JPH0234175B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0234175B2 JPH0234175B2 JP61040183A JP4018386A JPH0234175B2 JP H0234175 B2 JPH0234175 B2 JP H0234175B2 JP 61040183 A JP61040183 A JP 61040183A JP 4018386 A JP4018386 A JP 4018386A JP H0234175 B2 JPH0234175 B2 JP H0234175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- wafer
- tape
- semiconductor wafer
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウエハにテープ又はシート（以
下、テープ等という）を接着する方法及び装置に
関する。
下、テープ等という）を接着する方法及び装置に
関する。
集積回路（IC）、大型集積回路（LSI）、超大型
集積回路（VLSI）等の半導体装置を製造する場
合において、半導体ウエハの表面に多数の電気パ
ターンを形成した後、個々の半導体チツプの素子
に切断される。この切断はいわゆるダイシング工
程において通常ダイヤモンドブレードによつて行
なわれる。しかしながら、切断された素子がばら
ばらになることを防止するために、切断前に予め
半導体ウエハ全面をテープ等に接着しておいて切
断する方法が従来から知られている。
集積回路（VLSI）等の半導体装置を製造する場
合において、半導体ウエハの表面に多数の電気パ
ターンを形成した後、個々の半導体チツプの素子
に切断される。この切断はいわゆるダイシング工
程において通常ダイヤモンドブレードによつて行
なわれる。しかしながら、切断された素子がばら
ばらになることを防止するために、切断前に予め
半導体ウエハ全面をテープ等に接着しておいて切
断する方法が従来から知られている。
然しながら、この半導体ウエハとテープ等の接
着をする際に、テープ等に圧力を印加しすぎると
半導体ウエハ表面に破損等の損傷を与えたり、又
接着強度を均一にすることが困難である。
着をする際に、テープ等に圧力を印加しすぎると
半導体ウエハ表面に破損等の損傷を与えたり、又
接着強度を均一にすることが困難である。
従来より知られたウエハとテープ等との接着方
法としてコアーのようなものがある。ウエハ載置
台上にパターンニングされた半導体ウエハが載置
され、例えば塩化ビニール製の粘着性のあるテー
プ等が接触される。半導体ウエハとテープ等との
接着は、半導体ウエハの表面を載置台に接触させ
た後、そのテープ表面から、ゴムローラらブラシ
等によつて押圧を加えて行なう。この種のものの
従来技術として例えば特開昭59−152639号があ
る。
法としてコアーのようなものがある。ウエハ載置
台上にパターンニングされた半導体ウエハが載置
され、例えば塩化ビニール製の粘着性のあるテー
プ等が接触される。半導体ウエハとテープ等との
接着は、半導体ウエハの表面を載置台に接触させ
た後、そのテープ表面から、ゴムローラらブラシ
等によつて押圧を加えて行なう。この種のものの
従来技術として例えば特開昭59−152639号があ
る。
又、従来の接着方法の他の方法として、真空内
でウエハ載置台上に半導体ウエハを載置して、テ
ープ等との接着を真空の圧力差により押圧を加え
て行う方法もあるがこの種のものの従来技術とし
て、例えば特開昭59−103354号、特開昭60−
80249号等がある。
でウエハ載置台上に半導体ウエハを載置して、テ
ープ等との接着を真空の圧力差により押圧を加え
て行う方法もあるがこの種のものの従来技術とし
て、例えば特開昭59−103354号、特開昭60−
80249号等がある。
上記の半導体ウエハとテープ等との接着を行う
前者の方法では、接着の際にローラブラシでテー
プ等を半導体ウエハに押圧することが問題であ
り、そのために半導体ウエハが損傷したり、ある
いはテープ等とウエハ間に気泡を巻き込んだりす
るという不具合を生ずる。また、後者の方法で
は、半導体ウエハとテープ等との接着する間隙に
気泡を巻き込む恐れがないという利点はあるが、
半導体ウエハに圧力を加えるために、半導体ウエ
ハの表面を損傷する欠点は解消できない。
前者の方法では、接着の際にローラブラシでテー
プ等を半導体ウエハに押圧することが問題であ
り、そのために半導体ウエハが損傷したり、ある
いはテープ等とウエハ間に気泡を巻き込んだりす
るという不具合を生ずる。また、後者の方法で
は、半導体ウエハとテープ等との接着する間隙に
気泡を巻き込む恐れがないという利点はあるが、
半導体ウエハに圧力を加えるために、半導体ウエ
ハの表面を損傷する欠点は解消できない。
本発明によれば、真空室を規定するハウジング
手段と、表面に電気パターンが形成された略デイ
スク状半導体ウエハを、その表面の周縁部のみが
接するように支承する前記真空室内に設けたテー
ブルと、少なくとも片面に接着面を有するテープ
等を、その接着面と半導体ウエハの裏面との間に
所定の小間隙が維持されるように、前記真空容器
内の所定位置に支持する手段と、前記接着テープ
等を半導体ウエハに対してわずかな力で押圧し該
テープ等を少なくともウエハの周縁部の領域で該
ウエハの裏面に予備的に接着させる手段と、該真
空室の圧力を調整する手段とを含んで成る、半導
体ウエハにテープ等を接着する装置が提供され
る。
手段と、表面に電気パターンが形成された略デイ
スク状半導体ウエハを、その表面の周縁部のみが
接するように支承する前記真空室内に設けたテー
ブルと、少なくとも片面に接着面を有するテープ
等を、その接着面と半導体ウエハの裏面との間に
所定の小間隙が維持されるように、前記真空容器
内の所定位置に支持する手段と、前記接着テープ
等を半導体ウエハに対してわずかな力で押圧し該
テープ等を少なくともウエハの周縁部の領域で該
ウエハの裏面に予備的に接着させる手段と、該真
空室の圧力を調整する手段とを含んで成る、半導
体ウエハにテープ等を接着する装置が提供され
る。
更にまた、本発明では、表面に電気パターンが
形成された半導体ウエハにテープ等を接着する方
法であつて、略デイスク状の前記ウエハをその周
縁部のみがテーブルに接触するように真空室内の
テーブル上に設置し、少なくとも片面に接着面を
有するテープ等を、その接着面とウエハ裏面との
間に所定の小間隙が維持されるように、前記真空
室内の所定位置に設置し、前記真空室内の空気圧
を減圧し、次に前記接着テープ等を半導体ウエハ
に対してわずかな力で押圧し該テープ等を少なく
ともウエハの周縁部の領域で該ウエハの裏面に予
備的に接着させ、次に該真空室内の空気圧を増加
しこの圧力変化により前記接着テープ等をウエハ
の裏面に完全に接着させるようになした、半導体
ウエハにテープ等を接着する方法が提供される。
形成された半導体ウエハにテープ等を接着する方
法であつて、略デイスク状の前記ウエハをその周
縁部のみがテーブルに接触するように真空室内の
テーブル上に設置し、少なくとも片面に接着面を
有するテープ等を、その接着面とウエハ裏面との
間に所定の小間隙が維持されるように、前記真空
室内の所定位置に設置し、前記真空室内の空気圧
を減圧し、次に前記接着テープ等を半導体ウエハ
に対してわずかな力で押圧し該テープ等を少なく
ともウエハの周縁部の領域で該ウエハの裏面に予
備的に接着させ、次に該真空室内の空気圧を増加
しこの圧力変化により前記接着テープ等をウエハ
の裏面に完全に接着させるようになした、半導体
ウエハにテープ等を接着する方法が提供される。
本発明では第１段階で接着テープ等がウエハに
予備的に接着され、次いで真空室内の圧力変化に
よりテープ等が完全にウエハに接着される。
予備的に接着され、次いで真空室内の圧力変化に
よりテープ等が完全にウエハに接着される。
第１図において、上ハウジング１と下ハウジン
グ２とで真空室３から形成される。これら両者の
接合面にはＯリングシール３′が配置され室３内
を気密に維持する。下ハウジング２は空気排出口
４を有し、空気バルブ６を具えた配管５を介して
真空ポンプ７に接続され、室３内の圧力を
20Torr以下に減圧できるようになつている。上
チヤンバ１は空気流入口８を有し、空気バルブ１
０を具えた配管９を介して大気に開放され、室３
内を大気圧又はその近傍の圧力にまで昇圧するこ
とができる。
グ２とで真空室３から形成される。これら両者の
接合面にはＯリングシール３′が配置され室３内
を気密に維持する。下ハウジング２は空気排出口
４を有し、空気バルブ６を具えた配管５を介して
真空ポンプ７に接続され、室３内の圧力を
20Torr以下に減圧できるようになつている。上
チヤンバ１は空気流入口８を有し、空気バルブ１
０を具えた配管９を介して大気に開放され、室３
内を大気圧又はその近傍の圧力にまで昇圧するこ
とができる。
下ハウジング２内には脚１２上に水平に配置し
た円筒形支持テーブル１１があり、このテーブル
は第２図に示すような円形支持面１１ａを備え、
その上に略円板（デイスク）状の半導体ウエハ１
３が載置され、その周縁１３ａのみがテーブル１
１の支持面１１ａに接触している。テープ取付治
具１４は下ハウジング２の内部で、テーブル１１
の外側の脚１５上に配置されている。このテープ
取付治具１４は接着シートユニツト１６を周知の
方法で固定するために使用される。接着シートユ
ニツト１６は、第３図に示すように、片面に接着
面を有する、例えば塩化ビニルからなる薄いテー
プ等１７と、このテープ等１７の周縁を保持する
取付フレーム１８とから成る。
た円筒形支持テーブル１１があり、このテーブル
は第２図に示すような円形支持面１１ａを備え、
その上に略円板（デイスク）状の半導体ウエハ１
３が載置され、その周縁１３ａのみがテーブル１
１の支持面１１ａに接触している。テープ取付治
具１４は下ハウジング２の内部で、テーブル１１
の外側の脚１５上に配置されている。このテープ
取付治具１４は接着シートユニツト１６を周知の
方法で固定するために使用される。接着シートユ
ニツト１６は、第３図に示すように、片面に接着
面を有する、例えば塩化ビニルからなる薄いテー
プ等１７と、このテープ等１７の周縁を保持する
取付フレーム１８とから成る。
上ハウジング１の内壁には水平な案内シヤフト
２１が設けられ、それに沿つてローラベース２２
が移動可能になつている。ローラ２３はゴム等よ
り成りローラフレーム２４に回転自在に取付けら
れ、このローラフレーム２４はローラベース２２
に可動に取付けた垂直シヤフト３３を有する。ロ
ーラベース２２は、上ハウジング１上に取付けた
駆動モータ２７の出力軸プーリ２６とアイドルプ
ーリ２８との間に延びる駆動ベルト２５に連結さ
れ、ローラベース２２すなわちローラ２３はモー
タ２７により所定のストロークの範囲内で案内シ
ヤフト２１に沿つて水平方向に移動できるように
なつている。ローラフレーム２４は、上チヤンバ
１の側壁に回転自在に取付けた一対のローラ３０
ａ，３０ｂにそれぞれ係合する一対のカム部材２
９ａ，２９ｂを有し、ローラフレーム２４すなわ
ちローラ２３はそのストロークの両端において持
ち上げられ接着テープ等１７から離れる。
２１が設けられ、それに沿つてローラベース２２
が移動可能になつている。ローラ２３はゴム等よ
り成りローラフレーム２４に回転自在に取付けら
れ、このローラフレーム２４はローラベース２２
に可動に取付けた垂直シヤフト３３を有する。ロ
ーラベース２２は、上ハウジング１上に取付けた
駆動モータ２７の出力軸プーリ２６とアイドルプ
ーリ２８との間に延びる駆動ベルト２５に連結さ
れ、ローラベース２２すなわちローラ２３はモー
タ２７により所定のストロークの範囲内で案内シ
ヤフト２１に沿つて水平方向に移動できるように
なつている。ローラフレーム２４は、上チヤンバ
１の側壁に回転自在に取付けた一対のローラ３０
ａ，３０ｂにそれぞれ係合する一対のカム部材２
９ａ，２９ｂを有し、ローラフレーム２４すなわ
ちローラ２３はそのストロークの両端において持
ち上げられ接着テープ等１７から離れる。
上ハウジング１にはアーム３１が固着され、こ
のアーム３１は機械ベース（図示せず）に連結さ
れた軸３２まわりに矢印方向に枢動可能になつて
おり、上ハウジング１を下ハウジング２から離す
ことにより室３を開くことができる。
のアーム３１は機械ベース（図示せず）に連結さ
れた軸３２まわりに矢印方向に枢動可能になつて
おり、上ハウジング１を下ハウジング２から離す
ことにより室３を開くことができる。
テープ等１７を半導体ウエハ１３に接着させる
手順は次のとおりである。まず、上ハウジング１
を持ち上げることにより室３を開く。逆に下ハウ
ジング２を下降させて室３を開くようにしてもよ
いことは勿論である。略円板状のウエハ１３はそ
の表面に既に電気パターンが形成されており、こ
のウエハ１３を上述のように円筒形テーブル１１
上に載置する。この場合において、電気パターン
が形成された、ウエハ１３の表面の大部分を占め
る中央部はテーブル１１の上部支持面１１ａに接
触しない。テーブル１１上に載置したウエハ１３
はその裏面が上向きとなる。次に、接着面が下向
きとなるように接着シートユニツト１６をテープ
取付治具１４に固定し、テープ等１７とウエハ１
３の裏面との間にわずかな間隙、例えば0.4〜0.5
mmが維持されるようにする。次に、上ハウジング
１を下降させて室３を閉じ、真空ポンプ７により
室３の内部を20Torr以下に減圧する。この状態
になつてからモータ２７を駆動しローラベース２
２を案内シヤフト２１に沿つて移動させる。カム
部材２９ａ又は２９ｂが案内ロール３０ａ又は３
０ｂから離れるとローラ２３はウエハ１３の裏面
上を転動し、ローラ２３の自重（約200〜300ｇ）
にほぼ等しい程度のわずかな押圧力で接着テープ
等１７をウエハ１３に対して押圧し、もつて接着
シート等１７がウエハ１３の裏面の、少なくとも
第２図のＡで示す周縁の領域に予備的に接着され
る。ローラ１３はそのストローク端で持ち上げら
れ接着テープ等１７から離れる。なお、ローラ２
３の代わりにブラシ（図示せず）を用いてもよ
い。ローラ２３の上昇後、空気バルブ１０が開放
され大気が室３内へ導入され、室３内の圧力が大
気圧又はその近傍の圧力となる。この圧力上昇に
より、薄い接着テープ等１７はウエハ１３の裏面
に対して吸引されその全面にわたつて完全に接着
される。これにより、接着テープ等１７とウエハ
１３との間に均一かつ安定した接着が確保されか
つ気泡等を巻き込むことがない。次に、上ハウジ
ング１を上昇して室３を開き、ウエハ１３と接着
シートユニツト１６を取り除く。
手順は次のとおりである。まず、上ハウジング１
を持ち上げることにより室３を開く。逆に下ハウ
ジング２を下降させて室３を開くようにしてもよ
いことは勿論である。略円板状のウエハ１３はそ
の表面に既に電気パターンが形成されており、こ
のウエハ１３を上述のように円筒形テーブル１１
上に載置する。この場合において、電気パターン
が形成された、ウエハ１３の表面の大部分を占め
る中央部はテーブル１１の上部支持面１１ａに接
触しない。テーブル１１上に載置したウエハ１３
はその裏面が上向きとなる。次に、接着面が下向
きとなるように接着シートユニツト１６をテープ
取付治具１４に固定し、テープ等１７とウエハ１
３の裏面との間にわずかな間隙、例えば0.4〜0.5
mmが維持されるようにする。次に、上ハウジング
１を下降させて室３を閉じ、真空ポンプ７により
室３の内部を20Torr以下に減圧する。この状態
になつてからモータ２７を駆動しローラベース２
２を案内シヤフト２１に沿つて移動させる。カム
部材２９ａ又は２９ｂが案内ロール３０ａ又は３
０ｂから離れるとローラ２３はウエハ１３の裏面
上を転動し、ローラ２３の自重（約200〜300ｇ）
にほぼ等しい程度のわずかな押圧力で接着テープ
等１７をウエハ１３に対して押圧し、もつて接着
シート等１７がウエハ１３の裏面の、少なくとも
第２図のＡで示す周縁の領域に予備的に接着され
る。ローラ１３はそのストローク端で持ち上げら
れ接着テープ等１７から離れる。なお、ローラ２
３の代わりにブラシ（図示せず）を用いてもよ
い。ローラ２３の上昇後、空気バルブ１０が開放
され大気が室３内へ導入され、室３内の圧力が大
気圧又はその近傍の圧力となる。この圧力上昇に
より、薄い接着テープ等１７はウエハ１３の裏面
に対して吸引されその全面にわたつて完全に接着
される。これにより、接着テープ等１７とウエハ
１３との間に均一かつ安定した接着が確保されか
つ気泡等を巻き込むことがない。次に、上ハウジ
ング１を上昇して室３を開き、ウエハ１３と接着
シートユニツト１６を取り除く。
次に、いわゆるダイシング工程で第４図に一点
鎖線で示すようにウエハ１３を多数の個々のチツ
プに切断する。この切断工程において、各チツプ
はバラバラになることはない。各チツプはIC、
LSI、VLSI等の半導体装置に使用される。
鎖線で示すようにウエハ１３を多数の個々のチツ
プに切断する。この切断工程において、各チツプ
はバラバラになることはない。各チツプはIC、
LSI、VLSI等の半導体装置に使用される。
〔発明の効果〕
上述のように、半導体ウエハ１３は接着テープ
１７等に均一かつ安定して接着されているので、
切断後の各チツプがバラバラに分散することはな
く、また接着時にウエハの表面には無理な外力が
いつさい加わらないので、ウエハ表面を損傷する
おそれはない。
１７等に均一かつ安定して接着されているので、
切断後の各チツプがバラバラに分散することはな
く、また接着時にウエハの表面には無理な外力が
いつさい加わらないので、ウエハ表面を損傷する
おそれはない。
第１図は本発明の半導体ウエハにテープ等を接
着する装置の断面図、第２図は第１図の線−
に沿つて見た図、第３図は第１図の線−に沿
つた断面図、並びに第４図は半導体ウエハの斜視
図である。 １，２……ハウジング、３……真空室、５，１
０……空気バルブ、７……真空ポンプ、１１……
テーブル、１３……半導体ウエハ、１６……接着
シート（テープ）ユニツト、１７……接着シート
（テープ）、２３……ローラ。
着する装置の断面図、第２図は第１図の線−
に沿つて見た図、第３図は第１図の線−に沿
つた断面図、並びに第４図は半導体ウエハの斜視
図である。 １，２……ハウジング、３……真空室、５，１
０……空気バルブ、７……真空ポンプ、１１……
テーブル、１３……半導体ウエハ、１６……接着
シート（テープ）ユニツト、１７……接着シート
（テープ）、２３……ローラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空室を規定するハウジング手段と、表面に
電気パターンが形成された略デイスク状半導体ウ
エハを、その表面の周縁部のみが接するように支
承する前記真空室内に設けたテーブルと、少なく
とも片面に接着面を有するテープ又はシートを、
その接着面と半導体ウエハの裏面との間に所定の
小間隙が維持されるように、前記真空容器内の所
定位置に支持する手段と、前記接着テープ又はシ
ートを半導体ウエハに対してわずかな力で押圧し
該テープ又はシートを少なくともウエハの周縁部
の領域で該ウエハの裏面に予備的に接着させる手
段と、該真空室の圧力を調整する手段とを含んで
成る、半導体ウエハにテープ又はシートを接着す
る装置。 ２ ハウジング手段は下ハウジングと、機械ベー
スに枢動可能に取付けられた上ハウジングとから
成り、前記真空室は上ハウジングを下ハウジング
に対して上昇、下降することにより開閉されるよ
うにし、真空室が閉じられた時両ハウジング間が
気密にシールされるように構成された特許請求の
範囲第１項記載の装置。 ３ テーブルは円筒支持面より成り、該テーブル
上に略デイスク状の半導体ウエハが該ウエハの表
面の周縁のみがテーブルに接触するように、水平
に設置される特許請求の範囲第１項記載の装置。 ４ 押圧手段は、接着テープ又はシート上下を転
動ゴムローラから成り、該ゴムローラはその自重
にほぼ等しいわずかな圧力で接着テープ又はシー
トを押圧し、もつて該接着テープ又はシートを半
導体ウエハに予備的に接着せしめるようになつた
特許請求の範囲第１項記載の装置。 ５ ゴムローラはローラベースに垂直方向に移動
可能に取付けられたローラフレームに回転自在に
取付けられ、前記ローラベースは所定のストロー
ク内で案内シヤフトに沿つて水平方向に移動可能
である特許請求の範囲第４項記載の装置。 ６ ローラフレームには、前記ハウジング内に設
置された一対のロールにそれぞれ係合するカム部
材が取付けられ、もつて前記カムローラはそのス
トロークの両端で上昇され接着テープ又はシート
より離れるように構成された特許請求の範囲第５
項記載の装置。 ７ 表面に電気パターンが形成された半導体ウエ
ハにテープ又はシートを接着させる方法であつ
て、略デイスク状の前記ウエハをその周縁部のみ
がテーブルに接触するように真空室内のテーブル
上に設置し、少なくとも片面に接着面を有するテ
ープ又はシートを、その接着面とウエハ裏面との
間に所定の小間隙が維持されるように、前記真空
室内の所定位置に設置し、前記真空室内の空気圧
を減圧し、次に前記接着テープ又はシートを半導
体ウエハに対してわずかな力で押圧し該テープ又
はシートを少なくともウエハの周縁部の領域で該
ウエハの裏面に予備的に接着させ、次に該真空室
内の空気圧を増加しこの圧力変化により前記接着
テープ又はシートをウエハの裏面に完全に接着さ
せるようになした、半導体ウエハにテープ又はシ
ートを接着する方法。 ８ 接着テープ又はシートとウエハとの間隙は
0.4〜0.5mmである特許請求の範囲第７項記載の方
法。 ９ 真空室の圧力は真空ポンプにより20Torr以
下に減圧され、かつ大気の導入により増圧される
特許請求の範囲第７項記載の方法。 １０ 接着テープ又はシートはその上にゴムロー
ラを転動させることによりウエハの裏面に予備的
に接着される特許請求の範囲第７項記載の方法。 １１ 上記ローラの重量は200〜300ｇである特許
請求の範囲第１０項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3999685 | 1985-02-07 | ||
| JP60-39996 | 1985-02-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621242A JPS621242A (ja) | 1987-01-07 |
| JPH0234175B2 true JPH0234175B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=12568535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040183A Granted JPS621242A (ja) | 1985-02-07 | 1986-02-27 | 半導体ウエハにテ−プ又はシ−トを接着する方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4714511A (ja) |
| EP (1) | EP0193159B1 (ja) |
| JP (1) | JPS621242A (ja) |
| KR (1) | KR900001235B1 (ja) |
| DE (1) | DE3685136D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473739A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Table for wafer mounting |
| US5039371A (en) * | 1989-03-23 | 1991-08-13 | Lockheed Corporation | Apparatus for roll-consolidation of thermoplastic composite laminates |
| JP2856216B2 (ja) * | 1989-06-09 | 1999-02-10 | 富士通株式会社 | 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 |
| DE4228218C2 (de) * | 1992-08-25 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Planarisierung einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat |
| JPH0737768A (ja) * | 1992-11-26 | 1995-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウェハの補強方法及び補強された半導体ウェハ |
| US5300175A (en) * | 1993-01-04 | 1994-04-05 | Motorola, Inc. | Method for mounting a wafer to a submount |
| JP3838797B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 部品の貼り着け方法とその装置 |
| WO2003101707A1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-11 | Npp Packaging Graphics Specialists, Inc. | Vacuum laminator |
| JP4387879B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2009-12-24 | 株式会社ディスコ | 保護テープ装着方法および保護テープ装着装置 |
| CN1861392B (zh) * | 2005-05-10 | 2011-09-28 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 贴片机 |
| US7348216B2 (en) * | 2005-10-04 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Rework process for removing residual UV adhesive from C4 wafer surfaces |
| TWI283005B (en) | 2005-12-28 | 2007-06-21 | Au Optronics Corp | Low-pressure process apparatus |
| JP5417131B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法 |
| JP6088866B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-03-01 | リンテック株式会社 | シート貼付装置及び貼付方法 |
| KR20160022834A (ko) * | 2013-06-19 | 2016-03-02 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3330714A (en) * | 1962-03-08 | 1967-07-11 | Vari Products Co | Method of adhering adhesive backed light reflector unit to a mounting surface |
| DE2712521A1 (de) * | 1977-03-22 | 1978-09-28 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum aufkitten von scheiben |
| US4242162A (en) * | 1979-05-08 | 1980-12-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tape applying device and method |
| JPS6060800A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-08 | 日東電工株式会社 | リングと薄板の貼着装置 |
| JPS59103354A (ja) * | 1983-09-21 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | 板状物の貼着装置 |
| GB2159763B (en) * | 1984-06-06 | 1987-11-18 | Nitto Electric Ind Co | Process for sticking adhesive tape on thin article |
| IT1242533B (it) * | 1990-06-07 | 1994-05-16 | Ima Spa | Dispositivo per il trasferimento di tavolette, in particolare blister,da una linea di trasporto delle stesse tavolette ad un magazzino, e viceversa. |
-
1986
- 1986-02-25 EP EP86102397A patent/EP0193159B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-25 DE DE8686102397T patent/DE3685136D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-25 US US06/833,308 patent/US4714511A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-26 KR KR1019860001340A patent/KR900001235B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-02-27 JP JP61040183A patent/JPS621242A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0193159A2 (en) | 1986-09-03 |
| DE3685136D1 (de) | 1992-06-11 |
| KR900001235B1 (ko) | 1990-03-05 |
| KR860006834A (ko) | 1986-09-15 |
| EP0193159A3 (en) | 1989-01-25 |
| EP0193159B1 (en) | 1992-05-06 |
| US4714511A (en) | 1987-12-22 |
| JPS621242A (ja) | 1987-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0234175B2 (ja) | ||
| KR101489966B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법 및 그 장치 및 반도체웨이퍼 보유 지지 구조체 | |
| KR101429283B1 (ko) | 기판 접합 방법 및 이를 이용한 장치 | |
| JP5273791B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置 | |
| JP2856216B2 (ja) | 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法 | |
| US4787951A (en) | Method and apparatus for adhering a tape or sheet to a semiconductor wafer | |
| CN101060073B (zh) | 保护带粘贴方法 | |
| JPH01143211A (ja) | ウエハーに対する保護テープの貼付け切り抜き方法および装置 | |
| JP2008066684A (ja) | ダイシングフレームへの基板のマウント装置 | |
| JP2015162634A (ja) | ウエハへの保護テープの貼付装置およびウエハの製造方法 | |
| JP2004047976A (ja) | 保護テープ貼付方法およびその装置 | |
| JP5451335B2 (ja) | マウント装置およびマウント方法 | |
| KR20160018402A (ko) | 기판 접합 방법 및 기판 접합 장치 | |
| JP7240440B2 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
| JP2000158304A (ja) | 平面研削方法及び鏡面研磨方法 | |
| JP6933788B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置及び貼り付け方法 | |
| JPH07226350A (ja) | ウエハ貼り合わせ装置及びその方法 | |
| JPH0878366A (ja) | 半導体ウエハへのテープ貼付装置 | |
| JPH05160102A (ja) | スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS6080249A (ja) | 半導体ウエハに接着テ−プを貼付する方法及び装置 | |
| JP3164629B2 (ja) | 半導体ウエハ用真空チャックステージ | |
| JPH01101386A (ja) | ウェーハの接着方法 | |
| JPH1145867A (ja) | 半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法および作製装置 | |
| JPS644903B2 (ja) | ||
| JPH11195567A (ja) | 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |