JPH11330573A - バンプ形成方法及びバンプ形成装置 - Google Patents

バンプ形成方法及びバンプ形成装置

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JPH11330573A
JPH11330573A JP10145047A JP14504798A JPH11330573A JP H11330573 A JPH11330573 A JP H11330573A JP 10145047 A JP10145047 A JP 10145047A JP 14504798 A JP14504798 A JP 14504798A JP H11330573 A JPH11330573 A JP H11330573A
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JP
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wafer
stage
sub
temperature
carrier
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JP10145047A
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English (en)
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Masabumi Harada
正文 原田
Tatsuya Anzai
達也 安齊
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 焦電性を有した圧電材料から成るウェハ上に
形成したパッド上にバンプを形成するために、ウェハを
加熱しながらボンディング作業を行う場合に、急激な温
度変化に起因した放電による電極の損傷、ヒータ上に対
するウェハの吸着、更に急激な温度変化に起因したウェ
ハの割れ等の不具合を解消するばかりでなく、生産性を
著しく向上させたバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 焦電性を有したウェハ３１上の電極上に
バンプを形成するバンプ形成方法であって、キャリア３
０上に載置したウェハをボンディングエリア外で予め所
定の上限温度まで加熱するステップと、所定の上限温度
に達したウェハをキャリアに搭載した状態のままボンデ
ィングエリア内に移動するステップと、ボンディングエ
リア内でバンプの形成を受けたウェハをキャリアに載置
した状態のままボンディングエリア外に移動するステッ
プと、該ボンディングエリア外に移動したウェハを冷却
するステップと、からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電材料のように焦
電性を有した材質からなるウェハ上に形成した電極上に
バンプを形成するバンプボンダーの改良に関し、詳細に
は焦電性を有したウェハ上の電極やウェハ自体にダメー
ジを与える原因となる急激な温度変化をもたらすことな
くウェハを加熱しながら行うバンプ形成作業を効率化し
たバンプボンダーによるバンプ形成方法及びバンプ形成
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のようにＬＴ、ＬＮ等の圧電材料
は、焦電性を有する。焦電性とは、結晶の温度変化によ
り結晶表面に電荷が発生する現象であり、例えばＬＴ素
板上にＡｌ電極を形成したＳＡＷ等の圧電素子が急激に
加熱されて昇温すると、ＬＴ素板上に電荷が発生して放
電を起こし、電極を損傷、断線、消失する等の不具合が
起きる。また、急激な加熱は熱によるＬＴ素板の割れを
もたらす。図３(a) は例えばＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ
3 等の焦電性を有した圧電材料からなる素板２上にＩＤ
Ｔ等の電極３と、ボンディングパッド４等を形成したＳ
ＡＷ１の構成を示す斜視図であり、このようなＳＡＷ１
をパッケージ内に組み込む場合には図３(b) に示すよう
にパッケージ１０の内底面に形成した電極１１と各パッ
ド４とが対向するようにＩＤＴ側の面を下向きにしてパ
ッケージ内底面に接続する。この際、図３(c) に示すよ
うにパッド４上にバンプ５を形成し、パッド４と電極１
１との間にバンプ５を挟んだ状態で加熱しながら超音波
を印加することによりパッド４と電極１１とを電気的、
機械的に接続している。バンプ５の形成作業は、バンプ
ボンダーと呼ばれるボンディング装置によって実施さ
れ、例えば図３(d) に示すように、上面に電極、パッド
４を形成したＳＡＷウェハ１５をヒータ１６上で１００
度程度に加熱しながら金、半田等の線材１７の先端をパ
ッド４上に近接させて加熱することにより溶融して球状
になった線材先端部を固着させ、ワイヤクランプを締め
て線材部分を切断することによりパッド４上にバンプが
形成される。しかし、ＳＡＷ基板となるウェハは焦電性
を有するため、これをヒータ１６により急激に加熱する
と、放電によって電極がダメージを受けたり、ウェハが
ヒータに吸着して剥離不能となったり、更には急激な加
熱、冷却による熱衝撃によりウェハが破損する等の不具
合が発生する為、ボンディング前の加熱と、ボンディン
グ後の冷却に際しては十分な時間をかけた緩やかな加
熱、冷却が求められる。このため、従来のバンプをボン
ディングする作業は極めて生産性の悪い作業であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、焦電性を有した圧電材料から成るウェハ上
に形成したパッド上にバンプを形成するために、ウェハ
を加熱しながらボンディング作業を行う場合に、急激な
温度変化に起因した放電による電極の損傷、ヒータ上に
対するウェハの吸着、更に急激な温度変化に起因したウ
ェハの割れ等の不具合を解消するばかりでなく、生産性
を著しく向上させたバンプ形成方法を提供することを目
的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、請求項１の発明は、焦電性を有したウェハ上の電極
上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、キャリ
ア上に載置したウェハをボンディングエリア外で予め所
定の上限温度まで加熱するステップと、所定の上限温度
に達したウェハをキャリアに搭載した状態のままボンデ
ィングエリア内に移動するステップと、ボンディングエ
リア内でバンプの形成を受けたウェハをキャリアに載置
した状態のままボンディングエリア外に移動するステッ
プと、該ボンディングエリア外に移動したウェハを冷却
するステップと、からなることを特徴とする。請求項２
の発明は、焦電性を有したウェハ上の電極上にバンプを
形成するバンプ形成方法において、キャリア上に載置し
たウェハ上にバンプを形成するボンディングエリアとし
てのメインステージと、該メインステージに近接配置さ
れた昇温用の第１のサブステージ及び冷却用の第２のサ
ブステージと、メインステージを一定の上限温度に保温
し続けるメインヒータと、第１のサブステージを常温か
ら上記上限温度との間で昇降温させる第１のサブヒータ
と、第２のサブステージを常温から上記上限温度との間
で昇降温させる第２のサブヒータと、を備え、上記第１
のサブステージ上に載置したキャリア上のウェハを第１
のサブヒータにより一定時間をかけて上限温度まで昇温
させるステップと、第１のサブステージ上で昇温された
ウェハをキャリアごとメインステージ上に移動するステ
ップと、メインステージ上に載置したキャリア上のウェ
ハをメインヒータにより上限温度に保温しつつバンプ形
成を行うステップと、メインステージ上でバンプ形成を
受けたウェハをキャリアごとメインステージから第２の
サブステージに移動するステップと、第２のサブステー
ジ上に載置したキャリア上のウェハを第２のヒータによ
って一定時間をかけて冷却するステップと、から成るこ
とを特徴とする。請求項３の発明は、焦電性を有したウ
ェハ上の電極上にバンプを形成するバンプ形成方法にお
いて、キャリア上に載置したウェハ上にバンプを形成す
るボンディングエリアとしてのメインステージと、該メ
インステージに近接配置された昇温及び冷却用の第１の
サブステージと、該メインステージに近接配置された昇
温及び冷却用の第２のサブステージと、メインステージ
を一定の上限温度に保温し続けるメインヒータと、第１
のサブステージを常温から上記上限温度との間で昇降温
させる第１のサブヒータと、第２のサブステージを常温
から上記上限温度との間で昇降温させる第２のサブヒー
タと、を備え、上記第１のサブステージ上に載置したキ
ャリア上のウェハを第１のサブヒータにより一定時間を
かけて上限温度まで昇温させるステップと、第１のサブ
ステージ上で昇温を終了した状態にあるウェハをキャリ
アごとメインステージ上に移動するステップと、メイン
ステージ上に載置したキャリア上のウェハをメインヒー
タにより上限温度に保温しつつバンプ形成を行うステッ
プと、メインステージ上でバンプ形成を受けたウェハを
キャリアごとメインステージから第１のサブステージに
移動するステップと、第１のサブステージ上に載置した
キャリア上のウェハを第１のヒータによって一定時間を
かけて冷却するステップと、から成る第１の工程と、上
記第１の工程におけるバンプ形成を受けたウェハをキャ
リアごとメインステージから第１のサブステージに移動
するステップの前に上記第２のサブステージ上において
別のキャリア上に載置した新たなウェハを第２のサブヒ
ータにより一定時間をかけて上限温度まで昇温させるス
テップと、上記第１の工程におけるバンプ形成を受けた
ウェハをキャリアごとメインステージから第１のサブス
テージに移動するステップの後に第２のサブステージ上
で昇温終了した状態にあるウェハをキャリアごとメイン
ステージ上に移動するステップと、メインステージ上に
載置したキャリア上のウェハをメインヒータにより上限
温度に保温しつつバンプ形成を行うステップと、メイン
ステージ上でバンプ形成を受けたウェハをキャリアごと
メインステージから第２のサブステージに移動するステ
ップと、第２のサブステージ上に載置したキャリア上の
ウェハを第２のヒータによって一定時間をかけて冷却す
るステップと、から成ることを特徴とする。請求項４の
発明は、焦電性を有したウェハ上の電極上にバンプを形
成するバンプ形成装置であって、該ウェハ上にバンプを
形成するボンディングエリアとしてのメインステージ
と、該メインステージに近接配置された昇温もしくは冷
却用の第１のサブステージ及び第２のサブステージと、
前記メインステージを一定の上限温度に保温し続けるメ
インヒータと、前記第１のサブステージを常温から前記
上限温度との間で昇降温させる第１のサブヒータと、前
記第２のサブステージを常温から前記上限温度との間で
昇降温させる第２のサブヒータと、前記ウェハを載置し
た状態で各ステージ間を移動するキャリアと、を備えた
ことを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態例により詳細に説明する。図１は本発明のバンプ
形成方法において使用するウェハの加熱装置の概略構成
及び加熱手順を説明する為の図であり、この加熱装置
（バンプ形成装置）は、メインヒータ２２を備えたメイ
ンステージ２１と、第１のヒータ２４を備えた第１のサ
ブステージ２３と、第２のヒータ２６を備えた第２のサ
ブステージ２５とを有し、アンバー等の材料から成るキ
ャリア３０上に載置されたウェハ３１を移載するための
図示しない移載装置を有する。また、メインステージ２
１はボンディングエリアを構成しており、その上方には
図示しないバンプのボンディング手段が配置されてい
る。ウェハ３１は、例えばＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3
等の焦電性を有した圧電材料からなる母材であり、ウェ
ハ上には予めＩＤＴ電極、ボンディングパッド等のパタ
ーンがチップ単位で形成されている。このウェハ３１を
上記キャリア３０上に載置して各ステージ上で加熱する
ことにより、ステージ上に直接ウェハを載置して加熱す
る場合に発生するステージとの吸着による剥離不能状態
を防止することができる。メインステージ２１が備える
メインヒータ２２は、バンプをボンディングする間中、
ウェハを所定の上限温度、例えば１００度に保温する手
段である。第１のサブステージ２３が備える第１のヒー
タ２４は、ボンディング前のウェハを十分な時間をかけ
て初期温度（例えば４０〜５０℃）から上限温度（例え
ば１００℃）まで昇温させると共に、加熱されたウェハ
をメインステージ２１へ移載した後は、次のウェハを昇
温する為に第１のサブステージを冷却させる手段であ
る。また、第２のサブステージ２５が備える第２のヒー
タ２６はメインステージ２１によってパッドにバンプが
形成されたウェハを受け取って上限温度から時間をかけ
て上記初期温度まで冷却させる手段である。
【０００６】以上の構成を備えた加熱装置によるウェハ
の加熱手順は次のとおりである。なお、ここで示す加熱
温度、加熱時間等は一例に過ぎない。まず図１に示すよ
うにキャリア３０上に載置した未ボンディングのウェハ
３１を第１のサブステージ２３上に載置して予備加熱す
るに際して、焦電性による電荷の発生を防止するのに十
分な時間（例えば、１７分）をかけて緩やかな温度傾斜
で、ヒータ２４を初期温度（例えば、４０〜５０℃）か
ら、上限温度（１００℃）まで加熱させることにより、
ウェハ３１を１００℃に昇温させる。第１のステージに
よる昇温ステップの終了後、矢印で示すようにキャリ
ア３０上に載置されたウェハ３１をキャリアごとメイン
ステージ２１上に移載するが、キャリア３０をメインス
テージ２１上に受け渡した後の第１のサブステージ２３
は、次のウェハ３１を予備加熱するステップに使用され
るので、水冷等により強制冷却し初期温度まで降温させ
る。上記昇温ステップの終了後、キャリア３０上に載置
されたウェハ３１をキャリアごとメインステージ２１上
に移載するが（矢印）、このときメインステージ２１
は予めヒータ２２により上限温度１００℃に保温されて
おり、このメインステージ２１上でウェハ３１を上限温
度に加熱しながら図示しないボンディング装置によって
ウェハ上のパッド上にバンプをボンディングする。この
ボンディングには例えば３０分を要する。
【０００７】次に、メインステージ上におけるボンディ
ングステップの終了後、ウェハ３１を保持したキャリア
３０は第２のサブステージ２５上に移載されて徐々に冷
却される。即ち、この第２のヒータ２６は上限温度から
初期温度までを十分に長い時間（例えば３０分）をかけ
て、焦電性に起因した電荷の発生が起こらないようにウ
ェハを降温させる。なお、メインステージ２１上からボ
ンディングを受けたウェハを移動するタイミングと合致
するように、既に初期温度まで降温された第１のサブス
テージ２３上に新たなウェハを載置して所要時間をかけ
て緩慢な昇温を行い、上限温度まで昇温させておく。そ
して、メインステージ２１上からボンディングを受けた
ウェハが移動し終わった直後にメインステージ上に上限
温度に達した新たなウェハを移載し、上記と同様の手順
でボンディングステップ、降温ステップを順次実行する
ことにより、滞りのない生産性の高いボンディングステ
ップを実施することが可能となる。以上のように第１の
形態例では、第１のサブステージを昇温専用とする一方
で、第２のサブステージを降温専用とし、第１のサブス
テージ→メインステージ→第２のサブステージの一方向
にウェハを移動させることにより、昇温、ボンディン
グ、降温の順序で３段階の加熱ステップを実施するよう
にしたので、連続的かつ円滑な作業を行うことが可能と
なり、生産性を高めることができる。しかも、昇温、及
び降温は、ウェハが有する焦電性という特性に見合った
温度傾斜となるように緩慢に行われるので、電荷が発生
することに起因した放電や、ウェハの割れ、ステージや
キャリア上に対する吸着等の不具合をなくすることがで
きる。
【０００８】次に、図２は上記と同様の装置を用いた他
のバンプ形成方法を示す工程図である。上記第１の形態
例では、第１のサブステージは昇温専用、第２のサブス
テージは降温専用とし、両サブステージを異なった用途
に用いた為、第１のサブステージ上のウェハをメインス
テージ上に移載した後に、次のウェハを昇温させる為に
第１のサブステージを強制冷却する必要があり、そのた
めの格別の水冷設備等が必要となるか、或は第１のサブ
ステージの冷却を待たない限り新たなウェハについての
バンプ形成ステップを開始できないという不具合があっ
た。これに対し、図２に示した形態例の方法では、第１
のサブステージと、第２のサブステージを夫々独立して
昇温、降温を実施する手段とする一方で、メインステー
ジを共用するようにしたので、強制冷却設備を増設した
り、生産性が低下する等の不具合がなくなる。即ち、本
形態例のバンプ形成方法では、まず図２に示すようにキ
ャリア３０上に載置した未ボンディングの第１のウェハ
３１を第１のサブステージ２３上に載置して予備加熱す
るに際して、焦電性による電荷の発生を防止するのに十
分な時間（例えば、１７分）をかけて緩やかな温度傾斜
で、ヒータ２４を初期温度（例えば、４０〜５０℃）か
ら、上限温度（１００℃）まで加熱させることにより、
第１のウェハ３１を１００℃に昇温させる。
【０００９】第１のステージによる昇温ステップの終了
後、矢印にて示すようにキャリア３０上に載置された
第１のウェハ３１をキャリアごとメインステージ２１上
に移載するが、キャリア３０をメインステージ２１上に
受け渡した後の第１のサブステージ２３は、同じ第１の
ウェハ３１を降温するステップに使用されるので、急激
に降温させることなく、少なくともメインステージ上か
ら再び同じ第１のウェハが第１のサブステージ上に戻さ
れる段階では上限温度となるように温度制御する。第１
のサブステージ２３を用いた上記昇温ステップの終了
後、キャリア３０上に載置された第１のウェハ３１をキ
ャリアごとメインステージ２１上に移載するが、このと
きメインステージ２１は予めヒータ２２により上限温度
１００℃に保温されており、このメインステージ２１上
で第１のウェハ３１を上限温度まで加熱しながら図示し
ないボンディング装置によってウェハ上のパッド上にバ
ンプをボンディングする。このボンディングには例えば
３０分を要する。
【００１０】次に、メインステージ２１上におけるボン
ディングステップの終了後、第１のウェハ３１を保持し
たキャリア３０は、再び第１のサブステージ２３上に戻
されて（矢印）徐々に冷却される。即ち、第１のヒー
タ２４は上限温度から初期温度までを十分に長い時間
（例えば３０分）をかけて、焦電性に起因した電荷の発
生が起こらないようにウェハを降温させる。（以上、第
１の工程） 一方、第２のサブステージ２５では、メインステージ２
１上でのボンディングが終了して第１のウェハ３１が第
１のサブステージ２３上に移載されるタイミングに合わ
せて、予め第２のウェハ３１’の昇温を開始し、メイン
ステージ２１から第１のウェハが移載された後の所定の
時期に上限温度まで加熱された第２のウェハ３１’をメ
インステージ２１上に移載する（矢印）。第２のサブ
ステージ２５上における昇温ステップは、上記第１のサ
ブステージ２１上における昇温ステップと全く同等の手
順にて行われる。そして、第２のサブステージ２５上に
おける昇温ステップ終了後にメインステージ２１上に移
載された第２のウェハ３１’に対するバンプのボンディ
ング作業が完了すると、第２のウェハを第２のサブステ
ージ２５上に戻して降温作業を行うこととなる（矢印
）。即ち、第２のヒータ２６は上限温度から初期温度
までを十分に長い時間（例えば３０分）をかけて、焦電
性に起因した電荷の発生が起こらないようにウェハを降
温させる。（以上、第２の工程） 第２のウェハ３１’がメインステージ２１上でボンディ
ングを受けている間に第１のサブステージ２３上では第
１のウェハ３１に対する降温作業が３０分かけて行わ
れ、該降温作業の完了後所定のタイミングで第１のサブ
ステージ２３上の第１のウェハを新たなウェハと入れ換
えて昇温を開始する。以後は、上記手順に従って、第１
のサブステージからメインステージに対するウェハの移
載と、バンプのボンディング作業、第２のサブステージ
からメインステージに対するウェハの移載を交互に繰り
返す。このように本形態例では、メインステージ２１で
ボンディングを受けた第１のウェハ３１を第１のサブス
テージ２３上に移載した後に、第２のサブステージ２５
上にて既に昇温済みとなった第２のウェハをメインステ
ージ２１上に移載してボンディングを施し、この第２の
ウェハのボンディングが終了して第２のサブステージ２
５上に移載された後に、再び第１のサブステージ上で昇
温済みとなった新たなウェハをメインステージ上に移載
してボンディングを施すというステップを交互に繰り返
すことにより、加熱装置の稼働停止時間が少ない連続し
た生産性の高いバンプ形成作業を行うことが可能とな
る。しかも、昇温、及び降温は、ウェハが有する焦電性
という特性に見合った温度傾斜となるように緩慢に行わ
れるので、電荷が発生することに起因した放電や、ウェ
ハの割れ、ステージやキャリア上に対する吸着等の不具
合をなくすることができる。上記いずれの形態例におい
ても、ボンディングに要する時間が例えば３０分である
場合には一時間で２個のウェハを処理できることとな
り、また、ボンディングに要する時間が例えば２０分で
ある場合には一時間で３個のウェハを処理できることと
なる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、焦電性を
有した圧電材料から成るウェハ上に形成したパッド上に
バンプを形成するために、ウェハを加熱しながらボンデ
ィング作業を行う場合に、急激な温度変化に起因した放
電による電極の損傷、ヒータ上に対するウェハの吸着、
更に急激な温度変化に起因したウェハの割れ等の不具合
を解消するばかりでなく、生産性を著しく向上させたバ
ンプ形成方法を提供することができる。請求項１の発明
では吸着を防止する為にキャリア上に載置したウェハを
ボンディングエリア外で一定の上限温度まで加熱してか
ら、キャリアごとボンディングエリアに移動してボンデ
ィングを行い、その後キャリアごとボンディングエリア
外に移動し、そこで冷却するようにしたので、急激な温
度変化に起因した放電による電極の損傷、ヒータ上に対
するウェハの吸着、更に急激な温度変化に起因したウェ
ハの割れ等の不具合を解消するばかりでなく、生産性を
著しく向上させることができる。即ち、請求項２の発明
では、第１のサブステージを昇温専用とする一方で、第
２のサブステージを降温専用とし、第１のサブステージ
→メインステージ→第２のサブステージの一方向にウェ
ハを移動させることにより、昇温、ボンディング、降温
の順序で３段階の加熱ステップを実施するようにしたの
で、連続的かつ円滑な作業を行うことが可能となり、生
産性を高めることができる。しかも、昇温、及び降温
は、ウェハが有する焦電性という特性に見合った温度傾
斜となるように緩慢に行われるので、電荷が発生するこ
とに起因した放電や、ウェハの割れ、ステージやキャリ
ア上に対する吸着等の不具合をなくすることができる。
請求項３の発明では、ウェハの移動経路が、第１のサブ
ステージ←→メインステージ、第２のサブステージ←→
メインステージとなるように、ウェハごとに移動経路を
交互に異ならせたので、加熱装置の稼働停止時間が少な
い連続した生産性の高いバンプ形成作業を行うことが可
能となる。しかも、昇温、及び降温は、ウェハが有する
焦電性という特性に見合った温度傾斜となるように緩慢
に行われるので、電荷が発生することに起因した放電
や、ウェハの割れ、ステージやキャリア上に対する吸着
等の不具合をなくすることができる。請求項４の発明で
は、上記各請求項の硬貨を備えたバンプ形成装置を提供
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一形態例のバンプ形成方法における加
熱手順を説明する図。
【図２】本発明の他の形態例のバンプ形成方法における
加熱手順を説明する図。
【図３】(a) は焦電性を有した圧電材料からなる素板上
にＩＤＴ等の電極と、ボンディングパッド等を形成した
ＳＡＷの構成を示す斜視図、(b) はＳＡＷをパッケージ
上に搭載した状態を示す縦断面図、(c) はバンプの構成
を示す図、(d) はバンプ形成工程の一例を示す図。
【符号の説明】
２１ メインステージ、２２ メインヒータ、２３ 第
１のサブステージ、２４第１のヒータ、２５ 第２のサ
ブステージ、２６ 第２のヒータ、３０ キャリア、３
１、３１’ ウェハ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 焦電性を有したウェハ上の電極上にバン
    プを形成するバンプ形成方法であって、キャリア上に載
    置したウェハをボンディングエリア外で予め所定の上限
    温度まで加熱するステップと、 所定の上限温度に達したウェハをキャリアに搭載した状
    態のままボンディングエリア内に移動するステップと、 ボンディングエリア内でバンプの形成を受けたウェハを
    キャリアに載置した状態のままボンディングエリア外に
    移動するステップと、 該ボンディングエリア外に移動したウェハを冷却するス
    テップと、からなることを特徴とするバンプ形成方法。
  2. 【請求項２】 焦電性を有したウェハ上の電極上にバン
    プを形成するバンプ形成方法において、 キャリア上に載置したウェハ上にバンプを形成するボン
    ディングエリアとしてのメインステージと、該メインス
    テージに近接配置された昇温用の第１のサブステージ及
    び冷却用の第２のサブステージと、メインステージを一
    定の上限温度に保温し続けるメインヒータと、第１のサ
    ブステージを常温から上記上限温度との間で昇降温させ
    る第１のサブヒータと、第２のサブステージを常温から
    上記上限温度との間で昇降温させる第２のサブヒータ
    と、を備え、 上記第１のサブステージ上に載置したキャリア上のウェ
    ハを第１のサブヒータにより一定時間をかけて上限温度
    まで昇温させるステップと、 第１のサブステージ上で昇温されたウェハをキャリアご
    とメインステージ上に移動するステップと、 メインステージ上に載置したキャリア上のウェハをメイ
    ンヒータにより上限温度に保温しつつバンプ形成を行う
    ステップと、 メインステージ上でバンプ形成を受けたウェハをキャリ
    アごとメインステージから第２のサブステージに移動す
    るステップと、 第２のサブステージ上に載置したキャリア上のウェハを
    第２のヒータによって一定時間をかけて冷却するステッ
    プと、 から成ることを特徴とするバンプ形成方法。
  3. 【請求項３】 焦電性を有したウェハ上の電極上にバン
    プを形成するバンプ形成方法において、 キャリア上に載置したウェハ上にバンプを形成するボン
    ディングエリアとしてのメインステージと、該メインス
    テージに近接配置された昇温及び冷却用の第１のサブス
    テージと、該メインステージに近接配置された昇温及び
    冷却用の第２のサブステージと、メインステージを一定
    の上限温度に保温し続けるメインヒータと、第１のサブ
    ステージを常温から上記上限温度との間で昇降温させる
    第１のサブヒータと、第２のサブステージを常温から上
    記上限温度との間で昇降温させる第２のサブヒータと、
    を備え、 上記第１のサブステージ上に載置したキャリア上のウェ
    ハを第１のサブヒータにより一定時間をかけて上限温度
    まで昇温させるステップと、第１のサブステージ上で昇
    温を終了した状態にあるウェハをキャリアごとメインス
    テージ上に移動するステップと、メインステージ上に載
    置したキャリア上のウェハをメインヒータにより上限温
    度に保温しつつバンプ形成を行うステップと、メインス
    テージ上でバンプ形成を受けたウェハをキャリアごとメ
    インステージから第１のサブステージに移動するステッ
    プと、第１のサブステージ上に載置したキャリア上のウ
    ェハを第１のヒータによって一定時間をかけて冷却する
    ステップと、から成る第１の工程と、 上記第１の工程におけるバンプ形成を受けたウェハをキ
    ャリアごとメインステージから第１のサブステージに移
    動するステップの前に上記第２のサブステージ上におい
    て別のキャリア上に載置した新たなウェハを第２のサブ
    ヒータにより一定時間をかけて上限温度まで昇温させる
    ステップと、上記第１の工程におけるバンプ形成を受け
    たウェハをキャリアごとメインステージから第１のサブ
    ステージに移動するステップの後に第２のサブステージ
    上で昇温終了した状態にあるウェハをキャリアごとメイ
    ンステージ上に移動するステップと、メインステージ上
    に載置したキャリア上のウェハをメインヒータにより上
    限温度に保温しつつバンプ形成を行うステップと、メイ
    ンステージ上でバンプ形成を受けたウェハをキャリアご
    とメインステージから第２のサブステージに移動するス
    テップと、第２のサブステージ上に載置したキャリア上
    のウェハを第２のヒータによって一定時間をかけて冷却
    するステップと、 から成ることを特徴とするバンプ形成方法。
  4. 【請求項４】 焦電性を有したウェハ上の電極上にバン
    プを形成するバンプ形成装置であって、該ウェハ上にバ
    ンプを形成するボンディングエリアとしてのメインステ
    ージと、該メインステージに近接配置された昇温もしく
    は冷却用の第１のサブステージ及び第２のサブステージ
    と、 前記メインステージを一定の上限温度に保温し続けるメ
    インヒータと、 前記第１のサブステージを常温から前記上限温度との間
    で昇降温させる第１のサブヒータと、 前記第２のサブステージを常温から前記上限温度との間
    で昇降温させる第２のサブヒータと、 前記ウェハを載置した状態で各ステージ間を移動するキ
    ャリアと、を備えたことを特徴とするバンプ形成装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001003176A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif de formation de bosses sur substrat semi-conducteur generateur de charge electrique, procede de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique, dispositif de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique et substrat semi-conducteur generateur
JP2001210664A (ja) * 1999-07-02 2001-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電荷発生半導体基板用バンプ形成装置、電荷発生半導体基板の除電方法、電荷発生半導体基板用除電装置、及び電荷発生半導体基板
CN111834279A (zh) * 2020-06-29 2020-10-27 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001003176A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif de formation de bosses sur substrat semi-conducteur generateur de charge electrique, procede de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique, dispositif de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique et substrat semi-conducteur generateur
JP2001210664A (ja) * 1999-07-02 2001-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電荷発生半導体基板用バンプ形成装置、電荷発生半導体基板の除電方法、電荷発生半導体基板用除電装置、及び電荷発生半導体基板
US6818975B1 (en) 1999-07-02 2004-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electric charge generating semiconductor substrate bump forming device, method of removing electric charge from electric charge generating semiconductor substrate device for removing electric charge from electric charge generating semiconductor substrate, and electric charge generating semiconductor substrate
US7005368B1 (en) 1999-07-02 2006-02-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump forming apparatus for charge appearance semiconductor substrate, charge removal method for charge appearance semiconductor substrate, charge removing unit for charge appearance semiconductor substrate, and charge appearance semiconductor substrate
US7014092B2 (en) 1999-07-02 2006-03-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump forming apparatus for charge appearance semiconductor substrate, charge removal method for charge appearance semiconductor substrate, charge removing unit for charge appearance semiconductor substrate, and charge appearance semiconductor substrate
CN111834279A (zh) * 2020-06-29 2020-10-27 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用
CN111834279B (zh) * 2020-06-29 2021-08-17 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用

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