TWI790136B - 用於混合式接合的吸嘴結構 - Google Patents

Abstract

一種用於混合式接合的吸嘴結構，包括本體。本體開設複數第一通道，該等第一通道沿著一圓周方向間隔設置，貫穿本體的底面，並且提供第一負壓及第二負壓，第二負壓大於第一負壓，底面為平面。藉此，本發明能夠藉由微弱的第一負壓吸附晶粒且讓本體保持原狀，晶粒能夠保持平坦，多根頂針能夠輕易透過承載膜將晶粒升高，該等頂針的相對位置無須考量底面的曲率，降低製造頂推裝置的困難度。再者，本發明能夠藉由較強的第二負壓讓本體變形且讓晶粒彎曲，晶粒與晶粒放置區為中心接觸，力道極小，不會損及晶粒，且無須安裝彈性件，製造成本較低。

Description

用於混合式接合的吸嘴結構

本發明是有關一種吸嘴結構，尤其是一種用於混合式接合的吸嘴結構。

目前的晶圓對晶圓的直接鍵合技術是：一吸嘴結構吸附一承載裝置的一目標區塊上的一晶圓；吸嘴結構將晶圓移動至另一晶圓的上方；一頂針以機械力頂推一晶圓的中心，使得晶圓彎曲，晶圓的中心接觸的另一晶圓的中心；晶粒的中心在接觸晶粒放置區的中心以後形成一貼合波(bond wave，又稱接合波)；貼合波從晶圓的中心逐漸往晶圓的周邊擴散，使得晶圓逐漸脫離吸嘴結構並且固定於另一晶圓上。

晶圓對晶圓(wafer to wafer)的直接鍵合技術已經行之有年，屬於前段製程，可以方便控制潔淨度以及晶度。再者，晶圓的尺寸通常為6~12吋，尺寸較大，相對容易控制其貼合波的產生。晶圓對晶圓的直接鍵合的問題在於：應用在單晶片系統(system on a chip)上較不容易。原因在於：單晶片系統通常是各家不同廠商的晶片結合而成，要將不同邏輯電路一開始就以同一片光罩製作完成，需要花費的成本相當高昂。

晶粒對晶圓的結合技術是為了整合不同廠商的小晶片(chiplet)而發展的技術，可以節省大量的開發成本，且在單晶片系統製程中可以直接應用其他廠商現有的小晶片解決方案(chiplet solution)，不需要額外開發專用的邏輯電路。因此，晶粒對晶圓(die to wafer)的結合技術是目前的發展趨勢。

因為傳統銲錫式結合技術已經接近極限，所以為了縮小晶粒尺寸以及接點大小，在晶粒對晶圓的結合技術方面，銅接點直接鍵合技術(即，混合鍵合技術)變成首選的解決方案。

然而，相對於晶圓對晶圓的直接鍵合技術，因為晶粒的尺寸較小，在貼合波的控制方面相當困難，所以目前尚未成功開發出適合晶粒對晶圓的混合鍵合技術。以下將介紹目前常用的三種晶粒對晶圓的結合技術。

第一種晶粒對晶圓的結合技術是：一吸嘴結構吸附一承載裝置的一目標區塊上的一晶粒；吸嘴結構將晶粒移動至一基板的上方；一頂針以機械力頂推一晶粒的中心，使得晶粒彎曲，晶粒的中心接觸到基板的一晶粒放置區的中心；晶粒的中心在接觸晶粒放置區的中心以後形成一貼合波，貼合波從晶粒的中心逐漸往晶粒的周邊擴散，使得晶粒逐漸脫離吸嘴結構並且固定於基板上。

因為晶粒的尺寸較小，所以頂針的尺寸要製作得極小，才能夠頂推晶粒的中心。然而，極小的頂針製作不易，且極細易斷，導致在貼合波的控制方面變得極其困難。

第二種晶粒對晶圓的結合技術是：一吸嘴結構吸附一承載裝置的一目標區塊上的一晶粒；吸嘴結構將晶粒移動至一基板的上方；吸嘴結構的內部具有三個彈性件，該等彈性件位於固定表面的相對側，周邊的兩個彈性件的K值小於中心定位彈性件的K值，K值即彈簧係數；當吸嘴結構往基板的方向移動時，慣性對於內外K值不同的彈性件產生形變，使得晶粒彎曲，晶粒的中心接觸基板的一晶粒放置區的中心；晶粒的中心在接觸晶粒放置區的中心以後形成一貼合波，貼合波從晶粒的中心逐漸往晶粒的周邊擴散，使得晶粒逐漸脫離吸嘴結構並且固定於基板上。

然而，當吸嘴結構往基板的方向移動時，該等彈性件會提供晶粒較大的質量慣性，導致晶粒接觸到基板的衝擊力較大而受損。

再者，因為吸嘴結構本身的體積小，所以彈性件十分微小，不易組裝，製造成本較高。

第三種晶粒對晶圓的結合技術是：承載裝置實質上是一片承載膜，一頂推裝置會藉由負壓吸附承載膜的目標區塊的底部；一吸嘴結構的底面被製作成球面且具有一曲率，底面接觸目標區塊上的晶粒並且藉由負壓、靜電或黏附等手段吸附晶粒，使得晶粒彎曲，彎曲的晶粒能夠保持附著於整個底面，因此晶粒與底面具有相同的曲率；頂推裝置的多根頂針推動目標區塊的部分區域，使得目標區塊的部分區域向上隆起，向上隆起的目標區塊的部分區域會將晶粒向上升高，沒有向上隆起的目標區塊的其他區域則脫離晶粒，降低晶粒附著在目標區塊的面積；吸嘴結構將晶粒移動至一基板的一晶粒放置區上，晶粒的中心接觸晶粒放置區的中心；晶粒的中心在接觸晶粒放置區的中心以後形成一貼合波，同時解除吸嘴結構的負壓、靜電或黏附效果，讓貼合波能夠順利地從晶粒的中心逐漸往晶粒的周邊擴散，使得晶粒逐漸脫離吸嘴結構並且固定於基板上。

為了讓目標區塊的部分區域向上隆起的高度能夠配合吸嘴結構的曲率，多根頂針的相對位置必須要相當精確，增加製造頂推裝置的困難度，成本高。

再者，該等頂針的推力由吸嘴結構的本體和固定座吸收，使得吸嘴結構的本體和固定座容易受損。

本發明的主要目的在於提供一種用於混合式接合的吸嘴結構，能夠藉由負壓強度較微弱的第一負壓吸附晶粒且讓本體保持原狀，使得晶粒能夠保持平坦，多根頂針能夠輕易透過承載膜將晶粒升高，多根頂針的相對位置無須考量吸嘴結構的曲率，進而降低製造頂推裝置的困難度，成本低。

本發明的另一目的在於提供一種用於混合式接合的吸嘴結構，能夠藉由負壓強度較強的第二負壓讓本體變形且讓晶粒彎曲，晶粒與晶粒放置區為中心接觸，晶粒接觸到基板的力量僅限於晶粒的質量，力道極小，不會損及晶粒，且無須安裝彈性件，製造成本較低。

本發明的又一目的在於提供一種用於混合式接合的吸嘴結構，能夠藉由緩衝結構吸收該等頂針的推力，使得本體和固定座較不易受損。

為了達成前述的目的，本發明提供一種用於混合式接合的吸嘴結構，包括一本體。本體開設複數第一通道，該等第一通道沿著一圓周方向間隔設置，貫穿本體的一底面，並且提供一第一負壓及一第二負壓，第二負壓大於第一負壓，底面為一平面。其中，當該等第一通道提供第一負壓時，本體不會受到大氣壓力的擠壓而能夠保持原狀。其中，當該等第一通道提供第二負壓時，本體會受到大氣壓力的擠壓而變形，使得底面向外突出以形成一球面並且具有一曲率。

在一些實施例中，該等第一通道的位置靠近本體的一側面，且貫穿底面的周圍。

在一些實施例中，各第一通道包括一第一穿孔及一第二穿孔，第一穿孔貫穿底面，第二穿孔貫穿本體的一頂面，第一穿孔與第二穿孔相通，第一穿孔的直徑小於第二穿孔的直徑，第一穿孔的長度比第二穿孔的長度短。

在一些實施例中，所述的用於混合式接合的吸嘴結構更包括一固定座，固定座開設複數真空通道，該等真空通道沿著一圓周方向間隔設置；其中，本體設置於固定座的底部，該等真空通道分別與該等第一通道相通。

在一些實施例中，所述的用於混合式接合的吸嘴結構更包括一緩衝結構，緩衝結構設置於固定座的頂部。

在一些實施例中，本體開設一第二通道，第二通道的一端貫穿本體的一側面，第二通道的另一端貫穿底面的中心。

在一些實施例中，第二通道包括至少一第一貫孔及一第二貫孔，至少一第一貫孔徑向延伸並且貫穿側面，第二貫孔軸向延伸於本體的中間並且貫穿底面的中心，至少一第一貫孔與第二貫孔相通。

在一些實施例中，第二貫孔的直徑大於至少一第一貫孔的直徑。

在一些實施例中，本體在其軸心至其側面之間包括複數個通道組，每個通道組包括複數個第一通道，愈靠近本體的軸心，該等通道組的該等第一通道的數量愈少且間距愈大，愈靠近側面，該等通道組的該等第一通道的數量愈多且間距愈小。

在一些實施例中，在相鄰的二通道組中，靠近側面的通道組的該等第一通道的數量是靠近本體的軸心的通道組的該等第一通道的數量的兩倍。

本發明的功效在於，本發明能夠在拾取一晶粒的程序中，負壓強度較微弱的第一負壓不僅能夠吸附晶粒且能夠讓本體維持原狀，從而底面和晶粒都能夠保持平坦。因此，多根頂針能夠輕易透過一承載膜的一目標區塊將晶粒升高，該等頂針的相對位置無須考量底面的曲率，進而降低製造頂推裝置的困難度，成本低。

再者，本發明能夠在固定晶粒的程序中，負壓強度較強的第二負壓不僅能夠讓本體變形，從而底面向外突出以形成球面，還能夠讓晶粒彎曲。是以，晶粒與一基板的一晶粒放置區為中心接觸，晶粒接觸到基板的力量僅限於晶粒的質量，力道極小，不會損及晶粒，且無須安裝彈性件，製造成本較低。

此外，本發明能夠藉由緩衝結構吸收該等頂針的推力，使得本體和固定座較不易受損。

以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

圖1是本發明的吸嘴結構的第一實施例的剖面圖，圖2是本發明的吸嘴結構的第一實施例的仰視圖。如圖1及圖2所示，本發明提供一種用於混合式接合的吸嘴結構，包括一固定座10及一本體20。固定座10開設複數真空通道11，該等真空通道11沿著一圓周方向間隔設置。本體20設置於固定座10的底部並且開設複數第一通道21，該等第一通道21沿著一圓周方向間隔設置並且貫穿本體20的一底面22，底面22為一平面。該等真空通道11分別與該等第一通道21相通。

圖3至圖9顯示了混合式接合晶粒方法的示意圖，其應用本發明的吸嘴結構的第一實施例。以下將配合圖式進一步說明應用本發明的吸嘴結構的第一實施例的混合式接合晶粒方法。

如圖3所示，本體20對準一承載膜30的一目標區塊31上的一晶粒40，一頂推裝置50支撐承載膜30並且藉由一負壓(圖未示)吸附承載膜30的目標區塊31的底部。

如圖4所示，底面22接觸到晶粒40。

如圖5所示，頂推裝置50的多根頂針51同時向上移動，分別穿過頂推裝置50的複數穿孔52，並且推動目標區塊31的部分區域311向上隆起，向上隆起的目標區塊31的部分區域311會將晶粒40向上升高，晶粒40則會推動本體20和固定座10向上移動，沒有向上隆起的目標區塊31的其他區域312則脫離晶粒40，降低晶粒40附著在目標區塊31的面積。當該等真空通道11與該等第一通道21共同提供一第一負壓60時，底面22藉由第一負壓60吸附晶粒40。具體來說，該等真空通道11實際上連接一真空裝置(圖未示)，真空裝置對該等真空通道11抽氣，該等第一通道21內的氣體會通過該等真空通道11以產生較低的真空度並且提供第一負壓60。第一負壓60僅略小於一個標準大氣壓即足以吸附晶粒40，且會提供該等第一通道21較低的真空度，使得該等第一通道21的內部壓力足以抵抗大氣壓力，從而本體20不會受到大氣壓力的擠壓而能夠保持原狀。因此，底面22能夠保持平坦，晶粒40也能夠保持平坦。

如圖6所示，當該等真空通道11與該等第一通道21共同提供一第二負壓61時，第二負壓61大於第一負壓60，本體20會受到大氣壓力的擠壓而變形，使得底面22向外突出以形成一球面並且具有一曲率。更詳而言之，真空裝置對該等真空通道11加強抽氣，該等第一通道21內有更多的氣體會通過該等真空通道11以產生較高的真空度並且提供負壓強度增強的第二負壓61。由於第二負壓61大於第一負壓60，因此第二負壓61遠小於一個標準大氣壓，且會提供該等第一通道21較高的真空度，造成該等第一通道21的內部壓力不足以抵抗大氣壓力，從而本體20會受到大氣壓力的擠壓而變形。本體20在變形的時候，本體20的中間的密度會提高，故本體20的中間的結構強度會提升而較不易變形，使得底面22的中心較底面22的周圍突出而形成球面。此時，第二負壓61所產生的吸附力足以讓晶粒40彎曲，彎曲的晶粒40能夠保持附著於整個底面22，因此晶粒40與底面22具有相同的曲率。

如圖7所示，本發明的吸嘴結構將晶粒40移動至一基板70的一晶粒放置區71上，且晶粒40的中心接觸晶粒放置區71的中心。

如圖8所示，晶粒40的中心接觸晶粒放置區71的中心以後形成一貼合波80(bond wave，又稱為接合波) ，同時真空裝置停止對該等真空通道11抽氣，使得該等真空通道11和該等第一通道21停止提供第二負壓61，本體20不再受到大氣壓力的擠壓而能夠恢復成原狀，底面22和晶粒40都恢復成平坦狀，讓貼合波80能夠順利地從晶粒40的中心逐漸往晶粒40的周邊擴散，使得晶粒40逐漸脫離底面22並且固定於晶粒放置區71上。

如圖9所示，晶粒40完全固定於晶粒放置區71上。

藉此，本發明的吸嘴結構能夠在拾取晶粒40的程序中，負壓強度較微弱的第一負壓60不僅能夠吸附晶粒40且能夠讓本體20維持原狀，從而底面22和晶粒40都能夠保持平坦。因此，該等頂針51能夠輕易透過目標區塊31將晶粒40升高，該等頂針51的相對位置無須考量底面22的曲率，進而降低製造頂推裝置50的困難度，成本低。

再者，本發明的吸嘴結構能夠在固定晶粒40的程序中，負壓強度較強的第二負壓61不僅能夠讓本體20變形，從而底面22向外突出以形成球面，還能夠讓晶粒40彎曲。是以，晶粒40與晶粒放置區71為中心接觸，晶粒40接觸到基板70的力量僅限於晶粒40的質量，力道極小，不會損及晶粒40，且無須安裝彈性件，製造成本較低。

較佳地，如圖1及圖2所示，該等第一通道21的位置靠近本體20的一側面23，且貫穿底面22的周圍。如圖4和圖5所示，當該等第一通道21提供第一負壓60時，底面22的周圍藉由第一負壓60吸附晶粒40的周圍。如圖6所示，當該等第一通道21提供第二負壓61時，真空度較高的該等第一通道21的內部壓力不足以抵抗大氣壓力，使得側面23和底面22的周圍會受到大氣壓力的擠壓而向內凹陷，該等第一通道21的內壁也會向內凹陷，本體20的中間的密度進而提高，故本體20的中間的結構強度提升而較不會變形，使得底面22的中心較底面22的周圍突出而形成球面。

較佳地，如圖1所示，各第一通道21包括一第一穿孔211及一第二穿孔212，第一穿孔211貫穿底面22，第二穿孔212貫穿本體20的一頂面24，第一穿孔211與第二穿孔212相通，第一穿孔211的直徑小於第二穿孔212的直徑，第一穿孔211的長度比第二穿孔212的長度短。如圖4和圖5所示，當該等第一通道21提供第一負壓60時，該等第一通道21的內部壓力足以抵抗大氣壓力，本體20不會受到大氣壓力的擠壓而能夠保持原狀，進而各第一穿孔211的形狀和各第二穿孔212的形狀皆不會改變。如圖6所示，當該等第一通道21提供第二負壓61時，該等第一通道21的內部壓力不足以抵抗大氣壓力，本體20會受到大氣壓力的擠壓而變形。因為第二穿孔212的直徑較大且長度較長，所以第二穿孔212的內壁會受到本體20變形的影響而向內凹陷；不過第二穿孔212的直徑夠大，第二穿孔212的內壁不會封閉第二穿孔212的內部空間，第二穿孔212不會堵塞。因為第一穿孔211的直徑較小且長度較短，所以第一穿孔211的內壁不會變形，第一穿孔211不會堵塞。藉此，即使本體20受到大氣壓力的擠壓而變形，該等第一通道21依然能夠保持暢通並持續提供第二負壓61吸附晶粒40，防止晶粒40脫離底面22。

較佳地，如圖2所示，本體20的橫截面的形狀為矩形，固定座10的橫截面的形狀為矩形。

圖10是本發明的吸嘴結構的第二實施例的剖面圖。如圖10所示，第二實施例與第一實施例的結構差異在於：本發明的吸嘴結構更包括一緩衝結構90，緩衝結構90設置於固定座10的頂部。

圖11顯示了本發明的吸嘴結構的第二實施例拾取晶粒40的示意圖。第二實施例與第一實施例的拾取晶粒40的方式的差異在於：當該等頂針51推動晶粒40向上升高時，晶粒40會進一步推動本體20和固定座10向上移動，固定座10會將該等頂針51的推力傳遞給緩衝結構90。因此，緩衝結構90能夠吸收該等頂針51的推力，提供良好的緩衝效果，使得本體20和固定座10較不易受損。不僅如此，當本發明的吸嘴結構將晶粒40移動至晶粒放置區71時，晶粒40接觸晶粒放置區71的反作用力也會被緩衝結構90吸收，避免晶粒40碰傷。較佳地，緩衝結構90為一彈性件。

圖12和圖13分別是本發明的吸嘴結構的第三實施例的剖面圖和仰視圖。如圖12及圖13所示，第三實施例與第一實施例的結構差異在於：本體20A開設一第二通道25，第二通道25的一端貫穿側面23，第二通道25的另一端貫穿底面22的中心。

圖14顯示了本發明的吸嘴結構的第三實施例藉由第一負壓60吸附晶粒40的示意圖。如圖14所示，當該等通道提供第一負壓60時，本體20A能夠保持原狀，第二通道25內部的氣體並沒有產生流動。

圖15顯示了本發明的吸嘴結構的第三實施例藉由第二負壓61吸附晶粒40且本體20A變形的示意圖。如圖15所示，當該等第一通道21提供第二負壓61時，本體20A會受到大氣壓力的擠壓而變形，同時外部空氣會通過第二通道25的一端進入第二通道25中並且持續推擠第二通道25內部的氣體往第二通道25的另一端的方向流動，第二通道25的內部壓力能夠維持在大氣壓力，使得本體20A的中間不會受到大氣壓力的擠壓而能夠保持原狀。

較佳地，如圖12及圖13所示，第二通道25包括二第一貫孔251及一第二貫孔252，該等第一貫孔251徑向延伸並且貫穿側面23，第二貫孔252軸向延伸於本體20A的中間並且貫穿底面22的中心，該等第一貫孔251分別與第二貫孔252相通。如圖15所示，當該等第一通道21提供第二負壓61時，本體20A會受到大氣壓力的擠壓而變形，同時外部空氣會徑向地通過該等第一貫孔251的一端進入該等第一貫孔251中並且持續推擠該等第一貫孔251內部的氣體軸向地往第二貫孔252的另一端的方向流動，第二貫孔252的內部壓力能夠維持在大氣壓力。因為第二貫孔252軸向延伸於本體20A的中間，且氣體軸向流動，所以第二貫孔252的內部壓力能夠維持在大氣壓力，使得本體20A的中間不會受到大氣壓力的擠壓而能夠保持原狀。

較佳地，如圖12及圖13所示，第二貫孔252的直徑大於各第一貫孔251的直徑。各第一貫孔251能夠以較小的直徑延伸通過相鄰的二第二穿孔212之間，不會與任何一個第二穿孔212相通，且能夠讓外部空氣順暢地通過。第二貫孔252能夠以較大的直徑軸向延伸於本體20A的中間，提供足夠的空間容納外部空氣，使得第二貫孔252的內部壓力能夠維持在大氣壓力。

圖16和圖17分別是本發明的吸嘴結構的第四實施例的剖面圖和仰視圖。如圖16及圖17所示，第四實施例與第三實施例的結構差異在於：本體20B的橫截面的形狀為圓形，固定座10A的橫截面的形狀為圓形，且只有一個第一貫孔251。第四實施例的功效與第三實施例的功效完全相同。

圖18和圖19分別是本發明的吸嘴結構的第五實施例的剖面圖和仰視圖。第五實施例與第四實施例的差異在於：本體20C在其軸心至其側面23之間包括三個通道組26，每個通道組26包括複數個第一通道21，愈靠近本體20C的軸心，該等通道組26的該等第一通道21的數量愈少且間距愈大，愈靠近側面23，該等通道組26的該等第一通道21的數量愈多且間距愈大。進一步地說，按照與本體20C的軸心的距離的遠近將三個通道組26分別界定為一第一通道組261、一第二通道組262及一第三通道組263。第一通道組261最靠近側面23，其第一通道21的數量最多且間距最小。第二通道組262位於第一通道組261和第三通道組263之間，其第一通道21的數量居中且間距居中。第三通道組263最靠近本體20C的軸心，其第一通道21的數量最少且間距最大。

第一通道組261的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合最大，本體20C的周圍受到大氣壓力的擠壓的程度最大，變形程度最大。第二通道組262的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合居中，本體20C的中間和周圍之間的部分受到大氣壓力的擠壓的程度居中，變形程度居中。第三通道組263的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合最小，本體20C的中間受到大氣壓力的擠壓的程度最小，變形程度最小。是以，該等通道組26能夠精準地控制本體20C的變形趨勢是從其外側往其中間逐漸變小，使得底面22向外突出的程度也是從其周圍往其中間逐漸變小以形成曲率較為一致的球面。當彎曲的晶粒40附著於整個底面22時，因為底面22為曲率較為一致的球面，且晶粒40與底面22具有相同的曲率，所以晶粒40較不會過度彎曲，避免晶粒40因過度彎曲而破裂。

較佳地，如圖19所示，在相鄰的二通道組26中，靠近側面23的通道組26的該等第一通道21的數量是靠近本體20C的軸心的通道組26的該等第一通道21的數量的兩倍。舉例來說，第一通道組261的該等第一通道21的數量是三十二個，第二通道組262的該等第一通道21的數量是十六個，第三通道組263的該等第一通道21的數量是八個，以此類推。據此，第一通道組261的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合是第二通道組262的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合的兩倍，第二通道組262的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合是第三通道組263的該等第一通道21提供的第二負壓61的總合的兩倍。因此，該等通道組26能夠精準地控制本體20C的變形趨勢是從其外側往其中間逐漸變小，使得底面22向外突出的程度也是從其周圍往其中間逐漸變小以形成曲率較為一致的球面。

以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。

10,10A:固定座 11:真空通道 20,20A,20B,20C:本體 21:第一通道 211:第一穿孔 212:第二穿孔 22:底面 23:側面 24:頂面 25:第二通道 251:第一貫孔 252:第二貫孔 26:通道組 261:第一通道組 262:第二通道組 263:第三通道組 30:承載膜 31:目標區塊 311:部分區域 312:其他區域 40:晶粒 50:頂推裝置 51:頂針 52:穿孔 60:第一負壓 61:第二負壓 70:基板 71:晶粒放置區 80:貼合波 90:緩衝結構

圖1是本發明的吸嘴結構的第一實施例的剖面圖。 圖2是本發明的吸嘴結構的第一實施例的仰視圖。 圖3至圖9顯示了混合式接合晶粒方法的示意圖，其應用本發明的吸嘴結構的第一實施例。 圖10是本發明的吸嘴結構的第二實施例的剖面圖。 圖11顯示了本發明的吸嘴結構的第二實施例拾取晶粒的示意圖。 圖12是本發明的吸嘴結構的第三實施例的剖面圖。 圖13是本發明的吸嘴結構的第三實施例的仰視圖。 圖14顯示了本發明的吸嘴結構的第三實施例藉由第一負壓吸附晶粒的示意圖。 圖15顯示了本發明的吸嘴結構的第三實施例藉由第二負壓吸附晶粒且本體變形的示意圖。 圖16是本發明的吸嘴結構的第四實施例的剖面圖。 圖17是本發明的吸嘴結構的第四實施例的仰視圖。 圖18是本發明的吸嘴結構的第五實施例的剖面圖。 圖19是本發明的吸嘴結構的第五實施例的仰視圖。

10:固定座

11:真空通道

20:本體

21:第一通道

211:第一穿孔

212:第二穿孔

22:底面

23:側面

24:頂面

Claims (10)

1. 一種用於混合式接合的吸嘴結構，包括： 一本體，開設複數第一通道，該等第一通道沿著一圓周方向間隔設置，貫穿該本體的一底面，並且提供一第一負壓及一第二負壓，該第二負壓大於該第一負壓，該底面為一平面； 其中，當該等第一通道提供該第一負壓時，該本體不會受到大氣壓力的擠壓而能夠保持原狀；以及 其中，當該等第一通道提供該第二負壓時，該本體會受到大氣壓力的擠壓而變形，使得該底面向外突出以形成一球面並且具有一曲率。
2. 如請求項1所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，該等第一通道的位置靠近該本體的一側面，且貫穿該底面的周圍。
3. 如請求項1或2所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，各該第一通道包括一第一穿孔及一第二穿孔，該第一穿孔貫穿該底面，該第二穿孔貫穿該本體的一頂面，該第一穿孔與該第二穿孔相通，該第一穿孔的直徑小於該第二穿孔的直徑，該第一穿孔的長度比該第二穿孔的長度短。
4. 如請求項1所述的用於混合式接合的吸嘴結構，更包括一固定座，該固定座開設複數真空通道，該等真空通道沿著一圓周方向間隔設置；其中，該本體設置於該固定座的底部，該等真空通道分別與該等第一通道相通。
5. 如請求項4所述的用於混合式接合的吸嘴結構，更包括一緩衝結構，該緩衝結構設置於該固定座的頂部。
6. 如請求項1所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，該本體開設一第二通道，該第二通道的一端貫穿該本體的一側面，該第二通道的另一端貫穿該底面的中心。
7. 如請求項6所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，該第二通道包括至少一第一貫孔及一第二貫孔，該至少一第一貫孔徑向延伸並且貫穿該側面，該第二貫孔軸向延伸於該本體的中間並且貫穿該底面的中心，該至少一第一貫孔與該第二貫孔相通。
8. 如請求項7所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，該第二貫孔的直徑大於該至少一第一貫孔的直徑。
9. 如請求項1所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，該本體在其軸心至其側面之間包括複數個通道組，每個通道組包括複數個第一通道，愈靠近該本體的該軸心，該等通道組的該等第一通道的數量愈少且間距愈大，愈靠近該側面，該等通道組的該等第一通道的數量愈多且間距愈小。
10. 如請求項9所述的用於混合式接合的吸嘴結構，其中，在相鄰的二通道組中，靠近該側面的通道組的該等第一通道的數量是靠近該本體的軸心的通道組的該等第一通道的數量的兩倍。

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