JP5491748B2 - 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 半導体チップを先端面で吸着保持可能な弾性体からなるコレットを備えたマウントヘッドと、
前記マウントヘッドを移動させる移動手段と、
前記コレットの前記先端面に開口した吸引孔を介してエアを吸引して前記先端面に吸着力を発生させる吸引手段と、
前記吸引手段によるエアの吸引流量を検知する流量検知手段と、
前記半導体チップに前記コレットの前記先端面が対向した状態で、前記マウントヘッドを前記移動手段により前記半導体チップに接する方向に変位させながら前記流量検知手段が検知した吸引流量を確認し、電流と磁界とから形成される力で、前記コレットの前記先端面を前記半導体チップに接する方向に移動させて前記半導体チップに接触させ、前記コレットが前記半導体チップに押し付けられて変形する前に、前記吸引流量が所定の閾値以下となったときにおける前記マウントヘッドの高さ方向の原点からのオフセット量を、前記半導体チップをピックアップする際の前記コレットの前記先端面の高さを示すピックアップ高さ情報として検出するピックアップ高さ検出手段と、
前記ピックアップ高さ情報を記憶するピックアップ高さ情報記憶手段と、
前記ピックアップ高さ情報記憶手段に記憶された前記ピックアップ高さ情報に基づいて、前記移動手段により前記マウントヘッドを移動させて前記コレットにより前記半導体チップをピックアップするように制御する制御手段と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体チップを先端面で吸着保持可能な弾性体からなるコレットを備えたマウントヘッドと、
前記マウントヘッドを移動させる移動手段と、
前記コレットの前記先端面に開口した吸引孔を介してエアを吸引して前記先端面に吸着力を発生させる吸引手段と、
前記吸引手段によるエアの吸引流量を検知する流量検知手段と、
前記半導体チップのマウント対象であるリードフレームに前記コレットの前記先端面が対向した状態で、前記マウントヘッドを前記移動手段により前記リードフレームに接する方向に変位させながら前記流量検知手段が検知した吸引流量を確認し、電流と磁界とから形成される力で、前記コレットの前記先端面を前記リードフレームに接する方向に移動させて前記リードフレームに接触させ、前記コレットが前記リードフレームに押し付けられて変形する前に、前記吸引流量が所定の閾値以下となったときにおける前記マウントヘッドの高さ方向の原点からのオフセット量から前記半導体チップの厚さを減算した結果を、前記半導体チップをマウントする際の前記コレットの前記先端面の高さを示すマウント高さ情報として検出するマウント高さ検出手段と、
前記マウント高さ情報を記憶するマウント高さ情報記憶手段と、
前記マウント高さ情報記憶手段に記憶された前記マウント高さ情報に基づいて、前記移動手段により、前記コレットにより前記半導体チップを吸着保持した前記マウントヘッドを移動させて前記半導体チップを前記リードフレームにマウントするように制御する制御手段と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記半導体チップのマウント対象であるリードフレームに前記コレットの前記先端面が対向した状態で、前記マウントヘッドを前記移動手段により前記リードフレームに接する方向に変位させながら前記流量検知手段が検知した吸引流量を確認し、電流と磁界とから形成される力で、前記コレットの前記先端面を前記リードフレームに接する方向に移動させて前記リードフレームに接触させ、前記吸引流量が前記所定の閾値以下となったときにおける前記マウントヘッドの高さ方向の原点からのオフセット量から前記半導体チップの厚さを減算した結果を、前記半導体チップをマウントする際の前記コレットの前記先端面の高さを示すマウント高さ情報として検出するマウント高さ検出手段と、
前記マウント高さ情報を記憶するマウント高さ情報記憶手段とをさらに備え、
前記制御手段は、前記マウント高さ情報記憶手段に記憶された前記マウント高さ情報に基づいて、前記移動手段により、前記コレットにより前記半導体チップを吸着保持した前記マウントヘッドを移動させて前記半導体チップを前記リードフレームにマウントするように制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造装置。 - マウントヘッドに設けられた弾性体からなるコレットの先端面に開口した吸引孔を介してエアを吸引するとともに、半導体チップに前記コレットの前記先端面が対向した状態で、前記マウントヘッドを前記半導体チップに接する方向に変位させながらエアの吸引流量を検知する工程と、
前記マウントヘッドを前記半導体チップに接する方向に変位させながら、電流と磁界とから形成される力で、前記コレットの前記先端面を前記半導体チップに接する方向に移動させて前記半導体チップに接触させ、前記コレットが前記半導体チップに押し付けられて変形する前に、前記吸引流量が所定の閾値以下となったときにおける前記マウントヘッドの高さ方向の原点からのオフセット量を、前記半導体チップをピックアップする際の前記コレットの前記先端面の高さを示すピックアップ高さ情報として検出する工程と、
前記ピックアップ高さ情報を記憶手段に記憶する工程と、
前記記憶手段に記憶された前記ピックアップ高さ情報に基づいて、前記マウントヘッドを移動させて前記コレットにより前記半導体チップをピックアップする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - マウントヘッドに設けられた弾性体からなるコレットの先端面に開口した吸引孔を介してエアを吸引するとともに、半導体チップのマウント対象であるリードフレームに前記コレットの前記先端面が対向した状態で、前記マウントヘッドを前記リードフレームに接する方向に変位させながらエアの吸引流量を検知する工程と、
前記マウントヘッドを前記リードフレームに接する方向に変位させながら、電流と磁界とから形成される力で、前記コレットの前記先端面を前記リードフレームに接する方向に移動させて前記リードフレームに接触させ、前記コレットが前記リードフレームに押し付けられて変形する前に、前記吸引流量が所定の閾値以下となったときにおける前記マウントヘッドの高さ方向の原点からのオフセット量から前記半導体チップの厚さを減算した結果を、前記半導体チップをマウントする際の前記コレットの前記先端面の高さを示すマウント高さ情報として検出する工程と、
前記マウント高さ情報を記憶手段に記憶する工程と、
前記記憶手段に記憶された前記マウント高さ情報に基づいて、前記コレットにより前記半導体チップを吸着保持した前記マウントヘッドを移動させて前記半導体チップを前記リードフレームにマウントする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記コレットの前記吸引孔を介してエアを吸引するとともに、前記半導体チップのマウント対象であるリードフレームに前記コレットの前記先端面が対向した状態で、前記マウントヘッドを前記リードフレームに接する方向に変位させながらエアの吸引流量を検知する工程と、
前記マウントヘッドを前記リードフレームに接する方向に変位させながら、電流と磁界とから形成される力で、前記コレットの前記先端面を前記リードフレームに接する方向に移動させて前記リードフレームに接触させ、前記吸引流量が前記所定の閾値以下となったときにおける前記マウントヘッドの高さ方向の原点からのオフセット量から前記半導体チップの厚さを減算した結果を、前記半導体チップをマウントする際の前記コレットの前記先端面の高さを示すマウント高さ情報として検出する工程と、
前記マウント高さ情報を前記記憶手段に記憶する工程と、
前記記憶手段に記憶された前記マウント高さ情報に基づいて、前記コレットにより前記半導体チップをピックアップして吸着保持した前記マウントヘッドを移動させて前記半導体チップを前記リードフレームにマウントする工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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