CN111834279B - 一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第二表面进行平坦化处理，第二表面远离第一表面；对半导体晶圆片与经平坦化处理后的绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；对第一键合整体进行升温处理，使得绝缘层的第二表面与半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体；在此基础上，本申请还提供一种解键合方法、载片结构及应用；本申请利用热释电材料实现对半导体晶圆片的临时键合，方法简单无需增加临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，不仅避免了半导体晶圆片的脏污；而且能够极大地提高半导体晶圆片器件工艺的一致性，有利于提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用。
背景技术
随着半导体器件的蓬勃发展，人们对各类半导体器件性能的追求也越来越高。器件性能受众多因素的影响，其中就包括芯片的厚度：当芯片厚度较薄时，不仅能够提高散热效率、机械性能与电性能，还能够减小半导体期间的封装体积，减轻重量等。由于半导体器件晶圆衬底的背面一般还需要进行减薄、通孔刻蚀、金属化等工艺步骤，但当晶圆衬底减薄至150μm甚至更薄时，容易发生碎片，并且由于应力的原因，晶圆衬底会发生翘曲或弯曲变形而无法操作。因此现有技术中，通常将晶圆衬底与玻璃片等临时载片键合，以临时载片为依托对晶圆进行减薄、通孔刻蚀等后续工艺的制作。
在将晶圆衬底与临时载片键合时，通常用绝缘胶或者蜡等材料作为键合过渡层。这些键合材料通常涂敷的均匀性和平整度较差，从而影响了晶圆键合时的平整性。从而在此基础上进行的减薄工艺，产出的晶圆衬底均匀性大打折扣，同一晶圆衬底的不同处厚度差别较大，降低了工艺容差。最为关键的是，这些键合材料只能耐受100摄氏度左右的温度。而随着半导体工艺的不断发展，各种新材料、新工艺的不断开发应用，研究人员发现，有些材料在200摄氏度以上甚至250摄氏度以上时，进行的背面金属化或者背面通孔刻蚀等工艺才能达到最好的效果。而在这样的高温下，这些键合材料会发生软化或者失效，导致键合工艺的失败，临时键合工艺也就成为了半导体器件高温背面工艺的瓶颈问题。若没有良好的解决方案，只能被迫放弃采用高温过程，退而求其次，严重限制了工艺的发展。
针对现有技术存在的上述缺陷，本申请旨在提供一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用，能够克服半导体器件制备过程中高温条件对背面工艺的制约，使得圆晶衬底背面工艺制备品质得到提高，从而提高半导体器件性能。
发明内容
针对现有技术的上述问题，本发明的目的在于提供一种临时键合方法，包括：
提供临时载片，所述临时载片采用热释电材料制得；
将绝缘层的第一表面覆于所述临时载片上；
对所述绝缘层的第二表面进行平坦化处理，所述第二表面远离所述第一表面；
对半导体晶圆片与经平坦化处理后的所述绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；
对所述第一键合整体进行升温处理，使得所述绝缘层的第二表面与所述半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体。
进一步地，所述临时载片为铌酸锂、钽酸锂、聚氟乙烯、金属氧化物陶瓷、钛酸钡和镁铌酸铅中的一种或多种的组合。
具体地，所述第一条件包括：环境为真空度小于10mbar的真空环境，温度为在20℃-30℃的范围内的第一温度。
具体地，所述对所述第一键合整体进行升温处理，包括：
在真空度小于10mbar的真空环境下，将所述第一键合整体自所述第一温度升温至第二温度并保持预设时间，所述第二温度大于所述第一温度，所述第二温度小于所述临时载片的居里温度，自所述第一温度升温至所述第二温度的升温速率在0.5℃/min-10℃/min范围内。
优选地，所述绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或多种的组合，所述绝缘层厚度在0.1μm-10μm之间，所述平坦化处理包括化学机械研磨和低能离子辐照，平坦化处理后的所述第二表面的粗糙度小于1nm。
进一步地，所述将绝缘层的第一表面覆于所述临时载片上之前，还包括：
在所述临时载片的表面沉积介质层；
对所述介质层远离所述临时载片的一面进行平坦化处理，
将所述绝缘层的第一表面覆盖在所述介质层经平坦化处理后的表面上。
具体地，所述介质层为二氧化硅、氮化硅或两者的结合，所述介质层的厚度为0.1-10μm；平坦化处理后的所述介质层的表面粗造度小于1nm。
本发明另一方面保护一种解键合方法，所述方法用于对第二键合整体进行解键合，所述第二键合整体基于上述技术方案提供的临时键合的方法制备得到，包括：
将所述第二键合整体降温至第三温度，所述第三温度大于或等于所述第一条件的第一温度；
将所述临时载片自所述绝缘层处剥离，得到由所述半导体晶圆片和所述绝缘层构成的结合体；
将所述结合体自所述第三温度降温至所述第一温度，将所述绝缘层从所述半导体晶圆片上剥离。
本发明还保护一种用于临时键合的载片结构，所述载片结构基于上述技术方案提供的临时键合方法制备得到，所述载片结构包括临时载片和半导体晶圆片；
所述临时载片采用热释电材料制得，所述临时载片靠近所述半导体晶圆片的一侧覆盖有绝缘层；
所述临时载片与所述半导体晶圆片通过所述绝缘层相连接。
本发明另一方面还保护一种基于上述技术方案提供的临时键合方法或解键合方法在热释电红外探测领域的应用。
由于上述技术方案，本发明具有以下有益效果：
1)本发明提供的一种临时键合方法，利用热释电材料作为临时键合的键合力的提供方，无需增加均匀性和平整度较差的临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，因此不仅避免了过渡层或绝缘胶层对半导体晶圆片的脏污，而且能够极大地提高半导体晶圆片器件在后续工艺进展时的一致性，有利于提高产品良率。
2)本发明提供的一种临时键合方法，能够耐受300℃以上的高温，与传统的利用临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层的工艺相比，打破了半导体晶圆片减薄、刻蚀、背面金属化等工艺对温度的限制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
图1是本发明实施例提供的一种临时键合方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种临时键合方法其各步骤所对应的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种用于临时键合的载片结构的结构示意图；
图4是本发明另一个实施例提供的一种临时键合方法的流程图；
图5是本发明另一个实施例提供的一种解键合方法的流程图；
图6是解键合方法其各步骤对应的结构示意图。
图中：10-临时载片，20-绝缘层，30-半导体晶圆片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
实施例
热释电效应是指极化强度随温度改变而表现出的电荷释放现象，宏观上是温度的改变使在材料的两端出现电压或产生电流，是晶体的一种自然物理效应。
结合图1至图3，本实施例提供一种临时键合方法，包括以下步骤：
S110：提供临时载片，如图2(a)所示，所述临时载片采用热释电材料制得；所述临时载片可以是单晶材料，例如：铌酸锂、钽酸锂；可以是高分子材料，例如：聚氟乙烯(PVF)，可以是金属氧化物材料，例如金属氧化物陶瓷，还可以是薄膜材料，例如：钛酸钡和镁铌酸铅等，除此之外，还可以是上述材料中的一种或多种的组合。
需要说明的是，所述临时载片作为半导体晶圆片的依托，因此临时载片的厚度应当使其具有足够的支撑强度。
本说明书实施例中，提供的所述临时载片通过如下工艺进行清洁：
依次用丙酮、乙醇和去离子水对所述临时载片进行超声清洁，每次10-20分钟，有机溶剂、去离子水超声能够清洁掉所述临时载片表面脏污；超声清洁完成后，将所述临时载片放入烘箱中以烘干其表面液体残留。
S130：如图2(b)所示，将绝缘层的第一表面覆于所述临时载片上；
所述绝缘层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或多种的组合，所述绝缘层能够隔绝所述半导体晶圆与所述临时载片。本说明书中，“多种”是指两种及两种以上。
S140：对所述绝缘层的第二表面进行平坦化处理，所述第二表面远离所述第一表面；即所述第二表面与所述第一表面相对；
所述平坦化处理包括化学机械研磨和低能离子辐照，还可以包括未列入的其他工艺。平坦化处理能够使得所述绝缘层在较为适宜的厚度范围内，本说明书实施例中，使得所述绝缘层的厚度在0.1μm-10μm之间，并且平坦化处理能够降低所述绝缘层表面粗糙度，具体地，使得平坦化处理后的所述绝缘层第二表面的粗糙度小于1nm，从而便于在后续工艺中，对平坦化处理后的所述绝缘层第二表面与所述半导体晶圆片进行键合。
提供半导体晶圆片，图2(c)；以及S150：如图2(d)所示，对半导体晶圆片与经平坦化处理后的所述绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，以形成第一键合整体；即所述半导体晶圆片与所述临时载片通过所述绝缘层连接。本说明书实施例中，所述第一条件包括：环境为真空度小于10mbar的真空环境，温度为处于20℃-30℃的范围内的第一温度，或者温度为室温。
需要说明的是，本说明书实施例提供的所述半导体晶圆片依次用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洁，每次10-20分钟，以清洁掉表面脏污；并在超声清洁完成后，置于烘箱内以烘干其表面液体残留，最终得到洁净干燥的半导体晶圆片。且所述半导体晶圆片的表面可通过平坦化等工艺降低表面粗糙度。
即在此第一条件下，将所述绝缘层第二表面与所述半导体晶圆片的表面相接触，由于所述绝缘层第二表面和所述半导体晶圆片表面均极为光滑，因此两者在范德华力的作用下相互吸附。在此吸附力的作用下，所述半导体晶圆片与所述临时载片初步键合形成第一键合整体，但此时半导体晶圆片与临时载片之间的键合力较弱。
S160：如图2(e)所示，对所述第一键合整体进行升温处理，使得所述绝缘层的第二表面与所述半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体。
本说明书中，所述升温处理包括：
在真空度小于10mbar的真空环境下，将所述第一键合整体自所述第一温度升温至第二温度并保持预设时间。
需要说明的是，所述第二温度大于所述第一温度且小于所述临时载片的居里温度。例如：当所述临时载片采用钽酸锂材料制得时，由于钽酸锂材料的居里温度在660℃左右，因此所述第二温度应当大于第一条件下的第一温度且低于660℃，以避免钽酸锂材料在高于其居里温度时失去热释电性能；当所述临时载片采用两种或两种以上热释电材料制得时，则所述第二温度应当低于各参与制得临时载片的热释电材料中，居里温度中最低的一个。以钽酸锂和铌酸锂为例，由于铌酸锂材料的居里温度在1100℃左右，因此，当所述临时载片有钽酸锂和铌酸锂的组合材料制得时，所述第二温度应当低于660℃。
且，自所述第一条件的第一温度升温至所述第二温度时，升温速率应当保持在0.5℃/min-10℃/min的范围内，以防止升温时的热应力较大，出现键合界面分离的现象。
在第二温度下，所述热释电材料表现出的电荷释放现象，即所述临时载片在其上下表面聚集大量电荷。聚集在所述临时载片与所述绝缘层第一表面间界面处的电荷，会促使在半导体晶圆片与绝缘层第二表面之间出现感应电荷。在感应电荷间库仑力的作用下，绝缘层第二表面与所述半导体晶圆片实现完全键合，临时载片与所述半导体晶圆片形成第二键合整体。
即在升温处理时，绝缘层第二表面与所述半导体晶圆片之间既有范德华力作用，又有感应电荷的库伦力作用，半导体晶圆片与临时载片之间的键合力较强。形成第二键合整体后，所述临时载片能够作为所述半导体晶圆片的有效依托，以完成对半导体晶圆片进行的减薄、刻蚀、金属化等工艺。即所述预设时间与即将对半导体晶圆片进行的工艺所需时间相当。
由于某些材料在后续减薄、刻蚀、金属化等工艺时需在200℃乃至250℃以上的温度条件下进行，或在此温度条件下才表现出最好的效果，因此，优选地，所述第二温度可以与后续减薄、刻蚀、金属化等工艺所需温度相等，从而在提高后续工艺良率的同时减少反复升温工序。
如图3所示，本实施例还提供一种用于临时键合的载片结构，所述载片结构基于上述临时键合方法制备得到，包括临时载片10、绝缘层20和半导体晶圆片30；
所述临时载片10采用热释电材料制得，所述半导体晶圆片30为GaAs、GaN或其他半导体材料；所述绝缘层20的第一表面覆于所述临时载片10上，所述绝缘层20的第二表面与所述半导体晶圆片30键合连接，所述第一表面与所述第二表面相对；所述绝缘层20为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或多种的组合，所述绝缘层20的厚度在0.1μm-10μm之间，且所述绝缘层第二表面通过平坦化工艺使得其粗糙度小于1nm。
本说明书还提供一种如上述技术方案所述的临时键合方法在热释电红外探测领域的应用。
本说明书实施例提供的一种临时键合方法，该方法利用了热释电材料在高温下产生电荷的特性，热释电效应在绝缘层第一表面聚集的大量电荷，促使在绝缘层第二表面也就是半导体晶圆的下表面出现感应电荷，在二者间的库仑力的作用下辅以绝缘层材料与半导体晶圆片之间的范德华力实现了临时衬底与半导体晶圆片的键合。该键合方法键合力强，键合成整体后能够便于对半导体晶圆片进行如减薄、刻蚀、背面金属化等后续工艺；且该键合方法简单，无需增加均匀性和平整度较差的临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，因此与现有技术相比，避免了过渡层或绝缘胶层对半导体晶圆片的脏污，同时也极大提高了半导体晶圆片器件在后续工艺时的一致性，有利于提高产品良率；除此之外，还突破了由键合过渡层或涂敷绝缘胶层耐受温度较低对半导体晶圆片后续工艺制备的限制。
本说明书提供一种临时键合方法中，所述绝缘层位于所述临时载片和所述半导体晶圆片之间，在升温处理时，能够起到避免临时载片热释电产生的电荷与半导体晶圆片的感应电荷相互抵消的作用，使作用在二者间库仑力在高温工艺期间不会失效，保证了键合连接的持续有效性。
实施例2
如图4所示，本实施例提供一种临时键合方法，包括以下步骤：
S210：提供临时载片，所述临时载片采用铌酸锂、钽酸锂、聚氟乙烯(PVF)、金属氧化物陶瓷、钛酸钡和镁铌酸铅等热释电材料制得；
S220：在所述临时载片的表面沉积介质层，并对所述介质层远离所述临时载片的一面进行平坦化处理；
所述介质层为二氧化硅、氮化硅或两者的结合，平坦化处理使得所述介质层的厚度在0.1μm-10μm之间，且平坦化处理后，所述介质层远离所述临时载片的一面其表面粗造度小于1nm。
S230：将绝缘层的第一表面覆于所述介质层经平坦化处理后的表面上；
S240：对所述绝缘层的第二表面进行平坦化处理，所述第二表面远离所述第一表面；
S250：对半导体晶圆片与经平坦化处理后的所述绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，以形成第一键合整体；
S260：对所述第一键合整体进行升温处理，使得所述绝缘层的第二表面与所述半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体。
即本实施例与实施例1的不同之处在于，在临时载片表面上还沉积有介质层，绝缘层通过所述介质层覆盖在所述临时载片的表面上。
由于在高温工艺时，热释电材料制得所述临时载片会大量产生电荷，集聚的电荷有击穿半导体晶圆片的风险，因此沉积在所述临时载片表面的介质层，能够减弱在半导体材料中感应电荷的聚集，避免对半导体晶圆片造成损坏。
本实施例还提供一种用于临时键合的载片结构，所述载片结构基于上述临时键合方法制备得到，包括临时载片10、介质层、绝缘层20和半导体晶圆片30；
所述临时载片10采用热释电材料制得；所述介质层沉积在所述临时载片10的表面，所述介质层远离所述所述临时载片10的一面经平坦化处理后其表面粗造度小于1nm，所述介质层为二氧化硅、氮化硅或两者的结合，所述介质层的厚度为0.1-10μm范围内；
所述绝缘层20的第一表面覆于所述介质层经平坦化处理后的表面上，即所述绝缘层20的第一表面与所述临时载片10通过所述介质层相连接；所述绝缘层20的第二表面与所述半导体晶圆片30键合连接，所述第一表面与所述第二表面相对；所述绝缘层20为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或多种的组合，所述绝缘层20的厚度在0.1μm-10μm之间，且所述绝缘层第二表面通过平坦化工艺使得其粗糙度小于1nm。
本实施例与实施例1的其他相同相似之处相互参照即可，此处不再一一赘述。
实施例3
如图5和图6所示，本实施例提供一种解键合方法，所述解键合方法用于对第二键合整体进行解键合，所述第二键合整体采用如实施例1或实施例2中提供的临时键合方法制备得到，所述解键合方法包括：
S310：如图6(a)所示，将所述第二键合整体降温至第三温度，所述第三温度大于或等于所述第一条件的第一温度；6(a)所示的第二键合整体，在半导体晶圆片远离所述临时载片的一侧进行有金属化处理，并形成有电极。
S320：如图6(b)所示，将所述临时载片自所述绝缘层处剥离，得到由所述半导体晶圆片和所述绝缘层构成的结合体；
S330：如图6(c)所示，将所述结合体自所述第三温度降温至所述第一温度，将所述绝缘层从所述半导体晶圆片上剥离，得到解键合后的半导体晶圆片。
由于此时温度降低至第一温度，且所述临时载片也已被剥离，因此作用在所述绝缘层与所述半导体晶圆片之间的库仑力消失，此时，仅需较小的外力即可克服绝缘层与半导体晶圆片间的范德华力，使得所述绝缘层从所述半导体晶圆片上剥离。
若完成绝缘层剥离后，仍有少量绝缘层残留在所述半导体晶圆片上，还可以通过后续清洁工艺予以清除。
需要说明的是，当所述第三温度等于所述第一条件的第一温度时，步骤S320与步骤S330可以合并完成。
本说明书还提供一种如上述技术方案所述的解键合方法在热释电红外探测领域的应用。
通过本说明书实施例提供的解键合方法，采用降温处理促使键合的半导体晶圆片与临时载片二者间发生逆向热释电效应以实现分离，因此无需外加机械力；与现有的剥离技术相比，不仅能够有效降低半导体晶圆片在剥离工艺时的碎片率，提高半导体晶圆片成品率；同时还能有效降低临时载片的碎片率，且由于临时载片无需与过渡层或绝缘胶层相接触，因而临时载片可实现循环利用，节约生产制造成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
并且，在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。
Claims (10)
1.一种临时键合方法，其特征在于，包括：
提供临时载片，所述临时载片采用热释电材料制得；
对所述临时载片依次进行超声清洁和烘干处理；
将绝缘层的第一表面覆于所述临时载片上；
对所述绝缘层的第二表面进行平坦化处理，所述第二表面远离所述第一表面；
对半导体晶圆片与经平坦化处理后的所述绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；
对所述第一键合整体进行升温处理，使得所述绝缘层的第二表面与所述半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体。
2.根据权利要求1所述的一种临时键合方法，其特征在于，所述临时载片为铌酸锂、钽酸锂、聚氟乙烯、金属氧化物陶瓷、钛酸钡和镁铌酸铅中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求2所述的一种临时键合方法，其特征在于，所述第一条件包括：环境为真空度小于10mbar的真空环境，温度为处于20℃-30℃的范围内的第一温度。
4.根据权利要求3所述的一种临时键合方法，其特征在于，所述对所述第一键合整体进行升温处理，包括：
在真空度小于10mbar的真空环境下，将所述第一键合整体自所述第一温度升温至第二温度并保持预设时间，所述第二温度大于所述第一温度，所述第二温度小于所述临时载片的居里温度，自所述第一温度升温至所述第二温度的升温速率在0.5℃/min-10℃/min范围内。
5.根据权利要求1所述的一种临时键合方法，其特征在于，所述绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或多种的组合，所述绝缘层厚度在0.1μm-10μm之间，所述平坦化处理包括化学机械研磨和低能离子辐照，平坦化处理后的所述绝缘层第二表面的粗糙度小于1nm。
6.根据权利要求1所述的一种临时键合方法，其特征在于，所述将绝缘层的第一表面覆于所述临时载片上之前，还包括：
在所述临时载片的表面沉积介质层；
对所述介质层远离所述临时载片的一面进行平坦化处理，
将所述绝缘层的第一表面覆盖在所述介质层经平坦化处理后的表面上。
7.根据权利要求6所述的一种临时键合方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅、氮化硅或两者的结合，所述介质层的厚度为0.1-10μm；平坦化处理后的所述介质层的表面粗造度小于1nm。
8.一种解键合方法，其特征在于，所述方法用于对第二键合整体进行解键合，所述第二键合整体基于如权利要求1至7任意一项所述的临时键合方法制备得到，包括：
将所述第二键合整体降温至第三温度，所述第三温度大于或等于所述第一条件的第一温度；
将所述临时载片自所述绝缘层处剥离，得到由所述半导体晶圆片和所述绝缘层构成的结合体；
将所述结合体自所述第三温度降温至所述第一温度，将所述绝缘层从所述半导体晶圆片上剥离。
9.一种用于临时键合的载片结构，其特征在于，所述载片结构基于如权利要求 1至7中任意一项所述的临时键合方法制备得到，所述载片结构包括临时载片、绝缘层和半导体晶圆片；
所述临时载片采用热释电材料制得，所述绝缘层的第一表面覆于所述临时载片上，所述绝缘层的第二表面与所述半导体晶圆片键合连接，所述绝缘层的第一表面与所述绝缘层的第二表面相对。
10.一种如权利要求1-7任意一项所述的临时键合方法或如权利要求8所述的解键合方法在热释电红外探测领域的应用。
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