TWI787043B - 防止包住氣泡的晶粒轉移方法 - Google Patents

Abstract

一種防止包住氣泡的晶粒轉移方法，包括下列步驟：吸附裝置藉由第一負壓吸附晶粒，晶粒彎曲；固晶裝置藉由正壓吹拂晶粒放置區，晶粒放置區向上隆起，晶粒放置區的中心接觸到晶粒的中心，晶粒放置區的周圍和晶粒的周圍之間形成縫隙；以及吸附裝置停止藉由第一負壓吸附晶粒，晶粒恢復成平坦狀並且脫離吸附裝置，固晶裝置停止藉由正壓吹拂晶粒放置區，晶粒放置區恢復成平坦狀；晶粒和晶粒放置區將縫隙內的空氣向外擠出，使得縫隙閉合，晶粒的底面緊密貼合於晶粒放置區的頂面。藉此，本發明能夠達到防止晶粒與晶粒放置區包住氣泡的效果。

Description

防止包住氣泡的晶粒轉移方法

本發明是有關一種晶粒轉移方法，尤其是一種防止包住氣泡的晶粒轉移方法。

積體電路藉由大批方式，經過多道程序，製作在半導體晶圓上，晶圓進一步分割成複數晶粒。換言之，晶粒是以半導體材料製作而成未經封裝的一小塊積體電路本體。

圖1是習知的晶粒轉移方法的步驟S10的示意圖，圖2是習知的晶粒轉移方法的步驟S20的示意圖，圖1是習知的晶粒轉移方法的步驟S30的示意圖。步驟S10，如圖1所示，分割好的複數晶粒120整齊貼附在一承載膜110上，一頂推裝置140的一外頂推件141抵頂於承載膜110的底面，頂推裝置140的一內頂推件142推動承載膜110的一目標區塊111，使得目標區塊111向上隆起，且目標區塊111上的晶粒120接觸到一吸附裝置130的一吸嘴132。步驟S20，如圖2所示，一真空裝置(圖未示)對吸附裝置130的一固定座131的一第一真空通道(圖未示)抽氣，吸嘴132的一凹槽1322內的氣體會依序通過吸嘴132的一第二真空通道1321和固定座131的第一真空通道以產生真空並且提供一第一負壓161，第一負壓161通過凹槽1322吸附晶粒120。步驟S30，如圖3所示，真空裝置停止對第一真空通道抽氣，第一真空通道、第二真空通道1321和凹槽1322不再產生真空，空裝置不再提供第一負壓161，因而吸嘴132停止藉由第一負壓161吸附晶粒120，最終晶粒120被放置在一薄膜150的一晶粒放置區151上。

然而，如圖2所示，當吸嘴132吸附尺寸較大的晶粒120(尺寸大於5

5 mm)或薄晶粒120(尺寸小於200

m)時，因為凹槽1322的面積相當大，所以第一負壓161的吸附面積相當大，在第一負壓161通過凹槽1322吸附晶粒120的時候，晶粒120會向內凹陷而彎曲並且陷入凹槽1322中。因此，如圖3所示，晶粒120放置在晶粒放置區151以後，彎曲的晶粒120的底面與平坦的晶粒放置區151的頂面會共同包住氣泡而形成一個空洞91(void)，造成晶粒120與晶粒放置區151無法徹底緊密貼合，導致挑揀或辨識等晶粒120的後續加工程序容易受到氣泡的影響，降低後續加工製成的產品良率。

圖4顯示了習知的全平面的吸嘴132A吸附表面平整的晶粒120的示意圖。習知的全平面的吸嘴132A只有第二真空通道1321，沒有凹槽1322，故其底面相當平坦。因此，習知的全平面的吸嘴132A能夠藉由第一負壓161通過第二真空通孔1321吸附晶粒120。因為第二真空通孔1321的孔徑相當小，所以第一負壓161的吸附面積相當小，在第一負壓161通過第二真空通孔1321吸附晶粒120的時候，晶粒120不會向內凹陷而彎曲，因此晶粒120能夠保持平坦。晶粒120放置在晶粒放置區151以後，平坦的晶粒120的底面與平坦的晶粒放置區151的頂面徹底緊密貼合，不會共同包住氣泡，故沒有形成空洞91，因而挑揀或辨識等晶粒120的後續加工程序不會受到氣泡的影響，提升後續加工製成的產品良率。

圖5顯示了習知的全平面的吸嘴132A吸附表面不平整的晶粒120A的示意圖。在某些情況下，晶粒120A的表面是不平整的，例如晶粒120A的表面黏附微粒，或晶粒120A設有銅柱(bump)或銲墊(pad)，造成晶粒120A的頂面與習知的全平面的吸嘴132A的底面之間會有一縫隙190。由於縫隙190連通於第二真空通道1321和外部空間之間，導致第二真空通道1321無法產生真空，以致於習知的全平面的吸嘴132A完全沒有辦法藉由第一負壓161吸附晶粒120A。

本發明的主要目的在於提供一種防止包住氣泡的晶粒轉移方法，能夠將晶粒與晶粒放置區之間的縫隙中的空氣徹底擠出，完全排除晶粒與晶粒放置區包住氣泡的情況，達到防止包住氣泡的效果。

為了達成前述的目的，本發明提供一種防止包住氣泡的晶粒轉移方法，包括下列步驟：(a)一吸附裝置藉由一第一負壓吸附一晶粒，並且移動至一薄膜的一晶粒放置區的上方，晶粒向內凹陷而彎曲；(b)一固晶裝置藉由一正壓吹拂晶粒放置區，使得晶粒放置區向上隆起，且晶粒放置區的中心接觸到晶粒的中心，晶粒放置區的周圍和晶粒的周圍之間形成一縫隙；以及(c)吸附裝置停止藉由第一負壓吸附晶粒，使得晶粒恢復成平坦狀並且脫離吸附裝置，同時固晶裝置停止藉由正壓吹拂晶粒放置區，使得晶粒放置區恢復成平坦狀；在晶粒和晶粒放置區同步恢復成平坦狀的過程中，晶粒和晶粒放置區共同將縫隙內的空氣逐漸向外擠出，使得縫隙閉合；在縫隙徹底閉合以後，晶粒的底面緊密貼合於晶粒放置區的頂面。

在一些實施例中，在步驟(b)中，晶粒放置區的曲率大於晶粒的曲率。

在一些實施例中，在步驟(b)中，愈靠近固晶裝置的軸心，正壓的壓力愈大，使得晶粒放置區的隆起程度從其周圍往其中心的方向逐漸增加。

在一些實施例中，吸附裝置包括一固定座及一吸嘴，固定座開設一第一真空通道，第一真空通道連接一真空裝置，吸嘴設置於固定座的底部並且開設一第二真空通道及一凹槽，第二真空通道與第一真空通道相通，凹槽與第二真空通道相通；其中，在步驟(a)中，真空裝置對第一真空通道抽氣，凹槽內的氣體會依序通過第二真空通道和第一真空通道以產生真空並且提供第一負壓，第一負壓通過凹槽吸附晶粒，使得晶粒向內凹陷而彎曲並且陷入凹槽中；以及其中，在步驟(c)中，真空裝置停止對第一真空通道抽氣，第一真空通道、第二真空通道和凹槽不再產生真空，真空裝置不再提供第一負壓，因而吸嘴停止藉由第一負壓吸附晶粒。

在一些實施例中，吸附裝置為圓形或矩形，且凹槽的形狀為圓形或矩形。

在一些實施例中，固晶裝置開設一第一氣壓通道，第一氣壓通道位於固晶裝置的中間並且連接一氣體供應裝置；其中，在步驟(b)中，氣體供應裝置對第一氣壓通道供應氣體以產生氣流並且提供正壓，正壓通過第一氣壓通道吹拂晶粒放置區；以及其中，在步驟(c)中，氣體供應裝置停止對第一氣壓通道供應氣體，第一氣壓通道不再產生氣流，氣體供應裝置不再提供正壓，因而固晶裝置停止藉由正壓吹拂晶粒放置區。

在一些實施例中，固晶裝置為圓形或矩形，且第一氣壓通道為圓形或矩形。

在一些實施例中，第一氣壓通道的寬度等於晶粒放置區的寬度。

在一些實施例中，在步驟(b)中，固晶裝置藉由一第二負壓吸附晶粒放置區的外側，吸附裝置往晶粒放置區的方向移動；以及其中，在步驟(c)中，移動吸附裝置，使得吸附裝置遠離晶粒，同時固晶裝置停止藉由第二負壓吸附晶粒放置區的外側。

在一些實施例中，固晶裝置開設複數第二氣壓通道，該等第二氣壓通道沿著一圓周方向間隔設置並且連接一真空裝置；其中，在步驟(b)中，真空裝置對該等第二氣壓通道抽氣以產生真空並且提供第二負壓，第二負壓通過該等第二氣壓通道吸附晶粒放置區的外側；以及其中，在步驟(c)中，真空裝置停止對該等第二氣壓通道抽氣，該等第二氣壓通道不再產生真空，真空裝置不再提供第二負壓，因而固晶裝置停止藉由第二負壓吸附晶粒放置區的外側。

本發明的功效在於，本發明的方法能夠將晶粒和晶粒放置區之間的縫隙中的空氣徹底擠出，完全排除晶粒與晶粒放置區包住氣泡的情況，達到防止包住氣泡的效果。藉此，晶粒與晶粒放置區之間不會有任何空洞(void)存在，挑揀或辨識等晶粒的後續加工程序不會受到氣泡的影響，提升後續加工製成的產品良率。

以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

圖6是本發明的方法的流程圖，圖7是本發明的方法的步驟S100的示意圖，圖8A是本發明的方法的步驟S200的立體圖，圖8B是本發明的方法的步驟S200的示意圖，圖8C是本發明的吸附裝置30和真空裝置60的示意圖，圖9A是本發明的方法的步驟S300的立體圖，圖9B是本發明的方法的步驟S300的示意圖，圖9C是本發明的固晶裝置70、真空裝置60和氣體供應裝置80的示意圖，圖10A是本發明的方法的步驟S400的立體圖，圖10B是本發明的方法的步驟S400的示意圖。本發明提供一種防止包住氣泡的晶粒轉移方法，包括下列步驟：

步驟S100，如圖6及圖7所示，一承載膜10上的一晶粒20接觸到一吸附裝置30。更明確地說，一頂推裝置40的一外頂推件41抵頂於承載膜10的底面，頂推裝置40的一內頂推件42推動承載膜10的一目標區塊11，使得目標區塊11向上隆起，且目標區塊11上的晶粒20接觸到吸附裝置30。

步驟S200，如圖6、圖8A、圖8B及圖8C所示，吸附裝置30藉由一第一負壓61吸附晶粒20，並且移動至一薄膜50的一晶粒放置區51的上方，晶粒20向內凹陷而彎曲。更詳而言之，吸附裝置30包括一固定座31及一吸嘴32，固定座31開設一第一真空通道311，第一真空通道311連接一真空裝置60，吸嘴32設置於固定座31的底部並且開設一第二真空通道321及一凹槽322，第二真空通道321與第一真空通道311相通，凹槽322與第二真空通道321相通。真空裝置60對第一真空通道311抽氣，凹槽322內的氣體會依序通過第二真空通道321和第一真空通道311以產生真空並且提供第一負壓61。第一負壓61通道凹槽322吸附晶粒20，使得晶粒20向內凹陷而彎曲並且陷入凹槽322中。

步驟S300，如圖6、圖9A、圖9B及圖9C所示，一固晶裝置70藉由一第二負壓62吸附晶粒放置區51的外側，吸附裝置30往晶粒放置區51的方向移動，同時固晶裝置70藉由一正壓81吹拂晶粒放置區51，使得晶粒放置區51向上隆起，且晶粒放置區51的中心接觸到晶粒20的中心，晶粒放置區51的周圍和晶粒20的周圍之間形成一縫隙90。更清楚地說，固晶裝置70開設一第一氣壓通道71及複數第二氣壓通道72，第一氣壓通道71位於固晶裝置70的中間並且連接一氣體供應裝置80，該等第二氣壓通道72沿著一圓周方向環繞於第一氣壓通道71的外側間隔設置並且連接真空裝置60。真空裝置60對該等第二氣壓通道72抽氣以產生真空並且提供第二負壓62，第二負壓62通過該等第二氣壓通道72吸附晶粒放置區51的外側。氣體供應裝置80對第一氣壓通道71供應氣體以產生氣流並且提供正壓81，正壓81通過第一氣壓通道71吹拂晶粒放置區51。

步驟400，如圖6、圖10A及圖10B所示，吸附裝置30停止藉由第一負壓61吸附晶粒20，使得晶粒20恢復成平坦狀並且脫離吸附裝置30，同時固晶裝置70停止藉由正壓81吹拂晶粒放置區51，使得晶粒放置區51恢復平坦狀；在晶粒20和晶粒放置區51同步恢復成平坦狀的過程中，晶粒20和晶粒放置區51共同將縫隙90內的空氣逐漸向外擠出，使得縫隙90逐漸閉合；在縫隙90徹底閉合以後，晶粒20的底面緊密貼合於晶粒放置區51的頂面。更明確地說，真空裝置60停止對第一真空通道311抽氣，第一真空通道311、第二真空通道321和凹槽322不再產生真空，真空裝置60不再提供第一負壓61，因而吸嘴32停止藉由第一負壓61吸附晶粒20；氣體供應裝置80停止對第一氣壓通道71供應氣體，第一氣壓通道71不再產生氣流，氣體供應裝置80不再提供正壓81，因而固晶裝置70停止藉由正壓81吹拂晶粒放置區51。因為晶粒20不再受到第一負壓61的吸附，所以晶粒20會從其中心往其周圍的方向逐漸延展，最終晶粒20會自動恢復成平坦狀。因為晶粒放置區51不再受到正壓81的吹拂，所以晶粒放置區51會從其中心往其周圍的方向逐漸延展，最終晶粒放置區51會自動恢復成平坦狀。在晶粒20和晶粒放置區51同步恢復成平坦狀的過程中，因為晶粒20和晶粒放置區51皆從中心往周圍的方向同步延展，晶粒20和晶粒放置區51之間形成一貼合波(圖未示)，貼合波從晶粒20的中心逐漸往晶粒20的周圍的方向擴散，所以晶粒20和晶粒放置區51能夠共同將縫隙90內的空氣從縫隙90的中心往縫隙90的周圍的方向逐漸向外擠出，使得縫隙90從縫隙90的中心往縫隙90的周圍的方向逐漸閉合。在縫隙90徹底閉合以後，晶粒20的底面就能夠和晶粒放置區51的頂面徹底緊密貼合。最後，移動吸附裝置30，使得吸附裝置30遠離晶粒20，同時固晶裝置70停止藉由第二負壓62吸附晶粒放置區51的外側。

綜上所述，本發明的方法能夠將晶粒20和晶粒放置區51之間的縫隙90中的空氣徹底擠出，完全排除晶粒20與晶粒放置區51包住氣泡的情況，達到防止包住氣泡的效果。是以，晶粒20與晶粒放置區51之間不會有任何空洞(void)存在，挑揀或辨識等晶粒20的後續加工程序不會受到氣泡的影響，提升後續加工製成的產品良率。

較佳地，固定座31設置於一位移機構(圖未示)上，位移機構能夠藉由移動固定座31以控制吸嘴32的位置。更明確地說，步驟S100，如圖7所示，位移機構能夠將固定座31移動至承載膜10的上方，並且對準目標區塊11上的晶粒20；步驟S200，如圖8A及圖8B所示，位移機構能夠將固定座31移動至晶粒放置區51的上方，並且讓吸嘴32對準晶粒放置區51；步驟S300，如圖9A及圖9B所示，位移機構能夠將固定座31向下移動，並且讓吸嘴32靠近晶粒放置區51；步驟S400，如圖10A及圖10B所示，在晶粒20的底面緊密貼合於晶粒放置區51的頂面以後，位移機構能夠將固定座31向上移動，並且讓吸嘴32遠離晶粒20。

較佳地，步驟S400，如圖10A及圖10B所示，真空裝置60停止對該等第二氣壓通道72抽氣，該等第二氣壓通道72不再產生真空，真空裝置60不再提供第二負壓62，因而固晶裝置70停止藉由第二負壓62吸附晶粒放置區51的外側。

較佳地，步驟S300，如圖9A及圖9B所示，晶粒放置區51的曲率大於晶粒20的曲率。藉此，本發明的方法能夠保證晶粒放置區51的中心接觸晶粒20的中心，同時晶粒放置區51的周圍不會接觸晶粒20的周圍，使得晶粒放置區51的周圍和晶粒20的周圍之間形成縫隙90。

較佳地，步驟S300，如圖9A及圖9B所示，第一氣壓通道71的寬度等於晶粒放置區51的寬度。藉此，本發明的方法能夠確保正壓81全部集中吹拂晶粒放置區51，不會吹拂到晶粒放置區51的外側，也不會發生晶粒放置區51的周圍沒有被正壓81吹拂的問題。

如圖11A及圖12A所示，在較佳實施例中，吸附裝置30為圓形(即，固定座31和吸嘴32皆為圓形)且凹槽322的形狀為圓形，固晶裝置70為圓形且第一氣壓通道71為圓形。如圖11B及圖12B所示，在另一實施例中，吸附裝置30A為矩形(即，固定座31A和吸嘴32A皆為圓形)且凹槽322A的形狀為矩形，固晶裝置70A為矩形且第一氣壓通道71A為矩形。

進一步地說，在較佳實施例中，步驟S300，如圖9A所示，圓形的吸嘴32在吸附晶粒20時，彎曲的晶粒20在陷入凹槽322以後呈現圓錐狀，正壓81通過圓形的第一氣壓通道71以後能夠形成圓形的氣流吹拂晶粒放置區51，使得晶粒放置區51向上隆起的形狀呈現圓錐狀。因為晶粒20和晶粒放置區51都是圓錐狀，所以晶粒放置區51的中心接觸到晶粒20的中心，晶粒放置區51的中心不會接觸到晶粒20的周圍。

在另一實施例中，步驟S300，矩形的吸嘴32A在吸附晶粒20時，彎曲的晶粒20在陷入凹槽322A以後呈現四角錐狀，正壓81通過矩形的第一氣壓通道71A以後能夠形成矩形的氣流吹拂晶粒放置區51，使得晶粒放置區51向上隆起的形狀呈現四角錐狀。因為晶粒20和晶粒放置區51都是四角錐狀，所以晶粒放置區51的中心接觸到晶粒20的中心，晶粒放置區51的中心不會接觸到晶粒20的周圍。

如圖13A至圖13C所示，在較佳實施例中，步驟S300，在正壓81的壓力平均的狀態下，正壓81吹拂晶粒放置區51的應力平衡，使得晶粒放置區51向上隆起。更明確地說，如圖13A所示，正壓81先在晶粒放置區51的中心建立一均勻壓力，此壓力大於環境壓力(即，一大氣壓)；接著，如圖13B所示，當正壓81在晶粒放置區51的中心建立均勻壓力時，晶粒放置區51的中心會是隆起的最高點。以下將更進一步解釋其原理。如圖13A所示，假設薄膜50為均勻材質，且固晶裝置70的結構對稱，可以建立一示意模型來表示此時的狀態。如圖13C所示，邊界條件設為兩側固定，整個晶粒放置區51承受均勻應力。由此可藉由材料力學推導出晶粒放置區51的形變量，形變量公式：

，最大形變量的公式：

，此時

；其中，W是壓力，L是受力寬度，E為材料彈性係數，I為材料慣性矩，E和I在均勻條件下為常數。從上述力學公式可知，當壓力均勻時，變形的最高點會發生在晶粒放置區51的中心。基本上，如果是按照晶粒放置區51的狀態，上述力學公式會是二維運算式，不過推導過程會更為複雜，因此藉由一維運算式的假設推導的話，不變的是，最高點都會發生在晶粒放置區51的中心。藉此，本發明能夠保證晶粒放置區51的中心接觸到晶粒20的中心，同時晶粒放置區51的周圍不會接觸晶粒20的周圍，使得晶粒放置區51的周圍和晶粒20的周圍之間形成縫隙90。

如圖14A和圖14B所示，在其他實施例中，步驟S300，愈靠近固晶裝置70的軸心，正壓81的壓力愈大，使得晶粒放置區51的隆起程度從其周圍往其中心的方向逐漸增加。更清楚地說，如圖14A所示，一環體73將第一氣壓通道71分隔成一第一腔室711及一第二腔室712，環體的中間開設一貫孔731，貫孔731連通於第一腔室711與第二腔室712之間，且貫孔731的直徑小於第一腔室711與第二腔室712的直徑。如圖14A所示，第一腔室711中的正壓81的壓力平均。如圖14B所示，正壓81集中通過直徑較小的貫孔731以後進入第二腔室712，位於第二腔室712的正壓81，愈靠近固晶裝置70的軸心，正壓81的壓力愈大，因而晶粒放置區51的中心會相較周圍承受更大的推力，使得晶粒放置區51的隆起程度從其周圍往其中心的方向逐漸增加。藉此，本發明能夠保證晶粒放置區51的中心接觸到晶粒20的中心，同時晶粒放置區51的周圍不會接觸晶粒20的周圍，使得晶粒放置區51的周圍和晶粒20的周圍之間形成縫隙90。

以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。

10,110:承載膜 11,111:目標區塊 20,120,120A:晶粒 30,30A,130:吸附裝置 31,31A,131:固定座 311:第一真空通道 32,32A,132,132A:吸嘴 321,1321:第二真空通道 322,322A,1322:凹槽 40,140:頂推裝置 41,141:外頂推件 42,142:內頂推件 50,150:薄膜 51,151:晶粒放置區 60:真空裝置 61,161:第一負壓 62:第二負壓 70,70A:固晶裝置 71,71A:第一氣壓通道 711:第一腔室 712:第二腔室 72:第二氣壓通道 73:環體 731:貫孔 80:氣體供應裝置 81:正壓 90,190:縫隙 91:空洞 S10~30:步驟 S100~400:步驟

圖1是習知的晶粒轉移方法的步驟S10的示意圖。 圖2是習知的晶粒轉移方法的步驟S20的示意圖。 圖3是習知的晶粒轉移方法的步驟S30的示意圖。 圖4顯示了習知的全平面的吸嘴吸附表面平整的晶粒的示意圖。 圖5顯示了習知的全平面的吸嘴吸附表面不平整的晶粒的示意圖。 圖6是本發明的方法的流程圖。 圖7是本發明的方法的步驟S100的示意圖。 圖8A是本發明的方法的步驟S200的立體圖。 圖8B是本發明的方法的步驟S200的示意圖。 圖8C是本發明的吸附裝置和真空裝置的示意圖。 圖9A是本發明的方法的步驟S300的立體圖。 圖9B是本發明的方法的步驟S300的示意圖。 圖9C是本發明的固晶裝置、真空裝置和氣體供應裝置的示意圖。 圖10A是本發明的方法的步驟S400的立體圖。 圖10B是本發明的方法的步驟S400的示意圖。 圖11A是本發明的吸附裝置的較佳實施例的俯視圖。 圖11B是本發明的吸附裝置的另一實施例的俯視圖。 圖12A是本發明的固晶裝置的較佳實施例的俯視圖。 圖12B是本發明的固晶裝置的另一實施例的俯視圖。 圖13A至圖13C是本發明的方法的步驟S300的較佳實施例的示意圖。 圖14是本發明的方法的步驟S300的其他實施例的示意圖。

S100~400:步驟

Claims (10)

1. 一種防止包住氣泡的晶粒轉移方法，包括下列步驟：(a)一吸附裝置藉由一第一負壓吸附一晶粒，並且移動至一薄膜的一晶粒放置區的上方，該晶粒向內凹陷而彎曲；(b)一固晶裝置藉由一正壓吹拂該晶粒放置區，使得該晶粒放置區向上隆起，且該晶粒放置區的中心接觸到該晶粒的中心，該晶粒放置區的周圍和該晶粒的周圍之間形成一縫隙；以及(c)該吸附裝置停止藉由該第一負壓吸附該晶粒，使得該晶粒恢復成平坦狀並且脫離該吸附裝置，同時該固晶裝置停止藉由該正壓吹拂該晶粒放置區，使得該晶粒放置區恢復成平坦狀；在該晶粒和該晶粒放置區同步恢復成平坦狀的過程中，該晶粒和該晶粒放置區共同將該縫隙內的空氣逐漸向外擠出，使得該縫隙閉合；在該縫隙徹底閉合以後，該晶粒的底面緊密貼合於該晶粒放置區的頂面。
2. 如請求項1所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，在該步驟(b)中，該晶粒放置區的曲率大於該晶粒的曲率。
3. 如請求項1所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，在該步驟(b)中，在該正壓的壓力平均的狀態下，該正壓吹拂該晶粒放置區的應力平衡，使得該晶粒放置區向上隆起。
4. 如請求項1所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，在該步驟(b)中，愈靠近該固晶裝置的軸心，該正壓的壓力愈大，使得該晶粒放置區的隆起程度從其周圍往其中心的方向逐漸增加。
5. 如請求項1所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，該吸附裝置包括一固定座及一吸嘴，該固定座開設一第一真空通道，該第一真空通道連接一真空裝置，該吸嘴設置於該固定座的底部並且開設一第二真空通道及一凹槽，該第二真空通道與該第一真空通道相通，該凹槽與該第二真空通道相通；其中，在該步驟(a)中，該真空裝置對該第一真空通道抽氣，該凹槽內的氣體會依序通過該第二真空通道和該第一真空通道以產生真空並且提供該第一負壓，該第一負壓通過該凹槽吸附該晶粒，使得該晶粒向內凹陷而彎曲並且陷入該凹槽中；以及其中，在該步驟(c)中，該真空裝置停止對該第一真空通道抽氣，該第一真空通道、該第二真空通道和該凹槽不再產生真空，該真空裝置不再提供該第一負壓，因而該吸嘴停止藉由該第一負壓吸附該晶粒。
6. 如請求項1所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，該固晶裝置開設一第一氣壓通道，該第一氣壓通道位於該固晶裝置的中間並且連接一氣體供應裝置；其中，在該步驟(b)中，該氣體供應裝置對該第一氣壓通道供應氣體以產生氣流並且提供該正壓，該正壓通過該第一氣壓通道吹拂該晶粒放置區；以及其中，在該步驟(c)中，該氣體供應裝置停止對該第一氣壓通道供應氣體，該第一氣壓通道不再產生氣流，該氣體供應裝置不再提供正壓，因而該固晶裝置停止藉由該正壓吹拂該晶粒放置區。
7. 如請求項6所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，一環體將該第一氣壓通道分隔成一第一腔室及一第二腔室，該環體的中間開設一貫孔，該貫孔連通於該第一腔室與該第二腔室之間，且該貫孔的直徑小於該第一腔室與該第二腔室的直徑。
8. 如請求項6所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，該第一氣壓通道的寬度等於該晶粒放置區的寬度。
9. 如請求項1所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，在該步驟(b)中，該固晶裝置藉由一第二負壓吸附該晶粒放置區的外側，該吸附裝置往該晶粒放置區的方向移動；以及其中，在該步驟(c)中，移動該吸附裝置，使得該吸附裝置遠離該晶粒，同時該固晶裝置停止藉由該第二負壓吸附該晶粒放置區的外側。
10. 如請求項9所述的防止包住氣泡的晶粒轉移方法，其中，該固晶裝置開設複數第二氣壓通道，該等第二氣壓通道沿著一圓周方向間隔設置並且連接一真空裝置；其中，在該步驟(b)中，該真空裝置對該等第二氣壓通道抽氣以產生真空並且提供該第二負壓，該第二負壓通過該等第二氣壓通道吸附該晶粒放置區的外側；以及其中，在該步驟(c)中，該真空裝置停止對該等第二氣壓通道抽氣，該等第二氣壓通道不再產生真空，該真空裝置不再提供該第二負壓，因而該固晶裝置停止藉由該第二負壓吸附該晶粒放置區的外側。

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