JPS621242A - 半導体ウエハにテ−プ又はシ−トを接着する方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハにテ−プ又はシ−トを接着する方法及び装置Info
- Publication number
- JPS621242A JPS621242A JP61040183A JP4018386A JPS621242A JP S621242 A JPS621242 A JP S621242A JP 61040183 A JP61040183 A JP 61040183A JP 4018386 A JP4018386 A JP 4018386A JP S621242 A JPS621242 A JP S621242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- sheet
- tape
- adhesive tape
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハにテープ又はシート(以下、テー
プ等という)を接着する方法及び装置に関する。
プ等という)を接着する方法及び装置に関する。
集積回路(IC>、大型集積回路(LSI)、超大型集
積回路(VLSI)等の半導体装置を製造する場合にお
いて、半導体ウェハの表面に多数の電気パターンを形成
した後、個々の半導体チップの素子に切断される。この
切断はいわゆるグイシング工程において通常ダイヤモン
ドブレードによって行なわれる。しかしながら、切断さ
れた素子がばらばらになることを防止するために、切断
前に予め半導体ウェハ全面をテープ等に接着しておいて
切断する方法が従来から知られている。
積回路(VLSI)等の半導体装置を製造する場合にお
いて、半導体ウェハの表面に多数の電気パターンを形成
した後、個々の半導体チップの素子に切断される。この
切断はいわゆるグイシング工程において通常ダイヤモン
ドブレードによって行なわれる。しかしながら、切断さ
れた素子がばらばらになることを防止するために、切断
前に予め半導体ウェハ全面をテープ等に接着しておいて
切断する方法が従来から知られている。
然しなから、この半導体ウェハとテープ等の接着をする
際に、テープ等に圧力を印加しすぎると半導体ウェハ表
面に破損等の損傷を与えたり、又接着強度を均一にする
ことが困難である。
際に、テープ等に圧力を印加しすぎると半導体ウェハ表
面に破損等の損傷を与えたり、又接着強度を均一にする
ことが困難である。
従来より知られたウェハとテープ等との接着方法として
コアーのようなものがある。ウェハ載置台上にパターン
ニングされた半導体ウェハが載置され、例えば塩化ビニ
ール製の粘着性のあるテープ等が接触される。半導体ウ
ェハとテープ等との接着は、半導体ウェハの表面を載置
台に接触させた後、そのテープ表面から、ゴムローラや
ブラシ等によって押圧を加えて行なう、この種のものの
従来技術として例えば特開昭59−152639号があ
る。
コアーのようなものがある。ウェハ載置台上にパターン
ニングされた半導体ウェハが載置され、例えば塩化ビニ
ール製の粘着性のあるテープ等が接触される。半導体ウ
ェハとテープ等との接着は、半導体ウェハの表面を載置
台に接触させた後、そのテープ表面から、ゴムローラや
ブラシ等によって押圧を加えて行なう、この種のものの
従来技術として例えば特開昭59−152639号があ
る。
又、従来の接着方法の他の方法として、真空内でウェハ
載置台上に半導体ウェハを載置して、テープ等との接着
を真空の圧力差により押圧を加えて行う方法もあるがこ
の種のものの従来技術として、例えば特開昭59−10
3354号、特開昭60−80249号等がある。
載置台上に半導体ウェハを載置して、テープ等との接着
を真空の圧力差により押圧を加えて行う方法もあるがこ
の種のものの従来技術として、例えば特開昭59−10
3354号、特開昭60−80249号等がある。
上記の半導体ウェハとテープ等との接着を行う前者の方
法では、接着の際にローラブラシでテープ等を半導体ウ
ェハに押圧することが問題であり、そのために半導体ウ
ェハが損傷したり、あるいはテーテ等とウェハ間に気泡
を巻き込んだりするという不具合を生ずる。また、後者
の方法では、半導体ウェハとテープ等との接着する間隙
に気泡を巻き込む恐れがないという利点はあるが、半導
体ウェハに圧力を加えるために、半導体ウェハの表面を
損傷する欠点は解消できない。
法では、接着の際にローラブラシでテープ等を半導体ウ
ェハに押圧することが問題であり、そのために半導体ウ
ェハが損傷したり、あるいはテーテ等とウェハ間に気泡
を巻き込んだりするという不具合を生ずる。また、後者
の方法では、半導体ウェハとテープ等との接着する間隙
に気泡を巻き込む恐れがないという利点はあるが、半導
体ウェハに圧力を加えるために、半導体ウェハの表面を
損傷する欠点は解消できない。
本発明によれば、真空室を規定するハウジング手段と、
表面に電気パターンが形成された略ディスク状半導体ウ
ェハを、その表面の周縁部のみが接するように支承する
前記真空室内に設けたテーブルと、少なくとも片面に接
着面を有するテープ等を、その接着面と半導体ウェハの
裏面との間に所定の小間隙が維持されるように、前記真
空容器内の所定位置に支持する手段と、前記接着テープ
等を半導体ウェハに対してわずかな力で押圧し該テープ
等を少なくともウェハの周縁部の領域で該ウェハの裏面
に予備的に接着させる手段と、該真空室の圧力を調整す
る手段とを含んで成る、半導体ウェハにテープ等を接着
する装置が提供される。
表面に電気パターンが形成された略ディスク状半導体ウ
ェハを、その表面の周縁部のみが接するように支承する
前記真空室内に設けたテーブルと、少なくとも片面に接
着面を有するテープ等を、その接着面と半導体ウェハの
裏面との間に所定の小間隙が維持されるように、前記真
空容器内の所定位置に支持する手段と、前記接着テープ
等を半導体ウェハに対してわずかな力で押圧し該テープ
等を少なくともウェハの周縁部の領域で該ウェハの裏面
に予備的に接着させる手段と、該真空室の圧力を調整す
る手段とを含んで成る、半導体ウェハにテープ等を接着
する装置が提供される。
更にまた、本発明では、表面に電気パターンが形成され
た半導体ウェハにテープ等を接着する方法であって、略
ディスク状の前記ウェハをその周縁部のみがテーブルに
接触するように真空室内のテーブル上に設置し、少なく
とも片面に接着面を有するテープ等を、その接着面とウ
ェハ裏面との間に所定の小間隙が維持されるように、前
記真空室内の所定位置に設置し、前記真空室内の空気圧
を減圧し、次に前記接着テープ等を半導体ウェハに対し
てわずかな力で押圧し該テープ等を少なくともウェハの
周縁部の領域で該ウニへの裏面に予備的に接着させ、次
に該真空室内の空気圧を増加しこの圧力変化により前記
接着テープ等をウェハの裏面に完全に接着させるように
なした、半導体ウェハにテープ等を接着する方法が提供
される。
た半導体ウェハにテープ等を接着する方法であって、略
ディスク状の前記ウェハをその周縁部のみがテーブルに
接触するように真空室内のテーブル上に設置し、少なく
とも片面に接着面を有するテープ等を、その接着面とウ
ェハ裏面との間に所定の小間隙が維持されるように、前
記真空室内の所定位置に設置し、前記真空室内の空気圧
を減圧し、次に前記接着テープ等を半導体ウェハに対し
てわずかな力で押圧し該テープ等を少なくともウェハの
周縁部の領域で該ウニへの裏面に予備的に接着させ、次
に該真空室内の空気圧を増加しこの圧力変化により前記
接着テープ等をウェハの裏面に完全に接着させるように
なした、半導体ウェハにテープ等を接着する方法が提供
される。
本発明では第1段階で接着テープ等がウェハに予備的に
接着され、次いで真空室内の圧力変化によりテープ等が
完全にウェハに接着される。
接着され、次いで真空室内の圧力変化によりテープ等が
完全にウェハに接着される。
第1図において、上ハウジングlと下ハウジング2とで
真空室3から形成される。これら両者の接合面には0リ
ングシール3′が配置され室3内を気密に維持する。下
ハウジング2は空気排出口4を有し、空気バルブ6を具
えた配管5を介して真空ポンプ7に接続され、室3内の
圧力を20Torr以下に減圧できるようになっている
。上チャンバlは空気流入口8を有し、空気バルブ10
を具えた配管9を介して大気に開放され、室3内を大気
圧又はその近傍の圧力にまで昇圧することができる。
真空室3から形成される。これら両者の接合面には0リ
ングシール3′が配置され室3内を気密に維持する。下
ハウジング2は空気排出口4を有し、空気バルブ6を具
えた配管5を介して真空ポンプ7に接続され、室3内の
圧力を20Torr以下に減圧できるようになっている
。上チャンバlは空気流入口8を有し、空気バルブ10
を具えた配管9を介して大気に開放され、室3内を大気
圧又はその近傍の圧力にまで昇圧することができる。
下ハウジング2内には脚12上に水平に配置した円筒形
支持テーブル11があり、このテーブルは第2図に示す
ような円形支持面11aを備え、その上に略円板(ディ
スク)状の半導体ウェハ13が載置され、その周縁13
aのみがテーブル11の支持面11aに接触している。
支持テーブル11があり、このテーブルは第2図に示す
ような円形支持面11aを備え、その上に略円板(ディ
スク)状の半導体ウェハ13が載置され、その周縁13
aのみがテーブル11の支持面11aに接触している。
テープ取付治具14は下ハウジング2の内部で、テーブ
ル11の外側の脚15上に配置されている。このテープ
取付治具14は接着シートユニット16を周知の方法で
固定するために使用される。接着シートユニット16は
、第3図に示すように、片面に接着面を有する、例えば
塩化ビニルからなる薄いテープ等17と、このテープ等
17の周縁を保持する取付フレーム18とから成る。
ル11の外側の脚15上に配置されている。このテープ
取付治具14は接着シートユニット16を周知の方法で
固定するために使用される。接着シートユニット16は
、第3図に示すように、片面に接着面を有する、例えば
塩化ビニルからなる薄いテープ等17と、このテープ等
17の周縁を保持する取付フレーム18とから成る。
上ハウジングlの内壁には水平な案内シャフト21が設
けられ、それに沿ってローラベース22が移動可能にな
っている。ローラ23はゴム等より成りローラフレーム
24に回転自在に取付けられ、このローラフレーム24
はローラベース22に可動に取付けた垂直シャフト33
を有する。ローラベース22は、上ハウジング1上に取
付けた駆動モータ27の出力軸プーリ26とアイドルプ
ーリ28との間に延びる駆動ベルト25に連結され、ロ
ーラベース22すなわちローラ23はモータ27により
所定のストロークの範囲内で案内シャフト21に沿って
水平方向に移動できるようになっている。ローラフレー
ム24は、上チャンバ1の側壁に回転自在に取付けた一
対のローラ30a。
けられ、それに沿ってローラベース22が移動可能にな
っている。ローラ23はゴム等より成りローラフレーム
24に回転自在に取付けられ、このローラフレーム24
はローラベース22に可動に取付けた垂直シャフト33
を有する。ローラベース22は、上ハウジング1上に取
付けた駆動モータ27の出力軸プーリ26とアイドルプ
ーリ28との間に延びる駆動ベルト25に連結され、ロ
ーラベース22すなわちローラ23はモータ27により
所定のストロークの範囲内で案内シャフト21に沿って
水平方向に移動できるようになっている。ローラフレー
ム24は、上チャンバ1の側壁に回転自在に取付けた一
対のローラ30a。
30bにそれぞれ係合する一対のカム部材29a。
29bを有し、ローラフレーム24すなわちローラ23
はそのストロークの両端において持ち上げられ接着テー
プ等17から離れる。
はそのストロークの両端において持ち上げられ接着テー
プ等17から離れる。
上ハウジングlにはアーム31が固着され、このアーム
31は機械ベース(図示せず)に連結された軸32まわ
りに矢印方向に枢動可能になっており、上ハウジング1
を下ハウジング2がら離すことにより室3を開くことが
できる。
31は機械ベース(図示せず)に連結された軸32まわ
りに矢印方向に枢動可能になっており、上ハウジング1
を下ハウジング2がら離すことにより室3を開くことが
できる。
テープ等17を半導体ウェハ13に接着さセる手順は次
のとおりである。まず、上ハウジング1を持ち上げるこ
とにより室3を開く。逆に下ハウジング2を下降させて
室3を開くようにしてもよいことは勿論である。略円板
状のウェハ13はその表面に既に電気パターンが形成さ
れており、このウェハ13を上述のように円筒形テーブ
ルll上に載置する。この場合において、電気パターン
が形成された、ウェハ13の表面の大部分を占める中央
部はテーブル11の上部支持面11aに接触しない。テ
ーブルll上に載置したウェハ13はその裏面が上向き
となる0次に、接着面が下向きとなるように接着シート
ユニット16をテープ取付治具14に固定し、テープ等
17とウェハ13の裏面との間にわずかな間隙、例えば
0.4〜0.5−一が維持されるようにする。次に、上
ハウジングlを下降さセて室3を閉じ、真空ポンプ7に
より室3の内部を20Torr以下に減圧する。この状
態になってからモータ27を駆動しローラベース22を
案内シャフト21に沿って移動させる。カム部材29a
又は29bが案内ロールaha又は30bから離れると
ローラ23はウェハ13の裏面上を転動し、ローラ23
の自重(約200〜300g)にほぼ等しい程度のわず
かな押圧力で接着テープ等17をウェハ13に対して押
圧し、もって接着シート等17がウェハ13.の裏面の
、少なくとも第2図のAで示す周縁の領域に予備的に接
着される。ローラ13はそのストローク端で持ち上げら
れ接着テープ等°17から離れる。なお、ローラ23の
代わりにブラシ(図示せず)を用いてもよい。ローラ2
3の上昇後、空気バルブ10が開放され大気が室3内へ
導入され、室3内の圧力が大気圧又はその近傍の圧力と
なる。この圧力上昇により、薄い接着テープ等17はウ
ェハ13の裏面に対して吸引されその全面にわたって完
全に接着される。
のとおりである。まず、上ハウジング1を持ち上げるこ
とにより室3を開く。逆に下ハウジング2を下降させて
室3を開くようにしてもよいことは勿論である。略円板
状のウェハ13はその表面に既に電気パターンが形成さ
れており、このウェハ13を上述のように円筒形テーブ
ルll上に載置する。この場合において、電気パターン
が形成された、ウェハ13の表面の大部分を占める中央
部はテーブル11の上部支持面11aに接触しない。テ
ーブルll上に載置したウェハ13はその裏面が上向き
となる0次に、接着面が下向きとなるように接着シート
ユニット16をテープ取付治具14に固定し、テープ等
17とウェハ13の裏面との間にわずかな間隙、例えば
0.4〜0.5−一が維持されるようにする。次に、上
ハウジングlを下降さセて室3を閉じ、真空ポンプ7に
より室3の内部を20Torr以下に減圧する。この状
態になってからモータ27を駆動しローラベース22を
案内シャフト21に沿って移動させる。カム部材29a
又は29bが案内ロールaha又は30bから離れると
ローラ23はウェハ13の裏面上を転動し、ローラ23
の自重(約200〜300g)にほぼ等しい程度のわず
かな押圧力で接着テープ等17をウェハ13に対して押
圧し、もって接着シート等17がウェハ13.の裏面の
、少なくとも第2図のAで示す周縁の領域に予備的に接
着される。ローラ13はそのストローク端で持ち上げら
れ接着テープ等°17から離れる。なお、ローラ23の
代わりにブラシ(図示せず)を用いてもよい。ローラ2
3の上昇後、空気バルブ10が開放され大気が室3内へ
導入され、室3内の圧力が大気圧又はその近傍の圧力と
なる。この圧力上昇により、薄い接着テープ等17はウ
ェハ13の裏面に対して吸引されその全面にわたって完
全に接着される。
これにより、接着テープ等17とウェハ13との間に均
一かつ安定した接着が確保されかつ気泡等を巻き込むこ
とがない。次に、上ハウジングlを上昇して室3を開き
、ウェハ13と接着シートユニット16を取り除く。
一かつ安定した接着が確保されかつ気泡等を巻き込むこ
とがない。次に、上ハウジングlを上昇して室3を開き
、ウェハ13と接着シートユニット16を取り除く。
次に、いわゆるグイシング工程で第4図に一点鎖線で示
すようにウェハ13を多数の個々のチップに切断する。
すようにウェハ13を多数の個々のチップに切断する。
この切断工程において、各チップはバラバラになること
はない。各チップはIC。
はない。各チップはIC。
L S I 、VLSI等の半導体装置に使用される。
上述のように、半導体ウェハ13は接着テープ17等に
均一かつ安定して接着されているので、切断後の各チッ
プがバラバラに分散することはなく、また接着時にウェ
ハの表面には無理な外力がいっさい加わらないので、ウ
ェハ表面を損傷するおそれはない。
均一かつ安定して接着されているので、切断後の各チッ
プがバラバラに分散することはなく、また接着時にウェ
ハの表面には無理な外力がいっさい加わらないので、ウ
ェハ表面を損傷するおそれはない。
第1図は本発明の半導体ウェハにテープ等を接着する装
置の断面図、第2図は第1図の線■−■に沿って見た図
、 第3図は第1図の線m−mに沿った断面図、並びに第4
図は半導体ウェハの斜視図である。 1.2・・・ハウジング、 3・・・真空室、5.1
0・・・空気バルブ、 7・・・真空ポンプ、11・・
・テーブル、 13・・・半導体ウェハ、16・・
・接着シート(テープ)ユニット、17・・・接着シー
ト(テープ)、23・・・ローラ。
置の断面図、第2図は第1図の線■−■に沿って見た図
、 第3図は第1図の線m−mに沿った断面図、並びに第4
図は半導体ウェハの斜視図である。 1.2・・・ハウジング、 3・・・真空室、5.1
0・・・空気バルブ、 7・・・真空ポンプ、11・・
・テーブル、 13・・・半導体ウェハ、16・・
・接着シート(テープ)ユニット、17・・・接着シー
ト(テープ)、23・・・ローラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空室を規定するハウジング手段と、表面に電気パ
ターンが形成された略ディスク状半導体ウェハを、その
表面の周縁部のみが接するように支承する前記真空室内
に設けたテーブルと、少なくとも片面に接着面を有する
テープ又はシートを、その接着面と半導体ウェハの裏面
との間に所定の小間隙が維持されるように、前記真空容
器内の所定位置に支持する手段と、前記接着テープ又は
シートを半導体ウェハに対してわずかな力で押圧し該テ
ープ又はシートを少なくともウェハの周縁部の領域で該
ウェハの裏面に予備的に接着させる手段と、該真空室の
圧力を調整する手段とを含んで成る、半導体ウェハにテ
ープ又はシートを接着する装置。 2、ハウジング手段は下ハウジングと、機械ベースに枢
動可能に取付けられた上ハウジングとから成り、前記真
空室は上ハウジングを下ハウジングに対して上昇、下降
することにより開閉されるようにし、真空室が閉じられ
た時両ハウジング間が気密にシールされるように構成さ
れた特許請求の範囲第1項記載の装置。 3、テーブルは円筒支持面より成り、該テーブル上に略
ディスク状の半導体ウェハが該ウェハの表面の周縁のみ
がテーブルに接触するように、水平に設置される特許請
求の範囲第1項記載の装置。 4、押圧手段は、接着テープ又はシート上下を転動ゴム
ローラから成り、該ゴムローラはその自重にほぼ等しい
わずかな圧力で接着テープ又はシートを押圧し、もって
該接着テープ又はシートを半導体ウェハに予備的に接着
せしめるようになった特許請求の範囲第1項記載の装置
。 5、ゴムローラはローラベースに垂直方向に移動可能に
取付けられたローラフレームに回転自在に取付けられ、
前記ローラベースは所定のストローク内で案内シャフト
に沿って水平方向に移動可能である特許請求の範囲第4
項記載の装置。 6、ローラフレームには、前記ハウジング内に設置され
た一対のロールにそれぞれ係合するカム部材が取付けら
れ、もって前記カムローラはそのストロークの両端で上
昇され接着テープ又はシートより離れるように構成され
た特許請求の範囲第5項記載の装置。 7、表面に電気パターンが形成された半導体ウェハにテ
ープ又はシートを接着させる方法であって、略ディスク
状の前記ウェハをその周縁部のみがテーブルに接触する
ように真空室内のテーブル上に設置し、少なくとも片面
に接着面を有するテープ又はシートを、その接着面とウ
ェハ裏面との間に所定の小間隙が維持されるように、前
記真空室内の所定位置に設置し、前記真空室内の空気圧
を減圧し、次に前記接着テープ又はシートを半導体ウェ
ハに対してわずかな力で押圧し該テープ又はシートを少
なくともウェハの周縁部の領域で該ウェハの裏面に予備
的に接着させ、次に該真空室内の空気圧を増加しこの圧
力変化により前記接着テープ又はシートをウェハの裏面
に完全に接着させるようになした、半導体ウェハにテー
プ又はシートを接着する方法。 8、接着テープ又はシートとウェハとの間隙は0.4〜
0.5mmである特許請求の範囲第7項記載の方法。 9、真空室の圧力は真空ポンプにより20Torr以下
に減圧され、かつ大気の導入により増圧される特許請求
の範囲第7項記載の方法。 10、接着テープ又はシートはその上にゴムローラを転
動させることによりウェハの裏面に予備的に接着される
特許請求の範囲第7項記載の方法。 11、上記ローラの重量は200〜300gである特許
請求の範囲第10項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3999685 | 1985-02-07 | ||
JP60-39996 | 1985-02-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS621242A true JPS621242A (ja) | 1987-01-07 |
JPH0234175B2 JPH0234175B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=12568535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61040183A Granted JPS621242A (ja) | 1985-02-07 | 1986-02-27 | 半導体ウエハにテ−プ又はシ−トを接着する方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4714511A (ja) |
EP (1) | EP0193159B1 (ja) |
JP (1) | JPS621242A (ja) |
KR (1) | KR900001235B1 (ja) |
DE (1) | DE3685136D1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6473739A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Table for wafer mounting |
JPH0311749A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 |
EP0600392A3 (en) * | 1992-11-26 | 1994-08-24 | Sumitomo Electric Industries | Process for reinforcing a semiconductor wafer and a reinforced semiconductor wafer. |
JP2014179441A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5039371A (en) * | 1989-03-23 | 1991-08-13 | Lockheed Corporation | Apparatus for roll-consolidation of thermoplastic composite laminates |
DE4228218C2 (de) * | 1992-08-25 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Planarisierung einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat |
US5300175A (en) * | 1993-01-04 | 1994-04-05 | Motorola, Inc. | Method for mounting a wafer to a submount |
JP3838797B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 部品の貼り着け方法とその装置 |
WO2003101707A1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-11 | Npp Packaging Graphics Specialists, Inc. | Vacuum laminator |
JP4387879B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2009-12-24 | 株式会社ディスコ | 保護テープ装着方法および保護テープ装着装置 |
CN1861392B (zh) * | 2005-05-10 | 2011-09-28 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 贴片机 |
US7348216B2 (en) * | 2005-10-04 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Rework process for removing residual UV adhesive from C4 wafer surfaces |
TWI283005B (en) * | 2005-12-28 | 2007-06-21 | Au Optronics Corp | Low-pressure process apparatus |
JP5417131B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法 |
WO2014201627A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Apparatus and method for taping adhesive film on semiconductor substrate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3330714A (en) * | 1962-03-08 | 1967-07-11 | Vari Products Co | Method of adhering adhesive backed light reflector unit to a mounting surface |
DE2712521C2 (de) * | 1977-03-22 | 1987-03-05 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum Aufkitten von Scheiben |
US4242162A (en) * | 1979-05-08 | 1980-12-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tape applying device and method |
JPS6060800A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-08 | 日東電工株式会社 | リングと薄板の貼着装置 |
JPS59103354A (ja) * | 1983-09-21 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | 板状物の貼着装置 |
GB2159763B (en) * | 1984-06-06 | 1987-11-18 | Nitto Electric Ind Co | Process for sticking adhesive tape on thin article |
IT1242533B (it) * | 1990-06-07 | 1994-05-16 | Ima Spa | Dispositivo per il trasferimento di tavolette, in particolare blister,da una linea di trasporto delle stesse tavolette ad un magazzino, e viceversa. |
-
1986
- 1986-02-25 US US06/833,308 patent/US4714511A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-25 EP EP86102397A patent/EP0193159B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-25 DE DE8686102397T patent/DE3685136D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-26 KR KR1019860001340A patent/KR900001235B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-02-27 JP JP61040183A patent/JPS621242A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6473739A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Table for wafer mounting |
JPH0311749A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 |
EP0600392A3 (en) * | 1992-11-26 | 1994-08-24 | Sumitomo Electric Industries | Process for reinforcing a semiconductor wafer and a reinforced semiconductor wafer. |
US5445692A (en) * | 1992-11-26 | 1995-08-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for reinforcing a semiconductor wafer |
JP2014179441A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR900001235B1 (ko) | 1990-03-05 |
EP0193159A3 (en) | 1989-01-25 |
US4714511A (en) | 1987-12-22 |
EP0193159B1 (en) | 1992-05-06 |
KR860006834A (ko) | 1986-09-15 |
EP0193159A2 (en) | 1986-09-03 |
JPH0234175B2 (ja) | 1990-08-01 |
DE3685136D1 (de) | 1992-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS621242A (ja) | 半導体ウエハにテ−プ又はシ−トを接着する方法及び装置 | |
TWI414037B (zh) | 基板貼合方法及利用該方法之裝置 | |
JP5273791B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置 | |
TWI458048B (zh) | 黏著帶貼附裝置及黏著帶貼附方法 | |
CN101060073B (zh) | 保护带粘贴方法 | |
JP2856216B2 (ja) | 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 | |
JP2008066684A (ja) | ダイシングフレームへの基板のマウント装置 | |
US4787951A (en) | Method and apparatus for adhering a tape or sheet to a semiconductor wafer | |
TW200845286A (en) | Method for joining adhesive tape and apparatus using the method | |
JP2015162634A (ja) | ウエハへの保護テープの貼付装置およびウエハの製造方法 | |
JPH09219383A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
JP2004047976A (ja) | 保護テープ貼付方法およびその装置 | |
JP7240440B2 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
KR20160018402A (ko) | 기판 접합 방법 및 기판 접합 장치 | |
JP2000158304A (ja) | 平面研削方法及び鏡面研磨方法 | |
JP6933788B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置及び貼り付け方法 | |
JPH05160102A (ja) | スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JPH0878366A (ja) | 半導体ウエハへのテープ貼付装置 | |
JPS6080249A (ja) | 半導体ウエハに接着テ−プを貼付する方法及び装置 | |
JPH1145867A (ja) | 半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法および作製装置 | |
JPH01228748A (ja) | ウェーハの接着方法 | |
JPH01101386A (ja) | ウェーハの接着方法 | |
JPS608045A (ja) | 粘着フイルム貼付方法 | |
JPH0745559A (ja) | 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 | |
JPH03192753A (ja) | ウエハブレーキング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |