェーハ研磨方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの研
磨方法に関わり、特に６４ＭＤＲＡＭ以上の高集積度デ
バイス製造に要求されるウェーハ表面の平坦度を満足さ
せるための改良に関する。
磨方法に関わり、特に６４ＭＤＲＡＭ以上の高集積度デ
バイス製造に要求されるウェーハ表面の平坦度を満足さ
せるための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハの両面研磨機は、片面研磨機に
比べて大径ウェーハの処理が容易で、ウェーハ全面にか
かる圧力が均一であるから、平坦度が向上できるという
利点を有する。
比べて大径ウェーハの処理が容易で、ウェーハ全面にか
かる圧力が均一であるから、平坦度が向上できるという
利点を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような両
面研磨機を用いて研磨したウェーハは、表裏が鏡面とな
るためにデバイス工程中にウェーハ表裏の区別が付かな
いという欠点を有する。そこで、ウェーハにレーザーマ
ークなどを形成し、ウェーハ表裏を区別することも提案
されているが、この方法ではウェーハ平坦度が悪化する
うえ、レーザーマークした箇所からパーティクル（汚染
物質となる微細粒子）が発生するため、一般には用いら
れていない。
面研磨機を用いて研磨したウェーハは、表裏が鏡面とな
るためにデバイス工程中にウェーハ表裏の区別が付かな
いという欠点を有する。そこで、ウェーハにレーザーマ
ークなどを形成し、ウェーハ表裏を区別することも提案
されているが、この方法ではウェーハ平坦度が悪化する
うえ、レーザーマークした箇所からパーティクル（汚染
物質となる微細粒子）が発生するため、一般には用いら
れていない。
【０００４】一方、エッチング仕上げしたウェーハを、
２枚づつワックスで張り合わせて両面研磨し、その後、
剥離してワックスを除去する方法も提案されているが、
研磨時のワックス層の厚みが均一にはならないから、ウ
ェーハの平坦度が安定しないという欠点を有する。この
ため、この両面研磨法ではＴＴＶ（ウェーハ裏面を基準
とした表面までの厚さのばらつき）：１μｍ程度が精度
上の限界であり、それ以上の高平坦度化の要求には応え
られなかった。
２枚づつワックスで張り合わせて両面研磨し、その後、
剥離してワックスを除去する方法も提案されているが、
研磨時のワックス層の厚みが均一にはならないから、ウ
ェーハの平坦度が安定しないという欠点を有する。この
ため、この両面研磨法ではＴＴＶ（ウェーハ裏面を基準
とした表面までの厚さのばらつき）：１μｍ程度が精度
上の限界であり、それ以上の高平坦度化の要求には応え
られなかった。
【０００５】ちなみに、デバイス工程中に光リソグラフ
ィーを用いる場合には、露光線幅が小さくなると焦点深
度が浅くなるため、露光線幅の縮小に応じて高平坦度が
必要となる。例えば、線幅が０．２５μｍのサブハーフ
ミクロンデバイスであれば、平坦度は０．２５μｍ以下
が必要となる。
ィーを用いる場合には、露光線幅が小さくなると焦点深
度が浅くなるため、露光線幅の縮小に応じて高平坦度が
必要となる。例えば、線幅が０．２５μｍのサブハーフ
ミクロンデバイスであれば、平坦度は０．２５μｍ以下
が必要となる。
【０００６】ただし、この平坦度の値は、線幅１μｍの
１ＭＤＲＡＭの場合に使用される、裏面基準のＬＴＶ
（Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｌｕｅ）では
なく、ステッパとしてチルチングが用いられるために表
面基準のＳＴＩＲ（ＳｉｔｅＴｏｔａｌ Ｉｎｄｉｃａ
ｔｏｒ Ｒｅａｄｉｎｇ）が適用される。
１ＭＤＲＡＭの場合に使用される、裏面基準のＬＴＶ
（Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｌｕｅ）では
なく、ステッパとしてチルチングが用いられるために表
面基準のＳＴＩＲ（ＳｉｔｅＴｏｔａｌ Ｉｎｄｉｃａ
ｔｏｒ Ｒｅａｄｉｎｇ）が適用される。
【０００７】一方、製品ウェーハから、張り合わせ構造
のＳＯＩウェーハを製造する場合には、張り合わせを行
う２枚のウェーハの平坦度が不足すると張り合わせ面に
ボイド等の欠陥が生じてデバイス不良が生じるため、Ｔ
ＴＶ：１μｍ未満の平坦度が要求される。
のＳＯＩウェーハを製造する場合には、張り合わせを行
う２枚のウェーハの平坦度が不足すると張り合わせ面に
ボイド等の欠陥が生じてデバイス不良が生じるため、Ｔ
ＴＶ：１μｍ未満の平坦度が要求される。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、サブハーフミクロンデバイスに要求される平坦度条
件を満たしうるウェーハ研磨方法の提供を課題としてい
る。
で、サブハーフミクロンデバイスに要求される平坦度条
件を満たしうるウェーハ研磨方法の提供を課題としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以下、本発明に係るウェ
ーハ研磨方法を具体的に説明する。図１は、本発明の請
求項２に係るウェーハ研磨方法の具体例を示す説明図で
ある。この方法ではまず、図１中工程（ａ），（ｂ）に
示すように、単結晶インゴットからスライスされたシリ
コンウェーハ１に対し、通常の片面研磨ウェーハの工程
と同様に、ラッピングまたは研削を行い、スライスダメ
ージを除去するとともに平行度を向上させる。
ーハ研磨方法を具体的に説明する。図１は、本発明の請
求項２に係るウェーハ研磨方法の具体例を示す説明図で
ある。この方法ではまず、図１中工程（ａ），（ｂ）に
示すように、単結晶インゴットからスライスされたシリ
コンウェーハ１に対し、通常の片面研磨ウェーハの工程
と同様に、ラッピングまたは研削を行い、スライスダメ
ージを除去するとともに平行度を向上させる。
【００１０】次に、ウェーハ１の表裏両面をエッチング
処理し、前記ラッピングまたは研削によって生じたダメ
ージを除去する。さらに、ウェーハ１の表裏全面に、Ｓ
ｉＯ2または／およびＳｉ3Ｎ4からなる均一厚の保護層
２を形成する。
処理し、前記ラッピングまたは研削によって生じたダメ
ージを除去する。さらに、ウェーハ１の表裏全面に、Ｓ
ｉＯ2または／およびＳｉ3Ｎ4からなる均一厚の保護層
２を形成する。
【００１１】ＳｉＯ2で保護層２を形成する方法として
は、シリコンウェーハ１をＯ2雰囲気中で加熱する酸化
法，ＳｉＨ4−Ｏ2混合ガスやＴＥＯＳ等のガスを用いた
化学蒸着法（ＣＶＤ法），スパッタリング法などが可能
である。また、保護層２をＳｉ3Ｎ4で形成する場合に
は、シリコンウェーハをＳｉＨ2Ｃｌ2−ＮＨ3ガスやＳ
ｉＨ4-ＮＨ3を用いたＣＶＤ法，スパッタリング法など
が可能である。その他の物質についても同様の薄膜形成
法が可能である。
は、シリコンウェーハ１をＯ2雰囲気中で加熱する酸化
法，ＳｉＨ4−Ｏ2混合ガスやＴＥＯＳ等のガスを用いた
化学蒸着法（ＣＶＤ法），スパッタリング法などが可能
である。また、保護層２をＳｉ3Ｎ4で形成する場合に
は、シリコンウェーハをＳｉＨ2Ｃｌ2−ＮＨ3ガスやＳ
ｉＨ4-ＮＨ3を用いたＣＶＤ法，スパッタリング法など
が可能である。その他の物質についても同様の薄膜形成
法が可能である。
【００１２】保護層２の厚さは必ずしも限定されない
が、０．０５〜１μｍであることが望ましい。０．０５
μｍ未満では研磨を十分に止められないおそれが生じる
一方、１μｍより厚いと保護層２を形成するのに時間と
コストがかかって好ましくない。なお、ＳｉＯ2層を形
成したうえで、ＳｉＯ2層上にさらにＳｉ3Ｎ4層を形成
し、保護層２としてもよい。
が、０．０５〜１μｍであることが望ましい。０．０５
μｍ未満では研磨を十分に止められないおそれが生じる
一方、１μｍより厚いと保護層２を形成するのに時間と
コストがかかって好ましくない。なお、ＳｉＯ2層を形
成したうえで、ＳｉＯ2層上にさらにＳｉ3Ｎ4層を形成
し、保護層２としてもよい。
【００１３】次に、工程（ｃ）に示すように、ウェーハ
１の表面側の保護層２をウェットエッチング法またはド
ライエッチング法等により除去し、ウェーハ露出面３を
形成する。具体的な保護層２の除去方法としては、保護
層２をＳｉＯ2で形成した場合にはウェーハ裏面をマス
クしたうえでＨＦ処理し、表面側の保護層２を溶解除去
すればよい。また、保護層２をＳｉ3Ｎ4で形成した場合
には、同様にウェーハ裏面をマスクしたうえ熱Ｈ3ＰＯ4
で溶解処理すればよい。ＳｉＯ2層およびＳｉ3Ｎ4層を
重ねて保護層２を形成した場合には、上記のような方法
を逐次行えばよい。
１の表面側の保護層２をウェットエッチング法またはド
ライエッチング法等により除去し、ウェーハ露出面３を
形成する。具体的な保護層２の除去方法としては、保護
層２をＳｉＯ2で形成した場合にはウェーハ裏面をマス
クしたうえでＨＦ処理し、表面側の保護層２を溶解除去
すればよい。また、保護層２をＳｉ3Ｎ4で形成した場合
には、同様にウェーハ裏面をマスクしたうえ熱Ｈ3ＰＯ4
で溶解処理すればよい。ＳｉＯ2層およびＳｉ3Ｎ4層を
重ねて保護層２を形成した場合には、上記のような方法
を逐次行えばよい。
【００１４】次いで、工程（ｄ）に示すように、ウェー
ハ裏面となる保護層２を片面研削盤の固定定盤に真空吸
着して固定し、ウェーハ露出面３のみを＃２０００以上
の砥粒を用いた砥石により片面研削を行い、研削面４を
形成する。これにより表面が高平坦度に研削される。
ハ裏面となる保護層２を片面研削盤の固定定盤に真空吸
着して固定し、ウェーハ露出面３のみを＃２０００以上
の砥粒を用いた砥石により片面研削を行い、研削面４を
形成する。これにより表面が高平坦度に研削される。
【００１５】片面研削を終えたウェーハ１を、それぞれ
単独で両面研磨装置のキャリアのウェーハ保持孔にはめ
込み、ＳｉＯ2等の微細な研磨粒子を含有するアルカリ
性研磨液を供給しつつ、両面研磨装置の上定盤および下
定盤とキャリアとを相対回転させ、メカノケミカル研磨
を行う。この場合、キャリアはウェーハ１よりも薄いも
のを使用する。
単独で両面研磨装置のキャリアのウェーハ保持孔にはめ
込み、ＳｉＯ2等の微細な研磨粒子を含有するアルカリ
性研磨液を供給しつつ、両面研磨装置の上定盤および下
定盤とキャリアとを相対回転させ、メカノケミカル研磨
を行う。この場合、キャリアはウェーハ１よりも薄いも
のを使用する。
【００１６】上定盤および下定盤の対向面にはそれぞれ
研磨布が貼られ、これら研磨布および研磨粒子による摩
擦と、研磨液による溶解反応とにより、ウェーハ１の研
削面４が鏡面研磨されて研磨面５となる。一方、ウェー
ハ裏面にはＳｉより硬度が高いメカノケミカル研磨され
がたい保護膜２が形成されているから、上記溶解反応が
生じず、保護膜２は研磨されない。これにより、ウェー
ハ表面はウェーハ裏面を基準面として研磨され、ウェー
ハ１の厚さが全面に亙って一定化され、高い平坦度が得
られる。
研磨布が貼られ、これら研磨布および研磨粒子による摩
擦と、研磨液による溶解反応とにより、ウェーハ１の研
削面４が鏡面研磨されて研磨面５となる。一方、ウェー
ハ裏面にはＳｉより硬度が高いメカノケミカル研磨され
がたい保護膜２が形成されているから、上記溶解反応が
生じず、保護膜２は研磨されない。これにより、ウェー
ハ表面はウェーハ裏面を基準面として研磨され、ウェー
ハ１の厚さが全面に亙って一定化され、高い平坦度が得
られる。
【００１７】研磨が完了したら、工程（ｆ）に示すよう
に、ウェーハ裏面に残る保護層２を上記工程（ｃ）と同
じ化学処理により溶解除去し、ウェーハ裏面６を露出さ
せて製品ウェーハとする。ウェーハ裏面６は、エッチン
グ面であるため、研磨されたウェーハ表面５とは光沢度
が異なり、肉眼および光沢度計で容易に表裏が判別でき
る。したがって、ウェーハ表面と裏面を区別するための
レーザーマークを付けたり、デバイス工程中でマークを
チェックするなどの手間が不要となる。
に、ウェーハ裏面に残る保護層２を上記工程（ｃ）と同
じ化学処理により溶解除去し、ウェーハ裏面６を露出さ
せて製品ウェーハとする。ウェーハ裏面６は、エッチン
グ面であるため、研磨されたウェーハ表面５とは光沢度
が異なり、肉眼および光沢度計で容易に表裏が判別でき
る。したがって、ウェーハ表面と裏面を区別するための
レーザーマークを付けたり、デバイス工程中でマークを
チェックするなどの手間が不要となる。
【００１８】なお、上記請求項２に係るウェーハ研磨方
法では、工程（ｃ）においてウェーハ表面の保護層２を
除去してから、工程（ｄ）においてウェーハ露出面３を
研削していたが、その代わりに工程（ｃ）を省き、表裏
全面に保護層２を形成したウェーハの表面側を直接研削
してもよい。このような方法が本発明の請求項１の方法
に相当する。ただしこの場合には、研削時にスクラッチ
が発生しやすいうえ、粗研削から仕上げ研削まで複数の
工程が必要になるから研削代が若干大きくなる。
法では、工程（ｃ）においてウェーハ表面の保護層２を
除去してから、工程（ｄ）においてウェーハ露出面３を
研削していたが、その代わりに工程（ｃ）を省き、表裏
全面に保護層２を形成したウェーハの表面側を直接研削
してもよい。このような方法が本発明の請求項１の方法
に相当する。ただしこの場合には、研削時にスクラッチ
が発生しやすいうえ、粗研削から仕上げ研削まで複数の
工程が必要になるから研削代が若干大きくなる。
【００１９】
【実施例】直径６インチのエッチング済みのシリコンウ
ェーハ１ロット１５０枚を、酸素雰囲気中で１１００℃
で加熱処理し、その表裏全面にＳｉＯ2層を０．５μｍ
の厚さに形成した。次いで、これらウェーハの裏面をマ
スキングしたうえ、表面側のＳｉＯ2層のみをＨＦによ
り溶解除去した。
ェーハ１ロット１５０枚を、酸素雰囲気中で１１００℃
で加熱処理し、その表裏全面にＳｉＯ2層を０．５μｍ
の厚さに形成した。次いで、これらウェーハの裏面をマ
スキングしたうえ、表面側のＳｉＯ2層のみをＨＦによ
り溶解除去した。
【００２０】次に、ウェーハ裏面を真空吸着しながら、
露出したウェーハ表面を＃６０００の砥粒を用いてウェ
ーハ研削装置により電解研削した。得られた研削済みウ
ェーハの一部の平坦度を測定した結果を表１に示す。
露出したウェーハ表面を＃６０００の砥粒を用いてウェ
ーハ研削装置により電解研削した。得られた研削済みウ
ェーハの一部の平坦度を測定した結果を表１に示す。
【００２１】続いて、各ウェーハを１キャリア３枚毎の
キャリアの保持孔にはめ込み、４キャリア合計１２枚を
１バッチとして、両面研磨装置によりメカノケミカル研
磨を行った。研磨液としてはコロイダルシリカを含むア
ルカリ懸濁液を用いた。これにより、ウェーハ表面は研
磨されたが、ＳｉＯ2層が形成された裏面は研磨されな
かった。
キャリアの保持孔にはめ込み、４キャリア合計１２枚を
１バッチとして、両面研磨装置によりメカノケミカル研
磨を行った。研磨液としてはコロイダルシリカを含むア
ルカリ懸濁液を用いた。これにより、ウェーハ表面は研
磨されたが、ＳｉＯ2層が形成された裏面は研磨されな
かった。
【００２２】さらに各ウェーハをＨＦ処理し、ウェーハ
裏面のＳｉＯ2層を完全に除去した。ＳｉＯ2層の除去に
より、ウェーハ裏面は、ウェーハ表面とは明らかに光沢
の異なる粗面となった。得られたシリコンウェーハの表
面の平坦度（ＳＴＩＲおよびＴＴＶ）を測定したとこ
ろ、表２の通りになった。
裏面のＳｉＯ2層を完全に除去した。ＳｉＯ2層の除去に
より、ウェーハ裏面は、ウェーハ表面とは明らかに光沢
の異なる粗面となった。得られたシリコンウェーハの表
面の平坦度（ＳＴＩＲおよびＴＴＶ）を測定したとこ
ろ、表２の通りになった。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】表１および表２から明らかなように、本発
明の方法によれば、ＴＴＶ：０．４μｍ、ＳＴＩＲ：
０．２μｍのウェーハが製造でき、張り合わせ構造によ
るＳＯＩウェーハの製造に適した、さらに線幅が０．２
μｍ以下となる６４Ｍから１ＧＤＲＡＭに適用可能な平
坦度の高いウェーハが製造できた。これに対し、従来の
ワックスを用いた片面研磨ウェーハでは、ＴＴＶ：１μ
ｍおよびＳＴＩＲ：０．５μｍが限度である。
明の方法によれば、ＴＴＶ：０．４μｍ、ＳＴＩＲ：
０．２μｍのウェーハが製造でき、張り合わせ構造によ
るＳＯＩウェーハの製造に適した、さらに線幅が０．２
μｍ以下となる６４Ｍから１ＧＤＲＡＭに適用可能な平
坦度の高いウェーハが製造できた。これに対し、従来の
ワックスを用いた片面研磨ウェーハでは、ＴＴＶ：１μ
ｍおよびＳＴＩＲ：０．５μｍが限度である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
または２に係るウェーハ研磨方法では、ウェーハの裏面
にＳｉＯ2または／およびＳｉ3Ｎ4からなる保護層を形
成する一方、ウェーハ表面を研削して平坦度を確保し、
さらにこのウェーハを両面研磨装置にかけて、その表裏
両面を同時にメカノケミカル研磨する。この方法によれ
ば、従来のウェーハ張り合わせ法における接着剤層とは
異なり、上記保護層が高精度の一定膜厚に形成されるた
め、ウェーハ表面をウェーハ裏面の保護層を基準として
高精度に研磨することが可能で、高い平坦度が得られ
る。一方、保護層はメカノケミカル研磨では研磨されな
いから、保護層に覆われたウェーハ裏面は前加工時のま
まのエッチング面に保たれ、保護層を除去すれば、ウェ
ーハ表面とは光沢が明らかに異なるエッチング面が表れ
る。したがって、製品ウェーハの表裏判別が容易で、従
来の片面研磨ウェーハ用と同一の表裏検出装置が適用で
きる。
または２に係るウェーハ研磨方法では、ウェーハの裏面
にＳｉＯ2または／およびＳｉ3Ｎ4からなる保護層を形
成する一方、ウェーハ表面を研削して平坦度を確保し、
さらにこのウェーハを両面研磨装置にかけて、その表裏
両面を同時にメカノケミカル研磨する。この方法によれ
ば、従来のウェーハ張り合わせ法における接着剤層とは
異なり、上記保護層が高精度の一定膜厚に形成されるた
め、ウェーハ表面をウェーハ裏面の保護層を基準として
高精度に研磨することが可能で、高い平坦度が得られ
る。一方、保護層はメカノケミカル研磨では研磨されな
いから、保護層に覆われたウェーハ裏面は前加工時のま
まのエッチング面に保たれ、保護層を除去すれば、ウェ
ーハ表面とは光沢が明らかに異なるエッチング面が表れ
る。したがって、製品ウェーハの表裏判別が容易で、従
来の片面研磨ウェーハ用と同一の表裏検出装置が適用で
きる。
【図１】本発明の請求項２に係るウェーハ研磨方法を示
す説明図である。
す説明図である。
１ シリコンウェーハ ２ 保護層 ３ ウェーハ露出面 ４ 研削面 ５ 研磨面 ６ エッチング面であるウェーハ裏面
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェーハの表裏全面にＳｉＯ2または／
およびＳｉ3Ｎ4からなる保護層を形成する第１工程と、 前記ウェーハの表面側を研削して表面側の前記保護層の
みを除去しウェーハ露出面を形成する第２工程と、 前記ウェーハを両面研磨装置にかけてメカノケミカル研
磨を行ない前記ウェーハ露出面のみを研磨する第３工程
と、 裏面側の保護層をエッチングにより除去する第４工程と
を具備することを特徴とするウェーハ研磨方法。 - 【請求項２】 ウェーハの表裏全面にＳｉＯ2または／
およびＳｉ3Ｎ4からなる保護層を形成する第１工程と、 前記ウェーハの表面側の保護層をエッチングにより除去
しウェーハ露出面を形成する第２工程と、 前記ウェーハ露出面を研削する第３工程と、 前記ウェーハを両面研磨装置にかけてメカノケミカル研
磨を行ない前記ウェーハ露出面のみを研磨する第４工程
と、 裏面側の保護層をエッチングにより除去する第５工程と
を具備することを特徴とするウェーハ研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113773A JP2892215B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | ウェーハ研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113773A JP2892215B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | ウェーハ研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315305A JPH05315305A (ja) | 1993-11-26 |
| JP2892215B2 true JP2892215B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=14620764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4113773A Expired - Fee Related JP2892215B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | ウェーハ研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892215B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167584A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JPH09270400A (ja) | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| US6376335B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-04-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer manufacturing process |
| WO2001054178A1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer manufacturing process |
| JP2001257184A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| JP3791302B2 (ja) | 2000-05-31 | 2006-06-28 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法 |
| JP2015018960A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7138062B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2022-09-15 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | 導波路素子製造方法 |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP4113773A patent/JP2892215B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05315305A (ja) | 1993-11-26 |
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