JPH06268183A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06268183A JPH06268183A JP5053514A JP5351493A JPH06268183A JP H06268183 A JPH06268183 A JP H06268183A JP 5053514 A JP5053514 A JP 5053514A JP 5351493 A JP5351493 A JP 5351493A JP H06268183 A JPH06268183 A JP H06268183A
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- Japan
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- semiconductor element
- silicon layer
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- silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置を形成して薄層化した基板を他の
支持基板に転写する半導体装置の製造方法に関し、この
薄層化した基板を絶縁性の支持基板に気泡などを発生さ
せないで、強固に接着できる半導体装置の製造方法の提
供を目的とする。 【構成】 ＳＯＩ基板のシリコン層1cの表面に半導体素
子２を形成した後、この半導体素子２形成領域に高分子
樹脂３を埋設して平坦化し、この高分子樹脂３と透明支
持基板５とを接着し、この半導体素子２形成領域と対向
する側のこのＳＯＩ基板のこの絶縁体側を研磨してシリ
コン層1cを薄層化する裏面入射型の赤外線検知素子の製
造工程において、薄層化したこのシリコン層1cを、絶縁
性を有し且つ赤外線を透過する支持基板７に、低融点ガ
ラス膜６を介して、直流電圧を印加しながら、常温にお
いて接合する工程と、この高分子樹脂３からこの透明支
持基板５を剥離し、この高分子樹脂３を除去する工程と
を含むように構成する。
支持基板に転写する半導体装置の製造方法に関し、この
薄層化した基板を絶縁性の支持基板に気泡などを発生さ
せないで、強固に接着できる半導体装置の製造方法の提
供を目的とする。 【構成】 ＳＯＩ基板のシリコン層1cの表面に半導体素
子２を形成した後、この半導体素子２形成領域に高分子
樹脂３を埋設して平坦化し、この高分子樹脂３と透明支
持基板５とを接着し、この半導体素子２形成領域と対向
する側のこのＳＯＩ基板のこの絶縁体側を研磨してシリ
コン層1cを薄層化する裏面入射型の赤外線検知素子の製
造工程において、薄層化したこのシリコン層1cを、絶縁
性を有し且つ赤外線を透過する支持基板７に、低融点ガ
ラス膜６を介して、直流電圧を印加しながら、常温にお
いて接合する工程と、この高分子樹脂３からこの透明支
持基板５を剥離し、この高分子樹脂３を除去する工程と
を含むように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体撮像素子や、ポリ
シリコン等で歯車等の微小機械部品を形成したマイクロ
マシン等に係り、特に半導体装置を形成して薄層化した
基板を他の支持基板に転写する半導体装置の製造方法に
関するものである。
シリコン等で歯車等の微小機械部品を形成したマイクロ
マシン等に係り、特に半導体装置を形成して薄層化した
基板を他の支持基板に転写する半導体装置の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来はシリコン等の半導体基板にＣＭＯ
Ｓ型の半導体素子を形成して赤外線検知素子を製造する
場合には、このシリコン基板表面にはシリコン酸化膜
や、電極や配線層等が形成されており、このシリコン基
板の半導体素子を形成した面側から赤外線を入射する
と、上記の配線層や電極で赤外線が遮蔽されて半導体素
子形成領域に入射しないので、高感度の赤外線撮像素子
を製造するには、シリコン基板の半導体素子を形成して
いない裏面側より赤外線を入射する裏面入射型の赤外線
検知素子が製造されている。
Ｓ型の半導体素子を形成して赤外線検知素子を製造する
場合には、このシリコン基板表面にはシリコン酸化膜
や、電極や配線層等が形成されており、このシリコン基
板の半導体素子を形成した面側から赤外線を入射する
と、上記の配線層や電極で赤外線が遮蔽されて半導体素
子形成領域に入射しないので、高感度の赤外線撮像素子
を製造するには、シリコン基板の半導体素子を形成して
いない裏面側より赤外線を入射する裏面入射型の赤外線
検知素子が製造されている。
【０００３】しかし、シリコン基板の板厚が厚い場合に
は、裏面側より入射した赤外線がシリコン基板に吸収さ
れ易いので、シリコン基板の板厚は10μm 以下に薄くし
なければならないが、このようにシリコン基板を10μm
以下の薄板にすると、割れやすくなり取扱が困難である
という問題が生じている。
は、裏面側より入射した赤外線がシリコン基板に吸収さ
れ易いので、シリコン基板の板厚は10μm 以下に薄くし
なければならないが、このようにシリコン基板を10μm
以下の薄板にすると、割れやすくなり取扱が困難である
という問題が生じている。
【０００４】このため従来は、図５に示すように半導体
素子32を形成した板厚が薄い半導体基板31を、赤外線を
透過するサファイア等からなる絶縁性の支持基板37にエ
ポキシ樹脂36を用いて接着する方法を採用している。
素子32を形成した板厚が薄い半導体基板31を、赤外線を
透過するサファイア等からなる絶縁性の支持基板37にエ
ポキシ樹脂36を用いて接着する方法を採用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置の製造方法においては、上記のように接着剤を
用いて半導体基板を赤外線を透過するサファイア等から
なる絶縁性の支持基板に接着しているが、接着剤を均一
に薄く引き伸ばして接着することは技術的に非常に困難
であり、また接着剤の内部に気泡が形成され易く、この
ように半導体基板を支持基板に接着して製造した赤外線
撮像素子を、動作温度の液体窒素の温度から動作させて
いない場合の室内の温度に曝すと、気泡内の空気が温度
差によって膨張し、接着剤にひび割れが発生するという
問題点があった。
導体装置の製造方法においては、上記のように接着剤を
用いて半導体基板を赤外線を透過するサファイア等から
なる絶縁性の支持基板に接着しているが、接着剤を均一
に薄く引き伸ばして接着することは技術的に非常に困難
であり、また接着剤の内部に気泡が形成され易く、この
ように半導体基板を支持基板に接着して製造した赤外線
撮像素子を、動作温度の液体窒素の温度から動作させて
いない場合の室内の温度に曝すと、気泡内の空気が温度
差によって膨張し、接着剤にひび割れが発生するという
問題点があった。
【０００６】本発明は以上のような状況から、半導体素
子を形成して薄層化した半導体基板を絶縁性の支持基板
に接着する際に、気泡などを発生させないで、強固に接
着することが可能となる半導体装置の製造方法の提供を
目的としたものである。
子を形成して薄層化した半導体基板を絶縁性の支持基板
に接着する際に、気泡などを発生させないで、強固に接
着することが可能となる半導体装置の製造方法の提供を
目的としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、シリコン基板、或いは絶縁体上にシリコン層
を設けたＳＯＩ基板のこのシリコン層の表面に半導体素
子を形成した後、この半導体素子形成領域に樹脂を埋設
してこの半導体素子形成領域を平坦化し、この半導体素
子形成領域を埋設して平坦化したこの樹脂と透明支持基
板とを接着し、この半導体素子形成領域と対向する側の
このシリコン基板、或いはこのＳＯＩ基板の前記絶縁体
側を研磨してシリコン層を薄層化する裏面入射型の赤外
線検知素子の製造工程において、薄層化した前記シリコ
ン基板、或いは前記シリコン層を、絶縁性を有し且つ赤
外線を透過する支持基板に、低融点ガラス膜を介して、
直流電圧を印加しながら、常温において接合する工程
と、この半導体素子を埋設したこの樹脂からこの透明支
持基板を剥離し、埋設したこの樹脂を除去する工程とを
含むように構成する。
造方法は、シリコン基板、或いは絶縁体上にシリコン層
を設けたＳＯＩ基板のこのシリコン層の表面に半導体素
子を形成した後、この半導体素子形成領域に樹脂を埋設
してこの半導体素子形成領域を平坦化し、この半導体素
子形成領域を埋設して平坦化したこの樹脂と透明支持基
板とを接着し、この半導体素子形成領域と対向する側の
このシリコン基板、或いはこのＳＯＩ基板の前記絶縁体
側を研磨してシリコン層を薄層化する裏面入射型の赤外
線検知素子の製造工程において、薄層化した前記シリコ
ン基板、或いは前記シリコン層を、絶縁性を有し且つ赤
外線を透過する支持基板に、低融点ガラス膜を介して、
直流電圧を印加しながら、常温において接合する工程
と、この半導体素子を埋設したこの樹脂からこの透明支
持基板を剥離し、埋設したこの樹脂を除去する工程とを
含むように構成する。
【０００８】
【作用】即ち本発明においては、半導体層の一方の面に
半導体素子を形成した後、薄層化した半導体層と、この
半導体層と同様な熱膨張係数を有し、赤外線を透過して
絶縁性を有する支持基板とを常温陽極接合により接着す
るので強固に接着することが可能となり、半導体装置を
動作温度の液体窒素温度の77°Ｋから非動作温度の室温
に曝す場合においても、この半導体層が支持基板から剥
離するのを防止することが可能となる。
半導体素子を形成した後、薄層化した半導体層と、この
半導体層と同様な熱膨張係数を有し、赤外線を透過して
絶縁性を有する支持基板とを常温陽極接合により接着す
るので強固に接着することが可能となり、半導体装置を
動作温度の液体窒素温度の77°Ｋから非動作温度の室温
に曝す場合においても、この半導体層が支持基板から剥
離するのを防止することが可能となる。
【０００９】この常温陽極接合は文献（Sensors and Ac
tuators,A-21-A23(1990)931-934)の"LoW-temperature S
ilicon-to-silicon Anodic Bonding with Intermediate
LowMelting Point Glass,by MASAYOSHI ESASHI,AKIRA
NAKANO,SHUICHI SHOJI andHIROYUKI HEBIGUCHI" におい
て開示されている。
tuators,A-21-A23(1990)931-934)の"LoW-temperature S
ilicon-to-silicon Anodic Bonding with Intermediate
LowMelting Point Glass,by MASAYOSHI ESASHI,AKIRA
NAKANO,SHUICHI SHOJI andHIROYUKI HEBIGUCHI" におい
て開示されている。
【００１０】この文献によれば、この方法は図４に示す
ように一方のシリコンウエーハ11にガラス層16をスパッ
タ法で被着し、他方の接着すべきシリコンウエーハ21と
対向させて配置し、直流電源20によりガラス層16をスパ
ッタしたシリコンウエーハ11に負の直流電圧が印加され
るように電圧を印加すると、印加された直流電圧の電界
によってスパッタされているガラス層16の一部に負のイ
オンが集合して分極領域16a が形成され、正の電圧が印
加されている他方のシリコンウエーハ21にこの分極領域
内の負のイオンが引きつけられてシリコンウエーハ同士
が接着される方法である。
ように一方のシリコンウエーハ11にガラス層16をスパッ
タ法で被着し、他方の接着すべきシリコンウエーハ21と
対向させて配置し、直流電源20によりガラス層16をスパ
ッタしたシリコンウエーハ11に負の直流電圧が印加され
るように電圧を印加すると、印加された直流電圧の電界
によってスパッタされているガラス層16の一部に負のイ
オンが集合して分極領域16a が形成され、正の電圧が印
加されている他方のシリコンウエーハ21にこの分極領域
内の負のイオンが引きつけられてシリコンウエーハ同士
が接着される方法である。
【００１１】本発明においては、この原理を利用し、図
１(a) に示すように電圧が確実に印加されるように、支
持基板７側が導体になるように支持基板７の表面に導電
性で透明なインジウム・錫・酸化物（ＩＴＯ）の膜を被
着し、このＩＴＯ膜９の表面に低融点ガラス（PbO-ZnO-
B2O3) からなる低融点ガラス膜６を被着する。
１(a) に示すように電圧が確実に印加されるように、支
持基板７側が導体になるように支持基板７の表面に導電
性で透明なインジウム・錫・酸化物（ＩＴＯ）の膜を被
着し、このＩＴＯ膜９の表面に低融点ガラス（PbO-ZnO-
B2O3) からなる低融点ガラス膜６を被着する。
【００１２】そして支持基板７およびシリコン層1cのそ
れぞれの側面に導電性ペースト８を塗布し、低融点ガラ
ス膜６を被着した支持基板７側に負の直流電圧が印加さ
れるように電圧を印加して低融点ガラス膜６とシリコン
層1cとを圧着すると、支持基板７とシリコン層1cとを接
着することが可能である。
れぞれの側面に導電性ペースト８を塗布し、低融点ガラ
ス膜６を被着した支持基板７側に負の直流電圧が印加さ
れるように電圧を印加して低融点ガラス膜６とシリコン
層1cとを圧着すると、支持基板７とシリコン層1cとを接
着することが可能である。
【００１３】また図１(b) に示すようにシリコン層1cの
表面に低融点ガラス膜６を形成した場合には、直流電圧
を図１(a) の場合とは反対にシリコン層1cに負の直流電
圧が印加されるように電圧を印加して低融点ガラス膜６
とＩＴＯ膜９とを圧着すると、支持基板７とシリコン層
1cとを接着することが可能である。
表面に低融点ガラス膜６を形成した場合には、直流電圧
を図１(a) の場合とは反対にシリコン層1cに負の直流電
圧が印加されるように電圧を印加して低融点ガラス膜６
とＩＴＯ膜９とを圧着すると、支持基板７とシリコン層
1cとを接着することが可能である。
【００１４】この接着に用いる低融点ガラス（PbO-ZnO-
B2O3) 膜の厚さは、樹脂層で接着する場合には実現不可
能な１μm 以下の厚さの層で接着することが可能であ
り、樹脂で接着した場合のように気泡が残留しないの
で、半導体装置を動作温度の液体窒素温度の77°Ｋから
室温の非動作温度に曝しても剥離することはない。
B2O3) 膜の厚さは、樹脂層で接着する場合には実現不可
能な１μm 以下の厚さの層で接着することが可能であ
り、樹脂で接着した場合のように気泡が残留しないの
で、半導体装置を動作温度の液体窒素温度の77°Ｋから
室温の非動作温度に曝しても剥離することはない。
【００１５】
【実施例】以下図１〜図３により本発明のシリコン板上
にシリコン層を形成したＳＯＩ基板を用いる一実施例に
ついて詳細に説明する。
にシリコン層を形成したＳＯＩ基板を用いる一実施例に
ついて詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明の常温陽極接合の実施例を示
す図、図２は本発明による一実施例の半導体装置の製造
方法を工程順に示す側断面図(1) 、図３は本発明による
一実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示す側断面
図(2) である。
す図、図２は本発明による一実施例の半導体装置の製造
方法を工程順に示す側断面図(1) 、図３は本発明による
一実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示す側断面
図(2) である。
【００１７】まず図２(a) に示すように、板厚 400μm
のシリコン板1a上に膜厚１μm のシリコン酸化膜1bと膜
厚５〜15μm のシリコン層1cを形成したＳＯＩ基板１
の、シリコン層1c側にＣＭＯＳプロセスで半導体素子２
を形成した後、この形成した半導体素子２の形成領域の
全面にポリイミド樹脂(日立化成社製、商品名：ＰＩＱ)
からなる高分子樹脂３を塗布してこの半導体素子２の形
成領域側を平坦にする。
のシリコン板1a上に膜厚１μm のシリコン酸化膜1bと膜
厚５〜15μm のシリコン層1cを形成したＳＯＩ基板１
の、シリコン層1c側にＣＭＯＳプロセスで半導体素子２
を形成した後、この形成した半導体素子２の形成領域の
全面にポリイミド樹脂(日立化成社製、商品名：ＰＩＱ)
からなる高分子樹脂３を塗布してこの半導体素子２の形
成領域側を平坦にする。
【００１８】つぎに、図２(b) に示すように、この半導
体素子２の形成領域を被覆している高分子樹脂３の平坦
な表面と、石英からなる透明支持基板５とを加熱し溶融
したワックスを用いて接着する。ここで透明支持基板５
を用いるのは、ワックス膜４の気泡を見つけて除去し、
接着を確実にするためである。
体素子２の形成領域を被覆している高分子樹脂３の平坦
な表面と、石英からなる透明支持基板５とを加熱し溶融
したワックスを用いて接着する。ここで透明支持基板５
を用いるのは、ワックス膜４の気泡を見つけて除去し、
接着を確実にするためである。
【００１９】ついで図２(c) に示すように、半導体素子
２を形成した側の反対側のＳＯＩ基板１のシリコン板1a
を約 360μm 研磨してシリコン酸化膜1bに到達する直前
で研磨を停止し、ＳＯＩ基板１のシリコン酸化膜1bとの
界面に到達するまで苛性カリからなるエッチング液を用
いるエッチングか、或いはドライエッチングにより残余
のシリコン板1aを除去し、弗化アンモン(ＮＨ4Ｆ) と弗
酸 (ＨＦ) とからなるバッファード弗酸を用いてシリコ
ン酸化膜1bを除去する。
２を形成した側の反対側のＳＯＩ基板１のシリコン板1a
を約 360μm 研磨してシリコン酸化膜1bに到達する直前
で研磨を停止し、ＳＯＩ基板１のシリコン酸化膜1bとの
界面に到達するまで苛性カリからなるエッチング液を用
いるエッチングか、或いはドライエッチングにより残余
のシリコン板1aを除去し、弗化アンモン(ＮＨ4Ｆ) と弗
酸 (ＨＦ) とからなるバッファード弗酸を用いてシリコ
ン酸化膜1bを除去する。
【００２０】ついで図３(a) に示すように、この半導体
素子２を形成したシリコン層1cと熱膨張率が合致した、
サファイヤからなる支持基板７に導電性を持たせるため
に、インジウム・錫・酸化物（以下、ＩＴＯと略称す
る。）からなる膜厚 0.3μm のＩＴＯ層９をスパッタ法
により形成し、このＩＴＯ層９の表面に膜厚 0.5μm の
低融点ガラス（PbO-ZnO-B2O3) 膜６をスパッタ法により
形成した後、図１(a) に示すようにシリコン層1cの側面
と支持基板７の側面に導電性ペースト８を被着させて形
成する。
素子２を形成したシリコン層1cと熱膨張率が合致した、
サファイヤからなる支持基板７に導電性を持たせるため
に、インジウム・錫・酸化物（以下、ＩＴＯと略称す
る。）からなる膜厚 0.3μm のＩＴＯ層９をスパッタ法
により形成し、このＩＴＯ層９の表面に膜厚 0.5μm の
低融点ガラス（PbO-ZnO-B2O3) 膜６をスパッタ法により
形成した後、図１(a) に示すようにシリコン層1cの側面
と支持基板７の側面に導電性ペースト８を被着させて形
成する。
【００２１】前記の低融点ガラス（PbO-ZnO-B2O3) 膜６
を被着した支持基板７に負の直流電圧が印加されるよう
に電圧を印加し、シリコン層1c側に正の直流電圧が印加
されるように電圧を印加した状態で直流電源10により数
10Ｖの直流電圧を印加すると、支持基板７の表面のＩＴ
Ｏ膜９とシリコン層1cとを低融点ガラス膜６を介して強
固に接着することが可能となる。この際、基板上に錘を
載せて加圧すると、印加電圧を低くすることが可能とな
る。
を被着した支持基板７に負の直流電圧が印加されるよう
に電圧を印加し、シリコン層1c側に正の直流電圧が印加
されるように電圧を印加した状態で直流電源10により数
10Ｖの直流電圧を印加すると、支持基板７の表面のＩＴ
Ｏ膜９とシリコン層1cとを低融点ガラス膜６を介して強
固に接着することが可能となる。この際、基板上に錘を
載せて加圧すると、印加電圧を低くすることが可能とな
る。
【００２２】その後、煮沸した純水中に浸漬してワック
ス膜４を軟化させ、図３(b) に示すように薄層化したシ
リコン層1cから透明支持基板５を剥離し、図３(c) に示
すようにキシレン等の有機溶剤を用いて残留しているワ
ックス膜４を除去し、ＰＩＱエッチャント液を用いて高
分子樹脂３を除去して半導体装置の製造が完了する。
ス膜４を軟化させ、図３(b) に示すように薄層化したシ
リコン層1cから透明支持基板５を剥離し、図３(c) に示
すようにキシレン等の有機溶剤を用いて残留しているワ
ックス膜４を除去し、ＰＩＱエッチャント液を用いて高
分子樹脂３を除去して半導体装置の製造が完了する。
【００２３】本実施例では、図３(a) の支持基板７の接
着工程において低融点ガラス膜６を支持基板７の表面に
形成したＩＴＯ膜９の表面に形成したが、支持基板７に
はＩＴＯ層９のみを被着し、シリコン層1cの表面に低融
点ガラス膜６を形成する方法も可能であり、この場合に
は図１(b) に示すように図１(a) とは逆に、直流電源10
の負の端子をシリコン層1cの側面に形成した導電性ペー
スト８に接続しなければならない。
着工程において低融点ガラス膜６を支持基板７の表面に
形成したＩＴＯ膜９の表面に形成したが、支持基板７に
はＩＴＯ層９のみを被着し、シリコン層1cの表面に低融
点ガラス膜６を形成する方法も可能であり、この場合に
は図１(b) に示すように図１(a) とは逆に、直流電源10
の負の端子をシリコン層1cの側面に形成した導電性ペー
スト８に接続しなければならない。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の常温陽極接合法を用いると、半導体素子を形成して薄
層化したシリコン層を支持基板に接着する際に接着層に
気泡を混入させず、且つ接着強度を高めた状態で接着す
ることが可能となり、この薄層化したシリコン基板に形
成した半導体素子を動作温度の低温から、非動作温度の
室温に曝した場合においても、支持基板から薄層化した
シリコン基板が剥離しない等の利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の製
造方法の提供が可能である。
の常温陽極接合法を用いると、半導体素子を形成して薄
層化したシリコン層を支持基板に接着する際に接着層に
気泡を混入させず、且つ接着強度を高めた状態で接着す
ることが可能となり、この薄層化したシリコン基板に形
成した半導体素子を動作温度の低温から、非動作温度の
室温に曝した場合においても、支持基板から薄層化した
シリコン基板が剥離しない等の利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の製
造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明の常温陽極接合の実施例を示す図
【図２】 本発明による一実施例の半導体装置の製造方
法を工程順に示す側断面図(1)
法を工程順に示す側断面図(1)
【図３】 本発明による一実施例の半導体装置の製造方
法を工程順に示す側断面図(2)
法を工程順に示す側断面図(2)
【図４】 常温陽極接合を説明する図
【図５】 従来の半導体装置の構成を示す側断面図
１ ＳＯＩ基板 1a シリコン板 1b シリコン酸化膜 1c シリコン層 ２ 半導体素子 ３ 高分子樹脂 ４ ワックス膜 ５ 透明支持基板 ６ 低融点ガラス膜 ７ 支持基板 ８ 導電性ペースト ９ ＩＴＯ膜
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板、或いは絶縁体(1a)上にシ
リコン層(1c)を設けたＳＯＩ基板(1) の前記シリコン層
(1c)の表面に半導体素子(2) を形成した後、該半導体素
子(2)形成領域に樹脂(3)を埋設して該半導体素子(2) 形
成領域を平坦化し、該半導体素子(2)形成領域を埋設し
て平坦化した前記樹脂(3)と透明支持基板(5) とを接着
し、前記半導体素子(2) 形成領域と対向する側の前記シ
リコン基板、或いは前記ＳＯＩ基板(1) の前記絶縁体(1
a)側を研磨してシリコン層(1c)を薄層化する裏面入射型
の赤外線検知素子の製造工程において、 薄層化した前記シリコン基板、或いは前記シリコン層(1
c)を、絶縁性を有し且つ赤外線を透過する支持基板(7)
に、低融点ガラス膜(6) を介して、直流電圧を印加しな
がら、常温において接合する工程と、 前記半導体素子(2) を埋設した前記樹脂(3) から前記透
明支持基板(5) を剥離し、埋設した前記樹脂(3) を除去
する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053514A JPH06268183A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053514A JPH06268183A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268183A true JPH06268183A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12944933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5053514A Withdrawn JPH06268183A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268183A (ja) |
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1993
- 1993-03-15 JP JP5053514A patent/JPH06268183A/ja not_active Withdrawn
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