JP2002076096A - 半導体素子のピックアップ方法 - Google Patents

半導体素子のピックアップ方法

Info

Publication number
JP2002076096A
JP2002076096A JP2000258946A JP2000258946A JP2002076096A JP 2002076096 A JP2002076096 A JP 2002076096A JP 2000258946 A JP2000258946 A JP 2000258946A JP 2000258946 A JP2000258946 A JP 2000258946A JP 2002076096 A JP2002076096 A JP 2002076096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor elements
semiconductor element
suction pad
pores
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000258946A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4546626B2 (ja
Inventor
Kazunao Arai
一尚 荒井
Toshiaki Takahashi
敏昭 高橋
Koichi Yajima
興一 矢嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2000258946A priority Critical patent/JP4546626B2/ja
Priority to US09/929,103 priority patent/US6759274B2/en
Priority to DE10139092.0A priority patent/DE10139092B4/de
Publication of JP2002076096A publication Critical patent/JP2002076096A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4546626B2 publication Critical patent/JP4546626B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエーハを分割して形成された半導体
素子を損傷することなくピックアップすることができる
半導体素子のピックアップ方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエーハが分割して形成された複
数個の半導体素子をピックアップする半導体素子のピッ
クアップ方法であって、無数の気孔が表面に形成され弾
性による復元力と密着性とで気孔が潰れ負圧が生じた際
に吸着力を発生する弾性吸着パッドに、分割された複数
個の半導体素子を吸引保持せしめる半導体素子保持工程
と、複数個の半導体素子を吸引保持した弾性吸着パッド
を所定の温度に加温し、該気孔内の空気を膨張させた状
態で、半導体素子をピックアップする半導体素子ピック
アップ工程とを含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハが
所定の切断ラインに沿って分割された個々の半導体素子
をピックアップする半導体素子のピックアップ方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造工程においては、略
円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列さ
れた多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回
路が形成された各領域を所定の切断ラインに沿ってダイ
シングすることにより個々の半導体素子を製造してい
る。半導体素子の放熱性を良好にするためには、半導体
素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。
また、半導体素子を多数用いる携帯電話、スマートカー
ド、パソコン等の小型化を可能にするためにも、半導体
素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。
そのため、半導体ウエーハを個々の半導体素子に分割す
る前に、その裏面を研削して所定の厚さに加工してい
る。また、個々の半導体チップに分割される半導体素子
の厚さをより薄く加工できる技術として、半導体ウエー
ハの裏面を研削する前に半導体ウエーハの表面に所定深
さの切削溝を形成し、その後、切削溝が表出するまで半
導体ウエーハの裏面を研削することにより個々の半導体
素子に分割する所謂先ダイシングと称する加工方法も開
発されている。
【０００３】上記のようにして半導体ウエーハを個々の
半導体素子に分割する前に半導体ウエーハにはリングフ
レームに装着された保護テープが貼着されているので、
分割された半導体素子は保護テープの作用によってバラ
バラにはならず、リングフレームに装着された保護テー
プに保持されている。個々の半導体素子に分割された複
数個の半導体素子は、リングフレームに装着された保護
テープに保持されている状態でダイボンダー等のピック
アップ工程に送られる。従来ピックアップ工程において
は、バックアップホルダーで上記保護テープを吸着しつ
つ、突き上げピンによって半導体素子を押し上げること
により、半導体素子を保護テープから剥離し、この剥離
された半導体素子をコレットによってピックアップして
所定のパッケージに収容したり搬送トレイに収容してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】而して、上記のように
して薄く形成された半導体素子は、剛性が低下して壊れ
やすく、上記ピックアップ工程において突き上げピンに
よる突き上げによって破損する場合があり、歩留りの低
下を招くという問題がある。また、上記従来のピックア
ップ方法では、半導体ウエーハを分割して形成された複
数個の半導体素子を一括してピックアップして搬送トレ
イに移し替えることができる場合でも、一つ一つ半導体
素子をピックアップしなければならず、生産性を高める
ことができないという問題がある。
【０００５】一方、薄く形成され剛性が低い板状物でも
容易に搬送することができるようにするために本出願人
は、無数の気孔が表面に形成され弾性による復元力と密
着性とで気孔が潰れることによって生ずる負圧力を利用
して板状物を吸引保持する弾性吸着パッドを用いたトレ
ーを特開２０００ー２５８８１号、特開２０００ー１５
８３３４号として提案した。しかるに、弾性吸着パッド
を用いたトレーに板状物を吸引保持した状態で所定の加
工工程に搬送された後、その加工工程において弾性吸着
パッドから板状物を剥離する際には、弾性吸着パッドに
エアーを供給して弾性吸着パッドの表面に形成された気
孔内の負圧力を低減させることにより、弾性吸着パッド
から板状物を剥離している。しかしながら、上述した弾
性吸着パッドにエアーを供給する方法では、弾性吸着パ
ッドの表面に無数に形成された全ての気孔内にエアーを
供給することは難しく、弾性吸着パッドには可なりの吸
引力が残存している場合があり、板状物が半導体ウエー
ハや半導体素子のように薄く剛性の低いものにおいて
は、弾性吸着パッドから剥離する際に板状物が損傷する
という問題がある。
【０００６】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハを分割し
て形成された半導体素子を損傷することなくピックアッ
プすることができるとともに、必要に応じて分割された
複数個の半導体素子を一括してピックアップすることが
できる半導体素子のピックアップ方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハが分割し
て形成された複数個の半導体素子をピックアップする半
導体素子のピックアップ方法であって、無数の気孔が表
面に形成され弾性による復元力と密着性とで気孔が潰れ
負圧が生じた際に吸着力を発生する弾性吸着パッドに、
分割された複数個の半導体素子を吸引保持せしめる半導
体素子保持工程と、複数個の半導体素子を吸引保持した
弾性吸着パッドを所定の温度に加温し、該気孔内の空気
を膨張させた状態で、半導体素子をピックアップする半
導体素子ピックアップ工程と、を含む、ことを特徴とす
る半導体素子のピックアップ方法が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、半導体ウエーハの
表面に所定深さの切削溝を形成し、その後切削溝が形成
された表面に保護テープを貼着して半導体ウエーハの裏
面を研削し、切削溝が表出するまで研削することによっ
て半導体ウエーハが分割されて形成された複数個の半導
体素子のピックアップ方法であって、無数の気孔が表面
に形成され弾性による復元力と密着性とで気孔が潰れ負
圧が生じた際に吸着力を発生する弾性吸着パッドに、該
保護テープが貼着された複数個の半導体素子の研削面を
当てがい該弾性吸着パッドに吸引保持せしめる半導体素
子保持工程と、該弾性吸着パッドに複数個の半導体素子
を吸引保持した状態で、該半導体素子に貼着されている
保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、複数個の
半導体素子を吸引保持した該弾性吸着パッドを所定の温
度に加温し、該気孔内の空気を膨張させた状態で、半導
体素子をピックアップするピックアップ工程と、を含
む、ことを特徴とする半導体素子のピックアップ方法が
提供される。
【０００９】上記半導体素子保持工程は、上記保護テー
プを拡張し半導体素子の互いの間隔を広げる保護テープ
拡張工程を含んでいることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体素子の
ピックアップ方法の好適な実施形態について、添付図面
を参照して詳細に説明する。
【００１１】本発明による半導体素子のピックアップ方
法を実施するために、半導体ウエーハや半導体素子等の
板状物を保持するための弾性吸着パッドを用いた板状物
保持トレーが用意される。この板状物保持トレーについ
て、図１乃至図３を参照して説明する。図示の実施形態
における板状物保持トレー２は、円形の基板３と、該基
板３の上面に装着される円形の弾性吸着パッド４とから
なっている。基板３は、例えばアルミニウムや合成樹脂
等の硬質部材からなり、１ｍｍ程度の厚みを有し容易に
撓むことがないように構成されている。このように形成
された基板３には、上面から下面に貫通する複数個の連
通孔３１が設けられている。なお、図示の実施形態にお
いて基板３は円形に形成されているが、基板３は吸着保
持する板状物の形状に合わせた形状とすることが望まし
い。
【００１２】上記弾性吸着パッド４、例えばアルキルベ
ンゼンスルホン酸等の合成樹脂等からなる弾性を有する
部材によって基板３の形状に対応した形状に形成されて
いる。このように形成された弾性吸着パッド４には、図
３に拡大して示すように無数の気孔４１が少なくとも表
面４０に形成されている。また、弾性吸着パッド４の隣
り合う気孔４１と気孔４１との間には、上面から下面に
貫通する幅が数十μｍ程度の貫通孔４２が形成されてお
り、この貫通孔４２を通してエアーが流通可能となって
いる。なお、弾性吸着パッド４の厚さは、被加工物の性
質を考慮して決められるが、０．５ｍｍ程度が好まし
い。このような弾性吸着パッド４は、例えばダースボン
ド社から提供されている。上記のように構成された弾性
吸着パッド４を上記基板３の上面に適宜の接着剤によっ
て装着することにより、基板３と弾性パッド４とが一体
化された板状物保持トレー２を構成することができる。
【００１３】次に、上述した板状物保持トレー２を用い
て、半導体ウエーハが所謂先ダイシングによって個々の
ペレットに分割された複数個の半導体素子のピックアッ
プ方法について説明する。所謂先ダイシングによって半
導体ウエーハを個々の半導体素子に分割するには、図４
に示すようにリングフレーム５に装着された保護テープ
６が半導体ウエーハＷに貼着される。このとき、半導体
ウエーハＷには、その表面（回路が形成されている面）
に所定の切断ラインに沿って所定深さの切削溝を形成さ
れており、この表面に保護テープ６が貼着される。この
ように、表面に所定深さの切削溝が形成され、かつ、保
護テープ６が貼着された半導体ウエーハＷは、研削装置
によって裏面が研削され上記切り溝が表出するまで研削
されると、複数個の半導体素子Ｔに分割される。なお、
分割された個々の半導体素子Ｔは、保護テープ６の作用
によってバラバラにはならず、リングフレーム５に装着
された保護テープ６に保持されている。
【００１４】次に、上記のようにして半導体ウエーハＷ
が分割されリングフレーム５に装着された保護テープ６
に保持されている複数個の半導体素子Ｔを、上記板状物
保持トレー２の弾性吸着パッド４上に保持せしめる（半
導体素子保持工程）。半導体素子Ｔを板状物保持トレー
２の弾性吸着パッド４上に保持せしめるために、図示の
実施形態においては図５に示す吸着テーブル７が用意さ
れる。吸着テーブル７は、円盤状の基台７１と円盤状の
吸着保持チャック７２とからなっている。基台７１は、
適宜の金属材によって構成され、上方が開放された円形
状の凹部７１１と、該凹部７１１と連通して形成された
連通路７１２を備えている。なお、連通路７１２が図示
しない負圧吸引手段に接続されている。吸着保持チャッ
ク７２は、ポーラスセラミック盤によって形成され、上
記基台７１に形成された凹部７１１に嵌合されている。
【００１５】上記のように構成された吸着テーブル７の
吸着保持チャック７２上に、上記板状物保持トレー２の
基板３を載置する。そして、吸着テーブル７に載置され
た板状物保持トレー２の弾性吸着パッド４上にリングフ
レーム５に装着された保護テープ６に保持されている複
数個の半導体素子Ｔを載置する。このとき、半導体素子
Ｔに分割する際に研削した研削面（裏面）を弾性吸着パ
ッド４の表面に当てがう。そして、連通路７１２に接続
されている図示しない負圧吸引手段を作動すると、連通
路７１２、凹部７１１、吸着保持チャック７２および基
板３に設けられた連通孔３１を通して弾性吸着パッド４
に負圧が導入される。この結果、負圧が弾性吸着パッド
４に形成された貫通孔４２を通して弾性吸着パッド４の
上面に載置された複数個の半導体素子Ｔに作用し、半導
体素子Ｔを弾性吸着パッド４に吸着する。このとき、弾
性吸着パッド４が圧縮され表面４０に形成された気孔４
１が潰れる。この結果、板状物保持トレー２は、基板３
に設けられた連通孔３１を通して負圧の導入が解除され
ても、弾性吸着パッド４が有する弾性による復元力と密
着性とによって気孔４１に負圧が生じ、この負圧が吸引
力となって半導体素子Ｔの吸着状態を維持する。なお、
板状物保持トレー２の弾性吸着パッド４上に半導体素子
Ｔを吸着保持せしめるには、弾性吸着パッド４上に半導
体素子Ｔを載置した後、半導体素子Ｔを押圧して上記気
孔４１を潰すことにより、弾性吸着パッド４に吸着力を
生じさせることができる。
【００１６】上記のようにして、板状物保持トレー２の
弾性吸着パッド４上に半導体素子Ｔを吸着保持せしめた
ならば、上記保護テープ６に紫外線を照射して粘着力を
低下させて、保護テープ６を半導体素子Ｔから剥離する
（保護テープ剥離工程）。その後、図示しない負圧吸引
手段を作動を停止して、吸着テーブル７から板状物保持
トレー２を取り外すことにより、図６に示すように弾性
吸着パッド４の上面に複数個の半導体素子Ｔが吸着保持
された状態が得られる。
【００１７】次に、上述したように弾性吸着パッド４を
用いた板状物保持トレー２に吸着保持された複数個の半
導体素子Ｔをピックアップする半導体素子ピックアップ
工程について、図７および図８を参照して説明する。図
示の実施形態においては、図７に示す加温テーブル７が
用意される。この加温テーブル７は、加温部７０が例え
ばセラミックス等の絶縁材によって形成されており、こ
の加温部７０に発熱線７１が埋設され、該発熱線７１が
接続端子７２を介して図示しない電源に接続されるよう
になっている。このように構成された加温テーブル７の
上面に図８に示すように複数個の半導体素子Ｔを吸着保
持した板状物保持トレー２の基板３を載置し、接続端子
７２を通じて発熱線７１に通電する。この結果、加温テ
ーブル７の上面が熱せられて、板状物保持トレー２の基
板３を介して弾性吸着パッド４が加温される。弾性吸着
パッド４が加温されると、気孔４１内に残っている空気
が膨張するため、全ての気孔４１に生じていた負圧が解
消される。従って、板状物保持トレー２の弾性吸着パッ
ド４上に保持された複数個の半導体素子Ｔは、弾性吸着
パッド４から容易に剥離可能な状態となる。なお、弾性
吸着パッド４を加温する温度は、気孔４１内に残ってい
る空気が上記負圧が解消する程度に膨張ればよく、本発
明等の実験によると半導体素子Ｔの品質に影響を与えな
い程度の４０°Ｃ乃至６０°Ｃが望ましい。
【００１８】上記のようにして、弾性吸着パッド４上の
複数個の半導体素子Ｔが容易に剥離可能な状態となった
ならば、図８に示すようにピックアップ装置を構成する
コレット８を作動して個々の半導体素子Ｔをピックアッ
プし、所定のパッケージに収容したり搬送トレイに収容
する。なお、コレット８は半導体素子Ｔを真空吸着して
所要径路を通して搬送することができる周知の形態のも
のでよい。また、複数個の半導体素子Ｔを一括してピッ
クアップして搬送トレイに移し替えることができる場合
には、弾性吸着パッド４上の複数個の半導体素子Ｔが上
記のように加温されて全て容易に剥離可能な状態となっ
ているので、吸着保持部の大きいコレット８を用いて、
一括してピックアップすることができる。
【００１９】次に、上述したように弾性吸着パッド４を
用いた板状物保持トレー２に吸着保持された半導体素子
Ｔを容易に剥離可能な状態にする方法の他の実施形態に
ついて図９および図１０を参照して説明する。図９およ
び図１０に示す実施形態においては、板状物保持トレー
２ａに加温手段が配設されている。即ち、基板３ａと該
基板３ａの上面に装着される弾性吸着パッド４ａからな
る板状物保持トレー２ａは、基板３ａに発熱線５１ａが
埋設され、該発熱線７１ａが接続端子７２ａを介して図
示しない電源に接続されるようになっている。従って、
図１０に示すように弾性吸着パッド４ａに複数個の半導
体素子Ｔ吸着保持した状態で、ピックアップ装置を構成
する所定のテーブル上にセットし、接続端子７２ｂを通
じて発熱線７１ａに通電することにより、基板３を介し
て弾性吸着パッド４を加温することができる。この結
果、弾性吸着パッド４の気孔４１内に残っている空気が
膨張するため、気孔４１に生じていた負圧が解消され、
複数個の半導体素子Ｔは弾性吸着パッド４から容易に剥
離できる状態となるため、上記のようにコレット８によ
ってピックアップすることができる。なお、図９および
図１０に示す板状物保持トレー２のように、基板３ａに
発熱線５１ａを埋設するためには、基板３ａはセラミッ
クス等の絶縁部材によって構成することが望ましく、そ
の厚さも上記図１に示す実施形態より厚く形成する必要
がある。
【００２０】次に、弾性吸着パッド４を加温する手段を
上記コレット８に具備せしめた例について、図１１を参
照して説明する。図８に示す実施形態におけるコレット
８は、中心部に設けられ温気体を供給する手段に接続さ
れた気体通路８１と、該気体通路８１の外周側に設けら
れ負圧吸引手段に接続された負圧通路８２とを備えてい
る。このように構成されたコレット８を用いて弾性吸着
パッド４に吸着保持された複数個の半導体素子Ｔをピッ
クアップするには、コレット８をピックアップすべき半
導体素子Ｔの上方に移動して気体通路８１から温気体を
噴出せしめ、弾性吸着パッド４の該ピックアップすべき
半導体素子Ｔ部を加温する。この結果、弾性吸着パッド
４の加温された部分の気孔４１内に残っている空気が膨
張するため、気孔４１に生じていた負圧が解消され、ピ
ックアップすべき半導体素子Ｔは弾性吸着パッド４から
容易に剥離できる状態となる。この状態で温気体を噴出
を停止し、コレット８をピックアップすべき半導体素子
Ｔに接触させるとともに負圧吸引手段作動することによ
り、負圧通路８２に負圧が導入されてコレット８にピッ
クアップすべき半導体素子Ｔを吸引してピックアップす
ることができる。
【００２１】次に、上記半導体素子保持工程、即ち半導
体ウエーハＷが分割されリングフレーム５に装着された
保護テープ６に保持されている複数個の半導体素子Ｔ
を、板状物保持トレー２の弾性吸着パッド４上に保持せ
しめる工程の他の実施形態について、図１２を参照して
説明する。この実施形態においては、図１２の（ａ）で
示すように半導体ウエーハが分割されて形成された複数
個の半導体素子Ｔがリングフレーム５に装着された保護
テープ６に保持されている状態で、保護テープ６を拡張
する保護テープ拡張工程を含んでいる。この保護テープ
拡張工程の一実施形態について、図１２の（ｂ）を参照
して説明する。図１２の（ｂ）に示す実施形態において
は、拡張治具１０が用意される。図示の拡張治具１０
は、内側リング１１と外側リング１２とからなってい
る。内側リング１１は、装着部１１１と、該装着部１１
１に下端から径方向外側に突出して形成された鍔部１１
２を有している。外側リング１２は、上記内側リング１
１の装着部１１１の外形より僅かに大きい内径を有して
いる。このように構成された拡張治具１０を用いて保護
テープ拡張工程を実施するには、内側リング１１の上面
に図１２の（ａ）で示すリングフレーム５に装着された
保護テープ６を載置する。このとき、保護テープ６に保
持されている複数個の半導体素子Ｔは、内側リング１１
内に位置付けられる。この状態で外側リング１２を上側
から内側リング１１の装着部１１１に嵌合することによ
り、図１２の（ｂ）に示すように保護テープ６を拡張し
つつ装着部１１１と外側リング１２の内周面との間に挟
持する。この結果、保護テープ６が拡張されるため、保
護テープ６に保持されている複数個の半導体素子Ｔは、
互いの間隔が広がる。このように、保護テープ６が拡張
され複数個の半導体素子Ｔの互いの間隔が広げられた状
態で、図１２の（ｃ）に示すように複数個の半導体素子
Ｔを板状物保持トレー２の弾性吸着パッド４に保持せし
める。この複数個の半導体素子Ｔを板状物保持トレー２
の弾性吸着パッド４に保持せしめる半導体素子保持工程
および保護テープ６を剥離する保護テープ剥離工程は、
上述した各工程と同様でよい。
【００２２】図１２に示す半導体素子保持工程によれ
ば、図１２の（ｂ）に示す保護テープ拡張工程を含んで
いるので、板状物保持トレー２の弾性吸着パッド４に保
持せしめられる複数個の半導体素子Ｔは、互いの間隔が
広がる。従って、半導体素子Ｔをピックアップする際
に、半導体素子Ｔ同士が接触することはなく、半導体素
子Ｔ同士が接触することによる損傷を未然に防止するこ
とができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係る半導体素子のピックアップ
方法は以上のように構成されているで、次の作用効果を
奏する。
【００２４】即ち、本発明によれば、無数の気孔が表面
に形成され弾性による復元力と密着性とで気孔が潰れ負
圧が生じた際に吸着力を発生する弾性吸着パッドに、分
割された複数個の半導体素子を吸引保持せしめる半導体
素子保持工程と、複数個の半導体素子を吸引保持した弾
性吸着パッドを所定の温度に加温し、該気孔内の空気を
膨張させた状態で、半導体素子をピックアップする半導
体素子ピックアップ工程とを含んでいるので、弾性吸着
パッドに保持された複数個の半導体素子を無理なく容易
にピックアップすることができる。従って、弾性吸着パ
ッドに保持された複数個の半導体素子Ｔをピックアップ
する際に生ずる損傷を防止することができる。また、複
数個の半導体素子を一括してピックアップして搬送トレ
イに移し替えることができる場合には、弾性吸着パッド
全体を加温して複数個の半導体素子の全てを容易に剥離
可能な状態とすることにより、ピックアップ装置の保持
部に大きいものを用いて、一括してピックアップするこ
とができる。更に、本発明によれば、半導体素子保持工
程に複数個の半導体素子に貼着された保護テープを拡張
する保護テープ拡張工程を含んでいるので、弾性吸着パ
ッドに保持せしめられる複数個の半導体素子は、互いの
間隔が広がる。従って、半導体素子をピックアップする
際に、半導体素子Ｔ同士が接触することはなく、半導体
素子Ｔ同士が接触することによる損傷を未然に防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】弾性吸着パッドを用いた板状物保持トレーの斜
視図。
【図２】図１に示す板状物保持トレーの構成部材を分解
して示す分解斜視図。
【図３】図３に示す板状物保持トレーを構成する弾性吸
着パッドの拡大断面図。
【図４】リングフレームに装着された保護テープに保持
されている半導体ウエーハが分割されて複数個の半導体
素子に形成された状態を示す斜視図。
【図５】図１に示す板状物保持トレーの弾性吸着パッド
に保護テープに保持されている複数個の半導体素子を保
持せしめる工程を示す説明図。
【図６】図１に示す板状物保持トレーの弾性吸着パッド
に複数個の半導体素子を保持せしめた状態を示す斜視
図。
【図７】本発明によるピックアップ方法を実施するため
の加温手段としての加温テーブルを示す斜視図。
【図８】図７に示す加温テーブルに載置された板状物保
持トレーの弾性吸着パッドに保持されている複数個の半
導体素子をピックアップする工程を示す斜視図。
【図９】本発明によるピックアップ方法を実施するため
の板状物保持トレーの他の実施形態を示す分解斜視図。
【図１０】図９に示す板状物保持トレーに板状物を吸着
保持した状態を示す斜視図。
【図１１】本発明によるピックアップ方法を実施するた
めのコレットの他の実施形態を示す要部を破断して示す
斜視図。
【図１２】本発明によるピックアップ方法における保持
工程の他の実施形態を示す説明図。
【符号の説明】
２：板状物保持トレー ３：板状物保持トレーの基板 ３１：連通孔 ４：板状物保持トレーの弾性吸着パッド ４１：気孔 ４２：貫通孔 ５：リングフレーム ６：保護テープ ７：加温テーブル ７０：加温テーブルの加温部 ７１：発熱線 ７２：接続端子 ７ａ：板状物保持トレー ７ａ：板状物保持トレーの基板 ７ａ：板状物保持トレーの弾性吸着パッド ７１ａ：発熱線 ７２ｂ：接続端子 ８：コレット ８１：気体通路 ８２：負圧通路 １０：拡張治具 １１：内側リング １２：外側リング Ｗ：板状物 Ｔ：半導体素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢嶋 興一 東京都大田区東糀谷２丁目14番３号 株式 会社ディスコ内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA13 DA05 DA11 DA15 EA01 EA02 EA18 EA19 FA05 FA07 FA09 FA11 GA23 GA37 HA13 HA37 MA38 MA39 PA20

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエーハが分割して形成された複
    数個の半導体素子をピックアップする半導体素子のピッ
    クアップ方法であって、 無数の気孔が表面に形成され弾性による復元力と密着性
    とで気孔が潰れ負圧が生じた際に吸着力を発生する弾性
    吸着パッドに、分割された複数個の半導体素子を吸引保
    持せしめる半導体素子保持工程と、 複数個の半導体素子を吸引保持した弾性吸着パッドを所
    定の温度に加温し、該気孔内の空気を膨張させた状態
    で、半導体素子をピックアップする半導体素子ピックア
    ップ工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体素子のピックアップ方法。
  2. 【請求項２】 半導体ウエーハの表面に所定深さの切削
    溝を形成し、その後切削溝が形成された表面に保護テー
    プを貼着して半導体ウエーハの裏面を研削し、切削溝が
    表出するまで研削することによって半導体ウエーハが分
    割されて形成された複数個の半導体素子のピックアップ
    方法であって、 無数の気孔が表面に形成され弾性による復元力と密着性
    とで気孔が潰れ負圧が生じた際に吸着力を発生する弾性
    吸着パッドに、該保護テープが貼着された複数個の半導
    体素子の研削面を当てがい該弾性吸着パッドに吸引保持
    せしめる半導体素子保持工程と、 該弾性吸着パッドに複数個の半導体素子を吸引保持した
    状態で、該半導体素子に貼着されている保護テープを剥
    離する保護テープ剥離工程と、 複数個の半導体素子を吸引保持した該弾性吸着パッドを
    所定の温度に加温し、該気孔内の空気を膨張させた状態
    で、半導体素子をピックアップするピックアップ工程
    と、を含む、 ことを特徴とする半導体素子のピックアップ方法。
  3. 【請求項３】 該半導体素子保持工程は、該保護テープ
    を拡張し半導体素子の互いの間隔を広げる保護テープ拡
    張工程を含んでいる、請求項２記載の半導体素子のピッ
    クアップ方法。
JP2000258946A 2000-08-29 2000-08-29 半導体素子のピックアップ方法 Expired - Lifetime JP4546626B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000258946A JP4546626B2 (ja) 2000-08-29 2000-08-29 半導体素子のピックアップ方法
US09/929,103 US6759274B2 (en) 2000-08-29 2001-08-15 Semiconductor chip pick-up method
DE10139092.0A DE10139092B4 (de) 2000-08-29 2001-08-16 Halbleiterchip-Aufnahmeverfahren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000258946A JP4546626B2 (ja) 2000-08-29 2000-08-29 半導体素子のピックアップ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002076096A true JP2002076096A (ja) 2002-03-15
JP4546626B2 JP4546626B2 (ja) 2010-09-15

Family

ID=18747182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000258946A Expired - Lifetime JP4546626B2 (ja) 2000-08-29 2000-08-29 半導体素子のピックアップ方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6759274B2 (ja)
JP (1) JP4546626B2 (ja)
DE (1) DE10139092B4 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006027795A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Toshiba Corp 吸着装置、ならびに板状部材の搬送方法、液晶表示装置の製造方法
JP2007201179A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハマウント装置及びウェーハマウント方法
JP2007258442A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板支持構造とこれを用いた熱処理装置と基板支持構造に用いられるシート状物と基板支持構造の製造方法
US7563343B2 (en) 2002-11-29 2009-07-21 Fujitsu Microelectronics Limited Film lamination apparatus and method and a manufacturing method of a semiconductor apparatus
JP2012043914A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd 収容トレイ及び基板のハンドリング方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273639A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6914337B2 (en) * 2003-11-04 2005-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Calibration wafer and kit
JP2006066841A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Epson Toyocom Corp シート状ウェハのダイシング及び梱包方法、ウェハの梱包物、剥離治具
NL1027929C2 (nl) * 2004-12-31 2006-07-03 Fico Bv Houder en werkwijze voor het separeren van objecten, en flexibele materiaallaag met gesepareerde objecten.
JP2007081037A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
US7517725B2 (en) * 2005-11-28 2009-04-14 Xci, Inc. System and method for separating and packaging integrated circuits
US20090155958A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Boris Kolodin Robust die bonding process for led dies
US20100003119A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Disco Corporation Method for picking up device attached with adhesive tape
DE102009018434B4 (de) * 2009-04-22 2023-11-30 Ev Group Gmbh Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme von Halbleitersubstraten
CN103170461B (zh) * 2009-08-07 2015-04-08 晶元光电股份有限公司 芯片分类方法
EP2434528A1 (en) * 2010-09-28 2012-03-28 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO An active carrier for carrying a wafer and method for release
JP6605946B2 (ja) * 2015-12-24 2019-11-13 株式会社ディスコ チップ収容トレイからチップをピックアップする方法
US20170287768A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Veeco Precision Surface Processing Llc Apparatus and Method to Improve Plasma Dicing and Backmetal Cleaving Process
CN106158709B (zh) * 2016-07-22 2018-09-11 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆切割装置和方法
KR102408524B1 (ko) * 2017-09-19 2022-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP2020061398A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
FR3087936B1 (fr) * 2018-10-24 2022-07-15 Aledia Dispositif electronique
JP7171140B2 (ja) * 2018-12-11 2022-11-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット
KR102700207B1 (ko) 2019-03-12 2024-08-28 삼성전자주식회사 칩 이젝팅 장치
KR20210138263A (ko) * 2020-05-12 2021-11-19 삼성전자주식회사 반도체 칩 실장용 테이프 및 상기 테이프를 이용한 반도체 패키지 제조 방법
US12062673B2 (en) * 2021-11-02 2024-08-13 Omnivision Technologies, Inc. Apparatus and method for curved-surface image sensor
TWI790136B (zh) * 2022-03-07 2023-01-11 梭特科技股份有限公司 用於混合式接合的吸嘴結構

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6323334A (ja) * 1987-05-29 1988-01-30 Sony Corp 半導体素子処理方法
JPS6420734U (ja) * 1987-07-27 1989-02-01
JPH05335411A (ja) * 1992-06-02 1993-12-17 Toshiba Corp ペレットの製造方法
WO1997021243A1 (en) * 1995-12-04 1997-06-12 Hitachi, Ltd. Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier
JPH10178087A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着テーブル
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2000025881A (ja) * 1998-07-10 2000-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd 搬送トレイ
JP2000158334A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd 作業用トレー及び研削方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2682250B2 (ja) * 1991-03-20 1997-11-26 株式会社村田製作所 電子部品チップ用ホルダおよび電子部品チップの取扱方法
KR0169812B1 (ko) * 1995-12-30 1999-01-15 김광호 개별 패키지 소자 적층 및 솔더링 장치
JP3084669B2 (ja) 1996-10-17 2000-09-04 日本ダースボンド株式会社 研磨製品の製造方法
JP3560823B2 (ja) * 1998-08-18 2004-09-02 リンテック株式会社 ウェハ転写装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6323334A (ja) * 1987-05-29 1988-01-30 Sony Corp 半導体素子処理方法
JPS6420734U (ja) * 1987-07-27 1989-02-01
JPH05335411A (ja) * 1992-06-02 1993-12-17 Toshiba Corp ペレットの製造方法
WO1997021243A1 (en) * 1995-12-04 1997-06-12 Hitachi, Ltd. Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier
JPH10178087A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着テーブル
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2000025881A (ja) * 1998-07-10 2000-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd 搬送トレイ
JP2000158334A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd 作業用トレー及び研削方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7563343B2 (en) 2002-11-29 2009-07-21 Fujitsu Microelectronics Limited Film lamination apparatus and method and a manufacturing method of a semiconductor apparatus
JP2006027795A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Toshiba Corp 吸着装置、ならびに板状部材の搬送方法、液晶表示装置の製造方法
JP2007201179A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハマウント装置及びウェーハマウント方法
JP2007258442A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板支持構造とこれを用いた熱処理装置と基板支持構造に用いられるシート状物と基板支持構造の製造方法
US7927096B2 (en) 2006-03-23 2011-04-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate support structure, heat treatment apparatus using same, first sheet-like object for use in the substrate support structure, method of manufacturing the substrate support structure, heat treatment apparatus, and substrate sucking method
JP2012043914A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd 収容トレイ及び基板のハンドリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4546626B2 (ja) 2010-09-15
US6759274B2 (en) 2004-07-06
DE10139092A1 (de) 2002-05-02
DE10139092B4 (de) 2014-10-09
US20020025656A1 (en) 2002-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002076096A (ja) 半導体素子のピックアップ方法
US6673654B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device using heated conveyance member
JP2001035817A (ja) ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2004311576A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004153193A (ja) 半導体ウエーハの処理方法
WO2011029890A1 (en) Tool for picking a planar object from a supply station
KR20070029068A (ko) 기판의 박판화 방법 및 회로소자의 제조방법
JPH09167779A (ja) 半導体製造装置
JP2006191144A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2001093864A (ja) 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法
JP4471565B2 (ja) 半導体ウエーハの分割方法
JP2002280330A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP2002066911A (ja) 弾性吸着パッドに吸着保持された板状物の剥離方法
US7262114B2 (en) Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material
JP2012169548A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP2005045023A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP4768963B2 (ja) ウェハの転写方法
JP2002353296A (ja) ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
JP2004273639A (ja) 半導体装置の製造方法
US20110155297A1 (en) Method of applying an adhesive layer on thincut semiconductor chips of a semiconductor wafer
JP2001308033A (ja) ウエハ固定方法
JP2018133497A (ja) 素子チップの製造方法
JP2005243910A (ja) 半導体チップの製造方法
JP2004079597A (ja) 半導体チップの加工方法
JP2004288690A (ja) 電子部品供給方法および電子部品の保持治具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070712

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100629

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100702

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4546626

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term