JP2015198251A - チップデタッチング装置およびチップデタッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップに伝達される衝撃を最小限に抑えながら効果的に半導体チップをテープから分離することができるチップデタッチング装置およびチップデタッチング方法を提供する。【解決手段】テープTから分離すべき半導体チップCの外周のテープの下面を支持する支持体11、テープの下面を吸着させることができる吸着孔12、および支持体の上面の中央部を上下に貫通するように設けられたプッシュホール13を備えるイジェクトフード10と、吸着したテープを上下に昇降可能に設置される昇降体21、上方に膨らむように弾性変形し、テープを半導体チップと共に押し上げることができる弾性材質のメンブレイン30と、イジェクトフードの上側に配置され、メンブレインによって押し上げられる半導体チップを吸着させ上昇させて半導体チップを分離するピックアップヘッド40とで構成される。【選択図】図6
Description
本発明は、チップデタッチング(detaching)装置およびチップデタッチング方法に係り、さらに詳しくは、テープに付着した半導体チップを分離してパッケージまたは基板に実装されるように供給するチップデタッチング装置およびチップデタッチング方法に関する。
ウエハ上に形成された半導体チップは、粘着力のある薄いテープに付着した状態で後続の工程に伝達される。
図1はテープに付着して供給される半導体チップの一例を示す。多数の半導体チップが形成されたウエハ(wafer)は、薄いテープに付着した後、各半導体チップ単位で切断(sawing)される。このような状態で、テープTに張力を加えて均一に引っ張ると、図1に示すように、複数の半導体チップCが一定の間隔でテープTに付着した状態となる。
図1に示すように、テープTに付着した状態の多数の半導体チップCは、一つずつ順次テープTから分離(detaching)されて基板(circuit board)に付着する。最近、このような半導体チップCが非常に薄い厚さに製作される場合が多い。半導体チップCの厚さが薄い場合、半導体チップCをテープTから分離(detaching)する過程で半導体チップCが破損しやすい。特に、半導体チップCの厚さに比べて半導体チップCの面積が広い場合には、テープTから半導体チップCを分離する過程でテープTと半導体チップCとの粘着力により、半導体チップCが容易に破損してしまうという問題点がある。従来では、テープTを固定し、テープTの下側からピンでテープTを押し上げて半導体チップCの縁部をテープTから分離した。このように縁部がテープTから分離された半導体チップCをピックアップヘッドで持ち上げて基板に移し付ける。このようにピンでテープTを押し上げる方法の場合、ピンが半導体チップCにぶつかる衝撃によって半導体チップCが破損してしまうという問題点が発生した。また、上述したように、半導体チップCの厚さに比べて半導体チップCの面積が比較的広い場合には、ピンでテープTを押し上げても、テープTが弾性変形したり破れたりしながら半導体チップCはテープTから分離されないことも発生する。
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたもので、その目的は、半導体チップに伝達される衝撃を最小限に抑えながら効果的に半導体チップをテープから分離することができるチップデタッチング装置およびチップデタッチング方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明のチップデタッチング装置は、薄いテープに粘着された半導体チップを分離するためのチップデタッチング装置において、前記テープから分離すべき前記半導体チップの外周の前記テープの下面を支持する支持体と、前記支持体に接触する部分の前記テープの下面を吸着させることができるように前記支持体の上面に設けられた吸着孔と、前記支持体の上面の中央部を上下に貫通するように設けられたプッシュホール(push hole)とを備えるイジェクトフード;前記イジェクトフードの吸着孔を介して伝達された真空によって吸着した前記テープを前記プッシュホールを介して上方に押し上げることができるように前記イジェクトフードのプッシュホールに挿入されて上下に昇降可能に設置される昇降体と、前記昇降体の上面の中央部を上下に貫通するように設けられたメンブレインホールとを備える昇降部材;前記昇降部材のメンブレインホールを介して伝達される圧力によって上方に膨らむように弾性変形し、前記テープを前記半導体チップと共に押し上げることができるように前記昇降部材のメンブレインホールに設置される弾性材質のメンブレイン;および前記イジェクトフードの上側に配置され、前記メンブレインによって押し上げられるべき前記半導体チップを吸着させ上昇させて前記半導体チップを分離するピックアップヘッド;を含んでなることを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、本発明のチップデタッチング方法は、薄いテープに粘着された半導体チップを分離するためのチップデタッチング方法において、(a)イジェクトフード上に前記テープが配置された状態で、前記テープから分離すべき前記半導体チップの外周の前記テープの下面を、前記イジェクトフードの上面に設けられた複数の吸着孔を介して吸着させる段階と、(b)前記イジェクトフードの中央部に設けられたプッシュホールに挿入された昇降部材を上昇させて、前記昇降部材に接触する前記テープを押し上げる段階と、(c)前記昇降部材の中央部に設けられたメンブレインホールに設置された弾性材質のメンブレインに圧力を加えて、前記メンブレインを上方に膨らむように弾性変形させることにより、前記半導体チップの周囲の前記テープを前記半導体チップと分離させる段階と、(d)前記イジェクトフードの上側に配置されたピックアップヘッドを下降させて前記半導体チップの上面を吸着させる段階と、(e)前記(d)段階で前記半導体チップを吸着させた前記ピックアップヘッドを上昇させて前記半導体チップを前記テープから分離する段階とを含んでなることを特徴とする。
本発明のチップデタッチング装置およびチップデタッチング方法は、テープに付着した半導体チップの破損を防止するとともに効果的に分離することができる装置および方法を提供するという効果がある。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の一実施形態に係るチップデタッチング装置を詳細に説明する。
図2は本発明の一実施形態に係るチップデタッチング装置に半導体チップの粘着されたテープが配置された状態を示す平面図、図3は図2に示したチップデタッチング装置のII−II線に沿った断面図である。
図2〜図7を参照すると、本実施形態のチップデタッチング装置は、イジェクトフード10、昇降部材20、メンブレイン30、およびピックアップヘッド40を含んでなる。
イジェクトフード10は、支持体11、吸着孔12およびプッシュホール(push hole)13を備える。支持体11は、上下に延びた四角管に類似した形態で形成される。支持体11の上面は四角形状の外周を有する。支持体11の上面の外周は、テープTから分離しようとする半導体チップCの外郭サイズより大きく形成される。支持体11の上面には複数の吸着孔12が設けられる。イジェクトフード10は、吸着孔12を介して真空を形成して、吸着孔12に接触する部分のテープTの下面を吸着させる。図2を参照すると、吸着孔12は半導体チップCの外周に沿って配列される。好ましくは、テープTに粘着された半導体チップCの間の位置に吸着孔12が配置されることでテープTを吸着させることがよい。支持体11の上面の中央部には、支持体11を上下に貫通するプッシュホール13が設けられる。その結果、吸着孔12はプッシュホール13の外周に沿って配列される。プッシュホール13は四角形状に設けられる。プッシュホール13の大きさは半導体チップCの大きさよりも少し小さい方が良い。
昇降部材20は昇降体21とメンブレインホール22を備える。昇降体21の上部はイジェクトフード10のプッシュホール13に昇降可能に挿入される。昇降体21の上面の外周は、四角形状をし、プッシュホール13の大きさに合わせて形成される。昇降体21の上面外周の大きさは半導体チップCの大きさより小さい方が良い。昇降体21の上面の中央部にはメンブレインホール22が設けられる。メンブレインホール22は昇降体21の上面の中央部を上下に貫通するように設けられる。メンブレインホール22の外郭形状は四角形である。
メンブレイン30は昇降部材20のメンブレインホール22に挿入されて設置される。メンブレイン30は、メンブレインホール22の内周形状に合わせて形成され、メンブレインホール22の上面を防ぐ。メンブレイン30は、空気圧によって弾性変形できるように薄い弾性膜の形で形成される。
ピックアップヘッド40はイジェクトフード10の上側に配置される。ピックアップヘッド40は多孔性のセラミックから形成された吸着板41を備える。ピックアップヘッド40は吸着板41を昇降させることができるように構成される。ピックアップヘッド40は、半導体チップCの上面に吸着板41を接触させて半導体チップCを吸着させた後、この状態で半導体チップCを上昇させて半導体チップCをテープTから分離(detaching)する。
以下、上述したように構成されたチップデタッチング装置を用いて半導体チップCを分離する過程を説明する。
まず、図2および図3に示すように、テープTに粘着された半導体チップCのうち、分離しようとする半導体チップCをイジェクトフード10および昇降部材20の上面に配置する。このような状態で、イジェクトフード10の吸着孔12を介して真空を伝達してイジェクトフード10の上面にテープTの下面を吸着させる((a)段階)。
次に、図4に示すように、イジェクトフード10の上側に配置されたピックアップヘッド40を下降させて半導体チップCの上面に接触させ、その半導体チップCを吸着させる((d)段階)。上述したように、ピックアップヘッド40の吸着板41を介して真空が伝達され、半導体チップCの上面を吸着させることになる。
その後、図5に示すように、昇降部材20を上昇させて半導体チップCの縁部がテープTから剥がれるようにする((b)段階)。上述したように昇降部材20の上面の外郭サイズが半導体チップCの外郭サイズよりも小さい場合は、図5に示すように、半導体チップCの縁部からテープTが分離され始める。上述したように、吸着孔12によって半導体チップCの外側のテープTは固定されているので、半導体チップCとその半導体チップCの下側のテープTが昇降部材20によって上昇すると、半導体チップCの外周のテープTが半導体チップCから剥がれることになる。一方、昇降部材20によって半導体チップCが上昇するとき、ピックアップヘッド40も昇降部材20の動きに同期して上昇する((e)段階)。このようにピックアップヘッド40が昇降部材20の動きに同期して上昇することにより、半導体チップCの破損が防止される。
次いで、図6に示すように、メンブレイン30の下側から圧力を加えてメンブレイン30を上方に膨らむように弾性変形させることにより、テープTと半導体チップCを上方に押し上げる((c)段階)。この場合にも、メンブレイン30の動きに同期してピックアップヘッド40が半導体チップCを上昇させる((e)段階)。メンブレイン30が膨らむように弾性変形する間に、メンブレイン30によって下面が支持されない部分のテープTは、漸進的に半導体チップCの下面から分離される。すなわち、半導体チップCの縁部から半導体チップCの中心部に向かってテープTのデタッチング(分離)が行われる。上述したように、メンブレイン30に作用する圧力によってテープTを支持しながら、半導体チップCのデタッチング(分離)を行うので、効果的にテープTを半導体チップCの下面から分離することができるという利点がある。また、メンブレイン30の連続的な弾性変形に従って半導体チップCの下面からテープTを分離することができるので、テープTの粘着力によって半導体チップCを破損させることなく効率的にデタッチング作業を行うことができるという利点がある。メンブレインホール22に空圧を作用させてメンブレイン30を弾性変形させることもでき、場合によっては油などの液体をメンブレインホール22に加えてメンブレイン30を弾性変形させることも可能である。
上述したように昇降部材20を上昇させる段階((b)段階)とメンブレイン30を上昇させる段階((c)段階)を行う間にピックアップヘッド40を上昇させる段階((e)段階)は同時に連続的に行われる。
一方、場合によっては、前述したように吸着孔12を介してテープTを吸着させた後、半導体チップCを吸着させるためにピックアップヘッド40を下降させるのではなく、昇降部材20を上昇させる段階((b)段階)まで行った後、ピックアップヘッド40を下降させて半導体チップCを吸着((d)段階)させるようにチップデタッチング装置を作動させることも可能である。
また、場合によっては、昇降部材20を上昇させる段階((b)段階)とメンブレイン30を上昇させる段階((c)段階)を行った後、ピックアップヘッド40を下降させて半導体チップCを吸着((d)段階)させるようにチップデタッチング装置を作動させることも可能である。
図7に示すように、半導体チップCがテープTから取り外された後は、メンブレインホール22の圧力を除去して、メンブレイン30が再び図3〜図5に示すように平板状となるようにする。場合によっては、図6に示すように、半導体チップCの分離がある程度進んだ状態でメンブレインホール22の圧力を急速に減少させる方法によって半導体チップCの分離を行うこともできる。膨らむように弾性変形したメンブレイン30が瞬間的に平板状に復帰すると、メンブレイン30に接していたテープTの部分も瞬間的に平板状に戻りながら、半導体チップCの下面からテープTが完全に分離できる。
T テープ
C 半導体チップ
10 イジェクトフード
11 支持体
12 吸着孔
13 プッシュホール
20 昇降部材
21 昇降体
22 メンブレインホール
30 メンブレイン
40 ピックアップヘッド
41 吸着板。
C 半導体チップ
10 イジェクトフード
11 支持体
12 吸着孔
13 プッシュホール
20 昇降部材
21 昇降体
22 メンブレインホール
30 メンブレイン
40 ピックアップヘッド
41 吸着板。
Claims (12)
- 薄いテープに粘着された半導体チップを分離(detaching)するためのチップデタッチング装置において、
前記テープから分離すべき前記半導体チップの外周の前記テープの下面を支持する支持体、前記支持体に接触する部分の前記テープの下面を吸着させることができるように前記支持体の上面に設けられた吸着孔、および前記支持体の上面の中央部を上下に貫通するように設けられたプッシュホール(push hole)を備えるイジェクトフードと、
前記イジェクトフードの吸着孔を介して伝達された真空によって吸着した前記テープを前記プッシュホールを介して上方に押し上げることができるように前記イジェクトフードのプッシュホールに挿入されて上下に昇降可能に設置される昇降体、および前記昇降体の上面の中央部を上下に貫通するように設けられたメンブレインホールを備える昇降部材と、
前記昇降部材のメンブレインホールを介して伝達される圧力によって上方に膨らむように弾性変形し、前記テープを前記半導体チップと共に押し上げることができるように前記昇降部材のメンブレインホールに設置される弾性材質のメンブレインと、
前記イジェクトフードの上側に配置され、前記メンブレインによって押し上げられる前記半導体チップを吸着させ上昇させて前記半導体チップを分離するピックアップヘッドとを含んでなることを特徴とする、チップデタッチング装置。 - 前記イジェクトフードの吸着孔は、複数設けられ、前記プッシュホールの外周に沿って配列されることを特徴とする、請求項1に記載のチップデタッチング装置。
- 前記昇降部材の外郭サイズは前記半導体チップの外郭サイズより小さいことを特徴とする、請求項2に記載のチップデタッチング装置。
- 前記イジェクトフードの複数の吸着孔は前記半導体チップの外周で前記テープを吸着させることを特徴とする、請求項3に記載のチップデタッチング装置。
- 前記イジェクトフードが前記テープを吸着させ、前記ピックアップヘッドが前記半導体チップを吸着させた後、前記昇降部材は上昇して前記昇降部材の上側の前記テープと前記半導体チップを上昇させることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のチップデタッチング装置。
- 前記昇降部材によって前記テープと前記半導体チップが上昇した後、前記メンブレインホールの内部の圧力を上昇させて前記メンブレインを弾性変形させることにより、前記メンブレインによって前記テープと前記半導体チップを押し上げることを特徴とする、請求項5に記載のチップデタッチング装置。
- 前記昇降部材および前記メンブレインによって前記半導体チップが押し上げられるとき、前記ピックアップヘッドは、前記半導体チップを吸着させた状態で前記半導体チップを上昇させながら、前記半導体チップを前記テープから分離することを特徴とする、請求項5に記載のチップデタッチング装置。
- 薄いテープに粘着された半導体チップを分離するためのチップデタッチング方法において、
(a)イジェクトフード上に前記テープが配置された状態で前記テープから分離すべき前記半導体チップの外周の前記テープの下面を、前記イジェクトフードの上面に設けられた複数の吸着孔を介して吸着させる段階と、
(b)前記イジェクトフードの中央部に設けられたプッシュホールに挿入された昇降部材を上昇させ、前記昇降部材に接触する前記テープを押し上げる段階と、
(c)前記昇降部材の中央部に設けられたメンブレインホールに設置された弾性材質のメンブレインに圧力を加えて、前記メンブレインを上方に膨らむように弾性変形させることにより、前記半導体チップの周囲の前記テープを前記半導体チップと分離させる段階と、
(d)前記イジェクトフードの上側に配置されたピックアップヘッドを下降させて前記半導体チップの上面を吸着させる段階と、
(e)前記(d)段階で前記半導体チップを吸着させた前記ピックアップヘッドを上昇させて前記半導体チップを前記テープから分離する段階とを含んでなることを特徴とする、チップデタッチング方法。 - 前記(a)段階を行った後、前記(d)段階を行い、
前記(b)段階および(c)段階を行う間に前記(e)段階では前記イジェクトフードおよび前記メンブレインの作動に同期して前記半導体チップをピックアップヘッドに上昇させることを特徴とする、請求項8に記載のチップデタッチング方法。 - 前記(a)段階および前記(b)段階を行った後、前記(d)段階を行い、
前記(c)段階を行う間に前記(e)段階では前記メンブレインの作動に同期して前記半導体チップをピックアップヘッドに上昇させることを特徴とする、請求項8に記載のチップデタッチング方法。 - 前記(a)段階、前記(b)段階および前記(c)段階を行った後、
前記(d)段階と前記(e)段階を行うことを特徴とする、請求項8に記載のチップデタッチング方法。 - 前記(b)段階では、前記半導体チップの外郭サイズより小さい外郭サイズを有する前記昇降部材を用いて前記半導体チップを押し上げることを特徴とする、請求項9〜11のいずれか1項に記載のチップデタッチング方法。
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