CN106684016B - 层叠装置和制造半导体器件的系统 - Google Patents

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Abstract

提供了一种层叠装置和制造半导体器件的系统，所述层叠装置可以包括：壳体；基底支架，设置在壳体中并且布置成容置基底；膜支架，设置在壳体上并且布置为支撑胶带膜；空气去除单元，连接到壳体的在膜支架下方的部分以从壳体去除和/或排空空气从而将胶带膜附着到基底。

Description

层叠装置和制造半导体器件的系统
本申请要求于2015年11月11日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0158175号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
背景技术
本公开涉及一种用于制造半导体器件的系统，例如，涉及一种用于将胶带膜附着到基底的层叠装置和一种用该装置制造半导体器件的系统。
近来，正在使用更大尺寸的晶片来从晶片获得更多半导体芯片。例如，大尺寸晶片的使用可以提高半导体制造工艺的生产率。然而，应该谨慎处理大尺寸晶片，因为它可能易受冲击和/或震动的影响。例如，在对晶片执行切割工艺前可以将胶带膜附着到晶片上以保护晶片和/或切割的芯片裸片。然后通过锯或激光束将晶片切成多个芯片裸片。胶带膜的使用可以有利于防止晶片和芯片裸片在切割工艺的过程中滑动或跳动或者有利于减少这样的事件。
发明内容
发明构思的示例性实施例提供了一种层叠装置和一种用该层叠装置制造半导体器件的系统，该层叠装置配置为在没有保护凸起的层的情况下将胶带膜附着到基底。
发明构思的示例性实施例提供了一种层叠装置和一种用该层叠装置制造半导体器件的系统，该层叠装置配置为没有气泡地将胶带膜附着到基底上。
根据发明构思的示例性实施例，一种层叠装置可以包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且布置为容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且布置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到第一壳体。第一空气去除单元可以被布置成去除第一壳体中的空气以将胶带膜附着到基底。
根据发明构思的示例性实施例，一种制造半导体器件的系统可以包括：封装装置，配置为将多个凸起附着到基底的第一表面；层叠装置，配置为将胶带膜附着到基底的面对第一表面的第二表面；切割装置，配置为将附着到胶带膜的基底切割成多个裸片。层叠装置可以包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且配置为容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且配置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到第一壳体。第一空气去除单元可以配置为去除第一壳体中的空气以将胶带膜附着到基底的第二表面。
根据发明构思的示例性实施例，层叠装置可以包括：腔室；基底支架，设置在腔室中并且配置为容置基底；膜支架，设置在基底支架上并且配置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到腔室。第一空气去除单元可以配置为去除在基底与胶带膜之间的空气从而将胶带膜附着到基底。
根据发明构思的示例性实施例，层叠装置可以包括：腔室，形成在下壳体和位于下壳体上的上壳体中；基底支架，设置在下壳体中并且布置为容置基底；膜支架，设置在下壳体与上壳体之间，膜支架配置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到下壳体，第一空气去除单元配置为从下壳体去除空气从而将胶带膜附着到基底。
根据特定实施例，一种半导体器件制造装置可以包括：腔室；基底支架，设置在腔室中并且布置为容置基底；膜支架，设置在腔室中并且布置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到腔室。第一空气去除单元可以配置为去除从腔室去除空气并降低基底与胶带膜之间的气压。
附图说明
图1是示意性示出根据发明构思的特定示例性实施例的制造半导体器件的系统的图。
图2是示出图1的封装装置的示例性实施例的剖视图。
图3是示出图1的层叠装置的示例性实施例的剖视图。
图4是示出图3的基底支架的示例性实施例的透视图。
图5是示出图3的基底支架的示例性实施例的透视图。
图6是示出图3的将胶带膜附着到基底的工艺的剖视图。
图7是示出图1的层叠装置的示例性实施例的剖视图。
图8是示出图7的基底支架、膜支架、隔膜和膜挤压单元的透视图。
图9是示出图1的切割装置的示例性实施例的剖视图。
图10是示出在切割工艺中可能在图9中由基底与胶带膜之间的气泡引起的工艺故障的示例性实施例的剖视图。
图11是示出图1的捡取装置的示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
图1是示意性示出根据发明构思的特定示例性实施例的制造半导体器件的系统100的图。
参照图1，制造系统100可以配置为加工基底。在特定示例性实施例中，制造系统100可以配置为对基底执行封装工艺和切割工艺。例如，制造系统100可以包括封装装置200、层叠装置300、切割装置400和捡取装置500。封装装置200可以配置为执行封装工艺。例如，封装装置200可以配置为对基底W(例如，见图2)执行晶片级封装工艺。层叠装置300可以配置为将胶带膜120(例如，见图3)附着到基底W上。切割装置400可以配置为对基底W执行切割工艺。通过切割工艺可以将基底W分为多个芯片裸片CD(例如，见图9)。捡取装置500可以配置为将芯片裸片CD中的每个传送到外部(例如，切割装置400的外部)。
图2是示出图1的封装装置200的示例性实施例的剖视图。
参照图2，封装装置200可以包括包含焊铁210的焊接设备。封装装置200可以配置为在基底W的顶表面上形成凸起110。焊铁210可以用来将凸起110结合到基底W的顶表面上。在特定示例性实施例中，凸起110可以结合到基底W的底表面。凸起110可以连接到设置在基底W中的导线和/或电极。例如，凸起110可以连接到硅通孔(TSV)。
图3是示出图1的层叠装置300的示例性实施例的剖视图。
参照图3，层叠装置300可以配置为执行将胶带膜120附着到基底W的底表面(例如，与凸起110形成在其上的表面相对的表面)的层叠工艺。在一些描述中，基底的相对的表面可以被称为第一表面和第二表面，那些提及的表面中的一个具有凸起110，那些提及的表面中的另一个是平坦的。胶带膜120可以包括切割膜。胶带膜120可以附着到基底W的底表面(例如，与凸起110形成在其上的表面相对的平坦表面)。在特定示例性实施例中，层叠装置300可以包括腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空气排放单元342和第二空气排放单元344。当执行层叠工艺时，基底W和胶带膜120可以设置在腔室310中。响应于从第一空气排放单元342施加的抽吸压力，胶带膜120可以接触基底W的底表面。
腔室310可以配置为将基底W和胶带膜120与外部环境隔离。胶带膜120可以设置为靠近腔室310的中心区域。基底W可以设置在胶带膜120下方。在特定示例性实施例中，腔室310可以由下壳体312和上壳体314形成，并且可以包括由下壳体312和上壳体314包封的空间。
下壳体312可以设置在上壳体314下方。当执行层叠工艺时，下壳体312和上壳体314可以彼此结合。当在层叠工艺之后将基底W和胶带膜120从腔室310卸载时，下壳体312和上壳体314可以彼此分离。基底W可以设置在下壳体312中。胶带膜120可以设置在下壳体312上。下壳体312可以具有第一空气出口341。例如，第一空气出口341可以被设置为穿透下壳体312的底部。第一空气出口341可以连接到第一空气排放单元342。
上壳体314可以设置在胶带膜120上和/或在胶带膜120上方。胶带膜120可以设置在下壳体312与上壳体314之间。胶带膜120和膜支架330可以被设置为将腔室310的内部空间分为两个竖直分开的区域(例如，上区域和下区域)。上壳体314可以具有第二空气出口343。第二空气出口343可以设置在上壳体314的顶表面处。第二空气出口343可以连接到第二空气排放单元344。
基底支架320可以设置在下壳体312中。基底支架320可以配置为容置基底W。在特定示例性实施例中，基底支架320可以包括第一支撑件322、第二支撑件324和起模顶杆(lift pin)326。
在特定实施例中，第二支撑件324可以被合并成整件的第二支撑324。在特定实施例中，第一支撑件322和第二支撑件324可以一体成型为整件，该整件形成基底支架320。如图4中所示，第一支撑件322可以是空气流板。空气流板可以具有至少一个孔，空气通过该孔从空气流板与空气流板上方的基底之间流出。
如图4中所示，空气流板可以具有多个孔。例如，第一支撑件322可以具有平面部分，在该平面部分中具有一个或更多个孔。可选择地，如图8中所示，空气流板可以在空气流板的中间具有一个大孔。例如，第一支撑件322可以具有环形形状。例如，如图4、图5和图8中所示，第二支撑件324可以是阶梯式的轮圈。每个阶梯式的轮圈可以具有台阶，所述台阶被设置为在台阶上容置基底。例如，如图4和图5中所示，台阶可以包括从最顶层表面凹进的凹进部分(323/323a)。
第一支撑件322可以被设置为支撑第二支撑件324。第一支撑件322可以被设置为与基底W平行。例如，第一支撑件322可以设置在凸起110下方。
第二支撑件324可以设置在第一支撑件322的边缘区域上。第二支撑件324可以支撑基底W的顶表面的边缘区域。凸起110可以设置在第二支撑件324之间。例如，第二支撑件324可以由有利于保护基底W免受因冲击和/或振动损坏的材料(例如，橡胶或者其他柔软材料)形成。因此，第二支撑件324可以保护基底W免受因当将基底W设置到第二支撑件324上时会出现的冲击和/或振动造成的损坏。第二支撑件324可以配置为允许基底W与第一支撑件322分隔开第一高度h1。第一高度h1可以大于凸起110的直径，或者大于凸起在基底W的顶表面上方延伸的竖直高度。凸起110可以与第一支撑件322分隔开。因此，它可以有利于保护凸起110不与第一支撑件322相撞。即使在没有形成用于保护凸起110的保护层(未示出)时，这也可以允许胶带膜120稳定地附着到基底W的底表面。例如，在没有用于凸起110的保护膜(未示出)的情况下，胶带膜120可以附着到基底W。
起模顶杆326可以支撑第一支撑件322。起模顶杆326可以配置为控制第一支撑件322和第二支撑件324的竖直位置。起模顶杆也可以称为棒或腿。基底W与胶带膜120之间的竖直距离可以由起模顶杆326控制。
图4是示出图3的基底支架320的示例性实施例的透视图。
参照图3和图4，基底支架320的第一支撑件322可以以圆盘板的形状设置。第一支撑件322可以具有第一孔321。第一孔321可以形成为允许基底W与第一支撑件322之间的空气130通过第一支撑件322。如这里讨论的术语“空气”可以指大气层空气，或者在制造工艺期间可能存在的其他气体。例如，第一空气排放单元342可以从下壳体312去除气体，该气体可以通过第一空气出口341去除。这可以类似地应用于贯穿此公开中的实施例的其他组件。空气130可以由第一空气排放单元342通过第一空气出口341去除和/或排空。例如，空气130可以通过第一空气出口341从下壳体312的内部部分去除以减小下壳体312内部的气压。在层叠工艺阶段，胶带膜120可以向基底W弯曲。例如，胶带膜120可以具有向基底W弯曲的凸部或弯月面形状。在层叠工艺期间，胶带膜120可以形成向下凸起的形状。可以沿从基底W的中心区域向基底W的边缘区域的方向上进行层叠工艺。
在平面图中，第二支撑件324中的每个可以成形为类似圆弧状。同时，第二支撑件324可以沿着诸如圆形的图案的轮廓进行定位。因此，同时，第二支撑件324可以形成环形形状。第二支撑件324可以具有引导凹槽323。引导凹槽323可以配置为允许基底W固定在第二支撑件324上。引导凹槽323可以(例如，在垂直于第一支撑件322的水平表面的方向上)与第一支撑件322分隔开第一高度h1。在一些实施例中，第一高度h1可以在大约0.1mm至大约3mm的范围。引导凹槽323与基底W的重叠区域的宽度可以是第一水平距离d1。第一水平距离d1可以在例如大约0.6mm至大约2mm的范围。例如，在层叠工艺期间，基底W的边缘部分可以接触引导凹槽323。基底W与引导凹槽323的接触宽度可以在大约0.6mm至大约2mm之间。
侧间隙325可以形成在第二支撑件324之间。侧间隙325可以允许空气130从基底W与胶带膜120之间的内部区域流动到基底支架320外部的外部区域，反之亦然。
膜支架330可以配置为使胶带膜120固定。例如，胶带膜120的边缘区域可以附着到膜支架330的顶表面。可选择地，胶带膜120的边缘区域可以附着到膜支架330的底表面。在特定示例性实施例中，在平面图中，膜支架330可以成形为环形。膜支架330可以具有大于基底W的直径的内径。例如，环形形状的膜支架330可以具有外圆形状表面和内圆形状表面。内圆形状表面的直径可以是膜支架330的内径，外圆形状表面的直径可以是膜支架330的外径。膜支架330的内径可以大于基底W的直径。胶带膜120的直径可以大于基底W的直径。膜支架330的外径可以等于胶带膜120的直径。在特定示例性实施例中，胶带膜120的直径可以大于或者小于膜支架330的外径。
参照图3，膜支架330可以设置在下壳体312与上壳体314之间并且在腔室310的内表面上。膜支架330可以具有大于下壳体312和/或上壳体314的内径的外径。膜支架330可以连接到形成在下壳体312和上壳体314的内侧表面上的沟槽316。膜支架330可以设置在下壳体312上。例如，胶带膜120和膜支架330可以被设置为覆盖下壳体312。
图5是示出图3的基底支架320的示例性实施例的透视图。
参照图5，第二支撑件324a中的每个可以是块状结构。第二支撑件324a可以沿着第一支撑件322的边缘区域设置成彼此分隔开特定的距离(例如，分隔开相同的距离)。第二支撑件324a中的每个可以具有引导凹槽323a。当基底W设置在基底支架320上时，基底W的边缘可以对准引导凹槽323a。第一高度h1和第一水平距离d1可以基本等于图4的第一高度h1和第一水平距离d1。第一支撑件322可以具有与图4的第一支撑件322基本相同的特征。
再次参照图3，第一空气排放单元342和第二空气排放单元344可以分别连接到第一空气出口341和第二空气出口343。第一空气排放单元342和第二空气排放单元344中的每个可以包括真空泵。例如，第一空气排放单元342和第二空气排放单元344中的每个可以是诸如泵的电动力单元。例如，第一空气排放单元342和第二空气排放单元344中的每个可以包括风扇。第一空气排放单元342可以配置为将空气130从下壳体312去除和/或排空至腔室310的外部。例如，空气130可以通过第一空气出口341从下壳体312的内部部分地去除，以减小下壳体312内部的气压。例如，膜支架330和胶带膜120可以将腔室310分为两部分，例如，上部分和下部分，空气基本上不会在两部分之间移动。第二空气排放单元344可以配置为将空气130从上壳体314去除和/或排空至腔室310的外部。例如，与以上关于第一空气排放单元342的描述相似，空气130可以通过第二空气出口343从上壳体314的内部部分地去除，以减小上壳体314的内部的气压。第二空气排放单元344的空气泵压低于第一空气排放单元342的空气泵压。下壳体312中的空气130可以具有比上壳体314中的空气130的压强低的压强。例如，上壳体314可以具有大气压强，下壳体312可以具有低于大气压强的真空压强。在特定示例性实施例中，上壳体314可以具有几十mTorr的压强，下壳体312可以具有几mTorr的压强。在下壳体312中的空气130的压强过高的情况下，第二空气排放单元344可以配置为向上壳体314内供应空气130。在层叠工艺阶段，胶带膜120可以向下壳体312中的基底W弯曲。在特定示例性实施例中，胶带膜120可以与基底W的顶表面或底表面接触。在特定示例性实施例中，起模顶杆326可以竖直地移动以允许胶带膜120与基底W接触。
图6是示出图3的将胶带膜120附着到基底W的工艺的剖视图。
参照图6，在由起模顶杆326抬起基底W的情况下，可以沿从中心区域向边缘区域的方向逐渐执行胶带膜120与基底W之间的附着。胶带膜120可以在没有气泡140(例如，见图10)的情况下附着到基底W的底表面。腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空气排放单元342和第二空气排放单元344可以具有与图3的腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空气排放单元342和第二空气排放单元344基本相同的特征。
图7是示出图1的层叠装置300的示例性实施例的剖视图。
参照图7，层叠装置300可以包括腔室310a、基底支架320a、膜支架330、第一空气排放单元342a、第二空气排放单元344、隔膜350、空气供应单元360和膜挤压单元370。
腔室310a的下壳体312a可以包括第一空气出口341a和第一空气入口345。第一空气出口341a可以设置为穿透下壳体312a的侧壁。第一空气出口341a可以设置为邻近上壳体314和膜支架330。第一空气入口345可以设置为穿透下壳体312的底部。
第一空气排放单元342a可以连接到第一空气出口341a。第一空气排放单元342a可以用来通过第一空气出口341a去除和/或排空基底W与胶带膜120之间的空气130至外部。例如，空气130可以通过第一空气出口341a从下壳体312a的内部部分地去除以降低下壳体312内部的气压。例如，可以排空基底W与胶带膜120之间的空气130使得基底W与胶带膜120在它们之间没有空气地附着。基底W与胶带膜120可以利用第一空气排放单元342a与第二空气排放单元344之间的压差彼此附着。
隔膜350可以设置在下壳体312a的底部上。在特定示例性实施例中，隔膜350可以设置在第一空气入口345上。隔膜350可以具有小于第一支撑件322a的内径的直径。例如，第一支撑件322a可以具有环形形状或者与环形类似的形状，第一支撑件322a的内径可以是由第一支撑件322a的内表面形成的圆的直径。在特定示例性实施例中，隔膜350可以具有大于第一支撑件322a的内径的直径。
空气供应单元360可以连接到第一空气入口345。空气供应单元360可以配置为通过第一空气入口345在由隔膜350限定的隔膜区域中供应空气130。在空气130在基底W与胶带膜120之间的区域中具有过低的压强的情况下，空气供应单元360可以从隔膜区域去除和/或排空空气130。例如，可以通过去除和/或注入隔膜350与下壳体312a之间的空气来调节隔膜350与下壳体312a之间的气压。隔膜350可以扩展。例如，隔膜350可以通过隔膜350的两侧之间的气压差而扩展。例如，隔膜350可以扩展到第一支撑件322a中。在这种情况下，隔膜350可以将凸起110和基底W压到胶带膜120和膜挤压单元370上。
膜挤压单元370可以设置在膜支架330和胶带膜120上。胶带膜120可以设置在膜挤压单元370与膜支架330之间。膜挤压单元370和膜支架330可以牢固地连接到形成在下壳体312a和/或上壳体314的内侧表面上的沟槽316。在特定示例性实施例中，膜挤压单元370可以是板状结构。膜挤压单元370可以被设置为覆盖胶带膜120。在隔膜350抬起基底W的情况下，膜挤压单元370可以将胶带膜120压到基底W上。胶带膜120可以通过由隔膜350和膜挤压单元370施加的力附着到基底W。
图8是示出图7的基底支架320a、膜支架330、隔膜350和膜挤压单元370的透视图。
参照图7和图8，基底支架320a的第一支撑件322a可以是环状结构。第一支撑件322a可以具有小于基底W的直径的内径。在特定示例性实施例中，第一支撑件322a可以具有小于膜支架330的内径的外径。可选择地，第一支撑件322a可以具有大于膜支架330的内径的外径。
膜挤压单元370可以具有第二孔372。可以通过第二孔372将上壳体314中的空气130供应到膜挤压单元370与胶带膜120之间的区域中。胶带膜120可以沿远离膜挤压单元370的方向弯曲，从而与基底W接触。
第二支撑件324、起模顶杆326和膜支架330可以具有与图4的第二支撑件324、起模顶杆326和膜支架330基本相同的特征。
图9是示出图1的切割装置400的示例性实施例的剖视图。
参照图9，切割装置400可以配置为执行将基底W分为多个芯片裸片CD的切割工艺。在特定示例性实施例中，切割装置400可以包括工作台410和锯420。工作台410可以配置为装载胶带膜120和膜支架330。锯420可以用来将基底W切割成芯片裸片CD。在特定示例性实施例中，可以使用激光束(未示出)执行基底W的切割工艺。基底W和芯片裸片CD可以附着到胶带膜120，并且可以在切割工艺期间设置在工作台410上的预定位置处。胶带膜120的使用可以有利于减少基底W和芯片裸片CD在切割装置400中的滑动或跳动。
膜支架330可以将胶带膜120固定到工作台410。当通过传输工具(未示出)传送胶带膜120、基底W和芯片裸片CD时，膜支架330的使用可以有利于安全地传输胶带膜120、基底W和芯片裸片CD。然后，可以将膜支架330与胶带膜120分离。
图10是示出在切割工艺中可能在图9中由基底W与胶带膜120之间的气泡140引起的工艺故障的示例的剖视图。
参照图10，可能在基底W与胶带膜120之间产生气泡140。在这种情况下，基底W和胶带膜120不能稳定地固定到工作台410。例如，基底W会相对于工作台410倾斜。因此，会对与工作台410成一定角度的基底W执行切割工艺。这在切割工艺中会导致工艺故障(例如，基底W的异常切割或者芯片裸片CD的碰撞)。
再次参照图6和图10，层叠装置300可以防止在胶带膜120与基底W之间产生气泡140。因此，能够防止或者减少在切割工艺和/或切割装置400中出现工艺故障。
图11是示出示出图1的捡取装置500的示例性实施例的示意图。
参照图11，捡取装置500可以包括扩展器510和夹钳520。扩展器510可以配置为抓住胶带膜120的相对的边缘。扩展器510可以配置为使胶带膜120扩展。例如，扩展器510可以使胶带膜120在其纵向方向上伸展。这可以使增大胶带膜120的表面面积和芯片裸片CD之间的距离成为可能。夹钳520可以配置为捡取每个芯片裸片CD。夹钳520可以配置为将每个芯片裸片CD传送到外部(例如，切割装置400的外部)。在特定示例性实施例中，夹钳520可以配置为对多个芯片裸片CD执行捡取和传送工艺。
根据发明构思的特定示例性实施例，层叠装置可以包括腔室、基底支架、膜支架和空气排放单元。腔室和空气排放单元可以配置为从基底支架与膜支架之间的区域去除和/或排空空气，这可以允许将膜支架上的胶带膜附着到基底支架上的基底，而在基底与胶带膜之间没有气泡出现。基底支架可以设置为支撑基底的边缘区域，该边缘区域在设置有凸起的区域外部。实施例的方面提供了在没有用于保护凸起的层的情况下将胶带膜附着到基底的方法。
先前实施例中的空气排放单元342、342a和344也可以称为空气去除单元。
在下文中，将描述制造半导体器件的方法。以上描述的关于各种实施例的元件的结构细节和/或位置细节也可以应用于下面描述的制造半导体器件的方法。
在基底W上形成各种电路器件之后，如图2中所示，对基底W执行晶片级封装。例如，对晶片基底W执行焊接工艺。
参照图3，可以在基底支架320上装载基底W。在将基底W装载在基底支架320上之前，可以打开上壳体314以使基底W在腔室310中移动。基底W可以形成有半导体器件。半导体器件可以是MOS FET、CMOS等。可以将基底W倒置地装载在基底支架320上。例如，形成有半导体器件的表面可以面向下。可以在基底W上方设置胶带膜120。在将膜设置在基底W上方之前，可以将胶带膜120附着到膜支架330。例如，可以在腔室310外部将胶带膜120附着到膜支架330。例如，可以用粘合剂将胶带膜120附着到膜支架330。
在将胶带膜120置于基底W上方之后，可以关闭上壳体314。例如，上壳体314可以设置在下壳体312上。与膜支架330结合的胶带膜120可以将腔室310分为两个区域(例如，上区域和下区域)。胶带膜120和膜支架330可以防止在腔室的上区域和下区域之间的大量空气流动。垫片(未示出)可以设置在下壳体312与上壳体314之间的连接区域处。垫片可以由橡胶、塑料、金属等形成。例如，垫片可以是纤维增强塑料(FRP)、聚氯乙烯(PVC)等。垫片可以是液体垫片。例如，垫片可以是油。垫片可以是润滑脂。垫片可以包括两个或者更多个组件。例如，垫片可以包括两种不同的材料。例如，垫片可以包括金属垫片和润滑脂。
在关闭上壳体314之后，第一空气去除单元342可以从腔室310的下区域去除一部分空气。随着腔室310的下区域的气压越来越低，胶带膜120从胶带膜120的中心部分向基底W弯曲，从而附着到基底W。在特定实施例中，第二空气去除单元344也可以从腔室310的上区域去除一部分空气，从而使腔室310的上区域的气压低于大气压强。在这种情况下，在将胶带膜120附着到基底W的同时，腔室310的下区域可以保持比腔室310的上区域的气压低的气压。同时从腔室310的两个区域(上区域和下区域)去除空气可以有助于防止或减少胶带膜120与基底W之间的空气气泡。
在特定实施例中，如图7中所示以及如上面相关描述中所讨论的，可以在胶带膜120与基底W之间的附着工艺期间使用隔膜350。隔膜350可以在附着工艺期间支撑基底W。隔膜350可以有助于减少或防止基底W弯曲，从而有助于保护基底W不被损坏。
在胶带膜120附着在基底W上之后，打开上壳体314，可以将基底W、胶带膜120和膜支架330从腔室310去除并移动到切割装置400。在特定实施例中，在打开上壳体314之前可以将腔室310的上区域和下区域的气压提高到与大气压强相同或相近。
在将基底W、胶带膜120和膜支架330移动到切割装置400之后，可以将基底W分为多个芯片裸片CD。胶带膜120的使用可以有助于减少基底W和芯片裸片CD在切割工艺期间在切割装置400中滑动或者跳动。
虽然已经具体示出和描述了发明构思的示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的变化。

Claims (22)

1.一种层叠装置，所述层叠装置包括：
第一壳体；
基底支架，设置在第一壳体中并且布置成容置基底；
膜支架，设置在第一壳体上并且布置成支撑胶带膜；以及
第一空气去除单元，连接到第一壳体，
其中，第一空气去除单元被布置成从第一壳体去除空气以将胶带膜附着到基底，
其中，基底支架包括：空气流板，在空气流板中具有孔；阶梯式轮圈，设置在空气流板的边缘区域上并且布置成容置基底的边缘区域，并且
其中，阶梯式轮圈具有引导凹槽，所述引导凹槽允许将基底固定到与空气流板分隔开比基底上的凸起的高度大的高度的位置。
2.根据权利要求1所述的层叠装置，其中，基底支架还包括：
起模顶杆，设置在空气流板下方并且布置为调节空气流板和阶梯式轮圈的竖直位置。
3.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，第一空气去除单元连接到第一壳体的底部。
4.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，空气流板的孔配置为允许通过第一空气去除单元将空气从基底下方的区域去除。
5.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，膜支架具有大于空气流板的直径的内径并且具有大于第一壳体的内径的外径。
6.根据权利要求1所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：
隔膜，设置在基底支架下方并且连接到第一壳体的底部，
空气供应单元，设置在隔膜下方并且连接到第一壳体的底部，
其中，空气供应单元被布置为将空气供应到由隔膜限定的区域中并且使隔膜扩展到基底支架中。
7.根据权利要求6所述的层叠装置，其中，第一壳体具有布置在隔膜外部的侧壁，第一空气去除单元连接到第一壳体的侧壁。
8.根据权利要求1所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：
第二壳体，设置在第一壳体上；以及
第二空气去除单元，连接到第二壳体，并且布置为利用比第一空气去除单元的空气泵压低的空气泵压从第二壳体去除空气，使得第二壳体中的气压高于第一壳体中的气压。
9.根据权利要求8所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：设置在膜支架和胶带膜上的膜挤压单元，
其中，膜挤压单元具有第二孔，允许在第二壳体中的空气经此流向胶带膜。
10.一种制造半导体器件的系统，所述制造半导体器件的系统包括：
封装装置，配置为将多个凸起附着到基底的第一表面，
层叠装置，配置为将胶带膜附着到基底的面对第一表面的第二表面；以及
切割装置，配置为将附着到胶带膜的基底切割成多个芯片裸片；
其中，层叠装置包括：
第一壳体；
基底支架，设置在第一壳体中并且配置为容置基底；
膜支架，设置在第一壳体上并且配置为支撑胶带膜；以及
第一空气去除单元，连接到第一壳体，
其中，第一空气去除单元配置为从第一壳体去除空气以将胶带膜附着到基底的第二表面，
其中，基底支架包括：第一支撑件，具有小于第一壳体的内径的直径；以及第二支撑件，设置在第一支撑件的边缘区域上，第二支撑件配置为支撑基底的在凸起外部的边缘部分，并且
其中，第二支撑件配置为容置基底的第一表面的边缘区域并且使基底与第一支撑件隔开大于凸起的直径的高度。
11.根据权利要求10所述的系统，其中，切割装置包括：
工作台，配置为容置膜支架、胶带膜和基底；以及
锯，配置为将基底切割成多个芯片裸片，
其中，膜支架配置为将胶带膜、基底和芯片裸片固定在工作台上。
12.根据权利要求10所述的系统，其中，层叠装置还包括：
隔膜，设置在第一支撑件下方并且连接到第一壳体的底部；以及
空气供应单元，设置在隔膜下方并且连接到第一壳体的底部，
其中，空气供应单元配置为将空气供应到由隔膜限定的区域中从而将隔膜压向凸起和基底。
13.根据权利要求10所述的系统，其中，层叠装置还包括：
第二壳体，设置在第一壳体上；
第二空气去除单元，连接到第二壳体，并且配置为利用比第一空气去除单元的空气泵压低的空气泵压从第二壳体去除空气，使得第二壳体中的气压高于第一壳体中的气压；以及
膜挤压单元，在第二壳体中设置在膜支架和胶带膜上，其中，膜挤压单元具有第二孔，允许在第二壳体中的空气经此流向胶带膜。
14.一种层叠装置，所述层叠装置包括：
腔室；
基底支架，设置在腔室中并且配置为容置基底；
膜支架，设置在基底支架上并且配置为支撑胶带膜；以及
第一空气去除单元，连接到腔室，
其中，基底支架包括：第一支撑件，以及第二支撑件，设置在第一支撑件的边缘区域上，
其中，基底支架配置为使得基底的中心区域设置在第一支撑件上方并且基底的中心区域与第一支撑件分隔开，
其中，第二支撑件配置为容置基底的中心区域，并且
其中，第一空气去除单元配置为去除基底与胶带膜之间的空气从而将胶带膜附着到基底。
15.根据权利要求14所述的层叠装置，其中，腔室由下壳体和设置在下壳体上的上壳体形成，
其中，基底支架设置在下壳体中。
16.根据权利要求15所述的层叠装置，其中，膜支架连接到下壳体和上壳体的内侧表面。
17.根据权利要求15所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：
第二空气去除单元，连接到上壳体，
其中，第一空气去除单元连接到下壳体，并且
第二空气去除单元配置为利用比第一空气去除单元的空气泵压低的空气泵压去除上壳体中的空气，使得上壳体中的气压高于下壳体中的气压。
18.根据权利要求17所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：
隔膜，设置在基底支架下方并且连接到下壳体的底部；以及
空气供应单元，设置在隔膜下方并且连接到下壳体的底部，
其中，空气供应单元配置为将空气供应到由隔膜限定的区域中并且使隔膜扩展，
下壳体具有布置在隔膜外部并且连接到第一空气去除单元的侧壁。
19.一种层叠装置，所述层叠装置包括：
腔室，形成在下壳体和布置在下壳体上的上壳体中；
基底支架，设置在下壳体中并且布置为容置基底；
膜支架，设置在下壳体与上壳体之间，膜支架配置为支撑胶带膜；以及
第一空气去除单元，连接到下壳体，第一空气去除单元配置为从下壳体去除空气从而将胶带膜附着到基底，
其中，基底支架包括：第一支撑件；第二支撑件，设置在第一支撑件的边缘区域上，第二支撑件配置为支撑基底的边缘区域，并且
其中，第二支撑件中的每个具有引导凹槽，所述引导凹槽允许将基底固定到与第一支撑件分隔开比设置在基底上的凸起的高度大的高度的位置。
20.根据权利要求19所述的层叠装置，其中，基底支架还包括：
起模顶杆，设置为穿过下壳体并在第一支撑件下方，起模顶杆配置为调节第一支撑件和第二支撑件的竖直位置。
21.根据权利要求20所述的层叠装置，其中，第一空气去除单元连接到下壳体的底部，以及
第一支撑件具有至少一个第一孔，允许将空气从基底下方的区域去除。
22.根据权利要求20所述的层叠装置，其中，膜支架具有大于第一支撑件的直径且小于下壳体的内径的内径，膜支架具有大于下壳体的内径的外径。
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