JPS61141142A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
半導体ウエハの研削方法Info
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- JPS61141142A JPS61141142A JP26357684A JP26357684A JPS61141142A JP S61141142 A JPS61141142 A JP S61141142A JP 26357684 A JP26357684 A JP 26357684A JP 26357684 A JP26357684 A JP 26357684A JP S61141142 A JPS61141142 A JP S61141142A
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- JP
- Japan
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- tape
- semiconductor wafer
- wafer
- grinding
- adhesive
- Prior art date
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハの研削方法、特に表面に粘着性テ
ープを粘着してチャックで固定し、裏面を研削する半導
体ウェハの研削方法に関する。
ープを粘着してチャックで固定し、裏面を研削する半導
体ウェハの研削方法に関する。
半導体ウェハの表面に素子を形成した後、ダイシング工
程を行なう前に、ウェハの総厚を薄くするため一般にウ
ェハ裏面の研削が行なわれる。この研削法には大別して
ラッピング法とグラインディング法とがある。ラッピン
グ法はウェハ表面にパラフィンを流し、ラップ板に貼り
つけてから裏面を砥粒で研磨してゆく方法である。また
、グラインディングの方法はウェハ表面に保護のための
粘着性テープを粘着し、このテープをチャックで固着し
、ウェハ裏面を回転させた砥石等で研削してゆく方法で
ある。例えばチャックテープ゛ルにテ ′−ブを
はり、ウェハにはレジストをかけ、テープに穴をあけ吸
着させて削る方法がある。粘着性テープとしては、厚み
５０〜１５０μｍ程度の塩化ビニルあるいはポリエステ
ルのテープが従来用いられている。
程を行なう前に、ウェハの総厚を薄くするため一般にウ
ェハ裏面の研削が行なわれる。この研削法には大別して
ラッピング法とグラインディング法とがある。ラッピン
グ法はウェハ表面にパラフィンを流し、ラップ板に貼り
つけてから裏面を砥粒で研磨してゆく方法である。また
、グラインディングの方法はウェハ表面に保護のための
粘着性テープを粘着し、このテープをチャックで固着し
、ウェハ裏面を回転させた砥石等で研削してゆく方法で
ある。例えばチャックテープ゛ルにテ ′−ブを
はり、ウェハにはレジストをかけ、テープに穴をあけ吸
着させて削る方法がある。粘着性テープとしては、厚み
５０〜１５０μｍ程度の塩化ビニルあるいはポリエステ
ルのテープが従来用いられている。
近年半導体装置の高ｉＡ稙化に伴ない、微小な外乱も回
路のソフトエラーをひき起こす可能性が高くなってきた
。例えばα線が素子内に侵入した場合に、このようなソ
フトエラーが生じる。このため、半導体素子形成領域の
上部にポリイミド等の材質で保護用のコーティング層を
形成させ、α線の影響を避けるという方法がよく用いら
れる。一般にエネルギが３〜８．５ＭｅＶ程度のα線か
ら素子を保護するためには、コーティング層の厚みが１
０〜８０μ扉程度必要であることが知られている。第２
図は半導体ウェハ１上にこのようなコーティング層２を
形成させた様子を示す説明図である。コーティング層２
を形成させる前のウェハ表面の凹凸段差は数μｍ程度で
あるが、コーティング層２を形成させた場合、この段差
は１０〜８０μ扉程度となる。このためグラインディン
グによる研削を行なう場合、従来のように塩化ビニルあ
るいはポリエステルのテープを用いる方法では、第３図
に示すように粘着材３を通して凹凸がテープ４の表面に
まであられれてしまう。このような状態でテープ４をチ
ャックで固定して裏面を研削すると、ウェハ１に亀裂が
生じ、場合によってはウェハ１が完全に割れてしまう結
果となる。
路のソフトエラーをひき起こす可能性が高くなってきた
。例えばα線が素子内に侵入した場合に、このようなソ
フトエラーが生じる。このため、半導体素子形成領域の
上部にポリイミド等の材質で保護用のコーティング層を
形成させ、α線の影響を避けるという方法がよく用いら
れる。一般にエネルギが３〜８．５ＭｅＶ程度のα線か
ら素子を保護するためには、コーティング層の厚みが１
０〜８０μ扉程度必要であることが知られている。第２
図は半導体ウェハ１上にこのようなコーティング層２を
形成させた様子を示す説明図である。コーティング層２
を形成させる前のウェハ表面の凹凸段差は数μｍ程度で
あるが、コーティング層２を形成させた場合、この段差
は１０〜８０μ扉程度となる。このためグラインディン
グによる研削を行なう場合、従来のように塩化ビニルあ
るいはポリエステルのテープを用いる方法では、第３図
に示すように粘着材３を通して凹凸がテープ４の表面に
まであられれてしまう。このような状態でテープ４をチ
ャックで固定して裏面を研削すると、ウェハ１に亀裂が
生じ、場合によってはウェハ１が完全に割れてしまう結
果となる。
一方、ラッピング法による研磨を行なう場合には、従来
どおりの方法でウェハの亀裂、割れが生じることはない
が、ラッピング法はグラインディング法に比べてコスト
高となり、また加工時間も多く必要とする欠点がある。
どおりの方法でウェハの亀裂、割れが生じることはない
が、ラッピング法はグラインディング法に比べてコスト
高となり、また加工時間も多く必要とする欠点がある。
例えば、グラインディング法では１枚のウェハ研削に１
分程度の時間があればよいが、ラッピング法では平均３
０分以上もかかってしまう。
分程度の時間があればよいが、ラッピング法では平均３
０分以上もかかってしまう。
そこで本発明は表面に凹凸のある半導体ウェハ ｊで
も、損傷なしに生産性の高い研削を行なうことができる
半導体ウェハの研削方法を提供することを目的とする。
も、損傷なしに生産性の高い研削を行なうことができる
半導体ウェハの研削方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は半導体ウェハの研削方法において、半導
体ウェハの表面にゴム系の材質でできた粘着材付テープ
を粘着し、前記テープをカットした後、前記テープをチ
ャックテーブルに固定し、前記半導体ウェハの裏面を砥
石で研削するようにし、表面に凹凸ある半導体ウェハで
も、損傷なしに生産性の高い研削を行なえるようにし・
た点にある。
体ウェハの表面にゴム系の材質でできた粘着材付テープ
を粘着し、前記テープをカットした後、前記テープをチ
ャックテーブルに固定し、前記半導体ウェハの裏面を砥
石で研削するようにし、表面に凹凸ある半導体ウェハで
も、損傷なしに生産性の高い研削を行なえるようにし・
た点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第４
図に本発明に係る研削方法に用いるテープの断面図を示
す。このテープ４はゴム系の材質でできたテープであり
、例えば三井東圧化学社製の商品名イクロス、型番５Ｂ
２０５なるテープを用いることができる。厚みは１５０
〜２５０μｍ程度が好ましい。テープ４には粘着材３が
粘着されており、一体となった粘着テープ、を形成して
いる。この粘着テープの接着力はＪＩＳの接着力規格（
２５履幅のテープがＳＯ３板に粘着しているときに、こ
のテープをはく離するのに要する加重）で５０〜２００
ｇ程度とするのが好ましい。このテープ４を第２図に示
す半導体ウェハに粘着した状態を第１図に示す。第３図
に示したように従来の方法ではテープ４の表面にまで凹
凸があられれてしまったが、本発明に係る方法では凹凸
はテープのゴム材に吸収され、表面には凹凸があられれ
ていない。
図に本発明に係る研削方法に用いるテープの断面図を示
す。このテープ４はゴム系の材質でできたテープであり
、例えば三井東圧化学社製の商品名イクロス、型番５Ｂ
２０５なるテープを用いることができる。厚みは１５０
〜２５０μｍ程度が好ましい。テープ４には粘着材３が
粘着されており、一体となった粘着テープ、を形成して
いる。この粘着テープの接着力はＪＩＳの接着力規格（
２５履幅のテープがＳＯ３板に粘着しているときに、こ
のテープをはく離するのに要する加重）で５０〜２００
ｇ程度とするのが好ましい。このテープ４を第２図に示
す半導体ウェハに粘着した状態を第１図に示す。第３図
に示したように従来の方法ではテープ４の表面にまで凹
凸があられれてしまったが、本発明に係る方法では凹凸
はテープのゴム材に吸収され、表面には凹凸があられれ
ていない。
この後の研削方法は従来のグラインディング法と全く同
様である。即ち、第５図に示すように、半導体ウェハを
上下逆にしてチャックテーブル５の上にのせ、吸引固着
を行なう。吸引はチャックテーブル５内の吸引装置によ
って行なわれ、チャックテーブル５の上面に設けられた
ボープスセラミック製テーブル６を通してテープ４が吸
引されることになる。このように吸引固着した状態で半
導体ウェハ１の裏面が砥石で研削される。チー１４の表
面には凹凸がないため、従来の方法のように研削によっ
てウェハに亀裂、割れが生じることはない。
様である。即ち、第５図に示すように、半導体ウェハを
上下逆にしてチャックテーブル５の上にのせ、吸引固着
を行なう。吸引はチャックテーブル５内の吸引装置によ
って行なわれ、チャックテーブル５の上面に設けられた
ボープスセラミック製テーブル６を通してテープ４が吸
引されることになる。このように吸引固着した状態で半
導体ウェハ１の裏面が砥石で研削される。チー１４の表
面には凹凸がないため、従来の方法のように研削によっ
てウェハに亀裂、割れが生じることはない。
以上のとおり本発明によれば、ゴム系の材質でできたテ
ープを半導体ウェハに粘着してグラインディング工程を
行なうようにしたため、表面に凹凸のある半導体ウェハ
でも、損傷なしに生産性の高い研削を行なうことができ
る。
ープを半導体ウェハに粘着してグラインディング工程を
行なうようにしたため、表面に凹凸のある半導体ウェハ
でも、損傷なしに生産性の高い研削を行なうことができ
る。
第１図は本発明に係る研削方法の一工程を示す図、第２
図は研削を行なう半導体ｒウェハの断面図、第３図は従
来の研削方法の一工程を示す図、第４図は本発明に係る
研削方法に用いる粘着テープの断面図、第５図は本発明
に係る研削方法の一工程を示す図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・コーティング層、３・
・・粘着材、４・・・テープ、５・・・チャックテーブ
ル、６・・・ポーラスセラミック製テーブル。 第１図 第３図 第４図
図は研削を行なう半導体ｒウェハの断面図、第３図は従
来の研削方法の一工程を示す図、第４図は本発明に係る
研削方法に用いる粘着テープの断面図、第５図は本発明
に係る研削方法の一工程を示す図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・コーティング層、３・
・・粘着材、４・・・テープ、５・・・チャックテーブ
ル、６・・・ポーラスセラミック製テーブル。 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハの表面にゴム系の材質でできた粘着材
付テープを粘着し、前記テープをカットし、前記テープ
をチャックに固定し、前記半導体ウェハの裏面を砥石で
研削することを特徴とする半導体ウェハの研削方法。 ２、半導体ウェハが、表面に保護用のコーティング層を
有し、このコーティング層によつて表面に１０〜８０μ
ｍ程度の段差が生じている半導体ウェハであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体ウェハの
研削方法。 ３、コーティング層がポリイミドで形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体ウェハ
の研削方法。 ４、チヤックが吸引装置を有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の半導体
ウエハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263576A JPH0740564B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263576A JPH0740564B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体ウエハの研削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141142A true JPS61141142A (ja) | 1986-06-28 |
| JPH0740564B2 JPH0740564B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17391470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263576A Expired - Lifetime JPH0740564B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740564B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171932A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Nec Corp | 裏面研削用テープ貼り装置 |
| JP2011044475A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745929A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Nec Corp | Grinding method for semiconductor wafer |
| JPS59101837A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263576A patent/JPH0740564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745929A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Nec Corp | Grinding method for semiconductor wafer |
| JPS59101837A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171932A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Nec Corp | 裏面研削用テープ貼り装置 |
| JP2011044475A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740564B2 (ja) | 1995-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |