TWI834450B - 利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法 - Google Patents
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Abstract
一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，包括下列步驟：周邊負壓吸附承載膜的目標區塊的周邊；頂推件透過目標區塊推動晶粒上升，使得晶粒的周邊與目標區塊的周邊分離；中心負壓吸附目標區塊的中心，使得目標區塊的中心與晶粒的中心分離；中心負壓切換成中心正壓，中心正壓吹拂目標區塊的中心，使得目標區塊的中心接觸晶粒的中心；以及中心正壓持續吹拂目標區塊的中心，使得目標區塊的中心持續推動晶粒上升，晶粒從其周邊往其中心的方向與目標區塊逐漸分離。藉此，本發明的方法可降低承載膜的黏度對晶粒的影響力，縮短剝離時間，無應力集中問題。
Description
本發明是有關一種晶粒剝離方法，特別是一種利用頂出手段結合氣壓控制手段將晶粒與承載膜分離的晶粒剝離方法。
晶圓被切割成複數個晶粒以後，該等晶粒將會從承載膜被轉移到基板上。在轉移的過程中，首先，支撐裝置支撐承載膜的目標區塊；接著，在理想狀態之下，複數個頂推件從支撐裝置的內部上升至支撐裝置的外部並且透過目標區塊推動晶粒上升，使得晶粒的周邊與目標區塊的周邊分離，且晶粒的中心與目標區塊的中心分離；在晶粒上升的過程中，晶粒接觸到固晶裝置，固晶裝置吸取晶粒；最後，該等頂推件下降至支撐裝置的內部，同時固晶裝置將晶粒移動至基板上。
然而，當該等頂推件透過目標區塊推動晶粒上升時，如果承載膜的黏度較強，則目標區塊的中心仍會緊緊地黏住晶粒的中心，但又恰好可與支撐裝置分離，此時只有晶粒的周邊與目標區塊的周邊分離，造成固晶裝置無法將晶粒從承載膜上移開。
再者，當該等頂推件透過目標區塊推動晶粒上升時，如果承載膜的黏度太強，則不僅目標區塊的中心仍會緊緊地黏住晶粒的中心，且又目標區塊的中心也會緊緊地黏住支撐裝置，造成晶粒的中心嚴重彎曲變形，甚至破損。
此外，當該等頂推件透過目標區塊推動晶粒上升時，該等頂推件上升的距離較大，導致晶粒的中心與目標區塊的中心的剝離時間較長，增加作業時間，降低產能。
又，當該等頂推件透過目標區塊推動晶粒上升時，該等頂推件的頂端較為尖銳，應力容易過度集中，進而發生晶粒破損或承載膜破損且殘留在晶粒的表面。
還有，該等頂推件藉由承載膜推動晶粒的上升速度較快，晶粒與固晶裝置的接觸力量過大，導致晶粒破損。
本發明的主要目的在於提供一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，能夠藉由抬高作用、吸附作用和吹拂作用，降低承載膜的黏度對於晶粒的影響力。
本發明的另一目的在於提供一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，能夠藉由抬高作用、吸附作用和吹拂作用，降低承載膜的黏度對於支撐裝置的影響力。
本發明的又一目的在於提供一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，能夠藉由持續吹拂作用以較緩和的方式將晶粒與承載膜分離，縮短剝離時間，且不會有應力集中的問題。
本發明的又一目的在於提供一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，能夠藉由持續吹拂作用讓晶粒以較緩和的方式接觸固晶裝置，晶粒與固晶裝置的接觸力量較小。
為了達成前述的目的，本發明提供一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，包括下列步驟：藉由一周邊負壓吸附一承載膜的一目標區塊的周邊，且該目標區塊上具有一晶粒，該晶粒的表面無錫球且無銅柱；複數個頂推件透過該目標區塊推動該晶粒上升，使得該晶粒的周邊與該目標區塊的周邊分離；藉由一中心負壓吸附該目標區塊的中心，使得該目標區塊的中心向下凹陷並且與該晶粒的中心分離；該中心負壓切換成一中心正壓，藉由該中心正壓吹拂該目標區塊的中心，使得該目標區塊的中心向上隆起並且接觸該晶粒的中心；以及藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心，使得該目標區塊的中心持續向上隆起並且推動該晶粒上升，且該晶粒從其周邊往其中心的方向與該目標區塊逐漸分離。
在一些實施例中，藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心進一步包括下列步驟：在該晶粒上升的過程中，該晶粒接觸到一固晶裝置；該固晶裝置吸取該晶粒並且將該晶粒往上移動，從而該晶粒與該目標區塊完全分離。
在一些實施例中，在藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心之後進一步包括下列步驟：停止提供該中心正壓，且該等頂推件下降，使得該目標區塊的中心逐漸恢復成平坦狀，同時該固晶裝置將該晶粒移動至一基板上，該基板的表面無錫球且無銅柱。
在一些實施例中，藉由該周邊負壓吸附該目標區塊的周邊的步驟進一步包括下列步驟：一支撐裝置支撐該承載膜的該目標區塊並且提供該周邊負壓；其中，該等頂推件透過該目標區塊推動該晶粒上升的步驟進一步包括下列步驟：該等頂推件從該支撐裝置的內部上升至該支撐裝置的外部，該目標區塊的中心與該支撐裝置分離；其中，藉由該中心負壓吸附該目標區塊的中心的步驟進一步包括下列步驟：該支撐裝置提供該中心負壓，使得該目標區塊的中心接觸該支撐裝置；其中，該中心負壓切換成該中心正壓的步驟進一步包括下列步驟：該支撐裝置將該中心負壓切換成該中心正壓，使得該目標區塊的中心與該支撐裝置分離；其中，藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心進一步包括下列步驟：該支撐裝置持續提供該中心正壓；以及其中，停止提供該中心正壓的步驟進一步包括下列步驟：該支撐裝置停止提供該中心正壓，且該等頂推件下降至該支撐裝置的內部，該目標區塊的中心與該支撐裝置之間的空間中的空氣通過該支撐裝置向外排出，使得該目標區塊的中心逐漸恢復成平坦狀並且接觸該支撐裝置。
在一些實施例中，該等頂推件透過該目標區塊推動該晶粒上升的步驟、藉由該中心負壓吸附該目標區塊的中心的步驟、該中心負壓切換成該中心正壓的步驟、藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心以及停止提供該中心正壓的步驟皆進一步包括下列步驟：該支撐裝置持續提供該周邊負壓，並且藉由該周邊負壓持續吸附該目標區塊的周邊。
在一些實施例中，在停止提供該中心正壓的步驟之後進一步包括下列步驟：該支撐裝置停止提供該周邊負壓；以及，將該支撐裝置移動至另一目標區塊的下方並且支撐該另一目標區塊，將該固晶裝置移動至另一目標區塊的上方。
在一些實施例中，該支撐裝置開設複數個第一氣壓通道、一第二氣壓通道、複數個第一開口及複數個第二開口，該等第一氣壓通道分別與該等第一開口相連通，該第二氣壓通道與該等第二開口相連通；其中，該等第一氣壓通道提供該周邊負壓，該周邊負壓通過該等第一開口吸附該目標區塊的周邊；其中，該等頂推件設置於該第二氣壓通道中並且能夠穿過該等第二開口上升或下降；其中，該第二氣壓通道提供該中心負壓或該中心正壓，該中心負壓通過該等第二開口吸附該目標區塊的中心，該中心正壓通過該等第二開口吹拂該目標區塊的中心；以及其中，該目標區塊的中心與該支撐裝置之間的空間中的空氣依序通過該等第二開口與該第二氣壓通道向外排出。
在一些實施例中，該支撐裝置包括一外殼及一內殼，該內殼設置於該外殼中，該外殼的內部開設該等第一氣壓通道，該外殼的頂端開設該等第一開口，該內殼的內部開設該第二氣壓通道，該內殼的頂端開設該等第二開口。
在一些實施例中，該等第一氣壓通道與該第二氣壓通道皆連接一真空裝置，該第二氣壓通道連接一氣體供應裝置，該真空裝置對該等第一氣壓通道抽氣以產生真空並且提供該周邊負壓，該真空裝置該第二氣壓通道抽氣以產生真空並且提供該中心負壓，該氣體供應裝置對該第二氣壓通道吹氣以產生氣流並且提供該中心正壓。
在一些實施例中，藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心進一步包括下列步驟：該中心正壓的壓力持續增加。
本發明的功效在於，本發明的方法能夠藉由周邊負壓的吸附作用和該等頂推件的抬高作用，達到晶粒的周邊與目標區塊的周邊分離的效果，且本發明的方法能夠藉由中心負壓的吸附作用和中心正壓的吹拂作用，降低承載膜的黏度對晶粒的影響力。藉此，即使目標區塊的中心接觸晶粒的中心，中心正壓的持續吹拂作用也能夠輕易地將晶粒的中心從目標區塊的中心上剝離，不會受到承載膜的黏度影響。
再者，本發明的方法能夠藉由該等頂推件的抬高作用、中心負壓的吸附作用和中心正壓的吹拂作用，降低承載膜的黏度對於支撐裝置的影響力。藉此，即使目標區塊的中心接觸支撐裝置，中心正壓的持續吹拂作用也能夠輕易地將目標區塊的中心從支撐裝置上剝離，不會受到承載膜的黏度影響，從而晶粒不會發生彎曲變形的問題。
此外，中心正壓的持續吹拂作用能夠縮短晶粒的中心從目標區塊的中心上的剝離時間，縮短作業時間，提升產能。
又，中心正壓的持續吹拂作用能夠讓晶粒的中心與目標區塊的中心以較為緩和的方式逐漸分離，不會有應力集中的問題，避免晶粒破損或承載膜破損且殘留在晶粒的表面。
還有，中心正壓的持續吹拂作用能夠讓目標區塊的中心緩和地向上隆起，目標區塊的中心能夠緩慢地推動晶粒上升並且以較為緩和的方式接觸固晶裝置，降低晶粒與固晶裝置的接觸力量，避免晶粒破損。
以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。
圖1A和圖1B是本發明的方法的流程圖，圖2是本發明的方法的步驟S10的示意圖，圖3是本發明的方法的步驟S20的示意圖，圖4是本發明的方法的步驟S30的示意圖，圖5是本發明的方法的步驟S40的示意圖，圖6至圖9是本發明的方法的步驟S50的示意圖。本發明提供一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，包括下列步驟：
步驟S10，如圖1A和圖2所示，一支撐裝置10支撐一承載膜20的一目標區塊21，提供一周邊負壓13，並且藉由周邊負壓13吸附承載膜20的目標區塊21的周邊211，且目標區塊21上具有一晶粒30，晶粒30的表面無錫球且無銅柱。
步驟S20，如圖1A和圖3所示，複數個頂推件40從支撐裝置10的內部上升至支撐裝置10的外部並且透過目標區塊21推動晶粒30上升，使得晶粒30的周邊31與目標區塊21的周邊211分離，同時目標區塊21的中心212與支撐裝置10分離。
步驟S30，如圖1A和圖4所示，支撐裝置10提供一中心負壓14，並且藉由中心負壓14吸附目標區塊21的中心212，使得目標區塊21的中心212向下凹陷並且與晶粒30的中心32分離以接觸支撐裝置10。
步驟S40，如圖1A和圖5所示，支撐裝置10將中心負壓14切換成一中心正壓15，並且藉由中心正壓15吹拂目標區塊21的中心212，使得目標區塊21的中心212向上隆起並且與支撐裝置10分離以接觸晶粒30的中心32。
步驟S50，如圖1B、圖6、圖7、圖8和圖9所示，支撐裝置10持續提供中心正壓15，並且藉由中心正壓15持續吹拂目標區塊21的中心212，使得目標區塊21的中心212持續向上隆起並且推動晶粒30上升，且晶粒30從其周邊31往其中心32的方向與目標區塊21逐漸分離。
綜上所述，本發明的方法能夠藉由周邊負壓13的吸附作用和該等頂推件40的抬高作用，達到晶粒30的周邊31與目標區塊21的周邊211分離的效果，且本發明的方法能夠藉由中心負壓14的吸附作用和中心正壓15的吹拂作用，降低承載膜20的黏度對於晶粒的影響力。藉此，即使目標區塊21的中心212接觸晶粒30的中心32，中心正壓15的持續吹拂作用也能夠輕易地將晶粒30的中心32從目標區塊21的中心212上剝離，不會受到承載膜20的黏度影響。
再者，本發明的方法能夠藉由該等頂推件40的抬高作用、中心負壓14的吸附作用和中心正壓15的吹拂作用，降低承載膜20的黏度對於支撐裝置10的影響力。藉此，即使目標區塊21的中心212接觸支撐裝置10，中心正壓15的持續吹拂作用也能夠輕易地將目標區塊21的中心212從支撐裝置10上剝離，不會受到承載膜20的黏度影響，從而晶粒30不會發生彎曲變形的問題。
此外，中心正壓15的持續吹拂作用能夠縮短晶粒30的中心32從目標區塊21的中心212上的剝離時間，縮短作業時間，提升產能。
又，中心正壓15的持續吹拂作用能夠讓晶粒30的中心32與目標區塊21的中心212以較為緩和的方式逐漸分離，不會有應力集中的問題，避免晶粒30破損或承載膜20破損且殘留在晶粒30的表面。
如圖1B、圖8及圖9所示，在較佳實施例中，步驟S50，在晶粒30上升的過程中，晶粒30接觸到一固晶裝置50；固晶裝置50吸取晶粒30並且將晶粒30往上移動，從而晶粒30與目標區塊21完全分離。更詳而言之，中心正壓15的持續吹拂作用能夠讓目標區塊21的中心212緩和地向上隆起，目標區塊21的中心212能夠緩慢地推動晶粒30上升並且以較為緩和的方式接觸固晶裝置50，降低晶粒30與固晶裝置50的接觸力量，避免晶粒30破損。再者，由於晶粒30的中心32能夠輕易地從目標區塊21的中心212上剝離，因此固晶裝置50能夠輕易地將晶粒30往上移動，不會受到承載膜20的黏度影響。
圖10和圖11是本發明的方法的步驟S60的示意圖。在較佳實施例中，在步驟S50之後進一步包括下列步驟：步驟S60，如圖1B、圖10和圖11所示，支撐裝置10停止提供中心正壓15，且該等頂推件40下降至支撐裝置10的內部，目標區塊21的中心212與支撐裝置10之間的空間中的空氣通過支撐裝置10向外排出，使得目標區塊21的中心212逐漸恢復成平坦狀並且接觸支撐裝置10，同時固晶裝置50將晶粒30移動至一基板80上，基板80的表面無錫球且無銅柱。
如圖1A、圖1B和圖3至圖11所示，在較佳實施例中，步驟S20、步驟S30、步驟S40、步驟S50、步驟S60皆進一步包括下列步驟：支撐裝置10持續提供周邊負壓13並且藉由周邊負壓13持續吸附目標區塊21的周邊211。藉此，晶粒30的周邊31與目標區塊21的周邊211能夠持續保持分離。
如圖1B及圖6至圖9所示，在較佳實施例中，步驟S50進一步包括下列步驟：中心正壓15的壓力持續增加。更清楚地說，受到中心正壓15的壓力持續增加的影響之下，目標區塊21的中心212能夠以穩定的速度持續向上隆起，使得晶粒30的中心32與目標區塊21的中心212能夠以穩定的速度逐漸分離。
圖12是本發明的方法的步驟S70的示意圖，圖13是本發明的方法的步驟S80的示意圖。在較佳實施例中，在步驟S60之後進一步包括下列步驟：
步驟S70，如圖1B及圖12所示，支撐裝置10停止提供周邊負壓13。
步驟S80，如圖1B及圖13所示，將支撐裝置10移動至另一目標區塊21的下方並且支撐另一目標區塊21A，將固晶裝置50移動至另一目標區塊21A的上方。
具體而言，由於支撐裝置10已經停止提供周邊負壓13，因此支撐裝置10不再藉由周邊負壓13吸附目標區塊21，支撐裝置10得以順利地移動到另一目標區塊21，不會受到周邊負壓13的影響，同時固晶裝置50也對準另一目標區塊21A上的晶粒30，以便對另一目標區塊21A上的晶粒30進行轉移程序。
如圖2所示，在較佳實施例中，支撐裝置10包括一外殼11及一內殼12，內殼12設置於外殼11中。外殼11的內部開設複數個第一氣壓通道111，外殼11的頂端開設複數個第一開口112，該等第一氣壓通道111分別與該等第一開口112相連通。內殼12的內部開設一第二氣壓通道121，內殼12的頂端開設複數個第二開口122，該第二氣壓通道121與該等第二開口122相連通。
如圖2至圖11所示，該等第一氣壓通道111提供周邊負壓13，周邊負壓13通過該等第一開口112吸附目標區塊21的周邊211。如圖3和圖10所示，該等頂推件40設置於第二氣壓通道121中並且能夠穿過該等第二開口122上升或下降。如圖4至圖9所示，第二氣壓通道121提供中心負壓14或中心正壓15，中心負壓14通過該等第二開口122吸附目標區塊21的中心212，中心正壓15通過該等第二開口122吹拂目標區塊21的中心212。如圖10和圖11所示，目標區塊21的中心212與支撐裝置10之間的空間中的空氣依序通過該等第二開口122與第二氣壓通道121向外排出。
圖14是本發明的第一氣壓通道111、第二氣壓通道121、真空裝置60與氣體供應裝置70的連接關係的示意圖。如圖14所示，該等第一氣壓通道111與第二氣壓通道121皆連接一真空裝置60，第二氣壓通道121連接一氣體供應裝置70。如圖2至圖11及圖14所示，真空裝置60對該等第一氣壓通道111抽氣以產生真空並且提供周邊負壓13。如圖4及圖14所示，真空裝置60對第二氣壓通道121抽氣以產生真空並且提供中心負壓14。如圖5至圖9及圖14所示，氣體供應裝置70對第二氣壓通道121吹氣以產生氣流並且提供中心正壓15。
以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。
10:支撐裝置
11:外殼
111:第一氣壓通道
112:第一開口
12:內殼
121:第二氣壓通道
122:第二開口
13:周邊負壓
14:中心負壓
15:中心正壓
20:承載膜
21,21A:目標區塊
211:周邊
212:中心
30:晶粒
31:周邊
32:中心
40:頂推件
50:固晶裝置
60:真空裝置
70:氣體供應裝置
80:基板
S10~S80:步驟
圖1A和圖1B是本發明的方法的流程圖。
圖2是本發明的方法的步驟S10的示意圖。
圖3是本發明的方法的步驟S20的示意圖。
圖4是本發明的方法的步驟S30的示意圖。
圖5是本發明的方法的步驟S40的示意圖。
圖6至圖9是本發明的方法的步驟S50的示意圖。
圖10和圖11是本發明的方法的步驟S60的示意圖。
圖12是本發明的方法的步驟S70的示意圖。
圖13是本發明的方法的步驟S80的示意圖。
圖14是本發明的第一氣壓通道、第二氣壓通道、真空裝置與氣體供應裝置的連接關係的示意圖。
S10~S40:步驟
Claims (10)
- 一種利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，包括下列步驟： 藉由一周邊負壓吸附一承載膜的一目標區塊的周邊，且該目標區塊上具有一晶粒，該晶粒的表面無錫球且無銅柱； 複數個頂推件透過該目標區塊推動該晶粒上升，使得該晶粒的周邊與該目標區塊的周邊分離； 藉由一中心負壓吸附該目標區塊的中心，使得該目標區塊的中心向下凹陷並且與該晶粒的中心分離； 該中心負壓切換成一中心正壓，藉由該中心正壓吹拂該目標區塊的中心，使得該目標區塊的中心向上隆起並且接觸該晶粒的中心； 以及 藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心，使得該目標區塊的中心持續向上隆起並且推動該晶粒上升，且該晶粒從其周邊往其中心的方向與該目標區塊逐漸分離。
- 如請求項1所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心進一步包括下列步驟：在該晶粒上升的過程中，該晶粒接觸到一固晶裝置；該固晶裝置吸取該晶粒並且將該晶粒往上移動，從而該晶粒與該目標區塊完全分離。
- 如請求項2所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，在藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心之後進一步包括下列步驟：停止提供該中心正壓，且該等頂推件下降，使得該目標區塊的中心逐漸恢復成平坦狀，同時該固晶裝置將該晶粒移動至一基板上，該基板的表面無錫球且無銅柱。
- 如請求項3所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，藉由該周邊負壓吸附該目標區塊的周邊的步驟進一步包括下列步驟：一支撐裝置支撐該承載膜的該目標區塊並且提供該周邊負壓；其中，該等頂推件透過該目標區塊推動該晶粒上升的步驟進一步包括下列步驟：該等頂推件從該支撐裝置的內部上升至該支撐裝置的外部，該目標區塊的中心與該支撐裝置分離；其中，藉由該中心負壓吸附該目標區塊的中心的步驟進一步包括下列步驟：該支撐裝置提供該中心負壓，使得該目標區塊的中心接觸該支撐裝置；其中，該中心負壓切換成該中心正壓的步驟進一步包括下列步驟：該支撐裝置將該中心負壓切換成該中心正壓，使得該目標區塊的中心與該支撐裝置分離；其中，藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心進一步包括下列步驟：該支撐裝置持續提供該中心正壓；以及其中，停止提供該中心正壓的步驟進一步包括下列步驟：該支撐裝置停止提供該中心正壓，且該等頂推件下降至該支撐裝置的內部，該目標區塊的中心與該支撐裝置之間的空間中的空氣通過該支撐裝置向外排出，使得該目標區塊的中心逐漸恢復成平坦狀並且接觸該支撐裝置。
- 如請求項4所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，該等頂推件透過該目標區塊推動該晶粒上升的步驟、藉由該中心負壓吸附該目標區塊的中心的步驟、該中心負壓切換成該中心正壓的步驟、藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心以及停止提供該中心正壓的步驟皆進一步包括下列步驟：該支撐裝置持續提供該周邊負壓，並且藉由該周邊負壓持續吸附該目標區塊的周邊。
- 如請求項5所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，在停止提供該中心正壓的步驟之後進一步包括下列步驟：該支撐裝置停止提供該周邊負壓；以及，將該支撐裝置移動至另一目標區塊的下方並且支撐該另一目標區塊，將該固晶裝置移動至另一目標區塊的上方。
- 如請求項4至6中任一項所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，該支撐裝置開設複數個第一氣壓通道、一第二氣壓通道、複數個第一開口及複數個第二開口，該等第一氣壓通道分別與該等第一開口相連通，該第二氣壓通道與該等第二開口相連通；其中，該等第一氣壓通道提供該周邊負壓，該周邊負壓通過該等第一開口吸附該目標區塊的周邊；其中，該等頂推件設置於該第二氣壓通道中並且能夠穿過該等第二開口上升或下降；其中，該第二氣壓通道提供該中心負壓或該中心正壓，該中心負壓通過該等第二開口吸附該目標區塊的中心，該中心正壓通過該等第二開口吹拂該目標區塊的中心；以及其中，該目標區塊的中心與該支撐裝置之間的空間中的空氣依序通過該等第二開口與該第二氣壓通道向外排出。
- 如請求項7所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，該支撐裝置包括一外殼及一內殼，該內殼設置於該外殼中，該外殼的內部開設該等第一氣壓通道，該外殼的頂端開設該等第一開口，該內殼的內部開設該第二氣壓通道，該內殼的頂端開設該等第二開口。
- 如請求項7所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，該等第一氣壓通道與該第二氣壓通道皆連接一真空裝置，該第二氣壓通道連接一氣體供應裝置，該真空裝置對該等第一氣壓通道抽氣以產生真空並且提供該周邊負壓，該真空裝置該第二氣壓通道抽氣以產生真空並且提供該中心負壓，該氣體供應裝置對該第二氣壓通道吹氣以產生氣流並且提供該中心正壓。
- 如請求項1所述的利用頂出手段結合氣壓控制手段的晶粒剝離方法，其中，藉由該中心正壓持續吹拂該目標區塊的中心進一步包括下列步驟：該中心正壓的壓力持續增加。
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