CN116525465A - 防止包住气泡的晶粒转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种防止包住气泡的晶粒转移方法，包括下列步骤：吸附装置借由第一负压吸附晶粒，晶粒弯曲；固晶装置借由正压吹拂晶粒放置区，晶粒放置区向上隆起，晶粒放置区的中心接触到晶粒的中心，晶粒放置区的周围和晶粒的周围之间形成缝隙；以及吸附装置停止借由第一负压吸附晶粒，晶粒恢复成平坦状并且脱离吸附装置，固晶装置停止借由正压吹拂晶粒放置区，晶粒放置区恢复成平坦状；晶粒和晶粒放置区将缝隙内的空气向外挤出，使得缝隙闭合，晶粒的底面紧密贴合于晶粒放置区的顶面。借此，本发明能够达到防止晶粒与晶粒放置区包住气泡的效果。

Description

防止包住气泡的晶粒转移方法
技术领域
本发明涉及晶粒转移方法，特别涉及一种防止包住气泡的晶粒转移方法。
背景技术
集成电路借由大批方式，经过多道程序，制作在半导体晶圆上，晶圆进一步分割成复数个晶粒。换言之，晶粒是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路本体。
图1是习知的晶粒转移方法的步骤S10的示意图，图2是习知的晶粒转移方法的步骤S20的示意图，图3是习知的晶粒转移方法的步骤S30的示意图。步骤S10，如图1所示，分割好的复数个晶粒120整齐贴附在一承载膜110上，一顶推装置140的一外顶推件141抵顶于承载膜110的底面，顶推装置140的一内顶推件142推动承载膜110的一目标区块111，使得目标区块111向上隆起，且目标区块111上的晶粒20接触到一吸附装置130的一吸嘴132。步骤S20，如图2所示，一真空装置(图未示)对吸附装置130的一固定座131的一第一真空通道(图未示)抽气，吸嘴132的一凹槽1322内的气体会依序通过吸嘴132的一第二真空通道1321和固定座131的第一真空通道以产生真空并且提供一第一负压161，第一负压161通过凹槽1322吸附晶粒20。步骤S30，如图3所示，真空装置停止对第一真空通道抽气，第一真空通道、第二真空通道1321和凹槽1322不再产生真空，真空装置不再提供第一负压161，因而吸嘴132停止借由第一负压161吸附晶粒120，最终晶粒120被放置在一薄膜150的一晶粒放置区151上。
然而，如图2所示，当吸嘴132吸附尺寸较大的晶粒120(尺寸大于5×5mm)或薄晶粒120(尺寸小于200μm)时，因为凹槽1322的面积相当大，所以第一负压161的吸附面积相当大，在第一负压161通过凹槽1322吸附晶粒120的时候，晶粒120会向内凹陷而弯曲并且陷入凹槽1322中。因此，如图3所示，晶粒120放置在晶粒放置区151以后，弯曲的晶粒120的底面与平坦的晶粒放置区151的顶面会共同包住气泡而形成一个空洞91(void)，造成晶粒120与晶粒放置区151无法彻底紧密贴合，导致挑拣或辨识晶粒120的后续加工程序容易受到气泡的影响，降低后续加工制成的产品良率。
图4显示了习知的全平面的吸嘴132A吸附表面平整的晶粒120的示意图。习知的全平面的吸嘴132A只有第二真空通道1321，没有凹槽1322，故其底面相当平坦。因此，习知的全平面的吸嘴132A能够借由第一负压161通过第二真空通孔1321吸附晶粒120。因为第二真空通孔1321的孔径相当小，所以第一负压161的吸附面积相当小，在第一负压161通过第二真空通孔1321吸附晶粒120的时候，晶粒120不会向内凹陷而弯曲，因此晶粒120能够保持平坦。晶粒120放置在晶粒放置区151以后，平坦的晶粒120的底面与平坦的晶粒放置区151的顶面彻底紧密贴合，不会共同包住气泡，故没有形成空洞91，因而挑拣或辨识晶粒120的后续加工程序不会受到气泡的影响，提升后续加工制成的产品良率。
图5显示了习知的全平面的吸嘴132A吸附表面不平整的晶粒120A的示意图。在某些情况下，晶粒120A的表面是不平整的，例如晶粒120A的表面黏附微粒，或晶粒120A设有铜柱(bump)或焊垫(pad)，造成晶粒120A的顶面与习知的全平面的吸嘴132A的底面之间会有一缝隙190。由于缝隙190连通于第二真空通道1321和外部空间之间，导致第二真空通道1321无法产生真空，以致习知的全平面的吸嘴132A完全没有办法借由第一负压161吸附晶粒120A。
发明内容
本发明实施例提供一种防止包住气泡的晶粒转移方法，能够将晶粒与晶粒放置区之间的缝隙中的空气彻底挤出，完全排除晶粒与晶粒放置区包住气泡的情况，达到防止包住气泡的效果。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种防止包住气泡的晶粒转移方法，包括下列步骤：(a)一吸附装置借由一第一负压吸附一晶粒，并且移动至一薄膜的一晶粒放置区的上方，晶粒向内凹陷而弯曲；(b)一固晶装置借由一正压吹拂晶粒放置区，使得晶粒放置区向上隆起，且晶粒放置区的中心接触到晶粒的中心，晶粒放置区的周围和晶粒的周围之间形成一缝隙；以及(c)吸附装置停止借由第一负压吸附晶粒，使得晶粒恢复成平坦状并且脱离吸附装置，同时固晶装置停止借由正压吹拂晶粒放置区，使得晶粒放置区恢复成平坦状；在晶粒和晶粒放置区同步恢复成平坦状的过程中，晶粒和晶粒放置区共同将缝隙内的空气逐渐向外挤出，使得缝隙闭合；在缝隙彻底闭合以后，晶粒的底面紧密贴合于晶粒放置区的顶面。
在一些实施例中，在步骤(b)中，晶粒放置区的曲率小于晶粒的曲率。
在一些实施例中，在步骤(b)中，在正压的压力平均的状态下，正压吹拂晶粒放置区的应力平衡，使得晶粒放置区向上隆起。
在一些实施例中，在步骤(b)中，愈靠近固晶装置的轴心，正压的压力愈大，使得晶粒放置区的隆起程度从该晶粒放置区周围往中心的方向逐渐增加。
在一些实施例中，吸附装置包括一固定座及一吸嘴，固定座开设一第一真空通道，第一真空通道连接一真空装置，吸嘴设置于固定座的底部并且开设一第二真空通道及一凹槽，第二真空通道与第一真空通道相通，凹槽与第二真空通道相通；其中，在步骤(a)中，真空装置对第一真空通道抽气，凹槽内的气体会依序通过第二真空通道和第一真空通道以产生真空并且提供第一负压，第一负压通过凹槽吸附晶粒，使得晶粒向内凹陷而弯曲并且陷入凹槽中；以及其中，在步骤(c)中，真空装置停止对第一真空通道抽气，第一真空通道、第二真空通道和凹槽不再产生真空，真空装置不再提供第一负压，因而吸嘴停止借由第一负压吸附晶粒。
在一些实施例中，固晶装置开设一第一气压通道，第一气压通道位于固晶装置的中间并且连接一气体供应装置；其中，在步骤(b)中，气体供应装置对第一气压通道供应气体以产生气流并且提供正压，正压通过第一气压通道吹拂晶粒放置区；以及其中，在步骤(c)中，气体供应装置停止对第一气压通道供应气体，第一气压通道不再产生气流，气体供应装置不再提供正压，因而固晶装置停止借由正压吹拂晶粒放置区。
在一些实施例中，一环体将第一气压通道分隔成一第一腔室及一第二腔室，环体的中间开设一贯孔，贯孔连通于第一腔室与第二腔室之间，且贯孔的直径小于第一腔室与第二腔室的直径。
在一些实施例中，第一气压通道的宽度等于晶粒放置区的宽度。
在一些实施例中，在步骤(b)中，固晶装置借由一第二负压吸附晶粒放置区的外侧，吸附装置往晶粒放置区的方向移动；以及其中，在步骤(c)中，移动吸附装置，使得吸附装置远离晶粒，同时固晶装置停止借由第二负压吸附晶粒放置区的外侧。
在一些实施例中，固晶装置开设复数个第二气压通道，该多个第二气压通道沿着一圆周方向间隔设置并且连接一真空装置；其中，在步骤(b)中，真空装置对该多个第二气压通道抽气以产生真空并且提供第二负压，第二负压通过该多个第二气压通道吸附晶粒放置区的外侧；以及其中，在步骤(c)中，真空装置停止对该多个第二气压通道抽气，该多个第二气压通道不再产生真空，真空装置不再提供第二负压，因而固晶装置停止借由第二负压吸附晶粒放置区的外侧。
本发明的有益效果是：
本发明的方法能够将晶粒和晶粒放置区之间的缝隙中的空气彻底挤出，完全排除晶粒与晶粒放置区包住气泡的情况，达到防止包住气泡的效果。借此，晶粒与晶粒放置区之间不会有任何空洞(void)存在，挑拣或辨识晶粒的后续加工程序不会受到气泡的影响，提升后续加工制成的产品良率。
附图说明
图1是习知的晶粒转移方法的步骤S10的示意图。
图2是习知的晶粒转移方法的步骤S20的示意图。
图3是习知的晶粒转移方法的步骤S30的示意图。
图4显示了习知的全平面的吸嘴吸附表面平整的晶粒的示意图。
图5显示了习知的全平面的吸嘴吸附表面不平整的晶粒的示意图。
图6是本发明实施例的方法的流程图。
图7是本发明实施例的方法的步骤S100的示意图。
图8A是本发明实施例的方法的步骤S200的立体图。
图8B是本发明实施例的方法的步骤S200的示意图。
图8C是本发明实施例的吸附装置和真空装置的示意图。
图9A是本发明实施例的方法的步骤S300的立体图。
图9B是本发明实施例的方法的步骤S300的示意图。
图9C是本发明实施例的固晶装置、真空装置和气体供应装置的示意图。
图10A是本发明实施例的方法的步骤S400的立体图。
图10B是本发明实施例的方法的步骤S400的示意图。
图11A是本发明实施例的吸附装置的较佳实施例的俯视图。
图11B是本发明实施例的吸附装置的另一实施例的俯视图。
图12A是本发明实施例的固晶装置的较佳实施例的俯视图。
图12B是本发明实施例的固晶装置的另一实施例的俯视图。
图13A至图13C是本发明实施例的方法的步骤S300的又一实施例的示意图。
图14至图14B是本发明实施例的方法的步骤S300的其他实施例的示意图。附图符号说明：
10,110：承载膜；
11,111：目标区块；
20,120,120A：晶粒；
30,30A,130：吸附装置；
31,31A,131：固定座；
311：第一真空通道；
32,32A,132,132A：吸嘴；
321,1321：第二真空通道；
322,322A,1322：凹槽；
40,140：顶推装置；
41,141：外顶推件；
42,142：内顶推件；
50,150：薄膜；
51,151：晶粒放置区；
60：真空装置；
61,161：第一负压；
62：第二负压；
70,70A：固晶装置；
71,71A：第一气压通道；
711：第一腔室；
712：第二腔室；
72：第二气压通道；
73：环体；
731：贯孔；
80：气体供应装置；
81：正压；
90,190：缝隙；
91：空洞；
S10～30：步骤；
S100～400：步骤。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。在下面的描述中，提供诸如具体的配置和组件的特定细节仅仅是为了帮助全面理解本发明的实施例。因此，本领域技术人员应该清楚，可以对这里描述的实施例进行各种改变和修改而不脱离本发明的范围和精神。另外，为了清楚和简洁，省略了对已知功能和构造的描述。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
本发明提供一种防止包住气泡的晶粒转移方法，包括下列步骤：
步骤S100，如图6及图7所示，一承载膜10上的一晶粒20接触到一吸附装置30。更明确地说，一顶推装置40的一外顶推件41抵顶于承载膜10的底面，顶推装置40的一内顶推件42推动承载膜10的一目标区块11，使得目标区块11向上隆起，且目标区块11上的晶粒20接触到吸附装置30。
步骤S200，如图6、图8A、图8B及图8C所示，吸附装置30借由一第一负压61吸附晶粒20，并且移动至一薄膜50的一晶粒放置区51的上方，晶粒20向内凹陷而弯曲。更详而言之，吸附装置30包括一固定座31及一吸嘴32，固定座31开设一第一真空通道311，第一真空通道311连接一真空装置60，吸嘴32设置于固定座31的底部并且开设一第二真空通道321及一凹槽322，第二真空通道321与第一真空通道311相通，凹槽322与第二真空通道321相通。真空装置60对第一真空通道311抽气，凹槽322内的气体会依序通过第二真空通道321和第一真空通道311以产生真空并且提供第一负压61。第一负压61通道凹槽322吸附晶粒20，使得晶粒20向内凹陷而弯曲并且陷入凹槽322中。
步骤S300，如图6、图9A、图9B及图9C所示，一固晶装置70借由一第二负压62吸附晶粒放置区51的外侧，吸附装置30往晶粒放置区51的方向移动，同时固晶装置70借由一正压81吹拂晶粒放置区51，使得晶粒放置区51向上隆起，且晶粒放置区51的中心接触到晶粒20的中心，晶粒放置区51的周围和晶粒20的周围之间形成一缝隙90。更清楚地说，固晶装置70开设一第一气压通道71及复数个第二气压通道72，第一气压通道71位于固晶装置70的中间并且连接一气体供应装置80，该多个第二气压通道72沿着一圆周方向环绕于第一气压通道71的外侧间隔设置并且连接真空装置60。真空装置60对该多个第二气压通道72抽气以产生真空并且提供第二负压62，第二负压62通过该多个第二气压通道72吸附晶粒放置区51的外侧。气体供应装置80对第一气压通道71供应气体以产生气流并且提供正压81，正压81通过第一气压通道71吹拂晶粒放置区51。
步骤400，如图6、图10A及图10B所示，吸附装置30停止借由第一负压61吸附晶粒20，使得晶粒20恢复成平坦状并且脱离吸附装置30，同时固晶装置70停止借由正压81吹拂晶粒放置区51，使得晶粒放置区51恢复平坦状；在晶粒20和晶粒放置区51同步恢复成平坦状的过程中，晶粒20和晶粒放置区51共同将缝隙90内的空气逐渐向外挤出，使得缝隙90逐渐闭合；在缝隙90彻底闭合以后，晶粒20的底面紧密贴合于晶粒放置区51的顶面。更明确地说，真空装置60停止对第一真空通道311抽气，第一真空通道311、第二真空通道321和凹槽322不再产生真空，真空装置60不再提供第一负压61，因而吸嘴32停止借由第一负压61吸附晶粒20；气体供应装置80停止对第一气压通道71供应气体，第一气压通道71不再产生气流，气体供应装置80不再提供正压81，因而固晶装置70停止借由正压81吹拂晶粒放置区51。因为晶粒20不再受到第一负压61的吸附，所以晶粒20会从其中心往其周围的方向逐渐延展，最终晶粒20会自动恢复成平坦状。因为晶粒放置区51不再受到正压81的吹拂，所以晶粒放置区51会从其中心往其周围的方向逐渐延展，最终晶粒放置区51会自动恢复成平坦状。在晶粒20和晶粒放置区51同步恢复成平坦状的过程中，因为晶粒20和晶粒放置区51皆从中心往周围的方向同步延展，晶粒20和晶粒放置区51之间形成一贴合波(图未示)，贴合波从晶粒20的中心逐渐往晶粒20的周围的方向扩散，所以晶粒20和晶粒放置区51能够共同将缝隙90内的空气从缝隙90的中心往缝隙90的周围的方向逐渐向外挤出，使得缝隙90从缝隙90的中心往缝隙90的周围的方向逐渐闭合。在缝隙90彻底闭合以后，晶粒20的底面就能够和晶粒放置区51的顶面彻底紧密贴合。最后，移动吸附装置30，使得吸附装置30远离晶粒20，同时固晶装置70停止借由第二负压62吸附晶粒放置区51的外侧。
综上所述，本发明的方法能够将晶粒20和晶粒放置区51之间的缝隙90中的空气彻底挤出，完全排除晶粒20与晶粒放置区51包住气泡的情况，达到防止包住气泡的效果。是以，晶粒20与晶粒放置区51之间不会有任何空洞(void)存在，挑拣或辨识晶粒20的后续加工程序不会受到气泡的影响，提升后续加工制成的产品良率。
较佳地，固定座31设置于一位移机构(图未示)上，位移机构能够借由移动固定座31以控制吸嘴32的位置。更明确地说，步骤S100，如图7所示，位移机构能够将固定座31移动至承载膜10的上方，并且对准目标区块11上的晶粒20；步骤S200，如图8A及图8B所示，位移机构能够将固定座31移动至晶粒放置区51的上方，并且让吸嘴32对准晶粒放置区51；步骤S300，如图9A及图9B所示，位移机构能够将固定座31向下移动，并且让吸嘴32靠近晶粒放置区51；步骤S400，如图10A及图10B所示，在晶粒20的底面紧密贴合于晶粒放置区51的顶面以后，位移机构能够将固定座31向上移动，并且让吸嘴32远离晶粒20。
较佳地，步骤S400，如图10A及图10B所示，真空装置60停止对该多个第二气压通道72抽气，该多个第二气压通道72不再产生真空，真空装置60不再提供第二负压62，因而固晶装置70停止借由第二负压62吸附晶粒放置区51的外侧。
较佳地，步骤S300，如图9A及图9B所示，晶粒放置区51的曲率小于晶粒20的曲率。借此，本发明的方法能够保证晶粒放置区51的中心接触晶粒20的中心，同时晶粒放置区51的周围不会接触晶粒20的周围，使得晶粒放置区51的周围和晶粒20的周围之间形成缝隙90。
较佳地，步骤S300，如图9A及图9B所示，第一气压通道71的宽度等于晶粒放置区51的宽度。借此，本发明的方法能够确保正压81全部集中吹拂晶粒放置区51，不会吹拂到晶粒放置区51的外侧，也不会发生晶粒放置区51的周围没有被正压81吹拂的问题。
如图11A及图12A所示，在较佳实施例中，吸附装置30为圆形(即，固定座31和吸嘴32皆为圆形)且凹槽322的形状为圆形，固晶装置70为圆形且第一气压通道71为圆形。如图11B及图12B所示，在另一实施例中，吸附装置30A为矩形(即，固定座31A和吸嘴32A皆为圆形)且凹槽322A的形状为矩形，固晶装置70A为矩形且第一气压通道71A为矩形。
进一步地说，在较佳实施例中，步骤S300，如图9A所示，圆形的吸嘴32在吸附晶粒20时，弯曲的晶粒20在陷入凹槽322以后呈现圆锥状，正压81通过圆形的第一气压通道71以后能够形成圆形的气流吹拂晶粒放置区51，使得晶粒放置区51向上隆起的形状呈现圆锥状。因为晶粒20和晶粒放置区51都是圆锥状，所以晶粒放置区51的中心接触到晶粒20的中心，晶粒放置区51的中心不会接触到晶粒20的周围。
在另一实施例中，步骤S300，矩形的吸嘴32A在吸附晶粒20时，弯曲的晶粒20在陷入凹槽322A以后呈现四角锥状，正压81通过矩形的第一气压通道71A以后能够形成矩形的气流吹拂晶粒放置区51，使得晶粒放置区51向上隆起的形状呈现四角锥状。因为晶粒20和晶粒放置区51都是四角锥状，所以晶粒放置区51的中心接触到晶粒20的中心，晶粒放置区51的中心不会接触到晶粒20的周围。
如图13A至图13C所示，在较佳实施例中，步骤S300，在正压81的压力平均的状态下，正压81吹拂晶粒放置区51的应力平衡，使得晶粒放置区51向上隆起。更明确地说，如图13A所示，正压81先在晶粒放置区51的中心建立一均匀压力，此压力大于环境压力(即，一大气压)；接着，如图13B所示，当正压81在晶粒放置区51的中心建立均匀压力时，晶粒放置区51的中心会是隆起的最高点。以下将更进一步解释其原理。如图13A所示，假设薄膜50为均匀材质，且固晶装置70的结构对称，可以建立一示意模型来表示此时的状态。如图13C所示，边界条件设为两侧固定，整个晶粒放置区51承受均匀应力。由此可借由材料力学推导出晶粒放置区51的形变量，形变量公式：
最大形变量的公式：/>此时/>其中，W是压力，L是受力宽度，E为材料弹性系数，I为材料惯性矩，E和I在均匀条件下为常数。从上述力学公式可知，当压力均匀时，变形的最高点会发生在晶粒放置区51的中心。基本上，如果是按照晶粒放置区51的状态，上述力学公式会是二维表达式，不过推导过程会更为复杂，因此借由一维表达式的假设推导的话，不变的是，最高点都会发生在晶粒放置区51的中心。借此，本发明能够保证晶粒放置区51的中心接触到晶粒20的中心，同时晶粒放置区51的周围不会接触晶粒20的周围，使得晶粒放置区51的周围和晶粒20的周围之间形成缝隙90。
如图14A和图14B所示，在其他实施例中，步骤S300，愈靠近固晶装置70的轴心，正压81的压力愈大，使得晶粒放置区51的隆起程度从该晶粒放置区周围往中心的方向逐渐增加。更清楚地说，如图14A所示，一环体73将第一气压通道71分隔成一第一腔室711及一第二腔室712，环体73的中间开设一贯孔731，贯孔731连通于第一腔室711与第二腔室712之间，且贯孔731的直径小于第一腔室711与第二腔室712的直径。如图14A所示，第一腔室711中的正压81的压力平均。如图14B所示，正压81集中通过直径较小的贯孔731以后进入第二腔室712，位于第二腔室712的正压81，愈靠近固晶装置70的轴心，正压81的压力愈大，因而晶粒放置区51的中心会相较周围承受更大的推力，使得晶粒放置区51的隆起程度从该晶粒放置区周围往中心的方向逐渐增加。借此，本发明能够保证晶粒放置区51的中心接触到晶粒20的中心，同时晶粒放置区51的周围不会接触晶粒20的周围，使得晶粒放置区51的周围和晶粒20的周围之间形成缝隙90。
以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述的原理前提下还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，包括：
(a)一吸附装置借由一第一负压吸附一晶粒，并且移动至一薄膜的一晶粒放置区的上方，该晶粒向内凹陷而弯曲；
(b)一固晶装置借由一正压吹拂该晶粒放置区，使得该晶粒放置区向上隆起，且该晶粒放置区的中心接触到该晶粒的中心，该晶粒放置区的周围和该晶粒的周围之间形成一缝隙；以及
(c)该吸附装置停止借由该第一负压吸附该晶粒，使得该晶粒恢复成平坦状并且脱离该吸附装置，同时该固晶装置停止借由该正压吹拂该晶粒放置区，使得该晶粒放置区恢复成平坦状；在该晶粒和该晶粒放置区同步恢复成平坦状的过程中，该晶粒和该晶粒放置区共同将该缝隙内的空气向外挤出，使得该缝隙闭合；在该缝隙彻底闭合以后，该晶粒的底面紧密贴合于该晶粒放置区的顶面。
2.根据权利要求1所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，在该步骤(b)中，该晶粒放置区的曲率小于该晶粒的曲率。
3.根据权利要求1所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，在该步骤(b)中，在该正压的压力平均的状态下，该正压吹拂该晶粒放置区的应力平衡，使得该晶粒放置区向上隆起。
4.根据权利要求1所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，在该步骤(b)中，愈靠近该固晶装置的轴心，该正压的压力愈大，使得该晶粒放置区的隆起程度从该晶粒放置区周围往中心的方向逐渐增加。
5.根据权利要求1所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，该吸附装置包括一固定座及一吸嘴，该固定座开设一第一真空通道，该第一真空通道连接一真空装置，该吸嘴设置于该固定座的底部并且开设一第二真空通道及一凹槽，该第二真空通道与该第一真空通道相通，该凹槽与该第二真空通道相通；
其中，在该步骤(a)中，该真空装置对该第一真空通道抽气，该凹槽内的气体会依序通过该第二真空通道和该第一真空通道以产生真空并且提供该第一负压，该第一负压通过该凹槽吸附该晶粒，使得该晶粒向内凹陷而弯曲并且陷入该凹槽中；以及其中，在该步骤(c)中，该真空装置停止对该第一真空通道抽气，该第一真空通道、该第二真空通道和该凹槽不再产生真空，该真空装置不再提供该第一负压，因而该吸嘴停止借由该第一负压吸附该晶粒。
6.根据权利要求1所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，该固晶装置开设一第一气压通道，该第一气压通道位于该固晶装置的中间并且连接一气体供应装置；其中，在该步骤(b)中，该气体供应装置对该第一气压通道供应气体以产生气流并且提供该正压，该正压通过该第一气压通道吹拂该晶粒放置区；以及其中，在该步骤(c)中，该气体供应装置停止对该第一气压通道供应气体，该第一气压通道不再产生气流，该气体供应装置不再提供正压，因而该固晶装置停止借由该正压吹拂该晶粒放置区。
7.根据权利要求6所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，一环体将该第一气压通道分隔成一第一腔室及一第二腔室，该环体的中间开设一贯孔，该贯孔连通于该第一腔室与该第二腔室之间，且该贯孔的直径小于该第一腔室与该第二腔室的直径。
8.根据权利要求6所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，该第一气压通道的宽度等于该晶粒放置区的宽度。
9.根据权利要求1所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，在该步骤(b)中，该固晶装置借由一第二负压吸附该晶粒放置区的外侧，该吸附装置往该晶粒放置区的方向移动；以及其中，在该步骤(c)中，移动该吸附装置，使得该吸附装置远离该晶粒，同时该固晶装置停止借由该第二负压吸附该晶粒放置区的外侧。
10.根据权利要求9所述的防止包住气泡的晶粒转移方法，其特征在于，该固晶装置开设复数个第二气压通道，该多个第二气压通道沿着一圆周方向间隔设置并且连接一真空装置；其中，在该步骤(b)中，该真空装置对该多个第二气压通道抽气以产生真空并且提供该第二负压，该第二负压通过该多个第二气压通道吸附该晶粒放置区的外侧；以及其中，在该步骤(c)中，该真空装置停止对该多个第二气压通道抽气，该多个第二气压通道不再产生真空，该真空装置不再提供该第二负压，因而该固晶装置停止借由该第二负压吸附该晶粒放置区的外侧。
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