JPH0311749A - 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体ウェハを粘着テープに接着する方法に関し、ウェ
ハとテープ間の接着性を良好かつ均一にして、グライン
ダによる切断工程でウェハを切断した後テープに縮みが
生じないようにし、後のエツチング工程においてエツチ
ング液がウェハとテープ間に染み込まないようにするこ
とを目的とし、テープの弾性を利用して少なくともウェ
ハの周囲エツジ部が該テープによりシールされるように
、真空チャンバ内で、半導体ウェハ及び／又は粘着テー
プを相互の側へ移動して両者を予備的に接合し、その後
チャンバ内に徐々に大気圧を導入することにより半導体
ウェハ及び粘着テープの反対側の面より加圧しながら両
者を完全に接合させるようにしたことを特徴とする、半
導体ウェハに粘着テープを接着する方法を構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体ウェハにテープを貼り付ける際にウェハ
とテープ間に気泡を生ずることなくかつウェハに余分な
力がかからないよ、うに実現する方法に関する。

集積回路（ＩＣ）、大型集積回路（ＬＳＩ）　、超大型
集積回路（ＶＬＳＩ）等の半導体装置を製造する場合に
おいて、半導体ウェハの表面に多数の電気パターンを形
成した後、個々の半導体チップの素子に切断される。こ
の切断はいわゆるグイシング工程において通常ダイヤモ
ンドブレードによって行なわれる。その際、切断された
素子がばらばらになることを防止するために、切断前に
予め半導体ウェハ全面をテープに接着しておいて切断さ
れる。

この場合において、ウェハとテープ間に気泡が存在しな
いこと、またＩＣカード等の薄いウェハでは僅かな力で
も局部的に加えないことが必要である。

またグラインダによる切断工程ではウェハの裏面にテー
プを貼りテープをクツション材として研摩する方法があ
る。これはウェハ裏面とウェハチャック間のゴミにより
研摩時にマイクロクラックを生ずる原因となるのを防ぐ
ためである。ここにおいてもテープを引っ張ることなし
にかつ気泡や損傷を与えることなくテープを貼ることが
必要である。

〔従来の技術〕

従来より知られたウェハとテープ等との接着方法として
コアーのようなものがある。ウェハ載置台上にパターン
ニングされた半導体ウェハが載置され、例えば塩化ビニ
ール製の粘着性のあるテープ等が接触される。半導体ウ
ェハとテープ等との接着は、半導体ウェハの表面を載置
台に接触させた後、そのテープ表面から、ゴムローラや
ブラシ等によって押圧を加えて行なう。この種のものの
従来技術として例えば特開昭５９−１５２６３９号があ
る。

又、従来の接着方法の他の方法として、真空内でウェハ
載置台上に半導体ウェハを載置して、テープとの接着を
真空の圧力差により抑圧を加えて行う方法もあるがこの
種のものの従来技術として、例えば特開昭５９−１０３
３５４号、特開昭６０−８０２４９号、特開昭６２−１
２４２号がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記の半導体ウェハとテープとの接着を行う前者の方法
では、接着の際にローラブラシでテープ等を半導体ウェ
ハに押圧することが問題であり、そのために半導体ウェ
ハが損傷したり、あるいはテープ等とウェハ間に気泡を
巻き込んだりするという不具合を生ずる。また、後者の
方法では、半導体ウェハとテープとが接着する間隙に気
泡を巻き込む恐れがないという利点はあるが、半導体ウ
ェハに圧力を加えるために、半導体ウェハの表面を損傷
するという問題がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、半導体ウェハに粘着テープを接着する
方法であって、該テープの弾性を利用して少なくともウ
ェハの周囲エツジ部が該テープによりシールされるよう
に、真空チャンバ内で、半導体ウェハ及び／又は粘着テ
ープを相互の側へ移動して両者を予備的に接合し、その
後チャンバ内に徐々に大気圧を導入することにより半導
体ウェハ及び粘着テープの反対側の面より加圧しながら
両者を完全に接合させるようにしたことを特徴とする、
半導体ウェハに粘着テープを接着する方法が提供される
。

に接着され、特にテープがウェハの周囲部に接着され、
チャンバへの大気圧の導入の過程でウェハ及びテープの
反対側の面に圧力が加わってテープがウェハに完全に接
着される。

〔実施例〕

第１図及び第２図は本発明の半導体ウェハを粘着テープ
に接着する方法を実施する装置の第一実施例の構成図及
び作業工程図である。

第１図で半導体ウェハ１より外径が多少大きく且つ図示
上面に円錐状のへこみ２２ａを備えた白状のウェハ支持
台２２には、該へこみ２２ａ部分に自由に気体が流入で
きるように外部と通ずる貫通孔２２ｂを設けている。

またテープ保持具２５に保持された粘着テープ３は、上
記ウェハ支持台２２上に載置する半導体装置ハ１の上面
（即ち、パターンが形成されていないウェハの裏面）と
多少の間隔を保ち且つ接着面が対向するようにコイルば
ね２３で上下に揺動する保持具支持台２４上に設置して
いる。なお、第２図ではコイルばね２３の代りに周囲４
ケ所に設けた板ばね２３ａで支持している。

尚、２７は上記半導体ウェノいマウンタを装着している
真空チャンバを表わしている。

第２図において、（ａ）に示すように、まず、ウェハ支
持台２２の上部の周囲が円錐状のへこみ２２ａ部分に半
導体ウェハ１をパターン面を下側にして載置する。次い
で、粘着テープ３が所定の張力で装着されているテープ
保持具２５を保持具支持台２４上に設置する。この状態
では半導体ウェハｌを粘着テープ３との間には約２．０
　ＩＩｌ［Ｄ程度の隙間がある。

次に、第２図（ｂ）のように上チャンバ２７ａを下チャ
ンバ２７ｂに対し下降しシール部２８にてシールしチャ
ンバ２７内を密閉する。次いで、図示しない真空ポンプ
によってチャンバ２７内を所定の真空度（例えば２０Ｔ
ｏｒｒ以下）まで減圧する。

次に、第２図（Ｃ）のように周囲２〜４ケ所に設けたエ
アシリンダ２９を作動してピストン２９ａを下降し、支
持台２４上のテープ保持具２５を板ばね２３ａに抗して
押し下げ、テープ保持具２５０部分における粘着テープ
３の下面（粘着面）が半導体ウェハ１の上面（パターン
のない裏面）より約０．５脈程度下側に来るようにする
。粘着テープ３はあらかじめある程度の張力を有してい
るので、テープ３の弾性変形によりウェハＩの少なくと
も周囲のエツジ部が粘着テープ３によりシールされる。

この場合において、第２図（Ｃ）のように粘着テープ３
を片側から先に押し下げ徐々に反対側も押し下げるよう
にするのが好ましい。ここでテープ３がウェハ１に対し
約０．５　ｍｍ程度重なるようにしたのは、粘着テープ
３の適度な弾性変形によりテープ３をウェハ１に接着さ
せる為である。重なりを余り大きくするとテープが塑性
変形を生ずるおそれがあるので０．５　ｍｍ程度が適当
である。

粘着テープ３の押し下げが完了すると第２図（ｄ）のよ
うになる。次いで、徐々にチャンバ２７内へ大気を導入
（リーク）し、粘着テープ３の上面及びウェハ１の下面
の圧力をコントロールしながら大気圧に戻す。これによ
り、粘着テープ３とウェハ１との間に気泡を生ずること
なく両者が完全に接着される。従って、シリンダ、ピス
トン２９ａを上昇させた後、上チャンバ２７ａを上昇し
テープ保持具２５と共に半導体ウェハ１をチャンバ２７
から取り出す。

第３図（ａ）及び（ｂ）はゲラインダニ程でのテープ貼
り付けに適した本発明の第２実施例の構成を示す側面（
断面〉図及び平面図、第４図はその作業工程図である。

粘着テープ３はチャンバ２７の直径より大きな幅を有し
、粘着面を下側としてローラ３０ａ、３０ｂを介して上
チャンバ２７ａの下端図示の実施例ではこの調整機構は
粘着テープ３の進行方向に対して４５°の角度に配置さ
れたばね付きのローラ３２から成り粘着テープ３に長尺
方向及び幅方向に均等な所定の張力を付与する。

この第二実施例では上チャンバ２７ａは固定され、下チ
ャンバ２７ｂがシリンダ３４により上チャンバ２７ａに
対して上下動され、また下チャンバ２７ｂの下側に取付
けたシリンダ３６によりウェハ支持台２２を上下動する
。

第４図において、（ａ）に示すように、まず最初、半導
体ウェハ１をそのパターン面を下側にしてウェハ支持台
２２にセットする。一方、粘着テープ３は所定位置で停
止されて張力調整機構３２により長手方向及び幅方向に
所定の張力に調整される。

次に、第４図（ｂ）のように、シリンダ３４を駆動し、
下チャンバ２７ｂを上昇し、上下チャンバ２７ａ。

２７ｂ間で粘着テープ３を挟んでチャンバ２７を密閉す
る。この時粘着テープ３とウェハ１との間隔は約２．０
　ｍｍ程度である。この状態で、図示しない真空ポンプ
により上下チャンバ２７ａ、２７ｂを同時に所定の真空
度まで減圧する。

次に、第４図（Ｃ）のようにシリンダ３６を駆動し、ウ
ェハ支持台２２を上昇し、ウェハ１の上面（パターンの
形成されていない裏面）が上チャンバ２７ａとの接触部
における粘着テープ３の下面より約０．５　ｍ＋ｎ程度
上に来る。これにより、半導体ウェハｌは少なくともそ
の周囲エツジが弾性変形している粘着テープ３によりシ
ールされる。次いで前述の実施例と同様、少しづつチャ
ンバ２７内へ大気を導入（リーク）し、チャンバ２７内
を大気圧に戻す。これによりウェハ１が粘着テープ３に
完全に貼り付けられる。

次に、第４図（ｄ）のようにシリンダ３４を駆動して下
チャンバ２７ｂを下降する。テープ３に貼り付けられた
ウェハ１をテープ３と共に図の左方へ切断部４０まで移
動する。切断部４０はホットカッター４１が回転軸４２
を中心に回転する機構で略円盤状のウェハ１の周囲の粘
着テープ３加熱されたカッター４１により加熱溶融され
、ウェハ１が周囲のテープ部分から切断される。

この第二実施例において、テープ３が上下チャンバ２７
ａ、２７ｂにはさまれる時、粘着面に当たる下チヤンバ
周囲部は符号３９で示すようにシリコンコート及びシリ
コン０リング、又はトリテトラフルオロエチレン（テフ
ロン：商品名）を用いることにより容易にテープから剥
離することができる。

また、ウェハ１のソリ等を考慮すれば、ウェハ支持台２
２は周囲部を第一実施例と同様の円錐状に形成し、ウェ
ハ１の周囲のみにて支持するのが都合よい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、真空中で半導体ウェハを粘着テープの
弾性を利用して接着する、即ち少なくともウェハ周囲エ
ツジがテープにシールされる第一段階と、チャンバ内に
大気を少しづつリークすることによりウェハ及びテープ
に加わる圧力により接着する第二段階とで接着されるの
で、テープとウェハ間に気泡等を生ぜず、しかもテープ
に対して局部的な外力を加えていないので損傷を受ける
ことはなく良好な接着を得ることができる。よって、後
工程においてウェハを切断した時テープが縮み、エツチ
ング工程でエツチング液がテープとウェハ間に染みるこ
とはない。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の方法を実施するテープ接着
装置の第一実施例の構成図及び作業工程図、第３図（ａ
）及び（ｂ）は本発明の第二実施例の側面（断面）図及
び平面図、第４図は同第二実施例の作業工程図である。 １・・・半導体つ゛エバ、　　３・・・粘着テープ、２
２・・・ウェハ支持台、　　２３・・・ばね、２４・・
・保持具支持台、　　２５・・・テープ保持具、２７　
（２７ａ　、２７　ｂ）　−真空チャンノイ、３２・・
・張力調整機構、　　３４．３６・・・シリンダ、４０
　（４１）・・・カッター機構。 テープ接着装置の第−実施例 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体ウェハ（１）に粘着テープ（３）を接着する
   方法であって、該テープの弾性を利用して少なくともウ
   ェハの周囲エッジ部が該テープによりシールされるよう
   に、真空チャンバ（２７）内で、半導体ウェハ及び／又
   は粘着テープを相互の側へ移動して両者を予備的に接合
   し、その後チャンバ内に徐々に大気圧を導入することに
   より半導体ウェハ及び粘着テープの反対側の面より加圧
   しながら両者を完全に接合させるようにしたことを特徴
   とする、半導体ウェハに粘着テープを接着する方法。