JPH02123751A - 半導体製造装置のウエハチヤツク - Google Patents
半導体製造装置のウエハチヤツクInfo
- Publication number
- JPH02123751A JPH02123751A JP63277993A JP27799388A JPH02123751A JP H02123751 A JPH02123751 A JP H02123751A JP 63277993 A JP63277993 A JP 63277993A JP 27799388 A JP27799388 A JP 27799388A JP H02123751 A JPH02123751 A JP H02123751A
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- JP
- Japan
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- wafer
- distorted
- chuck
- sucking surface
- diaphragm
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置のウェハチャックに関するも
のである。
のである。
第４図は従来の半導体製造装置のウェハチャックを示す
断面図であり、図において（１）はウェハ吸着面、（２
）はウェハ吸着面（１）に形成された吸着孔、（３）は
吸着用の真空口、（４）はウェハである。
断面図であり、図において（１）はウェハ吸着面、（２
）はウェハ吸着面（１）に形成された吸着孔、（３）は
吸着用の真空口、（４）はウェハである。
次に動作について説明する。ウェハ吸着面（１）に乗せ
られたウェハ（４）は真空口（３）を真空に引くと、吸
着孔（２）によってウェハ吸着面（１）に吸着される。
られたウェハ（４）は真空口（３）を真空に引くと、吸
着孔（２）によってウェハ吸着面（１）に吸着される。
このウェハ（４）に所定の処理を行なった後に、真空口
（３）を大気圧にすることにより吸着力はなくなり、ウ
ェハ（４）はウェハチャックから取りはずすことが可能
となる。
（３）を大気圧にすることにより吸着力はなくなり、ウ
ェハ（４）はウェハチャックから取りはずすことが可能
となる。
従来のウェハチャックは、例えば露光装置では、光学系
の焦点深度幅よリウェハ表面の凹凸の幅を小さくするた
めに、チャック表面を例えば±１μｍ以内の平坦度にす
る必要があった。しかし実際のウェハはプロセス工程中
での何度かの熱処理により局部的に歪むことがあるため
、第５図に示すようにウニ八周辺部がそり返るように歪
むと、この歪んだウェハ（４Ａ）はそのそり返り部分が
吸着されないために吸着不良となり、パターンが正常に
転写されないという問題点があった。
の焦点深度幅よリウェハ表面の凹凸の幅を小さくするた
めに、チャック表面を例えば±１μｍ以内の平坦度にす
る必要があった。しかし実際のウェハはプロセス工程中
での何度かの熱処理により局部的に歪むことがあるため
、第５図に示すようにウニ八周辺部がそり返るように歪
むと、この歪んだウェハ（４Ａ）はそのそり返り部分が
吸着されないために吸着不良となり、パターンが正常に
転写されないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、歪んだウェハでも完全に吸着して平坦にする
ことができるウェハチャッりを得ることを目的とする。
たもので、歪んだウェハでも完全に吸着して平坦にする
ことができるウェハチャッりを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置のウェハチエツクは、ウ
ェハ吸着面が中央部で凹む凹状に形成されているととも
に、ウェハ吸着面の平坦度を調整する機構を備えたもの
である。
ェハ吸着面が中央部で凹む凹状に形成されているととも
に、ウェハ吸着面の平坦度を調整する機構を備えたもの
である。
この発明においては、凹状のウェハ吸着面によって歪ん
だウェハを確実に吸着した後、吸着したウェハの平坦度
を調整してウェハの平坦を確保する。
だウェハを確実に吸着した後、吸着したウェハの平坦度
を調整してウェハの平坦を確保する。
以下、この発明の一実施例を第１図〜第３図について説
明する。各図はいずれもウェハチャックの断面図であっ
て、動作順序を表わしている。図中前記従来のものと同
一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する
。（ＩＡ）は中央部が周辺部より凹となるように凹状に
形成されたウェハ吸着面、（５）は加圧室（６）を形成
するダイアフラム、（７）はウェハ吸着面（ＩＡ）とダ
イアフラム（５）とを接続していてダイアフラム（５）
の変位をウェハ吸着面（ＩＡ）に伝える伝達部、（８）
はダイアプラム（５）に変位を与えるための加圧用気体
の導入口である。
明する。各図はいずれもウェハチャックの断面図であっ
て、動作順序を表わしている。図中前記従来のものと同
一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する
。（ＩＡ）は中央部が周辺部より凹となるように凹状に
形成されたウェハ吸着面、（５）は加圧室（６）を形成
するダイアフラム、（７）はウェハ吸着面（ＩＡ）とダ
イアフラム（５）とを接続していてダイアフラム（５）
の変位をウェハ吸着面（ＩＡ）に伝える伝達部、（８）
はダイアプラム（５）に変位を与えるための加圧用気体
の導入口である。
第１図において、真空口（３）は大気圧、導入口（８）
も大気圧の状態である。従来では吸着されない歪んだウ
ェハ（４Ａ）をウェハ吸着面（ＩＡ）上に乗せる。次に
第１図の状態において真空口（３）を真空とすると、歪
んだウェハ（４Ａ）は第２図に示すように確実にウェハ
吸着面（ＩＡ）に吸着される。
も大気圧の状態である。従来では吸着されない歪んだウ
ェハ（４Ａ）をウェハ吸着面（ＩＡ）上に乗せる。次に
第１図の状態において真空口（３）を真空とすると、歪
んだウェハ（４Ａ）は第２図に示すように確実にウェハ
吸着面（ＩＡ）に吸着される。
さらに第２図に示すように歪んだウェハ（４Ａ）を凹状
に吸着した状態で、導入口（８）から加圧した気体を入
れると、第３図に示すように加圧室（６）によってダイ
アフラム（５）が膨張し、チャック中央部を最大変位と
した凸状となる。このダイアフラム（５）の凸状変位は
伝達部（７）によりチャック吸着面（ＩＡ）に伝達され
、結果とし【歪んだウェハ（４Ａ）は第３図に示すよう
に平坦となる。あらかじめ最も平坦となる圧力を調べて
おくことで、以上の一連の動作は素早く行なうことが可
能である。また露光装置などにおいては、この加圧量を
自動焦点機構によって制御することにより、上記の平坦
化を確実に行なうことが可能となる。
に吸着した状態で、導入口（８）から加圧した気体を入
れると、第３図に示すように加圧室（６）によってダイ
アフラム（５）が膨張し、チャック中央部を最大変位と
した凸状となる。このダイアフラム（５）の凸状変位は
伝達部（７）によりチャック吸着面（ＩＡ）に伝達され
、結果とし【歪んだウェハ（４Ａ）は第３図に示すよう
に平坦となる。あらかじめ最も平坦となる圧力を調べて
おくことで、以上の一連の動作は素早く行なうことが可
能である。また露光装置などにおいては、この加圧量を
自動焦点機構によって制御することにより、上記の平坦
化を確実に行なうことが可能となる。
なお、上記実施例では凹状のウェハ吸着面（ＩＡ）を平
坦にするための駆動力として気体圧を用いたが、圧電素
子等を用い【も同じ効果を得ることが出来る。
坦にするための駆動力として気体圧を用いたが、圧電素
子等を用い【も同じ効果を得ることが出来る。
以上のように、この発明によれば歪んだウェハでも確実
に吸着して平坦にすることができるという効果がある。
に吸着して平坦にすることができるという効果がある。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例によるウェハチャ
ックを示す断面図、第４図および第Ｓ図は従来のウェハ
チャックを示す断面図である。 図において、（ＩＡ）はウェハ吸着面、（２）は吸着孔
、（３）は真空口、（４Ａ）は歪んだウェハ、（５）は
ダイアフラム、 ある。 なお、 す。 図中同一符号は同−又は相当部分を示 （６）は加圧室、 （８）は導入口で
ックを示す断面図、第４図および第Ｓ図は従来のウェハ
チャックを示す断面図である。 図において、（ＩＡ）はウェハ吸着面、（２）は吸着孔
、（３）は真空口、（４Ａ）は歪んだウェハ、（５）は
ダイアフラム、 ある。 なお、 す。 図中同一符号は同−又は相当部分を示 （６）は加圧室、 （８）は導入口で
Claims (1)
- （１）ウェハを吸着する吸着面をその中央部が周辺部よ
り凹となるように凹状に形成し、かつこの凹状吸着面の
平坦度を調整する機構を備えたことを特徴とする半導体
製造装置のウェハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277993A JPH02123751A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置のウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277993A JPH02123751A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置のウエハチヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123751A true JPH02123751A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17591130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277993A Pending JPH02123751A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置のウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123751A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6519222B2 (en) | 1998-04-03 | 2003-02-11 | Asaca Corporation | Automatic disc changing device |
| JP2007502538A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 高圧処理中にウエハを保持する真空チャック装置及び方法 |
| JP2010182866A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| DE102012104011A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Schott Solar Ag | Flächensauggreifer mit konkaver Saugplatte |
| DE102012105218A1 (de) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Epcos Ag | Haltevorrichtung zum Festhalten eines Wafers und Verfahren zur Befestigung eines Wafers |
| JP2017112343A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置および基板保持方法 |
| JP2020035929A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持部材 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63277993A patent/JPH02123751A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6519222B2 (en) | 1998-04-03 | 2003-02-11 | Asaca Corporation | Automatic disc changing device |
| JP2007502538A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 高圧処理中にウエハを保持する真空チャック装置及び方法 |
| JP2010182866A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| DE102012104011A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Schott Solar Ag | Flächensauggreifer mit konkaver Saugplatte |
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| JP2017112343A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置および基板保持方法 |
| JP2020035929A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持部材 |
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