TWI728947B

TWI728947B - 晶粒距離調整方法

Info

Publication number: TWI728947B
Application number: TW110103481A
Authority: TW
Inventors: 盧彥豪
Original assignee: 梭特科技股份有限公司
Priority date: 2021-01-29
Filing date: 2021-01-29
Publication date: 2021-05-21
Also published as: TW202230715A

Abstract

一種晶粒距離調整方法，包括準備、固定、距離調整及轉移等步驟。在固定步驟中，固定裝置藉由第一負壓吸附主要目標區塊的周圍。在距離調整步驟中，固定裝置藉由第二負壓吸附或藉由正壓吹拂主要目標區塊，主要目標區塊受到第二負壓的吸引而隨著頂推件遠離基板且向外撐開或受到正壓的吹拂而靠近基板且向外撐開，使得主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離擴大至適當距離。在轉移步驟中，頂推件推動主要目標區塊往靠近基板的方向移動，直至主要目標區塊內的複數晶粒轉移至基板為止，位於基板上的複數晶粒的間隔距離維持在適當距離。

Description

晶粒距離調整方法

本發明是有關一種晶粒距離調整方法，特別是一種利用負壓固定並且利用負壓或正壓小範圍撐開主要目標區塊以調整主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離的晶粒距離調整方法。

積體電路藉由大批方式，經過多道程序，製作在半導體晶圓上，晶圓進一步分割成複數晶粒。換言之，晶粒是以半導體材料製作而成未經封裝的一小塊積體電路本體。分割好的複數晶粒整齊貼附在一承載膜上，接著一承載框負責運送承載膜至一基板的上方，然後藉由一頂推件將承載膜的主要目標區塊內的複數晶粒批量轉移至基板上，俾利進行後續加工程序。

進一步地說，在晶粒轉移以前，將整塊承載膜向外拉動以撐開整塊承載膜，使得全部晶粒的間隔距離擴大至適當距離。在晶粒轉移的過程中，頂推件推動承載膜的主要目標區塊往靠近基板的方向移動，直至承載膜的主要目標區塊內的複數晶粒轉移至基板為止。

惟，整塊承載膜撐開一段時間以後，承載膜的內聚力會讓整塊承載膜向內回彈收縮，導致全部晶粒的間隔距離變小。一旦發生上述狀況，主要目標區塊的面積將會變小，導致頂推件涵蓋到其他目標區塊的部分晶粒，從而頂推件在將主要目標區塊內的複數晶粒轉移到基板的過程中，也會將其他目標區塊的部分晶粒一起轉移到基板，使得轉移到基板上的晶粒數量超過預定數量，進而影響到後續加工程序。

再者，複數其他目標區塊和主要目標區塊太過靠近，導致其他目標區塊內的複數晶粒和主要目標區塊內的複數晶粒容易發生互相碰撞而受損的問題。

本發明的主要目的在於提供一種晶粒距離調整方法，能夠讓承載膜的主要目標區塊一直保持在撐開狀態，承載膜的主要目標區塊內的複數晶粒始終維持在適當距離，使得最終轉移到基板上的晶粒數量與預定數量一致，不影響後續加工程序。

本發明的另一目的在於提供一種晶粒距離調整方法，頂推件能夠更為順利地推動承載膜的主要目標區塊往基板的方向移動，不會受到負壓或正壓的影響

為了達成前述的目的，本發明提供一種晶粒距離調整方法，包括下列步驟：

準備步驟：一承載膜的一第一表面朝向一固定裝置及一頂推件，承載膜的一第二表面朝向一基板並且具有複數晶粒，承載膜依據該等晶粒的數量區隔成複數區塊，其中一個區塊界定為一主要目標區塊，其餘區塊界定為複數其他目標區塊，固定裝置對準主要目標區塊的周圍，頂推件對準主要目標區塊。

固定步驟：固定裝置移動至主要目標區塊的周圍並且藉由一第一負壓吸附主要目標區塊的周圍，頂推件移動至主要目標區塊。

距離調整步驟：固定裝置藉由一第二負壓吸附主要目標區塊，頂推件往遠離基板的方向移動，主要目標區塊受到第二負壓的吸引而隨著頂推件往遠離基板的方向移動並且向外撐開，使得主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離擴大至一適當距離。

轉移步驟：頂推件推動主要目標區塊往靠近基板的方向移動，直至主要目標區塊內的複數晶粒轉移至基板為止，位於基板上的複數晶粒的間隔距離維持在適當距離。

較佳地，在準備步驟中，固定裝置呈環狀以形成一軸孔並且開設複數氣孔，該等氣孔連接一第一真空裝置，軸孔連接一第二真空裝置，頂推件可移動地位於軸孔中；其中，在固定步驟中，第一真空裝置對該等氣孔抽氣以產生真空並且提供第一負壓；以及其中，在距離調整步驟中，第一真空裝置對軸孔抽氣以產生真空並且提供第二負壓。

較佳地，在轉移步驟中，固定裝置停止藉由第二負壓吸住主要目標區塊。

準備步驟：一承載膜的一第一表面朝向一固定裝置及一頂推件，一第二表面朝向一基板並且具有複數晶粒，承載膜依據該等晶粒的數量區隔成複數區塊，其中一個區塊界定為一主要目標區塊，其餘區塊界定為複數其他目標區塊，固定裝置對準主要目標區塊的周圍，頂推件對準主要目標區塊。

距離調整步驟：固定裝置藉由一正壓吹拂主要目標區塊，主要目標區塊受到正壓的吹拂而往靠近一基板的方向移動並且向外撐開，使得主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離擴大至一適當距離。

轉移步驟：頂推件推動主要目標區塊往靠近基板的方向移動，直至主要目標區塊內的複數晶粒轉移至基板為止，位於基板上的複數晶粒的間隔距離維持在適當距離

較佳地，在準備步驟中，固定裝置呈環狀以形成一軸孔並且開設複數氣孔，該等氣孔連接一第一真空裝置，軸孔連接一氣體供應裝置，頂推件可移動地位於軸孔中；其中，在固定步驟中，第一真空裝置對該等氣孔抽氣以產生真空並且提供第一負壓；以及其中，在距離調整步驟中，氣體供應裝置對軸孔供應氣體以產生氣流並且提供正壓。

較佳地，在轉移步驟中，固定裝置停止藉由正壓吹拂主要目標區塊。

較佳地，在準備步驟中，一影像擷取裝置位於基板相對於一側並且電性連接一處理單元；其中，在固定步驟中，影像擷取裝置擷取主要目標區塊內的複數晶粒的一調整前影像，以獲得一調整前影像資訊，並且將調整前影像資訊傳送至處理單元；以及其中，在距離調整步驟中，影像擷取裝置擷取主要目標區塊內的複數晶粒的一調整後影像，以獲得一調整後影像資訊，並且將調整後影像資訊傳送至處理單元，處理單元比對調整前影像資訊與調整後影像資訊以判斷出主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離是否擴大至適當距離。

較佳地，在準備步驟中，一影像擷取裝置位於基板相對於一側並且電性連接一處理單元；其中，在距離調整步驟中，影像擷取裝置擷取主要目標區塊內的複數晶粒的一調整後影像，以獲得一調整後影像資訊，並且將調整後影像資訊傳送至處理單元；以及其中，在轉移步驟中，影像擷取裝置擷取位於基板上的複數晶粒的一轉移影像，以獲得一轉移影像資訊，並且將轉移影像資訊傳送至處理單元，處理單元比對調整後影像資訊與轉移影像資訊以判斷出基板上的複數晶粒的間隔距離是否維持在適當距離。

較佳地，在準備步驟中，該等區塊的間隔距離大於該等晶粒的間隔距離。

本發明的功效在於，本發明的晶粒距離調整方法能夠利用第一負壓小範圍固定主要目標區塊的周圍，然後利用第二負壓或正壓小範圍撐開主要目標區塊，以達到小範圍調整主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離至適當距離的功效，完全不需要撐開整塊承載膜。因此，主要目標區塊完全不會受到內聚力的影響而向內回彈收縮，從而能夠讓主要目標區塊一直保持在撐開狀態，主要目標區塊內的複數晶粒始終維持在適當距離，使得最終轉移到基板上的晶粒數量與預定數量一致，不影響後續加工程序。

再者，在轉移步驟中，固定裝置停止藉由第二負壓吸住主要目標區塊或停止藉由正壓吹拂主要目標區塊，頂推件能夠更為順利地推動主要目標區塊往靠近基板的方向移動時，不會受到第二負壓或正壓的影響。

值得一提的是，為了提高晶粒轉移效率，在準備步驟中，該等區塊的間隔距離大於該等晶粒的間隔距離。因此，在轉移步驟中，該等其他目標區塊內的複數晶粒不會和主要目標區塊內的複數晶粒發生互相碰撞而受損的問題。

以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

請參閱圖1至圖11，圖1是本發明的的晶粒距離調整方法的流程圖，圖2是本發明的第一實施例的準備步驟S1的示意圖，圖3是本發明的第一實施例的固定裝置20和頂推件30的仰視圖，圖4是本發明的第一實施例的氣孔22連接第一真空裝置60和軸孔21連接第二真空裝置61的示意圖，圖5是本發明的第一實施例的影像擷取裝置70電性連接處理單元80的示意圖，圖6是本發明的第一實施例的固定步驟S2的示意圖，圖7是本發明的第一實施例的影像擷取裝置70傳送調整前影像資訊71至處理單元80的示意圖，圖8是本發明的第一實施例的距離調整步驟S3的示意圖，圖9是本發明的第一實施例的影像擷取裝置70傳送調整後影像資訊72至處理單元80的示意圖，圖10是本發明的第一實施例的轉移步驟S4的示意圖，圖11是本發明的第一實施例的影像擷取裝置70傳送轉移影像資訊73至處理單元80的示意圖。本發明提供一種晶粒距離調整方法，包括下列步驟：

準備步驟S1：如圖1及圖2所示，一承載膜10的一第一表面11朝向一固定裝置20及一頂推件30，承載膜10的一第二表面12朝向一基板40並且具有複數晶粒50，承載膜10依據該等晶粒50的數量區隔成複數區塊，其中一個區塊界定為一主要目標區塊13，其餘區塊界定為複數其他目標區塊14，固定裝置20對準主要目標區塊13的周圍，頂推件30對準主要目標區塊13。更明確地說，如圖3至圖5所示，固定裝置20呈環狀以形成一軸孔21並且開設複數氣孔22，該等氣孔22連接一第一真空裝置60，軸孔21連接一第二真空裝置61，頂推件30可移動地位於軸孔21中，一影像擷取裝置70位於基板40相對於承載膜10的一側並且電性連接一處理單元80。較佳地，承載膜10的兩端分別位於二承載框90上，二夾具100夾住該二承載框90。

固定步驟S2：如圖1及圖6所示，固定裝置20移動至主要目標區塊13的周圍，第一真空裝置60對該等氣孔22抽氣以產生真空並且提供一第一負壓601，固定裝置20藉由第一負壓601吸附主要目標區塊13的周圍，頂推件30移動至主要目標區塊13。如圖6及圖7所示，影像擷取裝置70擷取主要目標區塊13內的複數晶粒50的一調整前影像，以獲得一調整前影像資訊71，並且將調整前影像資訊71傳送至一處理單元80。

距離調整步驟S3：如圖1及圖8所示，第二真空裝置61對軸孔21抽氣以產生真空並且提供一第二負壓611，固定裝置20藉由第二負壓611吸附主要目標區塊13，頂推件30往遠離基板40的方向移動，主要目標區塊13受到第二負壓611的吸引而隨著頂推件30往遠離基板40的方向移動並且向外撐開，使得主要目標區塊13內的複數晶粒50的間隔距離擴大至一適當距離D。如圖8及圖9所示，影像擷取裝置70擷取主要目標區塊13內的複數晶粒50的一調整後影像，以獲得一調整後影像資訊72，並且將調整後影像資訊72傳送至處理單元80，處理單元80比對調整前影像資訊71與調整後影像資訊72以判斷出主要目標區塊13內的複數晶粒50的間隔距離是否擴大至適當距離D。

轉移步驟S4：如圖1及圖10所示，第二真空裝置61停止對軸孔21抽氣，固定裝置20停止藉由第二負壓611吸住主要目標區塊13，頂推件30推動主要目標區塊13往靠近基板40的方向移動，直至主要目標區塊13內的複數晶粒50轉移至基板40為止，位於基板40上的複數晶粒50的間隔距離維持在適當距離D。如圖10及圖11所示，影像擷取裝置70擷取位於基板40上的複數晶粒50的一轉移影像，以獲得一轉移影像資訊73，並且將轉移影像資訊73傳送至處理單元80，處理單元80比對調整後影像資訊72與轉移影像資訊73以判斷出基板40上的複數晶粒50的間隔距離是否維持在適當距離D。

進一步地說，如圖2所示，在尚未進行本發明的方法以前，在準備步驟S1中，固定裝置20和頂推件30並沒有接觸承載膜10的第一表面11，因此如圖6所示，在固定步驟S2中，固定裝置20和頂推件30沿著一垂直方向移動至承載膜10的第一表面11。

在第一個主要目標區塊13上的全部晶粒50轉移至基板40以後，其他目標區塊14的其中之一被選定為下一個主要目標區塊13，此時重新回到準備步驟S1，固定裝置20和頂推件30則保持抵靠在承載膜10的第一表面11。在固定步驟S2中，固定裝置20和頂推件30移動至下一個主要目標區塊13的方式有兩種：其一，承載膜10保持不動，固定裝置20和頂推件30沿著承載膜10的第一表面11直接移動至下一個主要目標區塊13；其二，固定裝置20和頂推件30保持不動，承載膜10移動，使得固定裝置20和頂推件30間接移動至下一個主要目標區塊13。後續的距離調整步驟S3和轉移步驟S4則如前所述。

在所有晶粒50都轉移至基板40以後，固定裝置20和頂推件30遠離承載膜10。

請參閱圖12和圖13，圖12是本發明的第二實施例的距離調整步驟S3的示意圖，圖13是本發明的第二實施例的氣孔22連接第一真空裝置60和軸孔21連接氣體供應裝置62的示意圖。第二實施例與第一實施例的差異在於：其一，在準備步驟S1中，軸孔21連接一氣體供應裝置62；其二，在距離調整步驟S3中，氣體供應裝置62對軸孔21供應氣體以產生氣流並且提供一正壓621，固定裝置20藉由正壓621吹拂主要目標區塊13，主要目標區塊13受到正壓621的吹拂而往靠近基板40的方向移動並且向外撐開，使得主要目標區塊13內的複數晶粒50的間隔距離擴大至適當距離D；其三，在轉移步驟S4中，氣體供應裝置62停止對軸孔21供應氣體，固定裝置20停止藉由正壓621吹拂主要目標區塊13。除此之外，第二實施例的其餘技術特徵和第一實施例完全相同。

藉此，本發明的晶粒距離調整方法能夠利用第一負壓601小範圍固定主要目標區塊13的周圍，然後利用第二負壓611或正壓621小範圍撐開主要目標區塊13，以達到小範圍調整主要目標區塊13內的複數晶粒50的間隔距離至適當距離的功效，完全不需要撐開整塊承載膜10。因此，主要目標區塊13完全不會受到內聚力的影響而向內回彈收縮，從而能夠讓主要目標區塊13一直保持在撐開狀態，主要目標區塊13內的複數晶粒50始終維持在適當距離D，使得最終轉移到基板40上的晶粒50數量與預定數量一致，不影響後續加工程序。

再者，本發明的晶粒距離調整方法能夠藉由影像擷取裝置70和處理單元80共同監控主要目標區塊13內的複數晶粒50的間隔距離是否調整到適當距離D。

此外，本發明的晶粒距離調整方法能夠藉由影像擷取裝置70和處理單元80共同監控位於基板40上的複數晶粒50的間隔距離是否維持在適當距離D。

值得一提的是，在轉移步驟S4中，固定裝置20停止藉由第二負壓611吸住主要目標區塊13或停止藉由正壓621吹拂主要目標區塊13，頂推件30能夠更為順利地推動主要目標區塊13往靠近基板40的方向移動時，不會受到第二負壓611或正壓621的影響。

請參閱圖14，圖14是本發明的複數區塊的間隔距離大於複數晶粒50的間隔距離的示意圖。如圖14所示，為了提高晶粒50轉移效率，在準備步驟S1中，該等區塊的間隔距離大於該等晶粒50的間隔距離。因此，在轉移步驟S4中，該等其他目標區塊14內的複數晶粒50不會和主要目標區塊13內的複數晶粒50發生互相碰撞而受損的問題。

以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。

10:承載膜 11:第一表面 12:第二表面 13:主要目標區塊 14:其他目標區塊 20:固定裝置 21:軸孔 22:氣孔 30:頂推件 40:基板 50:晶粒 60:第一真空裝置 601:第一負壓 61:第二真空裝置 611:第二負壓 62:氣體供應裝置 621:正壓 70:影像擷取裝置 71:調整前影像資訊 72:調整後影像資訊 73:轉移影像資訊 80:處理單元 90:承載框 100:夾具 D:適當距離 S1:準備步驟 S2:固定步驟 S3:距離調整步驟 S4:轉移步驟

［圖1〕是本發明的晶粒距離調整方法的流程圖。［圖2〕是本發明的第一實施例的準備步驟的示意圖。［圖3〕是本發明的第一實施例的固定裝置和頂推件的仰視圖。［圖4〕是本發明的第一實施例的氣孔連接第一真空裝置和軸孔連接第二真空裝置的示意圖。［圖5〕是本發明的第一實施例的影像擷取裝置電性連接處理單元的示意圖。［圖6〕是本發明的第一實施例的固定步驟的示意圖。［圖7〕是本發明的第一實施例的影像擷取裝置傳送調整前影像至處理單元的示意圖。［圖8〕是本發明的第一實施例的距離調整步驟的示意圖。［圖9〕是本發明的第一實施例的影像擷取裝置傳送調整後影像至處理單元的示意圖。［圖10〕是本發明的第一實施例的轉移步驟的示意圖。［圖11〕是本發明的第一實施例的影像擷取裝置傳送轉移影像至處理單元的示意圖。［圖12〕是本發明的第二實施例的距離調整步驟的示意圖。［圖13〕是本發明的第二實施例的氣孔連接第一真空裝置和軸孔連接氣體供應裝置的示意圖。［圖14〕是本發明的複數區塊的間隔距離大於複數晶粒的間隔距離的示意圖。

S1:準備步驟

S2:固定步驟

S3:距離調整步驟

S4:轉移步驟

Claims

一種晶粒距離調整方法，包括下列步驟：準備步驟：一承載膜的一第一表面朝向一固定裝置及一頂推件，該承載膜的一第二表面朝向一基板並且具有複數晶粒，該承載膜依據該等晶粒的數量區隔成複數區塊，其中一個區塊界定為一主要目標區塊，其餘區塊界定為複數其他目標區塊，該固定裝置對準該主要目標區塊的周圍，該頂推件對準該主要目標區塊；固定步驟：該固定裝置移動至該主要目標區塊的周圍並且藉由一第一負壓吸附該主要目標區塊的周圍，該頂推件移動至該主要目標區塊；距離調整步驟：該固定裝置藉由一第二負壓吸附該主要目標區塊，該頂推件往遠離該基板的方向移動，該主要目標區塊受到該第二負壓的吸引而隨著該頂推件往遠離該基板的方向移動並且向外撐開，使得該主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離擴大至一適當距離；以及轉移步驟：該頂推件推動該主要目標區塊往靠近該基板的方向移動，直至該主要目標區塊內的複數晶粒轉移至該基板為止，位於該基板上的複數晶粒的間隔距離維持在該適當距離。
如請求項1所述的晶粒距離調整方法，其中，在該準備步驟中，該固定裝置呈環狀以形成一軸孔並且開設複數氣孔，該等氣孔連接一第一真空裝置，該軸孔連接一第二真空裝置，該頂推件可移動地位於該軸孔中；其中，在該固定步驟中，該第一真空裝置對該等氣孔抽氣以產生真空並且提供該第一負壓；以及其中，在該距離調整步驟中，該第一真空裝置對該軸孔抽氣以產生真空並且提供該第二負壓。
如請求項1所述的晶粒距離調整方法，其中，在該轉移步驟中，該固定裝置停止藉由該第二負壓吸住該主要目標區塊。
一種晶粒距離調整方法，包括下列步驟：準備步驟：一承載膜的一第一表面朝向一固定裝置及一頂推件，該承載膜的一第二表面朝向一基板並且具有複數晶粒，該承載膜依據該等晶粒的數量區隔成複數區塊，其中一個區塊界定為一主要目標區塊，其餘區塊界定為複數其他目標區塊，該固定裝置對準該主要目標區塊的周圍，該頂推件對準該主要目標區塊；固定步驟：該固定裝置移動至該主要目標區塊的周圍並且藉由一第一負壓吸附該主要目標區塊的周圍，該頂推件移動至該主要目標區塊；距離調整步驟：該固定裝置藉由一正壓吹拂該主要目標區塊，該主要目標區塊受到該正壓的吹拂而往靠近一基板的方向移動並且向外撐開，使得該主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離擴大至一適當距離；以及轉移步驟：該頂推件推動該主要目標區塊往靠近該基板的方向移動，直至該主要目標區塊內的複數晶粒轉移至該基板為止，位於該基板上的複數晶粒的間隔距離維持在該適當距離。
如請求項4所述的晶粒距離調整方法，其中，在該準備步驟中，該固定裝置呈環狀以形成一軸孔並且開設複數氣孔，該等氣孔連接一第一真空裝置，該軸孔連接一氣體供應裝置，該頂推件可移動地位於該軸孔中；其中，在該固定步驟中，該第一真空裝置對該等氣孔抽氣以產生真空並且提供該第一負壓；以及其中，在該距離調整步驟中，該氣體供應裝置對該軸孔供應氣體以產生氣流並且提供該正壓。
如請求項4所述的晶粒距離調整方法，其中，在該轉移步驟中，該固定裝置停止藉由該正壓吹拂該主要目標區塊。
如請求項1或4所述的晶粒距離調整方法，其中，在該準備步驟中，一影像擷取裝置位於該基板相對於該承載膜的一側並且電性連接一處理單元；其中，在該固定步驟中，該影像擷取裝置擷取該主要目標區塊內的複數晶粒的一調整前影像，以獲得一調整前影像資訊，並且將該調整前影像資訊傳送至該處理單元；以及其中，在該距離調整步驟中，該影像擷取裝置擷取該主要目標區塊內的複數晶粒的一調整後影像，以獲得一調整後影像資訊，並且將該調整後影像資訊傳送至該處理單元，該處理單元比對該調整前影像資訊與該調整後影像資訊以判斷出該主要目標區塊內的複數晶粒的間隔距離是否擴大至該適當距離。
如請求項1或4所述的晶粒距離調整方法，其中，在該準備步驟中，一影像擷取裝置位於該基板相對於該承載膜的一側並且電性連接一處理單元；其中，在該距離調整步驟中，該影像擷取裝置擷取該主要目標區塊內的複數晶粒的一調整後影像，以獲得一調整後影像資訊，並且將該調整後影像資訊傳送至該處理單元；以及其中，在該轉移步驟中，該影像擷取裝置擷取位於該基板上的複數晶粒的一轉移影像，以獲得一轉移影像資訊，並且將該轉移影像資訊傳送至該處理單元，該處理單元比對該調整後影像資訊與該轉移影像資訊以判斷出該基板上的複數晶粒的間隔距離是否維持在該適當距離。
如請求項1或4所述的晶粒距離調整方法，其中，在該準備步驟中，該等區塊的間隔距離大於該等晶粒的間隔距離。