JP4945339B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(c)前記工程(b)の後、主に、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着(または真空源を使用しない吸着、以下同じ)により保持した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程。
(b1)前記第1のチップを、前記配線基板の前記上面へ向けて第1の速度で降下させる工程;
(b2)前記工程(b1)に引き続き、前記第1のチップを、前記第1の速度よりも遅い第2の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程、
更に、前記工程(c)は、以下の下位工程を含む:
(c1)前記第1のチップを、着地するまで前記第2の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程。
(e)前記工程(b)より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からUV光を照射する工程。
(a)ほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;
(b)前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、
ここで、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は15以上、55未満である。
(a)複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(c)前記工程(b)の後、主に、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は15以上、55未満である。
(e)前記工程(b)より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からUV光を照射する工程。
(a)ほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のチップの前記表面を前記吸着コレットの前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(e)前記工程(d)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は15以上、55未満である。
(e)前記工程(b)より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からUV光を照射する工程。
(a)複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記ラバーチップは中央部に真空吸着孔を有するとともに、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は10以上、70未満である。
(e)前記工程(b)より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からUV光を照射する工程。
(a)複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(c)前記工程(b)の後、主に、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記吸着コレット本体内の真空吸引系にはリーク孔が設けられ、そこを介してリークした状態で真空吸着が行われる。
(e)前記工程(b)より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からUV光を照射する工程。
(a)複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(c)前記工程(b)の後、主に、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着により保持した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程;
(e)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第2のチップの表面を前記吸着コレットの前記ラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第2のチップを、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(f)前記工程(e)の後、主に、前記第2のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着により保持した状態で、前記第2のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた前記配線基板の前記上面に着地させる工程;
(g)前記工程(f)の後、前記第2のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第2のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の前記接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程;
(h)前記工程(g)の後、前記第1および第2のチップの前記表面側を一括して前記コレットと異なる部材により加圧することにより、前記配線基板の前記上面との熱圧着を進行させる工程。
(e)前記工程(b)より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からUV光を照射する工程。
(a)ほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;
(b)前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、
ここで、前記工程(b)は以下の下位工程を含む:
(b1)前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程、
更に、ここで、前記ラバーチップは、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は10以上、70未満である。
(b2)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または中断させる工程;
(b3)前記剥離動作を中断させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再開する工程。
(b4)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または減速させる工程;
(b5)前記剥離動作を減速させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再加速させる工程。
(b6)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続させ、または前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。
(b7)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続させ、または前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を減速させる工程。
(b8)前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;
(b9)前記下位工程(b8)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。
(b10)前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;
(b11)前記下位工程(b10)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。
(b12)前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;
(b13)前記下位工程(b12)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程。
(b14)前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;
(b15)前記工程(b14)の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;
(b16)前記下位工程(b15)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。
(b17)前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;
(b18)前記工程(b17)の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;
(b19)前記下位工程(b18)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。
(b20)前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;
(b21)前記工程(b20)の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;
(b22)前記下位工程(b21)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックの降下を前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程。
(b23)前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記下部基体の主要部を成すスライド板を前記第1のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせる工程;
(b24)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記スライド板を前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。
(b25)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または中断させる工程;
(b26)前記剥離動作を中断させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再開させるか、または前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。
(b27)前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または減速させる工程;
(b28)前記剥離動作を減速させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再加速させるか、または前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。
(b29)前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;
(b30)前記下位工程(b29)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程;
(b31)前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を再開するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。
(b32)前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;
(b33)前記工程(b32)の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;
(b34)前記下位工程(b33)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程;
(b35)前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を再開させるか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。
(b36)前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;
(b37)前記下位工程(b36)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程;
(b38)前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を再開するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。
(b39)前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;
(b40)前記工程(b39)の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;
(b41)前記下位工程(b40)の後、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックの降下を前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程;
(b42)前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程(b1)のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を再開させるか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
1.全体プロセス・装置説明(主に図1から30)
本実施の形態は、配線基板上にチップを実装する半導体パッケージの製造に適用したものであり、その製造方法を図1〜図29を用いて工程順に説明する。
処理方法は、ウエハの厚さ方向に進行する処理速度が、グラインダによる研削の速度に比べて遅い反面、ウエハ内部に与えるダメージがグラインダによる研削に比較して小さいだけでなく、グラインダによる研削で発生したウエハ内部のダメージ層を除去することができ、ウエハ1Aおよびチップが割れにくくなるという効果がある。
択的に吸着、保持できるようになっている。図12から図31においては、簡潔性を確保するためにコレット105の詳細構造を省略して示している。この詳細構造は、図32以降で詳しく説明する。
え板7とエキスパンドリング8によって水平方向の張力が加えられているダイシングテープ4に対して、さらに張力を加えることができるので、吸着駒102とダイシングテープ4をより確実に密着させることができる。
れるので、3個のブロック110a〜110cが同時に押し上げられる。そして、外側のブロック110aの一部(図の矢印で示す面)が吸着駒102の周辺部と接触することによって、ブロック110a〜110cの上昇が停止する。このとき、剥離の対象となるチップ1の大部分の領域は、3個のブロック110a〜110cの上面によって支えられており、ブロック110aの上面の外周(角部)よりも外側の領域において、チップ1とダイシングテープ4との界面での剥離が効率的に進行する。
図31から38を用いて、剥離動作制御、コレット105の詳細構造、およびそれらと下部基体102(吸着駒)との関係を説明する。
以下の剥離プロセスは、セクション1で説明した全体プロセスに適宜選択して単独でまたは複数組み合わせて適用することができる。
図39は突き上げブロック110の各サブブロック110aから110cを順次突き上げてダイシングテープ4を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図40はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。以下の各例では、明確に説明できるように、各剥離素過程ごとに最初はリークして2度目はリークしない例をあげて例示している。
(1)ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着する(テープ吸着ステップ31)。
(2)コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面(限定はされないが一般にデバイス面)に着地する(コレット着地ステップ32)。着地した状態を図40aに示す。
(3)突き上げブロック110が一括上昇する(1段目上昇ステップ33)。チップ1およびコレット105もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部102aは動かないのでチップ1の外周のダイシングテープ4を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。
(4)リークありを検知する(リーク検知ステップ34;図40b参照)。なお、リークなしの場合は即ステップ(9)に進む。リーク133を検出したときの状態を図40bに示す。
(5)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(3)の上昇動作を減速(停止を含む)する(図40c参照)。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(7)へ進む。ただ、このステップは(4)から即次のステップ(6)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。なお、以下の例でも同じであるが、一般に粘着テープからの剥離は、レオロジー的な現象であり、高速では剥離困難でも、弱めの張力をかけながら時間を置くと簡単に剥離する場合が多い。従って、停止待機や減速待機は有効な場合が多い。
(6)ステップ(3)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(3)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110を一括降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。これは以下の例でも同じであるが、チップが湾曲することで、張力が緩和され、その結果、時間をかけても剥離が一向に進行しない場合に有効である。このようにもとの状態に戻ると粘着テープは再びチップの裏面に粘着することになるが、一般に再粘着時の粘着力は初期粘着の際の粘着力と比較して弱いと考えられる。また、UV硬化型テープでUV照射されたものは、特に再粘着時の粘着力は大幅に減少している。
(7)突き上げブロック110が一括再上昇する(1段目上昇)。
(8)リークなしを検知する。リークがなくなった状態を図40cに示す。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(9)突き上げブロック110bおよび110cが一括上昇する(2段目上昇ステップ35)。このとき、突き上げブロック110aや下部基体周辺部102aは動かない。
(10)リークあり(リーク検知ステップ36)。なお、リークなしの場合は即ステップ(15)に進む。
(11)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(9)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(13)へ進む。ただ、このステップは(10)から即次のステップ(12)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(12)ステップ(9)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(9)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cを一括降下させる。
(13)2段目を再上昇させる(2段目再上昇)。
(14)リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(15)最終段すなわち突き上げブロック110cを単独上昇させる(最終段上昇ステップ37)。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って上昇する。
(16)リークあり(リーク検知ステップ38)。なお、リークなしの場合は即ステップ(21)に進む。
(17)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(15)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(19)へ進む。ただ、このステップは(16)から即次のステップ(18)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(18)ステップ(15)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(15)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110cを単独降下させる。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って降下する。
(19)最終段を再上昇させる(最終段再上昇)。
(20)リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(21)コレットが上昇して完全剥離する(完全剥離ステップ39)。
図41は主にコレット105の上昇・下降を繰り返すことによってダイシングテープ4を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図42はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
(1)ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着する(テープ吸着ステップ41)。
(2)コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面(限定はされないが一般にデバイス面)に着地する(コレット着地ステップ42)。着地した状態を図42aに示す。
(3)突き上げブロック110が一括上昇する(1段目上昇ステップ43;図42b参照)。チップ1およびコレット105もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部102aは動かないのでチップ1の外周のダイシングテープ4を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。
(4)リークありを検知する(リーク検知ステップ44)。なお、リークなしの場合は即ステップ(9)に進む。
(5)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(3)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(7)へ進む。ただ、このステップは(4)から即次のステップ(6)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(6)ステップ(3)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(3)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110を一括降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
(7)突き上げブロック110が一括再上昇する(1段目再上昇)。
(8)リークなしを検知する。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(9)チップ1を真空吸着した状態でコレット105を上昇させる(コレット単独上昇ステップ45;図42cおよびd参照)。
(10)リークありを検知する(リーク検知ステップ46)。なお、リークなしの場合はそのまま完全剥離する。
(11)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(9)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(13)へ進む。ただ、このステップは(10)から即次のステップ(12)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(12)ステップ(9)開始前の状態に戻る(コレット降下ステップ47;図42e参照)。または、リークモニタでリークがなくなるまで(9)の処理を後退させる。すなわち、コレット105を降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
(13)突き上げブロック110bおよび110cが一括上昇する(2段目上昇ステップ48)。このとき、突き上げブロック110aや下部基体周辺部102aは動かない。
(14)リークあり(リーク検知ステップ49)。なお、リークなしの場合は即ステップ(19)に進む。
(15)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(13)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(17)へ進む。ただ、このステップは(14)から即次のステップ(16)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(16)ステップ(13)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(13)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cを一括降下させる。
(17)2段目を再上昇させる(2段目再上昇)。
(18)リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(19)チップ1を真空吸着した状態でコレット105を上昇させる(コレット単独上昇ステップ50)。
(20)リークありを検知する(リーク検出ステップ51)。なお、リークなしの場合はそのまま完全剥離する。
(21)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(19)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(23)へ進む。ただ、このステップは(20)から即次のステップ(22)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(22)ステップ(19)開始前の状態に戻る(コレット降下ステップ52)。または、リークモニタでリークがなくなるまで(19)の処理を後退させる。すなわち、コレット105を降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
(23)最終段すなわち突き上げブロック110cを単独上昇させる(最終段上昇ステップ53)。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って上昇する。
(24)リークあり(リーク検知ステップ54)。なお、リークなしの場合は即ステップ(29)に進む。
(25)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(23)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(27)へ進む。ただ、このステップは(24)から即次のステップ(26)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(26)ステップ(23)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(23)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110cを単独降下させる。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って降下する。
(27)最終段を再上昇させる(最終段再上昇)。
(28)リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(29)コレットが上昇して完全剥離する(完全剥離ステップ55)。
図43は、突き上げブロック110が一旦上昇し、コレット105がチップ1を吸着した状態で、突き上げブロック110のみが降下することによって、剥離を進行させるプロセスを示す。図44はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
(1)ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着する(テープ吸着ステップ61)。
(2)コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面(限定はされないが一般にデバイス面)に着地する(コレット着地ステップ62)。着地した状態を図44aに示す。
(3)突き上げブロック110が一括上昇する(1段目上昇ステップ63;図44b参照)。チップ1およびコレット105もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部102aは動かないのでチップ1の外周のダイシングテープ4を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。
(4)リークありを検知する(リーク検知ステップ64)。なお、リークなしの場合は即ステップ(9)に進む。
(5)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(3)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(7)へ進む。ただ、このステップは(4)から即次のステップ(6)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(6)ステップ(3)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(3)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110を一括降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
(7)突き上げブロック110が一括再上昇する(1段目再上昇)。
(8)リークなしを検知する。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(9)コレット105がチップ1を真空吸着した状態で、突き上げブロック110のみを降下させる(突き上げブロック一括単独降下ステップ65;図44c参照)。
(10)リークありを検知する(リーク検知ステップ46)。なお、リークなしの場合はそのまま(13)に進む。
(11)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(9)の降下動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(13)へ進む。ただ、このステップは(10)から即次のステップ(12)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(12)ステップ(9)開始前の状態に戻る(突き上げブロック再上昇ステップ67;図44d参照)。または、リークモニタでリークがなくなるまで(9)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110のみを降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
(13)突き上げブロック110bおよび110cが一括上昇する(2段目上昇ステップ68)。このとき、突き上げブロック110aや下部基体周辺部102aは動かない。
(14)リークあり(リーク検知ステップ69)。なお、リークなしの場合は即ステップ(19)に進む。
(15)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(13)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(17)へ進む。ただ、このステップは(14)から即次のステップ(16)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(16)ステップ(13)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(13)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cを一括降下させる。
(17)コレット105がチップ1を真空吸着した状態で、突き上げブロック110bおよび110cのみを降下させる(突き上げブロック一括単独降下ステップ70)。
(18)リークありを検知する(リーク検知ステップ71)。なお、リークなしの場合はそのまま(21)に進む。
(19)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(17)の降下動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(21)へ進む。ただ、このステップは(18)から即次のステップ(20)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(20)ステップ(17)開始前の状態に戻る(突き上げブロック再上昇ステップ72)。または、リークモニタでリークがなくなるまで(17)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cのみを降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
(21)最終段すなわち突き上げブロック110cを単独上昇させる(最終段上昇ステップ73)。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って上昇する。
(22)リークあり(リーク検知ステップ74)。なお、リークなしの場合は即ステップ(27)に進む。
(23)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで(21)の上昇動作を減速(停止を含む)する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ(27)へ進む。ただ、このステップは(22)から即次のステップ(24)に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
(24)ステップ(21)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで(21)の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110cを他のブロックとともに降下させる。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って降下する。
(25)最終段を再上昇させる(最終段再上昇)。
(26)リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して(またはアラーム信号をホストに送信)停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(27)コレットが上昇して完全剥離する(完全剥離ステップ75)。
先のセクションまでの剥離装置では、チップ1の下部には突き上げブロック110があったが、他の装置では、図46bに示すように、その代わりにスライド板183が水平方向にスライドすることによって、剥離を進行させるものがある。同図において、構造を説明する。図46aは対象とするチップ1側から見た上面図である。吸着駒102にはスライド板183を収容するためのリセス部181が設けられており、リセス部181の底面には真空吸引孔182があり、他の装置同様にリセス部181外部周辺の吸着駒102には真空吸引孔103が設けられている。図45はこの装置によってダイシングテープ4を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図47はその要部断面フロー図である。図45から47に基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
(1)ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着する(テープ吸着ステップ81)。
(2)コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面(限定はされないが一般にデバイス面)に着地する(コレット着地ステップ82)。着地した状態を図47aに示す。
(3)コレットリークありを検出する(リーク検出ステップ83;図47b)。
(4)待機する(流量設定値到達待ちステップ84;図47c)。リーク量が許容範囲になったら次のステップに進む。
(5)スライド板183をチップ1とのオーバーラップが減少する方向にスライド開始する(スライド・ステップ85;図47d)。コレットリークありを検出するまでそのままスライドする。
(6)リークありを検出する。
(7)スライド速度をリークが許容範囲となるまで減速する(または、停止して、待つ)。すなわち、待機ステップ86である。
(8)リークなし検出。
(9)スライド再開し、スライド・ストローク・エンドに到達し、コレットが上昇を開始する(スライド・エンド&コレット上昇ステップ87)。
(10)リークありを検出する(リーク検出ステップ88)。
(11)コレット上昇速度をリークが許容範囲となるまで減速する(または、停止して、待つ)。すなわち、待機ステップ89である。
(12)リークなしを検出。
(13)コレットが上昇して完全剥離する(完全剥離ステップ90)
この剥離プロセスのメリットは比較的簡単なステップ構成で実行できるところにある。
以下のティーチング・プロセスはセクション3で説明した各種の剥離プロセス、セクション2で説明した各種のコレット構造、およびセクション1で説明した全体プロセスに適宜選択して単独でまたは複数組み合わせて適用することができる。
図48は、リーク検出とそれを用いたプロセスパラメータの自動取得すなわちティーチング・プロセスの原理を説明するための説明図である。図48a、b、およびcはその要部断面フロー図であり、図48dは図31に説明したリーク検出の原理との関係を示すタイミングチャートである。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
(1)目的とするチップ1が吸着駒(下部基体)102と吸着コレット105の中心に来るように位置あわせする。ここで流量検出がオンになる(検出動作開始ステップすなわちティーチング開始ステップ151)。
(2)ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着する(テープ吸着ステップ152)。
(3)コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面(限定はされないが一般にデバイス面)に着地する(コレット着地ステップ153)。着地した状態を図48aに示す。
(4)十分に遅い速度(初期速度)で突き上げブロック(突き上げ治具)全体が上面をそろえて上昇する(突き上げブロック上昇ステップ154)。
(5)リークありを検出する(リーク検出ステップ157)。その突き上げ高さ(「リーク検出開始高さ」)を記憶する。
(6)十分に遅い速度(初期速度)で突き上げブロック全体が上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さ(「リーク検出終了高さ」)を記憶する。すなわち、これを「暫定第1段目上昇高さ」として記憶する(突き上げたかさ記憶ステップ158)。
(7)十分に遅い速度(初期速度)で突き上げブロックの内、突き上げブロック(突き上げ治具)110bおよび110cのみが上面をそろえて上昇する(2段目突き上げブロック上昇ステップ)。
(8)リークありを検出する(リーク検出ステップ159)。その突き上げ高さ(「リーク検出開始高さ」)を記憶する。
(9)十分に遅い速度(初期速度)で突き上げブロックの内、突き上げブロック(突き上げ治具)110bおよび110cのみが上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さ(「リーク検出終了高さ」)を記憶する。すなわち、これを「暫定第2段目上昇高さ」として記憶する(突き上げたかさ記憶ステップ160)。
(10)十分に遅い速度(初期速度)で突き上げブロックの内、突き上げブロック(突き上げ治具)110cのみが上昇する(3段目突き上げブロック上昇ステップ)。
(11)リークありを検出する。その突き上げ高さ(「リーク検出開始高さ」)を記憶する。
(12)十分に遅い速度(初期速度)で突き上げブロックの内、突き上げブロック(突き上げ治具)110cのみが上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さ(「リーク検出終了高さ」)を記憶する。すなわち、これを「暫定第3段目上昇高さ」として記憶する。
(13)ここで、「暫定第3段目上昇高さ」でリークなし(リーク検出ステップ161)となっているかを突き上げブロック(突き上げ治具)110cのみを追加上昇(追加上昇162)させて確認する。
(14)これにより、最終的にリークなしとなる「設定暫定第3段目上昇高さ」すなわち、「上死点」(3段目上昇高さ設定値)を記憶する(上死点設定ステップ155)。
(15)「暫定第1段目上昇高さ」、「暫定第2段目上昇高さ」および「設定暫定第3段目上昇高さ」を停止高さとして設定する(停止高さ設定ステップ156)。
(16)次に、(15)で設定した停止高さで対応するセクション3のいずれかのピックアップを実行する。そして、各回ごとに上昇速度を徐々に上げて、または下げて最適速度を記憶し、それに変更する。これは、非製品チップでも可能であるが、製品チップのピックアップを実行しながら行うことが効率的である。
ここでは、セクション3−4に説明した装置構成でのスライド速度のティーチング方法を説明する。図50はそのプロセスフロー図である。図46から47および図50に基づいて具体的ステップの進行を説明する。
(1)目的とするチップ1が吸着駒(下部基体)102と吸着コレット105の中心に来るように位置あわせする。ここで流量検出がオンになる(検出動作開始ステップすなわちティーチング開始ステップ171)。
(2)ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着する(テープ吸着ステップ172)。
(3)コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面(限定はされないが一般にデバイス面)に着地する(コレット着地ステップ173)。
(4)十分に遅い速度(初期速度)で第1のチップに対してスライド動作を開始する(スライド開始ステップ174)。リークなければストロークエンドまでスライドする(ストロークエンド・ステップ176)。製品チップの場合は剥離完了まで進む。そのスライド速度を記憶する。
(5)もう少し早い速度で第2のチップに対してスライド動作を開始する。リークなければストロークエンドまでスライドする。製品チップの場合は剥離完了まで進む。そのスライド速度を記憶する。
(6)これを繰り返して、n番目のチップでリークありを検出する(リーク検出ステップ175)。
(7)そのn番目のチップに対するスライド速度を記憶する。
(8)リークが許容範囲になるまで待機してその待機時間を記憶する。
(9)スライド動作を再開し、リークありを検出すると(8)に戻り、リークなしであれば次に進む。
(10)ストロークエンドまでスライドする。ここで、(7)またはそれ以前に記憶した速度から最適速度を所定のルールに従って選択または算出する場合は以後のステップは不要となる。
(11)必要に応じて、更に速度を上げて(6)かた(10)を繰り返し、そこで得られたデータから最適速度を設定し記憶する(最適速度記憶ステップ177)。
セクション3の各剥離プロセスは、典型的な例についてその類型に分類して説明したが、実際には適宜取捨選択して、または適宜相互に組み合わせて実行するとピックアップ効率が向上したり、製品信頼性が向上することが期待できる。たとえば、セクション3−2のコレット上昇セグメント(図41ステップ45から47または50から52)すなわち、ステップの集合は剥離プロセス3のステップ67の後や剥離プロセス4の適切なステップとパラレルに適用するとピックアップ時間短縮に有効である。
一般にチップ剥離から配線基板への着地完了までの処理は、チップを吸着コレットに真空吸着したまま実行される。しかしこれでは、薄膜チップの場合(特に100マイクロメータ以下のチップ厚のもの)は、真空吸着によってチップが局部的に変形したまま(真空吸着によるチップのひずみは図54から図56を参照するとよい)着地して、基板に接着・固定されることになるので、ボンディング後にボイドやひずみが残りやすい。この傾向は、あらかじめチップの裏面に接着剤層(DAFを使用する方式)を形成しておく方式では、特に強い。また、デバイス面、すなわち、チップの主にトランジスタ等の主要部や多層配線が形成される面(裏面の反対側の主面)が上向きで吸着される場合(いわゆるフェースアップ品)には、デバイスの信頼性の面でも、ボイド、ひずみ、または変形を残さずにボンディングすることは重要である。また、一般に周辺のボイドは、モールド工程において一部解消されるが、中央付近のものは解消されない。
ラバーチップの材料としては、硬度の低いものが選択しやすい点から、熱硬化性エラストマーのうちから選択することが第1に有効である。たとえば、ジェルテック(Geltec)社のアルファ・ゲル(ジェルテック社の登録商標)すなわち、シリコーンを主要な成分とするシリコーン系ゲル状エラストマーがチップの汚染防止等の観点からも好適な候補として挙げられる。また、そのシリーズの中でもシータ・ゲル(ジェルテック社の登録商標)、シータ5(硬度約56)、シータ6(硬度約14)、シータ8(硬度約28)が更に好適である。更に、シータ・ゲルの中でもシータ8(硬度約28)等が特に好適である。
以上の説明では、一つのボンディングツール(コレット105)で熱圧着を完了する方式を示したが、第1のボンディングツール(コレット105)で複数のチップ(たとえば5個)を仮付けし、その後、その複数のチップを第2のボンディングツールで本圧着するようにすれば、スループットを数倍にすることができる。また、セクション7で説明した低弾性ラバーチップと組み合わせた仮圧着では、高速で動作させてもチップへのダメージが少ないので、高速の仮圧着を実行することができる。以下に詳細に説明する。
これまでに説明したコレット105の真空吸引系は完全閉鎖型(図31のバルブ143によって、オンの時は真空源に連結されており、オフ時は真空源とは切り離されて大気開放状態である)であったが、ここに説明するものは、図67に示すように、その改良型でコレット本体105のラバーチップに比較的近い領域にリーク孔221を設けたものである。こうすることで、吸着をオフしたときのコレット先端部の圧力応答が速くなる効果がある(勿論、これまでに説明したコレット105の真空吸引系でも、オフ時には真空源とは切り離されて大気開放状態となるが、一般に真空源と大気開放の切り替えは、コレット先端部よりも真空源に近い位置に置かれた切り替えバルブ143で行われるので、若干の遅延は不可避である。実際、これまでは40から100ミリ秒ほど要していた。すなわち、コレット先端部にリーク路を常設しておくと、たとえリーク路が比較的細いとしても、切り替えバルブ143までの真空系流路のコンダクタンスの分だけ圧力応答が速くなる)。また、常にリーク路(たとえば、リーク路の孔径0.3mm程度、リーク路のみ開放したときの到達流量0.4L/分、同到達圧84KPaとする。ちなみに、孔径0.8mm程度のラバーチップの吸着孔を全部開放したときの到達流量は7.0L/分程度である。)があるので、チップによって真空吸引系が閉鎖されるときの衝撃によるチップへの影響を緩和することができる。すなわち、セクション7で説明したような比較的軟らかいエラストマーをラバーチップとして使用する場合、真空シール性が非常によく、チップが湾曲してリーク状態になった状態から湾曲が回復して真空吸引系を閉鎖するときの衝撃が比較的大きいと懸念される。しかし、この場合は常にリーク路が存在するので、真空吸引系が完全閉鎖されるわけではないので、チップに強い衝撃が加わるおそれが少ないと考えられる。また、リーク孔があると、応答が速いため、着地直前に真空吸着をオフにしても、着地時には十分にチップひずみのない状態にすることができる。また、低弾性部材のラバーチップを使用した場合は、この湾曲からの回復は低弾性部材の持つ回復力とあいまって、よりスムースに行われる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて正方形のシリコン・チップを例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
10 接着部材層
11 配線基板
100 チップ装置剥離(チップ処理装置)
105 吸着コレット
125 ラバーチップ
300 ダイ・ボンディング部
400 チップ処理装置
Claims (4)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程;
(b)前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第1のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記吸引コレットの真空吸着を解除し、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着により保持した状態で、前記第1のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第1のチップを、前記第1のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程。 - 請求項1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)の前記吸引コレットの真空吸着を解除した後から(d)においては、真空吸着はオフとされている。
- 請求項2項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップは中央部に真空吸引孔を有する。
- 請求項3項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(b)は、以下の下位工程を含む:
(b1)前記第1のチップを、前記配線基板の前記上面へ向けて第1の速度で降下させる工程;
(b2)前記工程(b1)に引き続き、前記第1のチップを、前記第1の速度よりも遅い第2の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程、
更に、前記工程(c)は、以下の下位工程を含む:
(c1)前記第1のチップを、着地するまで前記第2の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程。
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