TW202407817A - 晶粒剝離方法 - Google Patents
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Abstract
一種晶粒剝離方法，包括下列步驟：晶粒分布在承載膜上；撐開承載膜；擷取目標晶粒與相鄰晶粒的影像；判定目標晶粒與相鄰晶粒之間的縫隙是否對齊底座中的第一、第二吸附裝置之間的縫隙；當該等縫隙對齊時，底座向上移動，第一吸附裝置抵靠於目標區塊且第二吸附裝置抵靠於相鄰區塊；以及第一吸附裝置藉由負壓吸附目標區塊且保持不動，第二吸附裝置藉由負壓吸附相鄰區塊，驅動裝置驅動第二吸附裝置向下移動，第二吸附裝置藉由負壓吸引相鄰區塊向下移動，使得目標區塊與相鄰區塊之間形成落差，落差引起目標晶粒從目標區塊剝離。
Description
本發明是涉及一種晶粒剝離方法。
積體電路藉由大批方式，經過多道程序，製作在半導體晶圓上，進一步將晶圓切割成複數晶粒。換言之，晶粒是以半導體材料製作而成未經封裝的一小塊積體電路本體。切割好的複數晶粒整齊貼附在一承載膜的複數目標區塊上。接著，利用一根細長的頂針戳破承載膜，並且推動目標晶粒，使得目標晶粒從承載膜的目標區塊上剝離。最後，一拾取裝置將目標晶粒從承載膜轉移到一基板上，俾利進行後續加工程序。
然而，承載膜已經被破壞，無法重複使用。
再者，頂針容易戳傷晶粒，增加晶粒破損的風險，降低晶粒的生產良率。
本發明的主要目的在於提供一種晶粒剝離方法，能夠避免承載膜和晶粒破損。
為了達成前述的目的，本發明提供一種晶粒剝離方法，包括下列步驟：複數個晶粒分布在一承載膜上，各該晶粒的表面無錫球且無銅柱；撐開一承載膜，使得該等晶粒之間的縫隙的寬度被擴大；擷取至少一目標晶粒與至少一相鄰晶粒的影像，該至少一目標晶粒位於該承載膜的一目標區塊的頂面，該至少一相鄰晶粒位於該承載膜的一相鄰區塊的頂面；接收該影像並且根據該影像判定該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒之間的一縫隙是否對齊一底座中的一第一吸附裝置與一第二吸附裝置之間的一縫隙；當該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒之間的一縫隙對齊一底座中的一第一吸附裝置與一第二吸附裝置之間的一縫隙時，該底座向上移動，直至該第一吸附裝置抵靠於該目標區塊的底面且該第二吸附裝置抵靠於該相鄰區塊的底面為止；以及該第一吸附裝置藉由一負壓吸附該目標區塊並且保持不動，該第二吸附裝置藉由一負壓吸附該相鄰區塊，一驅動裝置驅動該第二吸附裝置向下移動，該第二吸附裝置藉由該負壓吸引該相鄰區塊向下移動，使得該目標區塊與該相鄰區塊之間形成一個落差，該落差引起該至少一目標晶粒從該目標區塊的頂面剝離。
在一些實施例中，該等晶粒分布在該等目標區塊上的步驟進一步包括下列步驟：一支撐裝置支撐該承載膜，一環體抵靠於該承載膜的底面；其中，撐開該承載膜的步驟進一步包括下列步驟：該環體向上移動，以撐開該承載膜。
在一些實施例中，擷取影像的步驟進一步包括下列步驟：一影像擷取單元擷取該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒的影像；其中，根據影像判定縫隙是否對齊的步驟進一步包括下列步驟：一處理單元接收該影像並且根據該影像判定該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒之間的該縫隙是否對齊該底座中的該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙。
在一些實施例中，在該至少一目標晶粒剝離的步驟之後進一步包括下列步驟：該第一吸附裝置停止藉由該負壓吸附該目標區塊，且該第二吸附裝置停止藉由該負壓吸附該相鄰區塊，使得該目標區塊脫離該第一吸附裝置，且該相鄰區塊脫離該第二吸附裝置；以及一固晶裝置吸取該至少一目標晶粒並且將該至少一目標晶粒放置在一基板上，該基板的表面無錫球且無銅柱。
在一些實施例中，擷取影像的步驟進一步包括下列步驟：擷取單一個目標晶粒與單一個相鄰晶粒的影像；其中，根據影像判定縫隙是否對齊的步驟進一步包括下列步驟：根據該影像判定單一個目標晶粒與單一個相鄰晶粒之間的該縫隙是否對齊該底座中的該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙；其中，該至少一目標晶粒剝離的步驟進一步包括下列步驟：單一個目標晶粒從該目標區塊的頂面剝離。
在一些實施例中，該等晶粒分布在該等目標區塊上的步驟進一步包括下列步驟：該等晶粒排列成多排晶粒組合，每一排晶粒組合包括數顆晶粒；其中，擷取影像的步驟進一步包括下列步驟：擷取多排晶粒組合的其中之一排的多個目標晶粒與多排晶粒組合的另一排的多個相鄰晶粒的影像；其中，根據影像判定縫隙是否對齊的步驟進一步包括下列步驟：根據該影像判定多排晶粒組合的其中之一排的多個目標晶粒與多排晶粒組合的另一排的多個相鄰晶粒的該縫隙是否對齊該底座中的該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙；其中，該至少一目標晶粒剝離的步驟進一步包括下列步驟：多排晶粒組合的其中之一排的多個目標晶粒從該目標區塊的頂面剝離。
在一些實施例中，該底座向上移動的步驟與該至少一目標晶粒剝離的步驟進一步包括下列步驟：至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒；其中，在該至少一目標晶粒剝離的步驟之後進一步包括下列步驟：至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒，該第一吸附裝置停止藉由該負壓吸附該目標區塊，該第二吸附裝置停止藉由該負壓吸附該相鄰區塊，該驅動裝置驅動該第二吸附裝置向上移動，直至該目標區塊與該相鄰區塊對齊為止；該至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒，該底座橫向移動或該承載膜橫向移動，使得該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙對齊該至少一目標晶粒的底面；該至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒，該第一吸附裝置藉由該負壓吸附該目標區塊並且保持不動，該第二吸附裝置藉由該負壓吸附該相鄰區塊，該驅動裝置驅動該第二吸附裝置向下移動，該第二吸附裝置藉由該負壓吸引該相鄰區塊向下移動，使得該目標區塊與該相鄰區塊之間形成一個落差，該落差引起該至少一目標晶粒從該目標區塊上剝離的範圍的擴大；以及反覆執行上述步驟，直至該至少一目標晶粒完全脫離該目標區塊的頂面為止。
在一些實施例中，該第一吸附裝置開設至少一第一通道，該第二吸附裝置開設至少一第二通道，該至少一第一通道與該至少一第二通道皆連接一真空裝置；當該真空裝置對該至少一第一通道與該至少一第二通道同步抽氣時，該至少一第一通道與該至少一第二通道的氣體向外排出以產生真空並且同步提供該負壓，因而該第一吸附裝置藉由該負壓吸附該目標區塊，且該第二吸附裝置藉由該負壓吸附該相鄰區塊。
在一些實施例中，該第一吸附裝置開設至少一第一通道，該第二吸附裝置開設至少一第二通道，該至少一第一通道與該至少一第二通道提供該負壓皆連接一真空裝置；當該真空裝置停止對該至少一第一通道與該至少一第二通道同步抽氣時，該至少一第一通道與該至少一第二通道不再產生真空，該真空裝置不再提供該負壓，因而該第一吸附裝置停止藉由該負壓吸附該目標區塊，且該第二吸附裝置停止藉由該負壓吸附該相鄰區塊。
本發明的功效在於，本發明的方法能夠在不破壞承載膜且不接觸目標晶粒的狀態之下，讓目標晶粒從承載膜上剝離，避免承載膜和目標晶粒破損。藉此，承載膜能夠重複使用，且晶粒的生產良率提升。
以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。
圖1A和圖1B是本發明的方法的第一實施例的流程圖，圖2是本發明的方法的第一實施例的步驟S100的示意圖，圖3是本發明的方法的第一實施例的步驟S110和S120的示意圖，圖4是本發明的方法的第一實施例的步驟S130的示意圖 ，圖5是本發明的方法的第一實施例的步驟S140的示意圖 ，圖6是本發明的方法的第一實施例的步驟S150的示意圖，圖7是本發明的方法的第一實施例的步驟S160的示意圖。本發明提供一種晶粒剝離方法，包括下列步驟：
步驟S100，如圖1A及圖2所示，一支撐裝置10支撐一承載膜20，一環體30抵靠於承載膜20，複數個晶粒40分布在承載膜20的複數個目標區塊的頂面，各晶粒40的表面無錫球且無銅柱。
步驟S110，如圖1A及圖3所示，環體30向上移動，以撐開承載膜20，使得該等晶粒40之間的縫隙41的寬度被擴大。
步驟S120，如圖1A及圖3所示，並請參考圖4，一影像擷取單元50擷取至少一目標晶粒42與至少一相鄰晶粒43的影像51，至少一目標晶粒42位於承載膜20的一目標區塊21的頂面，至少一相鄰晶粒43位於承載膜20的一相鄰區塊22的頂面。
步驟S130，如圖1A及圖4所示，並請參考圖3，一處理單元60接收影像51並且根據影像51判定至少一目標晶粒42與至少一相鄰晶粒43之間的一縫隙41是否對齊一底座70中的一第一吸附裝置71與一第二吸附裝置72之間的一縫隙73。如果處理單元60根據影像51判定縫隙41與縫隙73對齊，則繼續進行下一個步驟；如果處理單元60根據影像51判定縫隙41與縫隙73沒有對齊，則直接終止。
步驟S140，如圖1B及圖5所示，並請參考圖4，當處理單元60根據影像51判定至少一目標晶粒42與至少一相鄰晶粒43之間的縫隙41對齊底座70中的第一吸附裝置71與第二吸附裝置72之間的縫隙73時，底座70向上移動，直至第一吸附裝置71抵靠於目標區塊21的底面且第二吸附裝置72抵靠於相鄰區塊22的底面為止。
步驟S150，如圖1B及圖6所示，第一吸附裝置71產生一負壓74吸附目標區塊21並且保持不動，第二吸附裝置72藉由一負壓74吸附相鄰區塊22，一驅動裝置75驅動第二吸附裝置72向下移動，第二吸附裝置72藉由負壓74吸引相鄰區塊22向下移動，使得目標區塊21與相鄰區塊22之間形成一個落差23，落差23引起至少一目標晶粒42從目標區塊21的頂面剝離。
步驟S160，如圖1B及圖7所示，第一吸附裝置71停止藉由負壓74吸附目標區塊21，且第二吸附裝置72停止藉由負壓74吸附相鄰區塊22，使得目標區塊21脫離第一吸附裝置71，且相鄰區塊22脫離第二吸附裝置72；以及一固晶裝置80吸取至少一目標晶粒42並且將至少一目標晶粒42放置在一基板90上，基板90的表面無錫球且無銅柱。
以下將配合圖式說明本發明的方法的第一實施例的兩種態樣。
圖8是本發明的方法的第一實施例的第一種實施態樣的俯視圖。如圖8所示，第一種實施態樣為：所述至少一目標晶粒42為單一個目標晶粒42，所述至少一相鄰晶粒43為單一個相鄰晶粒43。更明確地說，步驟S120，影像擷取單元50擷取單一個目標晶粒42與單一個相鄰晶粒43的影像51；步驟S130，處理單元60接收影像51並且根據影像51判定單一個目標晶粒42與單一個相鄰晶粒43之間的縫隙41是否對齊底座70中的第一吸附裝置71與第二吸附裝置72之間的縫隙73；步驟S150，單一個目標晶粒42從目標區塊21的頂面剝離。
圖9是本發明的方法的第一實施例的第二種實施態樣的俯視圖。如圖9所示，第二種實施態樣為：所述至少一目標晶粒42為多排晶粒組合44的其中之一的多個目標晶粒42，所述至少一相鄰晶粒43為多排晶粒組合44的另一排的多個相鄰晶粒43。更明確地說，步驟S100，該等晶粒40排列成多排晶粒組合44，每一排晶粒組合44包括數顆晶粒40；步驟S120，影像擷取單元50擷取多排晶粒組合44的其中之一排的多個目標晶粒42與多排晶粒組合44的另一排的多個相鄰晶粒43的影像51；步驟S130，處理單元60接收影像51並且根據影像51判定多排晶粒組合44的其中之一排的多個目標晶粒42與多排晶粒組合44的另一排的多個相鄰晶粒43之間的縫隙41是否對齊底座70中的第一吸附裝置71與第二吸附裝置72之間的縫隙73；步驟S150，多排晶粒組合44的其中之一排的多個目標晶粒42從目標區塊21的頂面剝離。
顯然，第二種實施態樣單次能夠處理的晶粒40的數量比第一種實施態樣更多，效率更高。
圖10是本發明的第一吸附裝置71、第二吸附裝置72和真空裝置100的連接關係的示意圖。如圖2及圖10所示，較佳地，第一吸附裝置71開設複數個第一通道711，第二吸附裝置72開設複數個第二通道721，該等第一通道711與該等第二通道721皆連接一真空裝置100。步驟S150，如圖6及圖10所示，當真空裝置100對該等第一通道711與該等第二通道721同步抽氣時，該等第一通道711和第二通道721的氣體同步向外排出以產生真空並且同步提供負壓74，因而第一吸附裝置71藉由負壓74吸附目標區塊21，且第二吸附裝置72藉由負壓74吸附相鄰區塊22。步驟S160，如圖7及圖10所示，當真空裝置100停止對該等第一通道711與該第二通道721同步抽氣時，該等第一通道711與該等第二通道721皆不再產生真空，真空裝置100不再提供負壓74，因而第一吸附裝置71停止藉由負壓74吸附目標區塊21，且第二吸附裝置72停止藉由負壓74吸附相鄰區塊22。
圖11A及圖11B是本發明的方法的第二實施例的流程圖，圖12是本發明的方法的第二實施例的步驟S240的示意圖 ，圖13是本發明的方法的第二實施例的步驟S250的示意圖 ，圖14是本發明的方法的第二實施例的步驟S260的示意圖 ，圖15A和15B分別是本發明的方法的第二實施例的步驟S270的第一種實施態樣的示意圖和第二種實施態樣的示意圖，圖16是本發明的方法的第二實施例的步驟S280的示意圖 。如圖11A所示，第二實施例的步驟S200~S230與第一實施例的步驟S100~130完全相同。如圖11B、圖12及圖13所示，第二實施例的步驟S240~S250與第一實施例的步驟S140~S150的差異在於：固晶裝置80吸附至少一目標晶粒42。第二實施例的步驟S250以後進一步包括下列步驟：步驟S260，如圖10、圖11B及圖14所示，固晶裝置80吸附至少一目標晶粒42，當真空裝置100停止對該等第一通道711與該第二通道721同步抽氣時，該等第一通道711與該等第二通道721皆不再產生真空，真空裝置100不再提供負壓74，因而第一吸附裝置71停止藉由負壓74吸附目標區塊21，且第二吸附裝置72停止藉由負壓74吸附相鄰區塊22，驅動裝置75驅動第二吸附裝置72向上移動，直至目標區塊21與相鄰區塊22對齊為止；步驟S270，如圖11B、圖15A及圖15B所示，固晶裝置80吸附至少一目標晶粒42，底座70橫向移動（參見圖15A，此為第一種實施態樣）或承載膜20橫向移動（參見圖15B，此為第二種實施態樣），使得第一吸附裝置71與第二吸附裝置72之間的縫隙73對齊至少一目標晶粒42的底面；步驟S280，如圖10、圖11B及圖16所示，固晶裝置80吸附至少一目標晶粒42，當真空裝置100對該等第一通道711與該等第二通道721同步抽氣時，該等第一通道711和第二通道721的氣體同步向外排出以產生真空並且同步提供負壓74，因而第一吸附裝置71藉由負壓74吸附目標區塊21並且保持不動，且第二吸附裝置72藉由負壓74吸附相鄰區塊22，驅動裝置75驅動第二吸附裝置72向下移動，第二吸附裝置72藉由負壓74吸引相鄰區塊22向下移動，使得目標區塊21與相鄰區塊22之間形成一落差23，落差23引起至少一目標晶粒42從目標區塊21上剝離的範圍的擴大；以及反覆執行上述步驟，直至至少一目標晶粒42的底面完全脫離目標區塊21的頂面為止。如圖10B所示，第二實施例的步驟S290與第一實施例的步驟S160完全相同。
由於從步驟S240至步驟S280等五個步驟，固晶裝置80持續吸附至少一目標晶粒42，因此至少一目標晶粒42能夠持續保持定位，不會受到底座70橫向移動的影響而走位，因而至少一目標晶粒42從目標區塊21上剝離的範圍能夠逐漸擴大。
因為至少一目標晶粒42的底面徹底脫離目標區塊21的頂面上，所以固晶裝置80能夠輕易地將至少一目標晶粒42轉移至基板90上。
第二實施例的第一種實施態樣與第一實施例的第一種實施態樣的差異在於：從步驟S240至步驟S290等六個步驟，單一個固晶裝置80持續吸附單一個目標晶粒42。第二實施例的第二種實施態樣與第一實施例的第二種實施態樣的差異在於：從步驟S240至步驟S290等六個步驟，複數個固晶裝置80排列成一排並且分別持續吸附多排晶粒組合44的其中一排的多個目標晶粒42。
綜上所述，本發明的方法能夠在不破壞承載膜20且不接觸目標晶粒42的狀態之下，讓目標晶粒42從承載膜20上剝離，避免承載膜20和目標晶粒42破損。藉此，承載膜20能夠重複使用，且晶粒40的生產良率提升。
以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。
10:支撐裝置
20:承載膜
21:目標區塊
22:相鄰區塊
23:落差
30:環體
40:晶粒
41:縫隙
42:目標晶粒
43:相鄰晶粒
44:晶粒組合
50:影像擷取單元
51:影像
60:處理單元
70:底座
71:第一吸附裝置
711:第一通道
72:第二吸附裝置
721:第二通道
73:縫隙
74:負壓
75:驅動裝置
80:固晶裝置
90:基板
100:真空裝置
S100~S160:步驟
S200~S290:步驟
圖1A和圖1B是本發明的方法的第一實施例的流程圖。
圖2是本發明的方法的第一實施例的步驟S100的示意圖。
圖3是本發明的方法的第一實施例的步驟S110和S120的示意圖。
圖4是本發明的方法的第一實施例的步驟S130的示意圖 。
圖5是本發明的方法的第一實施例的步驟S140的示意圖 。
圖6是本發明的方法的第一實施例的步驟S150的示意圖 。
圖7是本發明的方法的第一實施例的步驟S160的示意圖。
圖8是本發明的方法的第一實施例的第一種實施態樣的俯視圖。
圖9是本發明的方法的第一實施例的第二種實施態樣的俯視圖。
圖10是本發明的第一吸附裝置、第二吸附裝置和真空裝置的連接關係的示意圖。
圖11A及圖11B是本發明的方法的第二實施例的流程圖。
圖12是本發明的方法的第二實施例的步驟S240的示意圖 。
圖13是本發明的方法的第二實施例的步驟S250的示意圖 。
圖14是本發明的方法的第二實施例的步驟S260的示意圖 。
圖15A是本發明的方法的第二實施例的步驟S270的第一種實施態樣的示意圖。
圖15B是本發明的方法的第二實施例的步驟S270的第二種實施態樣的示意圖。
圖16是本發明的方法的第二實施例的步驟S280的示意圖 。
S140~S160:步驟
Claims (9)
- 一種晶粒剝離方法，包括下列步驟： 複數個晶粒分布在一承載膜上，各該晶粒的表面無錫球且無銅柱； 撐開一承載膜，使得該等晶粒之間的縫隙的寬度被擴大； 擷取至少一目標晶粒與至少一相鄰晶粒的影像，該至少一目標晶粒位於該承載膜的一目標區塊的頂面，該至少一相鄰晶粒位於該承載膜的一相鄰區塊的頂面； 接收該影像並且根據該影像判定該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒之間的一縫隙是否對齊一底座中的一第一吸附裝置與一第二吸附裝置之間的一縫隙； 當該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒之間的一縫隙對齊一底座中的一第一吸附裝置與一第二吸附裝置之間的一縫隙時，該底座向上移動，直至該第一吸附裝置抵靠於該目標區塊的底面且該第二吸附裝置抵靠於該相鄰區塊的底面為止；以及 該第一吸附裝置藉由一負壓吸附該目標區塊並且保持不動，該第二吸附裝置藉由一負壓吸附該相鄰區塊，一驅動裝置驅動該第二吸附裝置向下移動，該第二吸附裝置藉由該負壓吸引該相鄰區塊向下移動，使得該目標區塊與該相鄰區塊之間形成一個落差，該落差引起該至少一目標晶粒從該目標區塊的頂面剝離。
- 如請求項1所述的晶粒剝離方法，其中，該等晶粒分布在該等目標區塊上的步驟進一步包括下列步驟：一支撐裝置支撐該承載膜，一環體抵靠於該承載膜的底面；其中，撐開該承載膜的步驟進一步包括下列步驟：該環體向上移動，以撐開該承載膜。
- 如請求項1所述的晶粒剝離方法，其中，擷取影像的步驟進一步包括下列步驟：一影像擷取單元擷取該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒的影像；其中，根據影像判定縫隙是否對齊的步驟進一步包括下列步驟：一處理單元接收該影像並且根據該影像判定該至少一目標晶粒與該至少一相鄰晶粒之間的該縫隙是否對齊該底座中的該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙。
- 如請求項1所述的晶粒剝離方法，其中，在該至少一目標晶粒剝離的步驟之後進一步包括下列步驟：該第一吸附裝置停止藉由該負壓吸附該目標區塊，且該第二吸附裝置停止藉由該負壓吸附該相鄰區塊，使得該目標區塊脫離該第一吸附裝置，且該相鄰區塊脫離該第二吸附裝置；以及一固晶裝置吸取該至少一目標晶粒並且將該至少一目標晶粒放置在一基板上，該基板的表面無錫球且無銅柱。
- 如請求項1所述的晶粒剝離方法，其中，擷取影像的步驟進一步包括下列步驟：擷取單一個目標晶粒與單一個相鄰晶粒的影像；其中，根據影像判定縫隙是否對齊的步驟進一步包括下列步驟：根據該影像判定單一個目標晶粒與單一個相鄰晶粒之間的該縫隙是否對齊該底座中的該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙；其中，該至少一目標晶粒剝離的步驟進一步包括下列步驟：單一個目標晶粒從該目標區塊的頂面剝離。
- 如請求項1所述的晶粒剝離方法，其中，該等晶粒分布在該等目標區塊上的步驟進一步包括下列步驟：該等晶粒排列成多排晶粒組合，每一排晶粒組合包括數顆晶粒；其中，擷取影像的步驟進一步包括下列步驟：擷取多排晶粒組合的其中之一排的多個目標晶粒與多排晶粒組合的另一排的多個相鄰晶粒的影像；其中，根據影像判定縫隙是否對齊的步驟進一步包括下列步驟：根據該影像判定多排晶粒組合的其中之一排的多個目標晶粒與多排晶粒組合的另一排的多個相鄰晶粒的該縫隙是否對齊該底座中的該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙；其中，該至少一目標晶粒剝離的步驟進一步包括下列步驟：多排晶粒組合的其中之一排的多個目標晶粒從該目標區塊的頂面剝離。
- 如請求項1所述的晶粒剝離方法，其中，該底座向上移動的步驟與該至少一目標晶粒剝離的步驟進一步包括下列步驟：至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒；其中，在該至少一目標晶粒剝離的步驟之後進一步包括下列步驟：至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒，該第一吸附裝置停止藉由該負壓吸附該目標區塊，該第二吸附裝置停止藉由該負壓吸附該相鄰區塊，該驅動裝置驅動該第二吸附裝置向上移動，直至該目標區塊與該相鄰區塊對齊為止；該至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒，該底座橫向移動或該承載膜橫向移動，使得該第一吸附裝置與該第二吸附裝置之間的該縫隙對齊該至少一目標晶粒的底面；該至少一固晶裝置吸附該至少一目標晶粒，該第一吸附裝置藉由該負壓吸附該目標區塊並且保持不動，該第二吸附裝置藉由該負壓吸附該相鄰區塊，該驅動裝置驅動該第二吸附裝置向下移動，該第二吸附裝置藉由該負壓吸引該相鄰區塊向下移動，使得該目標區塊與該相鄰區塊之間形成一個落差，該落差引起該至少一目標晶粒從該目標區塊上剝離的範圍的擴大；以及反覆執行上述步驟，直至該至少一目標晶粒完全脫離該目標區塊的頂面為止。
- 如請求項1或4或7所述的晶粒剝離方法，其中，該第一吸附裝置開設至少一第一通道，該第二吸附裝置開設至少一第二通道，該至少一第一通道與該至少一第二通道皆連接一真空裝置；當該真空裝置對該至少一第一通道與該至少一第二通道同步抽氣時，該至少一第一通道與該至少一第二通道的氣體向外排出以產生真空並且同步提供該負壓，因而該第一吸附裝置藉由該負壓吸附該目標區塊，且該第二吸附裝置藉由該負壓吸附該相鄰區塊。
- 如請求項4或7所述的晶粒剝離方法，其中，該第一吸附裝置開設至少一第一通道，該第二吸附裝置開設至少一第二通道，該至少一第一通道與該至少一第二通道皆連接一真空裝置；當該真空裝置停止對該至少一第一通道與該至少一第二通道同步抽氣時，該至少一第一通道與該至少一第二通道不再產生真空，該真空裝置不再提供該負壓，因而該第一吸附裝置停止藉由該負壓吸附該目標區塊，且該第二吸附裝置停止藉由該負壓吸附該相鄰區塊。
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