JPS59101837A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59101837A JPS59101837A JP21095582A JP21095582A JPS59101837A JP S59101837 A JPS59101837 A JP S59101837A JP 21095582 A JP21095582 A JP 21095582A JP 21095582 A JP21095582 A JP 21095582A JP S59101837 A JPS59101837 A JP S59101837A
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- JP
- Japan
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- wafer
- protective film
- grinding
- semiconductor wafer
- semiconductor device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェーハの一主面にトランジスタ素子
やダイオード素子などを形成後、該主面と反対側の面を
研削する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
やダイオード素子などを形成後、該主面と反対側の面を
研削する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造において、シリコン等の半導体ウェー
ハ（以下単にウェーハと言う）を所定の厚さまで研削す
る工程がある。従来この研削時のウェーハ固定方法とし
て、第１図（ａ）のように、圧定板１にアビニシンワッ
クス等のワックス２を介してウェーハ３を固着しておっ
た。そして、研削加工が終ると、第１図（ｂ）のように
、ウェーハ３を同着した圧定板１ね下側にしてホットプ
レート４上に載置し、ワックス２を加熱軟化溶融せしめ
て治具５によシウエーハ３を圧定板１から剥離していた
が、ウェーハを剥離するときにウェーハが割れ易く、ま
た、ワックスを除去するために有機浴剤を用いなければ
ならない等の欠点のため、近年ウェーハ着脱の容易な真
空チャックでウェーハを固定する方法が主流となってい
る。
ハ（以下単にウェーハと言う）を所定の厚さまで研削す
る工程がある。従来この研削時のウェーハ固定方法とし
て、第１図（ａ）のように、圧定板１にアビニシンワッ
クス等のワックス２を介してウェーハ３を固着しておっ
た。そして、研削加工が終ると、第１図（ｂ）のように
、ウェーハ３を同着した圧定板１ね下側にしてホットプ
レート４上に載置し、ワックス２を加熱軟化溶融せしめ
て治具５によシウエーハ３を圧定板１から剥離していた
が、ウェーハを剥離するときにウェーハが割れ易く、ま
た、ワックスを除去するために有機浴剤を用いなければ
ならない等の欠点のため、近年ウェーハ着脱の容易な真
空チャックでウェーハを固定する方法が主流となってい
る。
しかしながら、真空チャックによる固定方法は。
もともと、トランジスタ素子などの形成されていないウ
ェーハ研削のために考えられたもので、ウェーハ主面に
トランジスタ素子などが形成されている場合には、素子
の損傷、研削中に発生するシリコン屑による汚損の他に
、素子形成面の凹凸化のために空気洩れが多く、固着強
度が弱いために、研削時に加わる外部衝撃によってウェ
ーハ位置がずれるという欠点があ夛、実施が困難であっ
た。
ェーハ研削のために考えられたもので、ウェーハ主面に
トランジスタ素子などが形成されている場合には、素子
の損傷、研削中に発生するシリコン屑による汚損の他に
、素子形成面の凹凸化のために空気洩れが多く、固着強
度が弱いために、研削時に加わる外部衝撃によってウェ
ーハ位置がずれるという欠点があ夛、実施が困難であっ
た。
本発明の目的は、トランジスタやダイオードなどの機能
素子が形成された半導体ウェーハ表面を傷つけたシ、汚
損することなく、該ウェーハを確実に真空チャックする
ことを可能にして、ウェーハ着脱が容易でしかも、後工
程の殆んど必要ない、生産性のよいウェーハ研削工程を
含む半導体装置の製造方法を提供するにある。
素子が形成された半導体ウェーハ表面を傷つけたシ、汚
損することなく、該ウェーハを確実に真空チャックする
ことを可能にして、ウェーハ着脱が容易でしかも、後工
程の殆んど必要ない、生産性のよいウェーハ研削工程を
含む半導体装置の製造方法を提供するにある。
本発明方法では、−主面にトランジスタやダイオードな
どの機能素子が形成された半導体ウェーハの素子形成面
に液状ゴムを塗布して保護膜を形成し、この保護膜形成
面を真空チャックに吸着固定させて、反対面を研削した
後、この保護膜を機械的に剥離することを含むものであ
る。
どの機能素子が形成された半導体ウェーハの素子形成面
に液状ゴムを塗布して保護膜を形成し、この保護膜形成
面を真空チャックに吸着固定させて、反対面を研削した
後、この保護膜を機械的に剥離することを含むものであ
る。
以下、本発明を実施例によシ説明する。
第２図（ａ）ないしくＣ）は本発明の一実施例を説明す
るだめの仕掛品基板の断面図である。まず第２図（ａ）
のように、半導体ウェーハ３の素子形成面に常温硬化性
の液状ゴム剤をスピンナによシ塗布し、常温で硬化させ
保護膜６を形成する。次に、第２図（ｂ）のように、ウ
ェーハ３の保護膜６によって保護された面をチャックテ
ーブル７に吸着固定させ、研削ヘッド８によってウェー
ハ裏面を研削する。
るだめの仕掛品基板の断面図である。まず第２図（ａ）
のように、半導体ウェーハ３の素子形成面に常温硬化性
の液状ゴム剤をスピンナによシ塗布し、常温で硬化させ
保護膜６を形成する。次に、第２図（ｂ）のように、ウ
ェーハ３の保護膜６によって保護された面をチャックテ
ーブル７に吸着固定させ、研削ヘッド８によってウェー
ハ裏面を研削する。
このようにすると、ウェーハ表面は保護機を介してチャ
ックテーブル７に吸着されるため、表面が傷つかず、研
削中に発生するシリコン屑も、表面に直接ふれないため
汚損することもない。また、保護膜表面は平らで柔軟性
があるため、墾気洩れがなく、十分な吸着強度が得られ
、しかも研削工程終了後は、第２図（Ｃ）のように、ウ
ェーハ３から保護膜６を容易に剥離できるため、有機漬
剤を用いる必要もない。
ックテーブル７に吸着されるため、表面が傷つかず、研
削中に発生するシリコン屑も、表面に直接ふれないため
汚損することもない。また、保護膜表面は平らで柔軟性
があるため、墾気洩れがなく、十分な吸着強度が得られ
、しかも研削工程終了後は、第２図（Ｃ）のように、ウ
ェーハ３から保護膜６を容易に剥離できるため、有機漬
剤を用いる必要もない。
このように、本発明によれば、工数減少、歩留向上によ
って生産性が大幅に向上し、しかも、研削工程中はウェ
ーハ表面が、保護されているために、搬送ベルトを用い
た自動ウェーハ振出人装置もそのまま使用することもで
き、研削工程の自動化も容易になる。
って生産性が大幅に向上し、しかも、研削工程中はウェ
ーハ表面が、保護されているために、搬送ベルトを用い
た自動ウェーハ振出人装置もそのまま使用することもで
き、研削工程の自動化も容易になる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来の方法を示すもので、
第１図（ａ）は、圧定板にワックスを介して固着された
ウェーハの断面図、同図（ｂ）はウェーハ剥離方法を示
す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明による方法の
一実施例を示すもので、第２図（ａ）は、ウェーハ表面
研削後のウェーハから保護膜を剥離するところを示す断
面図である。 １・・・・・・圧定板、２・・・・・・ワックス、３・
・・・・・ウェーハ、４・・・・・・ホットプレート、
５・・・・・・ウェーハ剥離治具、６・・・・・・保護
膜、７・・・・・・チャックテーブル、８・・・・・・
研削ヘッド。 （θ） （θ） ｒｂ） （Ｃ） 穐 ？ 固
第１図（ａ）は、圧定板にワックスを介して固着された
ウェーハの断面図、同図（ｂ）はウェーハ剥離方法を示
す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明による方法の
一実施例を示すもので、第２図（ａ）は、ウェーハ表面
研削後のウェーハから保護膜を剥離するところを示す断
面図である。 １・・・・・・圧定板、２・・・・・・ワックス、３・
・・・・・ウェーハ、４・・・・・・ホットプレート、
５・・・・・・ウェーハ剥離治具、６・・・・・・保護
膜、７・・・・・・チャックテーブル、８・・・・・・
研削ヘッド。 （θ） （θ） ｒｂ） （Ｃ） 穐 ？ 固
Claims (1)
- トランジスタやダイオードなどの機能素子が形成された
半導体ウェーハの一主面に液状ゴム剤を塗布、乾燥させ
て保護１１ＧＩ−形成する工程と、この保護膜形成面を
真空チャックに吸着固定させて該・吸着固定面の反対面
を研削する工程と、つぎに前記保護膜を梼械的に剥離す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21095582A JPS59101837A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21095582A JPS59101837A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101837A true JPS59101837A (ja) | 1984-06-12 |
Family
ID=16597871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21095582A Pending JPS59101837A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101837A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121335A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削面の処理方法 |
| JPS61127136A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削後の処理方法 |
| JPS61141142A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの研削方法 |
| US5971467A (en) * | 1995-10-06 | 1999-10-26 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Tilting structure for motor vehicle seat |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP21095582A patent/JPS59101837A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121335A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削面の処理方法 |
| JPS61127136A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削後の処理方法 |
| JPS61141142A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの研削方法 |
| US5971467A (en) * | 1995-10-06 | 1999-10-26 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Tilting structure for motor vehicle seat |
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