TWI775099B

TWI775099B - 晶圓處理方法及晶圓固持裝置

Info

Publication number: TWI775099B
Application number: TW109120750A
Authority: TW
Inventors: 李國智; 沈暘祐; 謝宗憲; 麥政國; 蔡銘佳
Original assignee: 力晶積成電子製造股份有限公司
Priority date: 2020-06-19
Filing date: 2020-06-19
Publication date: 2022-08-21
Also published as: TW202201619A

Abstract

本揭露提供一種晶圓處理方法及晶圓固持裝置。晶圓處理方法包括：提供晶圓；將晶圓放置在晶圓座上；將阻尼器提供於晶圓上，以提供對於晶圓的下壓力；產生由晶圓座對於晶圓的吸力；移除阻尼器；對晶圓進行處理；再次將阻尼器提供於晶圓上，以提供對於晶圓的下壓力；解除由晶圓座對於晶圓的吸力；以及再次移除阻尼器。

Description

晶圓處理方法及晶圓固持裝置

本揭露是有關於一種晶圓處理方法及用於此晶圓處理方法的晶圓固持裝置。

隨著半導體技術的發展，晶圓的尺寸逐漸增加，使得每片晶圓可產出更多的晶片。在晶圓厚度維持不變或逐漸減薄的情況下，晶圓容易因其中構件之間的熱膨脹係數差異及/或製程中所產生的應力而翹曲。當翹曲發生時，晶圓不再平坦，而是外凸或內凹。如此一來，在製程期間欲固定晶圓時，易造成晶圓破裂的問題。

本發明提供一種晶圓固持裝置及使用此晶圓固持裝置的晶圓處理方法，可有效降低晶圓破裂的產生。

本揭露的一個態樣提供一種晶圓處理方法，包括：提供晶圓；將所述晶圓放置在晶圓座上；將阻尼器提供於所述晶圓上，以提供對於所述晶圓的下壓力；產生由所述晶圓座對於所述晶圓的吸力；移除所述阻尼器；對所述晶圓進行處理；再次將所述阻尼器提供於所述晶圓上，以提供對於所述晶圓的所述下壓力；解除由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力；以及再次移除所述阻尼器。

在一些實施例中，在產生由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力時維持由所述阻尼器對於所述晶圓提供的所述下壓力。

在一些實施例中，在解除由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力時維持由所述阻尼器對於所述晶圓提供的所述下壓力。

在一些實施例中，在所述阻尼器經提供於所述晶圓上的步驟中，所述阻尼器的擴散器接觸所述晶圓，且所述擴散器經配置以相對於所述晶圓的翹曲而形變。

在一些實施例中，所述擴散器由彈性材質構成。

在一些實施例中，所述擴散器包括殼體以及設置於所述殼體內的多個彈簧或活塞。

在一些實施例中，在所述阻尼器經提供於所述晶圓上的步驟中，所述阻尼器的擴散膜相對於所述阻尼器的其他部分而下移以接觸所述晶圓，而提供對於所述晶圓的所述下壓力。

在一些實施例中，在所述阻尼器經提供於所述晶圓上的步驟中，所述阻尼器的具有底部開口的殼體罩住所述晶圓，且氣體由所述殼體上方進入所述殼體而對所述晶圓產生所述下壓力。

在一些實施例中，對所述晶圓進行所述處理包括移除附著於所述晶圓的表面的膠帶。

在一些實施例中，所述晶圓座為真空吸座，產生由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力的步驟包括獨立控制所述真空吸座的多組真空流道的抽氣，以使所述多組真空流道在不同時間點進行抽氣。

在些實施例中，解除由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力的步驟包括獨立控制所述真空吸座的多組真空流道的進氣，以使所述多組真空流道在不同時間點進氣。

本揭露的另一態樣提供一種晶圓固持裝置，包括：晶圓座，經配置以承載晶圓並提供對於所述晶圓的吸力；以及阻尼器總成，設置於所述晶圓座的側邊，且包括移動式的阻尼器，其中所述阻尼器經配置以對承載於所述晶圓座上的所述晶圓提供下壓力。

在一些實施例中，所述阻尼器總成更包括致動器與連接於所述致動器與所述阻尼器之間的伸縮桿。

在一些實施例中，所述阻尼器包括擴散器，所述擴散器經配置以接觸承載於所述晶圓座上的所述晶圓。

在一些實施例中，所述擴散器由彈性材質構成。

在一些實施例中，所述阻尼器包括殼體與位於所述殼體內的擴散膜，所述殼體具有面對所述晶圓座的開口，所述擴散膜經配置以在垂直方向上相對於所述殼體移動，且所述擴散膜的所述移動是由進入所述殼體的氣體控制。

在一些實施例中，所述阻尼器包括殼體，所述殼體具有面對所述晶圓座的開口，所述下壓力是由從所述殼體上方進入殼體的氣體所提供。

在一些實施例中，所述晶圓座的表面具有對應於所述殼體的凹槽。

基於上述，本揭露提供的晶圓處理方法包括在將晶圓吸附在晶圓座上之前以及在解除晶圓座對晶圓的吸力時以阻尼器提供對晶圓的下壓力。如此一來，在對晶圓提供吸力時，可避免因晶圓翹曲而產生吸力不均的問題。此外，在解除上述吸力時，可避免晶圓因自身彈性恢復力而產生局部應力。因此，可減少晶圓發生破裂的機率。在一些實施例中，阻尼器可經配置以相對於晶圓的翹曲而形變，而可避免阻尼器在下壓晶圓時造成晶圓的破裂。

本揭露所說明的晶圓處理方法適用於半導體製程的一些站點。特別來說，所述晶圓處理方法適用於半導體製程中需要固持晶圓的站點中。以下將以移除貼附於晶圓的膠帶之站點作為範例而說明本揭露的晶圓處理方法，但本揭露並不限於在上述站點使用。

圖1是依照本揭露一些實施例的晶圓處理方法的流程圖。圖2A至圖2G是圖1所示的晶圓處理方法的各階段的示意圖。

請參照圖1與圖2A，進行步驟S100，提供晶圓100。在一些實施例中，晶圓100可為半導體晶圓（例如是矽晶圓），且在其表面形成有電子元件與內連線結構（均未繪示）。舉例而言，電子元件可包括主動元件（例如是電晶體、二極體等）、被動元件（例如是電阻、電容、電感等）或其組合。在此些實施例中，晶圓100可在先前的製程中經減薄，且在晶圓100的主動側附著有膠帶102。在本文中，晶圓100的主動側代表晶圓100的形成有電子元件及內連線結構的一側。另一方面，晶圓100的相對於主動側的一側可稱作晶圓100的背側。此外，上述的減薄製程可包括藉由研磨製程、蝕刻製程或其組合而由晶圓100的背側移除晶圓的一部分，使得晶圓100的厚度減薄。在晶圓100上製造電子元件期間以及在減薄晶圓100期間，可能在晶圓100中產生應力，使得晶圓100可能有翹曲的現象。舉例而言，在晶圓100上製造電子元件期間，可能在晶圓100表面形成溝槽，且在此些溝槽中填入異質材料。基於此異質材料與晶圓100的熱膨脹係數差異，可能產生晶圓100的內應力而使晶圓100翹曲。另一方面，在減薄晶圓100期間，可能因膠帶102的拉伸力以及研磨設備的擠壓力而使得晶圓100翹曲。

在替代實施例中，晶圓100可為包括多個晶粒以及包封此些晶粒的包封體的重構晶圓（reconstructed wafer）。在此些替代實施例中，晶圓100上可不設置有膠帶102，且先前步驟可能並非上述的減薄製程。

隨後，進行步驟S102，將晶圓100放置於晶圓固持裝置200的晶圓座202上。在晶圓100的主動側形成有膠帶102的實施例中，晶圓100的背側可面向晶圓座202，而晶圓100的形成有膠帶102的主動側可背向晶圓座202。在一些實施例中，藉由操作取放裝置（pick and place apparatus）以將晶圓100放置於晶圓座202上。在一些實施例中，晶圓座202為真空吸座（vacuum chuck）。在此些實施例中，晶圓座202具有延伸至其表面的多個真空流道（未繪示，在下文中將參照圖4A說明）。此些真空流道可連通於抽氣裝置204。抽氣裝置204經配置以抽取真空流道中的氣體，以在晶圓100的相對兩側形成壓力差，而使晶圓100能夠吸附於晶圓座202上。在一些實施例中，藉由控制閥V1控制抽氣裝置204與真空流道之間的連通。此外，在一些實施例中，此些真空流道更可藉由控制閥V2而連通於外界環境或氣體供應裝置（未繪示）。當控制閥V2開啟時，氣體可由外界環境或氣體供應裝置而被提供至真空流道中，以平衡上述的壓力差，而解除對於晶圓100的吸附力。在此些實施例中，控制閥V1目前可保持在關閉狀態（在圖式中以兩個面對面的實心三角形圖案表示關閉的控制閥），使得晶圓座202此時並未對晶圓100施加吸力。此外，控制閥V2目前也可保持在關閉狀態，以避免其所提供的氣體造成晶圓100位移或遭吹落晶圓座202。在替代實施例中，也可利用壓縮乾燥空氣（compressed dry air，CDA）與真空流道內的壓力差使真空流道內的空氣隨著CDA而排出以使晶圓座202產生吸附力，且藉由停止供應CDA並將外界氣體或氣體供應裝置所提供的氣體灌入真空流道來解除上述吸附力。

請參照圖1與圖2B，進行步驟S104，以將阻尼器206提供於晶圓100上。阻尼器206可為晶圓固持裝置200的一部分，且經配置以對晶圓100提供下壓力，而使可能在先前製程中發生翹曲的晶圓100能夠較為平整地貼附於晶圓座202上。在晶圓100的主動側形成有膠帶102的實施例中，阻尼器206接觸於膠帶102。在一些實施例中，阻尼器206包括支柱208以及連接於支柱208的擴散器（diffuser）210。當支柱208經移動以使擴散器210由晶圓100上方往下接觸且下壓晶圓100時，可將下壓力施加至晶圓100上。擴散器210經配置以將此下壓力分散，以使此下壓力能夠擴散至晶圓100的範圍。另一方面，當支柱208經配置以使擴散器210自晶圓100的表面上移時，可解除上述下壓力。在一些實施例中，支柱208包括連接至擴散器210的實心柱體。此外，在一些實施例中，擴散器210的與晶圓100的接觸部分可具有彈性，而可相對於晶圓100的翹曲而形變。如此一來，可避免在下壓具有翹曲的晶圓100時造成此晶圓100的破裂。擴散器210可包括殼體與位於殼體中的多個彈簧或活塞。作為替代地，擴散器210可由海綿等具有彈性的材質構成。在其他實施例中，阻尼器206可包括彼此分離的上部與下部（並未繪示），且此上部與下部可經由電磁感應而夾住位於其間的晶圓100與晶圓座202，以使晶圓100貼附於晶圓座202上。在此些實施例中，阻尼器206的與晶圓100接觸的部分（例如是上述的上板）可包含彈性物質，例如是海綿、彈簧、活塞或其類似者。

請參照圖1與圖2C，進行步驟S106，以在阻尼器206設置於晶圓100上的情形下產生將晶圓100吸附於晶圓座202的吸力。由於先前已藉由操作阻尼器206而使晶圓100能較為平整地貼附於晶圓座202上，此時吸力可較均勻地施加至晶圓100的各部分，而使晶圓100較為平整地吸附於晶圓座202上。在一些實施例中，步驟S106在步驟S104之後，以避免在晶圓100非平整地貼附於晶圓座202時就對晶圓100施予吸力，而造成吸力分布不均或對晶圓100產生局部應力。在晶圓座202為真空吸座且經由控制閥V1連接於抽氣裝置204的實施例中，此時可將先前關閉的控制閥V1開啟（圖式中以兩個面對面的空心三角形圖案表示開啟的控制閥），以使抽氣裝置204可對於晶圓座202中的真空流道進行抽氣，而產生對於晶圓100的吸力。另一方面，控制晶圓座202與外界環境或氣體供應裝置之間的連通的控制閥V2可維持關閉狀態。在替代實施例中，可開啟連通於CDA供應裝置的控制閥，以使晶圓座202中的空氣隨著CDA而被帶出，以產生對於晶圓100的吸附力。

請參照圖1與圖2D，進行步驟S108，以移除阻尼器206。由於晶圓100已能較為平整地吸附於晶圓座202上，故可避免在移除阻尼器206之後晶圓100因先前造成的翹曲而產生局部脫離晶圓座202的現象。在一些實施例中，移除阻尼器206的方法可包括藉由控制支柱208而使擴散器210往上移動，以使擴散器210此時不再接觸晶圓100（或不再接觸附著於晶圓100上的膠帶102）。此外，在步驟S108期間，可維持對晶圓100的吸力。在晶圓座202為真空吸座且經由控制閥V1與控制閥V2連通於抽氣裝置204與外界環境（或氣體提供裝置）的實施例中，控制閥V2可維持在關閉的狀態，而控制閥V1可維持開啟狀態。作為替代地，此時控制閥V2與控制閥V1均可為關閉的狀態。由於先前以將真空流道內的壓力降低，故此時即便關閉控制閥V1也可能維持對於晶圓100的吸力。在以CDA調整晶圓座202內的氣壓的實施例中，此時可開啟或關閉連通於CDA供應裝置的控制閥，但不開啟連通於外界或其他氣體供應裝置的另一控制閥（若有）。

隨後，在晶圓100的主動面附著有膠帶102的實施例中，進行步驟S110，以在維持對晶圓100的吸力之情況下移除膠帶102。在移除膠帶102之後，晶圓100的主動側可能暴露出來。由於此時晶圓100平整地吸附於晶圓座202上，故可避免在移除膠帶102的過程中對晶圓100造成不均勻的應力或造成晶圓100位移。在一些實施例中，可藉由物理性的方法撕除膠帶102。然而，所屬領域中具有通常知識者可依據膠帶102的材質及/或製程需求而選用其他的方法移除膠帶102，本揭露並不以此為限。在晶圓座202為真空吸座且經由控制閥V1與控制閥V2連通於抽氣裝置204與外界環境（或氣體提供裝置）的實施例中，控制閥V2與控制閥V1可分別處於關閉狀態與開啟狀態，以維持對晶圓100的吸力。作為替代地，此時控制閥V2與控制閥V1均可為關閉的狀態。由於先前以將真空流道內的壓力降低，故此時即便關閉控制閥V1也能維持對於晶圓100的吸力。在以CDA調整晶圓座202內的氣壓的實施例中，此時可開啟或關閉連通於CDA供應裝置的控制閥，但不開啟連通於外界或其他氣體供應裝置的另一控制閥（若有）。

請參照圖1與圖2E，進行步驟S112，以再次將阻尼器206提供於晶圓100上。在先前已移除膠帶102的實施例中，此時阻尼器206可直接接觸於晶圓100。此外，在一些實施例中，可控制支柱208而將擴散器210移動至晶圓100上以提供對於晶圓100的下壓力。藉由阻尼器206對於晶圓100的下壓力（如參照圖2B所描述），可避免在後續步驟中解除晶圓座202對於晶圓100的吸力時發生晶圓100形變、破片或被吹落晶圓座202的情形。在步驟S112期間仍維持對於晶圓100的吸力。在晶圓座202為真空吸座且經由控制閥V1與控制閥V2連通於抽氣裝置204與外界環境（或氣體提供裝置）的實施例中，可使控制閥V1與控制閥V2可分別維持在開啟與關閉的狀態。作為替代地，此時控制閥V2與控制閥V1均可為關閉的狀態。由於先前以將真空流道內的壓力降低，故此時即便關閉控制閥V1也能維持對於晶圓100的吸力。在以CDA調整晶圓座202內的氣壓的實施例中，此時可開啟或關閉連通於CDA供應裝置的控制閥，但不開啟連通於外界或其他氣體供應裝置的另一控制閥（若有）。

請參照圖1與圖2F，進行步驟S114，以解除對於晶圓100的吸力。此時，阻尼器206仍維持設置於晶圓100上，而使晶圓100維持貼附於晶圓座202上。在晶圓座202為真空吸座且經由控制閥V1與控制閥V2連通於抽氣裝置204與外界環境（或氣體提供裝置）的實施例中，此時可使控制閥V1處於關閉狀態，而不對真空流道進行抽氣。除此之外，在一些實施例中，可開啟控制閥V2開啟而將氣體提供至真空流道內，以平衡晶圓100兩側的壓力差。在以CDA調整晶圓座202內的氣壓的實施例中，此時可關閉連接於CDA供應裝置的控制閥，且使晶圓座202內的真空流道連通於外界環境或另一氣體供應裝置。

請參照圖1與圖2G，進行步驟S116，以移除阻尼器206。如此一來，可解除對於晶圓100的下壓力。在一些實施例中，移除阻尼器206的方法包括以緩慢的速度將擴散器210自晶圓100的表面往上移動，以避免產生氣流而使晶圓100位移或遭吹落晶圓座202。此外，在一些實施例中，可藉由控制支柱208而移動擴散器210。在步驟S116期間，晶圓座202可維持不對晶圓100施加吸力。在晶圓座202為真空吸座且經由控制閥V1與控制閥V2連通於抽氣裝置204與外界環境（或氣體提供裝置）的實施例中，控制閥V1可維持關閉狀態。此外，控制閥V2此時可處於開啟狀態，以使氣體持續供應至真空吸座內的真空流道中。作為替代地，由於先前已平衡晶圓100相對兩側的壓力而解除對晶圓100的吸力，故此時也可將控制閥V2關閉。在以CDA調整晶圓座202內的氣壓的實施例中，此時可使連接於CDA供應裝置的控制閥維持關閉狀態，且使晶圓座202內的真空流道維持連通於外界環境或另一氣體供應裝置。

至此，已完成本揭露一些實施例的晶圓處理方法。可藉由例如是取放裝置而將晶圓100移動至下一站點，以對晶圓100作其他處理。

圖3A至圖3C為根據一些實施例的阻尼器的移動過程的立體示意圖。需注意的是，圖3A至圖3C僅繪示晶圓固持裝置200的部分構件，而省略繪示例如是控制閥V1、控制閥V2與抽氣裝置204等構件。

請參照圖3A至圖3C，在一些實施例中，阻尼器206的支柱208可經由伸縮桿212而連接於致動器214。致動器214與伸縮桿212可設置於晶圓座202的側邊，且可用於移動阻尼器206的支柱208，而使阻尼器206移動。致動器214可經配置以控制伸縮桿212的旋轉與伸縮，而使阻尼器206可在水平方向與垂直方向上移動。舉例而言，致動器214可為馬達。在一些實施例中，致動器214可連接於晶圓座202。在替代實施例中，致動器214可與晶圓座202彼此分離。

圖3A繪示阻尼器206位於預備位置。此時，阻尼器206在垂直方向上與晶圓100分離。此外，阻尼器206此時可不交疊於晶圓100。圖3B繪示伸縮桿212經旋轉而使阻尼器206平移至晶圓100的上空。此時，阻尼器206在垂直方向上交疊於晶圓100，但並未接觸晶圓100。隨後，如圖3C所示，伸縮桿212縮短而使阻尼器206往下移動而接觸晶圓100，以對晶圓100提供下壓力。圖3A至圖3C所繪示的阻尼器206之移動過程可用於參照圖2B與圖2E所描述的將阻尼器206提供於晶圓100上之步驟（亦即步驟S104與步驟S112）。另一方面，反過來由圖3C至圖3A的移動過程可用於參照圖2D與圖2G所描述的移除阻尼器206之步驟（亦即步驟S108與步驟S116）。

圖4A為根據另一些實施例繪示的晶圓固持裝置300的剖視示意圖。圖4B為圖4A所示的阻尼器306的平面示意圖。圖4A與圖4B所示的晶圓固持裝置300相似於參照圖2A至圖2G所描述的晶圓固持裝置200。以下僅描述兩者的差異，相同或相似處則不再贅述。

請參照圖4A與圖4B，在一些實施例中，阻尼器306的擴散器310包括殼體310a與擴散膜310b。殼體310a的底部具有開口，以使殼體310a可經配置而罩在晶圓100上。擴散膜310b橫跨殼體310a所環繞的空間，而將此空間分隔為上部空間S1與下部空間S2。此外，擴散膜310b經配置以相對於殼體310a而在垂直方向上移動。當擴散器310移動至晶圓座202上時，殼體310a罩住晶圓100，而使晶圓100位於上述的下部空間S2中，且被殼體310a的底部環繞。另一方面，阻尼器306的支柱308可為空心的支柱，且此空心支柱308內的通道連通於殼體310a內的上部空間S1。空氣可經由空心支柱308而進出上部空間S1，且擴散膜310b可因上部空間S1與下部空間S2之間的氣壓差及/或氣流引起的力而往下移動直至接觸晶圓100。如此一來，晶圓100可接受到下壓力而較為平整地貼附於晶圓座202上。此時，下部空間S2幾乎不存在，而上部空間S1近似於殼體310a內的整體空間。另一方面，當空氣由上部空間S1經由空心支柱308而被抽出時，擴散膜310b受到往上的力而自晶圓100的表面上移。此時，上部空間S1逐漸縮小，而下部空間S2逐漸增大。相似於參照圖2B所描述的擴散器210，此處所描述的擴散膜310b可由軟質的或具有彈性的材質構成，而可相對於晶圓100的翹曲而形變。如此一來，可避免在下壓具有翹曲的晶圓100時造成此晶圓100的破裂。在一些實施例中，擴散膜310b的材質可包括軟質金屬膜或高分子薄膜。此外，在一些實施例中，可藉由在殼體310a內壁與擴散膜310b之間設置潤滑性高分子（例如是鐵弗龍），以利於擴散膜310b相對於殼體310a的上下移動。

請參照圖4A，在晶圓座202為真空吸座的實施例中，真空吸座202可具有多個真空流道CH。此些真空流道CH可由位於真空吸座202內的腔體CV延伸至真空吸座202的承載晶圓100的表面。換言之，此些真空流道CH連通於且匯聚於腔體CV。此外，在一些實施例中，腔體CV可經由控制閥V1而連接於抽氣裝置204，且可經由控制閥V2而連接於外界環境或氣體供應裝置（未繪示）。藉由調整控制閥V1與控制閥V2，可調整晶圓座202對於晶圓100的吸力。

圖5為根據另一些實施例繪示的晶圓固持裝置300’的剖視示意圖。圖5所示的晶圓固持裝置300’相似於參照圖4A與圖4B所描述的晶圓固持裝置300。以下僅描述兩者的差異，相同或相似處則不再贅述。

請參照圖5，在一些實施例中，晶圓固持裝置300’的阻尼器306’並未包括如圖4A與圖4B所示的擴散膜310b。此外，晶圓座202的表面可具有對應於殼體310a的凹槽RS。當晶圓100放置於晶圓座202上時，凹槽RS位於晶圓100的外側，且在高度上低於晶圓100。在此些實施例中，氣體可經由中心支柱308進入殼體310a內的空間，而由低於晶圓100的凹槽RS離開上述空間。如此一來，可形成對於晶圓100的下壓力。另一方面，當氣體停止提供至殼體310a內的空間時，可解除上述的下壓力。

圖6為根據一些實施例繪示的晶圓座202的真空流道CH的平面示意圖。需注意的是，圖6僅繪示出晶圓座202的交疊於晶圓100的一部分，而省略繪示晶圓座202的其他部分。

請參照圖6，在一些實施例中，晶圓座202的交疊於晶圓100的部分可實質上為圓形區域。一些真空流道CH可沿著此圓形區域內的多個同心圓的輪廓（如圖6所示的虛線）排列。此外，一真空流道CH可交疊於此些同心圓的圓心。換言之，多個真空流道CH可依據與圓心之間的距離不同而分成多組。多組真空流道CH的抽氣可獨立控制，而可在不同時間點對多組真空流道CH進行抽氣。如此一來，晶圓100的對應於多組真空流道CH的多個部分可在不同時間點受到來自晶圓座202的吸力。對於已翹曲的晶圓100而言，此種對多組真空流道CH進行時序控制的方法可降低晶圓100的翹曲程度，且能夠更均勻地將吸力施加於晶圓100的各個部分。相似地，多組真空流道CH的進氣也可獨立控制，而可在不同時間點對多組真空流道CH進氣。如此一來，可在不同時間點解除對於晶圓100的對應多組真空流道CH的多個部分的吸力，以減少晶圓100的翹曲程度。

在一些實施例中，一組真空流道CH可連通於一個腔體（例如是環形腔體），且不同組的真空流道CH可連通於不同腔體。此外，可由多個控制閥（分別類似於參照圖2A至圖2G所描述的控制閥V1）分別調整此些腔體的抽氣，且可由多個控制閥（類似於參照圖2A至圖2G所描述的控制閥V2）分別調整此些腔體的進氣。如此一來，可獨立地控制多組真空流道CH的抽氣與進氣。在一些實施例中，上述控制閥可連接到控制模組（未繪示）。控制模組可調整各控制閥的開關時序，以實現獨立控制多組真空流道CH的抽氣與進氣。

綜上所述，本揭露提供的晶圓處理方法包括在將晶圓吸附在晶圓座上之前以及在解除晶圓座對晶圓的吸力時以阻尼器提供對晶圓的下壓力。如此一來，再對晶圓提供吸力時，可避免因晶圓翹曲而產生吸力不均的問題。此外，在解除上述吸力時，可避免晶圓因自身彈性恢復力而產生局部應力。因此，可減少晶圓發生破裂的機率。在一些實施例中，阻尼器可經配置以相對於晶圓的翹曲而形變，而可避免阻尼器在下壓晶圓時造成晶圓的破裂。

100:晶圓 102:膠帶 200、300、300’:晶圓固持裝置 202:晶圓座 204:抽氣裝置 206、306、306’:阻尼器 208、308:支柱 210、310:擴散器 212:伸縮桿 214:致動器 310a:殼體 310b:擴散膜 CH:真空流道 CV:腔體 RS:凹槽 S1、S2:空間 S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112、S114、S116:步驟 V1、V2:控制閥

圖1是依照本揭露一些實施例的晶圓處理方法的流程圖。圖2A至圖2G是圖1所示的晶圓處理方法的各階段的示意圖。圖3A至圖3C為根據一些實施例的阻尼器的移動過程的立體示意圖。圖4A為根據另一些實施例繪示的晶圓固持裝置的剖視示意圖。圖4B為圖4A所示的阻尼器的平面示意圖。圖5為根據另一些實施例繪示的晶圓固持裝置的剖視示意圖。圖6為根據一些實施例繪示的晶圓座的真空流道的平面示意圖。

S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112、S114、S116:步驟

Claims

一種晶圓處理方法，包括：提供晶圓；將所述晶圓放置在晶圓座上；將阻尼器提供於所述晶圓上，以提供對於所述晶圓的下壓力；產生由所述晶圓座對於所述晶圓的吸力；移除所述阻尼器；對所述晶圓進行處理；再次將所述阻尼器提供於所述晶圓上，以提供對於所述晶圓的所述下壓力；解除由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力；以及再次移除所述阻尼器。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中在產生由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力時維持由所述阻尼器對於所述晶圓提供的所述下壓力。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中在解除由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力時維持由所述阻尼器對於所述晶圓提供的所述下壓力。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中在所述阻尼器經提供於所述晶圓上的步驟中，所述阻尼器的擴散器接觸所述晶圓，且所述擴散器經配置以相對於所述晶圓的翹曲而形變。
如請求項4所述的晶圓處理方法，其中所述擴散器由彈性材質構成。
如請求項4所述的晶圓處理方法，其中所述擴散器包括殼體以及設置於所述殼體內的多個彈簧或活塞。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中在所述阻尼器經提供於所述晶圓上的步驟中，所述阻尼器的擴散膜相對於所述阻尼器的其他部分而下移以接觸所述晶圓，而提供對於所述晶圓的所述下壓力。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中在所述阻尼器經提供於所述晶圓上的步驟中，所述阻尼器的具有底部開口的殼體罩住所述晶圓，且氣體由所述殼體上方進入所述殼體而對所述晶圓產生所述下壓力。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中對所述晶圓進行所述處理包括移除附著於所述晶圓的表面的膠帶。
如請求項1所述的晶圓處理方法，其中所述晶圓座為真空吸座，產生由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力的步驟包括獨立控制所述真空吸座的多組真空流道的抽氣，以使所述多組真空流道在不同時間點進行抽氣。
如請求項10所述的晶圓處理方法，其中解除由所述晶圓座對於所述晶圓的所述吸力的步驟包括獨立控制所述真空吸座的多組真空流道的進氣，以使所述多組真空流道在不同時間點進氣。
一種晶圓固持裝置，包括：晶圓座，經配置以承載晶圓並提供對於所述晶圓的吸力；以及阻尼器總成，設置於所述晶圓座的側邊，且包括移動式的阻尼器，其中所述阻尼器經配置以對承載於所述晶圓座上的所述晶圓提供下壓力，所述阻尼器包括擴散器，所述擴散器經配置以接觸承載於所述晶圓座上的所述晶圓，所述擴散器由彈性材質構成。
如請求項12所述的晶圓固持裝置，其中所述阻尼器總成更包括致動器與連接於所述致動器與所述阻尼器之間的伸縮桿。
一種晶圓固持裝置，包括：晶圓座，經配置以承載晶圓並提供對於所述晶圓的吸力；以及阻尼器總成，設置於所述晶圓座的側邊，且包括移動式的阻尼器，其中所述阻尼器經配置以對承載於所述晶圓座上的所述晶圓提供下壓力，所述阻尼器包括擴散器，所述擴散器經配置以接觸承載於所述晶圓座上的所述晶圓，其中所述擴散器包括殼體以及設置於所述殼體內的多個彈簧或活塞。
一種晶圓固持裝置，包括：晶圓座，經配置以承載晶圓並提供對於所述晶圓的吸力；以及阻尼器總成，設置於所述晶圓座的側邊，且包括移動式的阻尼器，其中所述阻尼器經配置以對承載於所述晶圓座上的所述晶圓提供下壓力，其中所述阻尼器包括殼體與位於所述殼體內的擴散膜，所述殼體具有面對所述晶圓座的開口，所述擴散膜經配置以在垂直方向上相對於所述殼體移動，且所述擴散膜的所述移動是由進入所述殼體的氣體控制。
一種晶圓固持裝置，包括：晶圓座，經配置以承載晶圓並提供對於所述晶圓的吸力；以及阻尼器總成，設置於所述晶圓座的側邊，且包括移動式的阻尼器，其中所述阻尼器經配置以對承載於所述晶圓座上的所述晶圓提供下壓力，其中所述阻尼器包括殼體，所述殼體具有面對所述晶圓座的開口，所述下壓力是由從所述殼體上方進入殼體的氣體所提供。
如請求項16所述的晶圓固持裝置，其中所述晶圓座的表面具有對應於所述殼體的凹槽。