KR20160022834A - 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법을 개시한다. 일 실시예에서, 상기 장치는 반도체 기판을 보유하는 지지 아암; 상기 반도체 기판 위에 접착 필름을 보유 및 위치시키는 스테이지; 선형 레일을 가지며, 상기 접착 필름 위에 위치설정되는 회전 플레이트; 상기 선형 레일 상에 장착되며, 상기 선형 레일을 따라 이동할 수 있는 선형 액추에이터; 상기 반도체 기판의 접착측 상에 상기 접착 필름을 가압하도록 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하며, 상기 선형 액추에이터 상에 고정되어 상기 선형 액추에이터와 함께 이동하는 가스 노즐; 및 상기 회전 플레이트에 연결되며, 상기 반도체 기판의 평면에 평행한 평면으로 회전하도록 상기 회전 플레이트를 구동하는 회전 액추에이터를 구비한다.

Description

반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TAPING ADHESIVE FILM ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
본 발명은 일반적으로 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게, 본 발명은 반도체 기판을 보유하는 하나 의 지지 아암과, 프로그램가능한 트레일을 따라 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위해 테이핑 가스를 공급하는 하나의 이동가능한 노즐을 적용하는 것이다.
반도체 장치 제조 공정 동안에, 다이싱, 칩 커팅, 세정과 같은 각종 목적을 위해, 반도체 기판을 보호 또는 지지하도록 반도체 기판 상에 접착 필름이 테이핑된다. 현재의 테이핑 방법에서, 반도체 기판의 장치측은 반도체 기판의 후방측 상에 접착 필름을 테이핑할 때 진공 흡착 방식에 의해 고정될 필요가 있다. 이러한 경우, 반도체 기판의 장치측은 진공 척의 표면과 접촉되고, 상기 장치측의 표면은 반도체 기판의 후방측 상에 접착 필름을 테이핑할 때 기계력에 의해 진공 척의 표면 상에 가압될 것이다. 미국특허 8,281,838 B2호는 웨이퍼 상에 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 장치를 개시하고 있다. 웨이퍼의 전방측(장치측)은 웨이퍼의 후방측을 필름으로 본딩할 때 진공 척에 의해 보유된다. 테이핑 공정 동안에 기계력 없이, 테이핑 공정 동안에는 기포와 주름이 거의 회피되지 않는다. 반도체 기판의 임계 특정이 작아지는 한편, 기술 노드가 진보하는 경우, 장치측에 대한 구조는 기계력 하에서 손상되기 쉽다. 더욱이, 반도체 기판이 더욱 얇아지는 경우, 장치측에 대한 손상 위험이 더욱 높아진다. 게다가, 얇은 반도체 기판의 높은 휨(warpage)의 경우, 테이핑 공정 동안에 반도체 기판의 위치를 고정하는 방법을 알아내는 것이 필요하다. 얇은 반도체 기판의 휨은 제어될 필요가 있고, 테이핑 공정 동안에 장치측에 대한 기계적 손상이 제거될 필요가 있다.
본 발명은 얇은 반도체 기판을 보유하기 위한 지지 아암과, 상기 얇은 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 테이핑력을 인가하는 것에 관한 것이다. 상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착은 통상적으로 상기 반도체 기판의 중심으로부터 상기 반도체 기판의 에지로 프로그램가능한 트레일을 따라 시작함으로써, 상기 접착 필름은 기포와 주름 없이 상기 반도체 기판 상에 가압된다. 상기 반도체 기판은 기계적 손상 없이 지지될 수 있고, 상기 반도체 기판은 무시할만한 휨으로 편평도를 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 얇은 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 장치를 개시한다. 상기 장치는, 반도체 기판을 보유하는 지지 아암; 상기 반도체 기판 위에 접착 필름을 보유 및 위치시키는 스테이지; 선형 레일을 가지며, 상기 접착 필름 위에 위치설정되는 회전 플레이트; 상기 선형 레일 상에 장착되며, 상기 선형 레일을 따라 이동할 수 있는 선형 액추에이터; 상기 반도체 기판의 접착측 상에 상기 접착 필름을 가압하도록 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하며, 상기 선형 액추에이터 상에 고정되어 상기 선형 액추에이터와 함께 이동하는 가스 노즐; 및 상기 회전 플레이트에 연결되며, 상기 반도체 기판의 평면에 평행한 평면으로 회전하도록 상기 회전 플레이트를 구동하는 회전 액추에이터를 구비한다.
본 발명의 일 실시예는 얇은 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 장치를 개시한다. 상기 장치는, 반도체 기판을 보유하는 지지 아암; 상기 반도체 기판 위에 접착 필름을 보유 및 위치시키도록 상기 지지 아암과 연결하는 스테이지; 상기 반도체 기판의 접착측 상에 상기 접착 필름을 가압하도록 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 가스 노즐; 상기 가스 노즐을 지지하는 스윙 바아; 상기 스윙 바아를 스윙하도록 구동하기 위해 상기 스윙 바아에 연결되는 스윙 액추에이터; 및 상기 지지 아암을 회전하도록 구동하기 위해 상기 지지 아암에 연결되는 회전 액추에이터를 구비한다.
본 발명의 일 실시예는 시스템을 개시한다. 상기 시스템은, 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 테이핑 장치로서, 상기 테이핑 장치는 상기 반도체 기판의 장치측과 상기 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 상기 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유하는 베르누이 아암을 구비하며, 상기 반도체 기판의 장치측은 상기 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않는, 상기 테이핑 장치; 상기 반도체 기판의 후방측을 보유하고, 상기 반도체 기판을 상기 베르누이 아암으로 전달할 수 있는 진공 아암; 및 상기 반도체 기판의 장치측 및 후방측을 세정하기 위한 세정 장치를 구비하며, 상기 베르누이 아암과 상기 진공 아암은 상기 테이핑 장치와 상기 세정 장치 사이에서 상기 반도체 기판을 전달한다.
본 발명에 의하면, 얇은 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 방법을 개시한다. 상기 방법은, 지지 아암에 의해 반도체 기판을 보유하는 단계; 상기 반도체 기판의 접착측 위에 접착 필름을 전달하는 단계; 상기 접착 필름 위에 근접하게 위치하도록 가스 노즐을 이동시키는 단계; 상기 접착 필름을 상기 반도체 기판의 접착측 아래로 가압하도록 상기 가스 노즐을 통해 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 단계; 프로그램가능한 트레일을 따라 상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착이 시작하게 하는 단계; 상기 테이핑 가스의 공급을 중지하는 단계; 및 상기 접착 필름이 상기 지지 아암으로부터 멀어진 상태에서 테이핑된 상기 반도체 기판을 전달하는 단계를 구비한다.
본 발명에 의하면, 얇은 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 방법을 개시한다. 상기 방법은, 반도체 기판을 세정 장치 내로 전달하여, 상기 반도체 기판의 후방측을 보유함으로써 상기 반도체 기판의 장치측을 세정하는 단계; 상기 반도체 기판을 상기 세정 장치로부터 취출하여, 상기 반도체 기판을 베르누이 아암으로 전달하는 단계로서, 상기 베르누이 아암은 상기 반도체 기판의 장치측과 상기 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 상기 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유하고, 상기 반도체 기판의 장치측은 상기 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않는, 상기 반도체 기판을 베르누이 아암으로 전달하는 단계; 상기 반도체 기판의 후방측을 세정하도록 상기 반도체 기판을 상기 세정 장치 내로 전달하는 단계; 상기 반도체 기판을 상기 세정 장치로부터 취출하여, 상기 반도체 기판을 테이핑 장치 내로 전달하는 단계; 상기 반도체 기판의 후방측 위에 접착 필름을 전달하는 단계; 상기 접착 필름 위에 근접하게 위치시키도록 가스 노즐을 이동시키는 단계; 상기 접착 필름을 상기 반도체 기판의 후방측 아래로 가압하도록 상기 가스 노즐을 통해 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 단계; 프로그램가능한 트레일을 따라 상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착이 시작하게 하는 단계; 상기 테이핑 가스의 공급을 중지하는 단계; 및 상기 접착 필름이 상기 지지 아암으로부터 멀어진 상태에서 테이핑된 상기 반도체 기판을 전달하는 단계를 구비한다.
도 1a-1b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 일 예시적인 장치를 도시한 도면,
도 2a-2b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 장치를 도시한 도면,
도 3a-3b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 장치를 도시한 도면,
도 4a-4b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 장치를 도시한 도면,
도 5a-5b는 반도체 기판과 접착 필름 사이의 접착에 대한 예시적인 프로그램가능한 트레일을 도시한 도면,
도 6은 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 장치를 도시한 도면,
도 7a-7b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 일 예시적인 방법을 도시한 도면.
도 1a-1b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 일 예시적인 장치에 대한 일 실시예를 도시한다. 상기 장치는 얇은 반도체 기판(1000)을 위한 무접촉 지지를 제공하기 위한 베르누이 아암(1010); 반도체 기판(1000) 위에 접착 필름(1020)을 보유 및 위치시키는 스테이지(1022); 접착 필름(1020) 아래로 테이핑 가스를 제공하기 위한 가스 노즐(1002); 가스 노즐(1002)의 운동을 안내하도록 선형 액추에이터(1003)와 함께 장착된 회전 플레이트(1001), 및 회전 플레이트(1001)를 회전하도록 구동하기 위한 회전 액추에이터(1005)를 구비한다.
지지 아암으로서의 베르누이 아암(1010)은 반도체 기판(1000)의 장치측과 베르누이 아암(1010)의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 얇은 반도체 기판(1000)을 플로팅 상태로 보유한다. 반도체 기판(1000)의 장치측은 베르누이 아암(1010)의 상부측에 면하고 있고, 베르누이 아암(1010)의 상부측과 접촉하지 않는다. 베르누이 아암(1010)은, 베르누이 아암(1010)의 상부측의 에지에 배치되며 반도체 기판(1000)을 베르누이 효과에 의해 흡입하기 위한 제1 가스 라인과 연결하는 제1 분사 포트(1012)의 그룹을 가지는 한편, 상기 제1 가스 라인은 제1 분사 포트(1012)에 정화된 가스를 공급한다. 베르누이 아암(1010)은, 베르누이 아암(1010)의 상부측의 중앙에 배치되며 반도체 기판(1000)을 리프팅하도록 제2 가스 라인과 연결하는 제2 분사 포트(1013)의 그룹을 가지는 한편, 상기 제2 가스 라인은 제2 분사 포트(1013)에 정화된 가스를 공급한다. 바람직하게, 베르누이 아암(1010)은 제2 분사 포트(1013)의 몇 개의 그룹을 갖는다. 제2 분사 포트(1013)의 모든 그룹은 대응하는 제2 가스 라인과 연결하고, 몇 개의 제2 가스 라인은 독립적으로 제어된다. 반도체 기판(1000)과 베르누이 아암(1010) 사이의 갭의 높이는 제1 분사 포트(1012)와 제2 분사 포트(1013)에 공급되는 정화된 가스의 유량을 제어함으로써 조절할 수 있다. 베르누이 아암(1010) 상에 배치된 적어도 3개의 위치설정 핀(1011)은 반도체 기판(1000)을 구속하여, 전체의 테이핑 공정 동안에 반도체 기판(1000)이 수평방향 운동하는 것을 방지한다. 베르누이 아암(1010)은 반도체 기판(1000)을 안내하기 위한 복수, 예컨대 적어도 3개의 안내 필러가 베르누이 아암(1010) 상에 정확하게 놓이게 할 수 있다. 베르누이 효과를 이용하는 기판 지지 장치에 대한 상세한 설명을 위해, 기판 지지 장치라는 명칭으로 2012년 11월 27일자 출원된 PCT 특허출원 PCT/CN2012/085319호를 참조하고, 그 전체 내용은 본원에 참고로 편입된다. 베르누이 아암(1010)은 테이핑을 위해 스테이지(1022) 상에 위치된 접착 필름(1020) 아래에 있도록 수평방향으로 이동될 수 있다. 또한, 베르누이 아암(1010)은 수직방향 상하로 이동됨으로써, 테이핑 공정이 시작될 때 접착 필름(1020)에 근접하거나 또는 테이핑 공정이 끝날 때 스테이지(1022)로부터 멀어질 수 있다.
스테이지(1022)는 접착 필름(1020)을 자동으로 로딩하여 텐셔닝 지지하는데 이용된다. 스테이지(1022)는 테이핑을 위해 접착 필름(1020)을 연속적으로 공급한다. 접착 필름(1020)의 접착측은 반도체 기판(1000)의 후방측에 면하고 있다. 일 실시예에서, 필름 프레임(1021)은 스테이지(1022) 상에 자동으로 전달되어 위치된다. 접착 필름(1020)은 필름 프레임(1021) 상에 부착된 다음, 접착 필름(1020)은 테이핑 동안에 베벨 커터에 의해 소정 사이즈로 자동 절단된다. 스테이지(1022)는 필름 프레임(1021)의 상이한 사이즈를 위해 피팅하도록 변경가능하며, 그 직경은 3인치 내지 18인치로 변경한다.
선형 액추에이터(1004)와 함께 장착된 회전 플레이트(1001)는 스테이지(1022) 위에 배치되어, 접착 필름(1020) 위에 위치설정된다. 수직방향 액추에이터(1006)는 회전 플레이트(1001)를 수직방향 상하이동하도록 구동하기 위해 회전 플레이트(1001)에 연결된다. 회전 액추에이터(1005)는 반도체 기판(1000)의 평면에 평행한 평면으로 회전하도록 회전 플레이트(1001)를 구동하기 위해 회전 플레이트(1001)에 연결된다. 바람직하게, 액추에이터의 라인이 감기를 것을 회피하기 위해, 회전 액추에이터(1005)는 회전 플레이트(1001)를 시계방향으로 그 다음 대안적으로 반시계방향으로 회전시키도록 구동한다. 회전 플레이트(1001)는 선형 레일(1003)을 횡방향으로 배치한다. 선형 액추에이터(1004)는 선형 레일(1003) 상에 장착되어, 선형 레일(1003)을 따라 이동할 수 있다. 선형 액추에이터(1004)는 모터 또는 유압 타입의 실린더 또는 공압 타입의 실린더이다. 실린더의 운동 속도는 액체 또는 기체의 유량에 의해 제어된다. 가스 노즐(1002)은 선형 액추에이터(1004) 상에 고정되어, 선형 액추에이터(1004)와 함께 회전 플레이트(1001)의 반경방향을 따라 이동할 수 있다. 회전 액추에이터(1005)의 회전 속도 및 선형 액추에이터(1004)의 운동 속도는 제어되어 시간으로 프로그램될 수 있음으로써, 접착 필름(1020)과 반도체 기판(1000) 사이의 접착의 트레일은 프로그램가능한 트레일을 따른다. 가스 노즐(1002)은 테이핑 가스 라인에 연결된다. 테이핑 가스를 가스 노즐(1002)에 소정 시간에 공급하기 위해 공급 밸브가 테이핑 가스 라인에 연결된다. 또한, 테이핑 가스의 제트 압력 및 유량을 제어하도록 테이핑 가스 라인에는 압력 레귤레이터 및 유량 레귤레이터가 연결된다. 또한, 테이핑 가스의 온도를 20℃ 내지 80℃ 범위로 제어하도록 가열 장치가 테이핑 가스 라인에 연결된다. 테이핑 가스가 가스 노즐(1002) 외부로 분출되기만 하면, 테이핑 가스는 접착 필름(1020) 상에 국부적인 테이핑력을 제공하여, 접착 필름(1020)을 반도체 기판(1000) 아래로 가압한다. 회전 플레이트의 회전 및 가스 노즐(1002)의 선형 운동을 통합하여, 접착 필름(1020)과 반도체 기판(1000) 사이의 접착은 통상적으로 반도체 기판(1000)의 중심으로부터 반도체 기판(1000)의 에지로, 도 5a에 도시한 바와 같이 프로그램가능한 트레일을 따라 시작한다.
도 2a-2b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 장치를 도시한다. 상기 장치는 얇은 반도체 기판(2000)을 위한 무접촉 지지를 제공하기 위한 베르누이 아암(2010); 반도체 기판(2000) 위에 접착 필름(2020)을 보유 및 위치시키는 스테이지(2022); 베르누이 아암(2010)을 회전하게 구동하여 베르누이 아암(2010)과 함께 반도체 기판(2000)과 접착 필름(2020)을 회전시키도록 베르누이 아암(2010)에 연결된 회전 액추에이터(2007); 접착 필름(2020) 아래로 테이핑 가스를 제공하기 위한 가스 노즐(2002); 가스 노즐(2002)을 지지하기 위한 스윙 바아(2030); 및 스윙 바아(2030)를 스윙하게 구동하여 스윙 바아(2030)와 함께 가스 노즐(2002)을 스윙시키도록 스윙 바아(2030)에 연결된 스윙 액추에이터(2032)를 구비한다.
지지 아암으로서의 베르누이 아암(2010)은 반도체 기판(2000)의 장치측과 베르누이 아암(2010)의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 얇은 반도체 기판(2000)을 플로팅 상태로 보유한다. 반도체 기판(2000)의 장치측은 베르누이 아암(2010)의 상부측에 면하고 있고, 베르누이 아암(2010)의 상부측과 접촉하지 않는다. 베르누이 아암(2010)은, 베르누이 아암(2010)의 상부측의 에지에 배치되며 반도체 기판(2000)을 베르누이 효과에 의해 흡입하기 위한 제1 가스 라인과 연결하는 제1 분사 포트(2012)의 그룹을 가지는 한편, 상기 제1 가스 라인은 제1 분사 포트(2012)에 정화된 가스를 공급한다. 베르누이 아암(2010)은, 베르누이 아암(2010)의 상부측의 중앙에 배치되며 반도체 기판(2000)을 리프팅하도록 제2 가스 라인과 연결하는 제2 분사 포트(2013)의 그룹을 가지는 한편, 상기 제2 가스 라인은 제2 분사 포트(2013)에 정화된 가스를 공급한다. 바람직하게, 베르누이 아암(1010)은 제2 분사 포트(1013)의 몇 개의 그룹을 갖는다. 제2 분사 포트(1013)의 모든 그룹은 대응하는 제2 가스 라인과 연결하고, 몇 개의 제2 가스 라인은 독립적으로 제어된다. 반도체 기판(2000)과 베르누이 아암(2010) 사이의 갭의 높이는 제1 분사 포트(2012)와 제2 분사 포트(2013)에 공급되는 정화된 가스의 유량을 제어함으로써 조절할 수 있다. 베르누이 아암(2010) 상에 배치된 적어도 3개의 위치설정 핀(2011)은 반도체 기판(2000)을 구속하여, 전체의 테이핑 공정 동안에 반도체 기판(2000)이 수평방향 운동하는 것을 방지한다. 베르누이 아암(2010)은 반도체 기판(2000)을 안내하기 위한 복수, 예컨대 적어도 3개의 안내 필러가 베르누이 아암(2010) 상에 정확하게 놓이게 할 수 있다. 베르누이 효과를 이용하는 기판 지지 장치에 대한 상세한 설명을 위해, 기판 지지 장치라는 명칭으로 2012년 11월 27일자 출원된 PCT 특허출원 PCT/CN2012/085319호를 참조하고, 그 전체 내용은 본원에 참고로 편입된다. 회전 액추에이터(2007)는 베르누이 아암(2010)을 회전하게 구동하여 베르누이 아암(2010)과 함께 반도체 기판(2000)과 스테이지(2022)를 회전시키도록 베르누이 아암(2010)에 연결된다. 바람직하게, 회전 액추에이터(2007)는 베르누이 아암(2010)을 시계방향으로 그 다음 대안적으로 반시계방향으로 회전시키도록 구동한다.
접착 필름(2020)을 자동으로 로딩하여 텐셔닝 지지하는 스테이지(2022)는 베르누이 아암(2010)의 상부측 상에 장착되며, 그와 동시에 베르누이 아암(2010)과 함께 회전된다. 스테이지(2022)는 테이핑을 위해 접착 필름(2020)을 연속적으로 공급한다. 접착 필름(2020)의 접착측은 반도체 기판(2000)의 후방측에 면하고 있다. 일 실시예에서, 필름 프레임(2021)은 스테이지(2022) 상에 자동으로 전달되어 위치된다. 접착 필름(2020)은 필름 프레임(2021) 상에 부착된 다음, 접착 필름(2020)은 테이핑 동안에 베벨 커터에 의해 소정 사이즈로 자동 절단된다. 스테이지(2022)는 필름 프레임(2021)의 상이한 사이즈를 위해 피팅하도록 변경가능하며, 그 직경은 3인치 내지 18인치로 변경한다.
가스 노즐(2002)은 스테이지(2022) 위에 배치되어 스윙 바아(2030) 상에 고정된다. 스윙 액추에이터(2032)는 스윙 바아(2030)를 스윙하여 스윙 바아(2030)와 함께 스윙하도록 구동하기 위해 가스 노즐(2002)에 연결된다. 수직방향 액추에이터(2031)는 가스 노즐(2002)이 수직방향 상하운동하는 상태로 스윙 바아(2030)를 구동하도록 스윙 바아(2030)에 연결된다. 회전 액추에이터(2007)의 회전 속도 및 스윙 액추에이터(2032)의 운동 속도는 시간에 의해 제어 및 프로그래밍됨으로써, 접착 필름(2020)과 반도체 기판(2000) 사이의 접착에 대한 트레일이 프로그램가능한 트레일을 따를 수 있다. 가스 노즐(2002)은 테이핑 가스 라인에 연결된다. 공급 밸브는 테이핑 가스를 가스 노즐(2002)에 소정 시간에 공급하도록 테이핑 가스 라인에 연결된다. 또한, 압력 레귤레이터 및 유량 레귤레이터는 테이핑 가스의 제트 압력 및 유량을 제어하도록 테이핑 가스 라인에 연결된다. 또한, 가열 장치는 테이핑 가스의 온도를 20℃ 내지 80℃ 범위로 제어하도록 테이핑 가스 레일에 연결된다. 테이핑 가스가 가스 노즐(2002) 외부로 분출되기만 하면, 테이핑 가스는 접착 필름(2020) 상에 국부적인 테이핑력을 제공하여, 접착 필름(2020)을 반도체 기판(2000) 아래로 가압한다. 베르누이 아암(2010)의 회전 및 가스 노즐(2002)의 스윙을 통합하여, 접착 필름(1020)과 반도체 기판(2000) 사이의 접착은 통상적으로 반도체 기판(2000)의 중심으로부터 반도체 기판(2000)의 에지로, 도 5b에 도시한 바와 같이 프로그램가능한 트레일을 따라 시작한다.
도 3a-3b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예의 장치를 도시한다. 상기 장치는 반도체 기판(3000)을 보유하기 위한 진공 아암(3040); 반도체 기판(3000) 위에 접착 필름을 로딩하여 위치시키기 위한 스테이지(3022); 테이핑 가스를 접착 필름(3020) 아래로 제공하기 위한 가스 노즐(3002); 가스 노즐(3002)의 운동을 안내하기 위해 선형 액추에이터(3004)와 함께 장착되는 회전 플레이트(3001); 및 회전 플레이트(3001)를 회전 구동하기 위한 회전 액추에이터(3005)를 구비한다.
지지 아암으로서의 진공 아암(3040)은 반도체 기판(3000)을 보유한다. 반도체 기판(3000)을 가압 손상으로부터 보호하기 위해, 진공 아암(3040)의 지지면 상에는 연질 및 다공성의 재료가 덮여 있다.
스테이지(3022)는 접착 필름(3020)을 자동으로 로딩하여 텐셔닝 지지하는데 이용된다. 스테이지(3022)는 테이핑을 위해 접착 필름(3020)을 연속적으로 공급한다. 접착 필름(3020)의 접착측은 반도체 기판(3000)의 접착측에 면하고 있다. 일 실시예에서, 필름 프레임(3021)은 스테이지(3022) 상에 자동으로 전달되어 위치된다. 접착 필름(3020)은 필름 프레임(3021) 상에 부착된 다음, 접착 필름(3020)은 테이핑 동안에 베벨 커터에 의해 소정 사이즈로 자동으로 절단된다. 스테이지(3022)는 필름 프레임(3021)의 상이한 사이즈를 위해 피팅하도록 변경가능하며, 그 직경은 3인치 내지 18인치로 변경한다.
선형 액추에이터(3004)와 함께 장착된 회전 플레이트(3001)는 스테이지(3022) 위에 배치되어 접착 필름(3020) 위에 위치설정된다. 수직방향 액추에이터(3006)는 회전 플레이트(3001)를 수직방향 상하운동하도록 구동하기 위해 회전 플레이트(3001)에 연결된다. 회전 액추에이터(3005)는 반도체 기판(3000)의 평면에 평행한 평면으로 회전 플레이트(3001)를 회전 구동하도록 회전 플레이트(3001)에 연결된다. 바람직하게, 액추에이터의 라인이 감기는 것을 회피하기 위해, 회전 액추에이터(3005)는 회전 플레이트(3001)를 시계방향으로 그 다음 대안적으로 반시계방향으로 회전시키도록 구동한다. 회전 플레이트(3001)는 선형 레일(3003)을 횡방향으로 배치한다. 선형 액추에이터(3004)는 선형 레일(3003) 상에 장착되어, 선형 레일(3003)을 따라 이동할 수 있다. 선형 액추에이터(3004)는 모터 또는 유압 타입의 실린더 또는 공압 타입의 실린더이다. 실린더의 운동 속도는 액체 또는 기체의 유량에 의해 제어된다. 가스 노즐(3002)은 선형 액추에이터(3004) 상에 고정되어, 선형 액추에이터(3004)와 함께 회전 플레이트(3001)의 반경방향을 따라 이동할 수 있다. 회전 액추에이터(3005)의 회전 속도 및 선형 액추에이터(3004)의 운동 속도는 제어되어 시간으로 프로그램될 수 있음으로써, 접착 필름(3020)과 반도체 기판(3000) 사이의 접착의 트레일은 프로그램가능한 트레일을 따른다. 가스 노즐(3002)은 테이핑 가스 라인에 연결된다. 테이핑 가스를 가스 노즐(3002)에 소정 시간에 공급하기 위해 공급 밸브가 테이핑 가스 라인에 연결된다. 또한, 테이핑 가스의 제트 압력 및 유량을 제어하도록 테이핑 가스 라인에는 압력 레귤레이터 및 유량 레귤레이터가 연결된다. 또한, 테이핑 가스의 온도를 20℃ 내지 80℃ 범위로 제어하도록 가열 장치가 테이핑 가스 라인에 연결된다. 테이핑 가스가 가스 노즐(3002) 외부로 분출되기만 하면, 테이핑 가스는 접착 필름(3020) 상에 국부적인 테이핑력을 제공하여, 접착 필름(3020)을 반도체 기판(3000) 아래로 가압한다. 회전 플레이트(3001)의 회전 및 가스 노즐(3002)의 선형 운동을 통합하여, 접착 필름(3020)과 반도체 기판(3000) 사이의 접착은 통상적으로 반도체 기판(3000)의 중심으로부터 반도체 기판(3000)의 에지로, 도 5a에 도시한 바와 같이 프로그램가능한 트레일을 따라 시작한다.
도 4a-4b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예의 장치를 도시한다. 상기 장치는 반도체 기판(4000)을 보유하기 위한 진공 아암(4040); 반도체 기판(4000) 위에 접착 필름(4020)을 로딩하여 위치시키기 위해 진공 아암(4040)과 함께 연결되는 스테이지(4022); 진공 아암(4040)을 회전하여 반도체 기판(4000)과 접착 필름(4020)을 진공 아암(4040)과 함께 회전하도록 구동하기 위해 진공 아암(4020)에 연결된 회전 액추에이터(4007); 테이핑 가스를 접착 필름(4020) 아래로 제공하기 위한 가스 노즐(4002); 가스 노즐(4002)을 지지하기 위한 스윙 바아(4030); 및 스윙 바아(4030)를 스윙하여 가스 노즐(4002)을 스윙 바아(4030)과 함께 스윙하도록 구동하기 위해 스윙 바아(4030)에 연결된 스윙 액추에이터(4032)를 구비한다.
지지 아암으로서의 진공 아암(4040)은 반도체 기판(4000)을 보유한다. 반도체 기판(4000)을 가압 손상으로부터 보호하기 위해, 진공 아암(4040)의 지지면 상에는 연질 및 다공성의 재료가 덮여 있다. 회전 액추에이터(4007)는 진공 아암(4040)을 회전하여 반도체 기판(4000)과 스테이지(4022)를 진공 아암(4040)과 함께 회전하도록 구동하기 위해 진공 아암(4040)에 연결된다. 바람직하게, 회전 액추에이터(4007)는 진공 아암(4040)을 시계방향으로 그 다음 대안적으로 반시계방향으로 회전시키도록 구동한다.
접착 필름(4020)을 자동으로 로딩하여 텐셔닝 지지하는 스테이지(4022)는 진공 아암(4040)의 지지측 상에 장착되어 진공 아암(4040)과 함께 동시에 회전된다. 스테이지(4022)는 테이핑을 위해 접착 필름(4020)을 연속적으로 공급한다. 접착 필름(4020)의 접착측은 반도체 기판(4000)의 접착측에 면하고 있다. 일 실시예에서, 필름 프레임(4021)은 스테이지(4022) 상에 자동으로 전달되어 위치된다. 접착 필름(4020)은 필름 프레임(4021) 상에 부착된 다음, 접착 필름(4020)은 테이핑 동안에 베벨 커터에 의해 소정 사이즈로 자동으로 절단된다. 스테이지(4022)는 필름 프레임(4021)의 상이한 사이즈를 위해 피팅하도록 변경가능하며, 그 직경은 3인치 내지 18인치로 변경한다.
가스 노즐(4002)은 스테이지(4022) 위에 배치되어 스윙 바아(4030) 상에 고정된다. 스윙 액추에이터(4032)는 스윙 바아(4030)를 스윙하여 가스 노즐(4002)을 스윙 바아(4030)와 함께 스윙하도록 구동하기 위해 스윙 바아(4030)에 연결된다. 수직방향 액추에이터(4031)는 가스 노즐(4002)이 수직방향 상하운동하는 상태로 스윙 바아(4030)를 구동하도록 스윙 바아(4030)에 연결된다. 회전 액추에이터(4007)의 회전 속도 및 스윙 액추에이터(4032)의 운동 속도는 시간에 의해 제어 및 프로그래밍됨으로써, 접착 필름(4020)과 반도체 기판(4000) 사이의 접착에 대한 트레일이 프로그램가능한 트레일을 따를 수 있다. 가스 노즐(4002)은 테이핑 가스 라인에 연결된다. 공급 밸브는 테이핑 가스를 가스 노즐(4002)에 소정 시간에 공급하도록 테이핑 가스 라인에 연결된다. 또한, 압력 레귤레이터 및 유량 레귤레이터는 테이핑 가스의 제트 압력 및 유량을 제어하도록 테이핑 가스 라인에 연결된다. 또한, 가열 장치는 테이핑 가스의 온도를 20℃ 내지 80℃ 범위로 제어하도록 테이핑 가스 레일에 연결된다. 테이핑 가스가 가스 노즐(4002) 외부로 분출되기만 하면, 테이핑 가스는 접착 필름(4020) 상에 국부적인 테이핑력을 제공하여, 접착 필름(4020)을 반도체 기판(4000) 아래로 가압한다. 진공 아암(4040)의 회전 및 가스 노즐(4002)의 스윙을 통합하여, 접착 필름(4020)과 반도체 기판(4000) 사이의 접착은 통상적으로 반도체 기판(4000)의 중심으로부터 반도체 기판(4000)의 에지로, 도 5b에 도시한 바와 같이 프로그램가능한 트레일을 따라 시작한다.
도 5a-5b는 접착 필름과 반도체 기판 사이의 접착에 대한 예시적인 프로그램가능한 트레일을 도시한다. 트레일은 가스 노즐의 운동 속고 및 회전 플레이트 또는 베르누이 아암 또는 진공 아암의 회전 속도를 제어함으로써 스월 또는 복수의 동심 링이 외도록 프로그램가능하다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법은 하기의 단계를 구비한다.
공정 시퀀스
단계 102: 반도체 기판을 지지 아암에 전달하는 단계로서, 지지 아암은 반도체 기판을 보유함;
단계 104: 반도체 기판의측 위에 접착 필름을 전달하는 단계;
단계 106: 접착 필름 위에 근접하게 위치하도록 가스 노즐을 이동시키는 단계;
단계 108: 예컨대, 가스 노즐의 공급 밸브를 턴온함으로써 접착 필름을 반도체 기판의 접착측 아래로 가압하기 위해 가스 노즐을 통해 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 단계로서, 테이핑 가스는 압축된 가스, 예컨대 깨끗한 건조 공기, N2, He, Ar 또는 그 조합의 타입이고, 테이핑 가스의 온도는 20℃ 내지 80℃ 범위로 제어됨;
단계 110: 통상적으로 반도체 기판의 중심으로부터 반도체 기판의 에지로 프로그램가능한 트레일을 따라 접착 필름과 반도체 기판 사이의 접착이 시작하게 하는 단계;
단계 112: 접착 필름과 반도체 기판 사이의 접착이 종료하여 가스 노즐을 위로 이동시킨 후에, 예컨대 가스 노즐의 공급 밸브를 턴오프함으로써 테이핑 가스의 공급을 중지하는 단계; 및
단계 114: 접착 필름이 지지 아암으로부터 멀어진 상태에서 테이핑된 반도체 기판을 전달하는 단계.
단계 102에서, 지지 아암은 베르누이 아암이다. 베르누이 아암은 반도체 기판의 장치측과 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유한다. 반도체 기판의 장치측은 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않고, 베르누이 아암에 공급되는 정화된 가스의 유량은 반도체 기판과 베르누이 아암 사이의 갭의 높이를 제어하도록 조절될 수 있다.
단계 102에서, 지지 아암은 진공 아암이다. 진공 아암의 지지면은 연질 및 다공성 재료로 덮인다.
단계 110에서, 프로그램가능한 트레일은 가스 노즐의 회전 속도 및 선형 운동 속도를 제어함으로써 형성된다.
단계 110에서, 프로그램가능한 트레일은 지지 아암의 회전 속도 및 가스 노즐의 스윙 속도를 제어함으로써 형성된다.
도 6은 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 시스템을 도시한다. 상술한 장치와 비교하면, 본 실시예의 시스템은 반도체 기판의 장치측 및 후방측을 세정하기 위한 세정 장치(5070)를 더 구비한다. 진공 아암(5040)은 로드 포트(5050)로부터 반도체 기판을 받아 반도체 기판의 후방측을 보유한다. 그 다음, 진공 아암(5040)은 반도체 기판을 세정 장치(5070) 내로 취한다. 세정 장치(5070)는 반도체 기판의 장치측을 세정한다. 반도체 기판의 장치측이 세정된 후에, 진동 아암(5040)은 반도체 기판을 세정 장치(5070) 외부로 취출하여 반도체 기판을 베르누이 아암(5010)으로 전달한다. 베르누이 아암(5010)은 반도체 기판의 장치측과 베르누이 아암(5010)의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유한다. 반도체 기판의 장치측은 베르누이 아암(5010)의 상부측과 무접촉하고, 베르누이 아암(5010)에 공급되는 정화된 가스의 유량은 반도체 기판과 베르누이 아암(5010) 사이의 갭의 높이를 제어하도록 조절될 수 있다. 그 다음, 베르누이 아암(5010)은 반도체 기판을 세정 장치(5070) 내로 취한다. 세정 장치(5070)는 반도체 기판의 후방측을 세정한다. 반도체 기판의 후방측이 서정된 후에, 베르누이 아암(5010)은 세정 장치(5070) 외부로 반도체 기판을 취출하여, 반도체 기판의 후방측 상에 접착 필름을 테이핑하도록 반도체 기판을 테이핑 장치(5060) 내로 취한다.
도 7a-7b는 반도체 기판 상에 접착 필름을 자동으로 테이핑하기 위한 또 다른 예시적인 방법을 도시한다. 전체의 테이핑 공정 동안에, 반도체 기판의 장치측은 베르누이 아암 상에 접촉하지 않는다. 이는 하기와 같이 설정될 수 있다.
공정 시퀀스
단계 202: 반도체 기판(5000)의 후방측을 보유하는 진공 아암(5040)에 의해 캐리어로부터 반도체 기판(5000)을 디본딩하게 하는 단계로서, 반도체 기판(5000)의 두께는 30㎛ 내지 1000㎛ 범위에 있음;
단계 204: 진공 아암(5040)에 의해 반도체 기판(5000)을 세정 장치(5070) 내로 전달하고, 반도체 기판(5000)의 장치측을 세정 장치(5070) 내에서 세정하는 단계로서, 세정 화학물은 DIW, 산, 알칼리 또는 용제에서 선택되는 적어도 하나의 타입임;
단계 206: 반도체 기판(5000)을 세정 장치(5070) 외부로 취출하고, 진공 아암(5040)에 의해 반도체 기판(5000)을 베르누이 아암(5010)으로 전달하는 단계로서, 베르누이 아암(5010)은 반도체 기판(5000)의 장치측과 베르누이 아암(5010)의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 반도체 기판(5000)을 플로팅 상태로 보유함;
단계 208: 베르누이 아암(5010)에 의해 반도체 기판(5000)을 세정 장치(5070) 내로 전달하고, 반도체 기판(5000)의 후방측을 세정 장치(5070) 내에서 세정하는 단계로서, 세정 화학물은 DIW, 산, 알칼리 또는 용제에서 선택되는 적어도 하나의 타입임;
단계 210: 반도체 기판(5000)을 세정 장치(5070) 외부로 취출하고, 베르누이 아암(5010)에 의해 반도체 기판(5000)을 테이핑 장치(5060) 내로 전달하는 단계;
단계 212: 반도체 기판(5000)의 후방측 위에 접착 필름(5020)을 전달하는 단계;
단계 214: 접착 필름(5020) 위에 근접하게 위치시키도록 가스 노즐(5002)을 이동시키는 단계;
단계 216: 접착 필름(5020)을 반도체 기판(5000)의 후방측 아래로 가압하도록, 예컨대 가스 노즐(5002)의 공급 밸브를 턴온함으로써 테이핑 가스를 접착 필름(5020) 상에 공급하는 단계로서, 테이핑 가스는 압축된 가스, 예컨대 깨끗한 건조 공기, N2, He, Ar 또는 그 조합의 타입이고, 테이핑 가스의 온도는 20℃ 내지 80℃ 범위로 제어됨;
단계 218: 통상적으로 반도체 기판(5000)의 중심으로부터 반도체 기판(5000)의 에지로 프로그램가능한 트레일을 따라 접착 필름(5020)과 반도체 기판(5000) 사이의 접착이 시작하게 하는 단계;
단계 220: 접착 필름(5020)과 반도체 기판(5000) 사이의 접착이 종료하여 가스 노즐(5002)을 위로 이동시킨 후에, 예컨대 가스 노즐(5002)의 공급 밸브를 턴오프함으로써 테이핑 가스의 공급을 중지하는 단계; 및
단계 222: 접착 필름(5020)이 지지 아암(5010)으로부터 멀어진 상태에서 테이핑된 반도체 기판(5000)을 전달하는 단계.
가스 노즐의 운동 속도와, 가스 노즐 혹은 베르누이 아암 또는 진공 아암의 회전 액추에이터를 보유하는 회전 플레이트의 회전 속도의 조합은 접착 트레일을 형성한다. 기포 및 주름 없는 테이핑의 성능은 접착 트레일을 제어함으로써 결정된다. 본 발명의 일 실시예에서, 가스 노즐 혹은 베르누이 아암 또는 진공 아암의 회전 액추에이터를 보유하는 회전 플레이트의 회전 속도의 조합은 일정하게 유지된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 가스 노즐 혹은 베르누이 아암 또는 진공 아암의 회전 액추에이터를 보유하는 회전 플레이트의 회전 속도의 조합은 각종 세팅으로 프로그램된다.

Claims (38)

  1. 반도체 기판을 보유하는 지지 아암;
    상기 반도체 기판 위에 접착 필름을 보유 및 위치시키는 스테이지;
    선형 레일을 가지며, 상기 접착 필름 위에 위치설정되는 회전 플레이트;
    상기 선형 레일 상에 장착되며, 상기 선형 레일을 따라 이동할 수 있는 선형 액추에이터;
    상기 반도체 기판의 접착측 상에 상기 접착 필름을 가압하도록 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하며, 상기 선형 액추에이터 상에 고정되어 상기 선형 액추에이터와 함께 이동하는 가스 노즐; 및
    상기 회전 플레이트에 연결되며, 상기 반도체 기판의 평면에 평행한 평면으로 회전하도록 상기 회전 플레이트를 구동하는 회전 액추에이터
    를 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전 플레이트를 수직방향 상하운동으로 구동하도록 상기 회전 플레이트에 연결된 수직방향 액추에이터를 더 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지 아암은 수직방향 상하운동할 수 있는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지 상에 위치된 필름 프레임을 더 포함하며,
    상기 접착 필름은 상기 필름 프레임 상에 부착되는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지 아암은 베르누이 아암(Bernoulli arm)이고, 상기 반도체 기판의 접착측은 상기 반도체 기판의 장치측에 대향하는 상기 반도체 기판의 후방측이고, 상기 베르누이 아암은 상기 반도체 기판의 장치측과 상기 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 상기 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유하고, 상기 반도체 기판의 장치측은 상기 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 베르누이 아암은, 상기 베르누이 아암의 상부측의 에지에 배치되며 상기 반도체 기판을 베르누이 효과에 의해 흡입하기 위한 제1 가스 라인과 연결하는 제1 분사 포트의 그룹을 가지는 한편, 상기 제1 가스 라인은 상기 제1 분사 포트에 정화된 가스를 공급하고,
    상기 베르누이 아암은, 상기 베르누이 아암의 상부측의 중앙에 배치되며 상기 반도체 기판을 리프팅하도록 하나 이상의 제2 가스 라인과 연결하는 제2 분사 포트의 하나 이상의 그룹을 가지는 한편, 상기 제2 가스 라인은 상기 제2 분사 포트에 정화된 가스를 공급하며,
    상기 하나 이상의 제2 가스 라인은 독립적으로 제어되는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 기판과 상기 베르누이 아암 사이의 상기 갭의 높이는 상기 제1 분사 포트와 상기 제2 분사 포트에 공급되는 상기 정화된 가스의 유량을 제어함으로써 조절가능한,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지 아암은 진공 아암인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 진공 아암의 지지면은 연질의 다공성 재료로 덮인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가스 노즐은 테이핑 가스 라인에 연결되고,
    상기 가스 노즐에 테이핑 가스를 공급하도록 상기 테이핑 가스 라인에 공급 밸브가 연결되는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 테이핑 가스의 제트 압력(jetting pressure)을 제어하도록 상기 테이핑 가스 라인에 연결된 압력 레귤레이터를 더 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 테이핑 가스의 유량을 제어하도록 상기 테이핑 가스 라인에 연결된 유량 레귤레이터를 더 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 테이핑 가스의 온도를 제어하도록 상기 테이핑 가스 라인에 연결된 가열 장치를 더 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 테이핑 가스의 온도는 20℃ 내지 80℃의 범위에 있는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착의 트레일(trail)은 상기 회전 플레이트의 회전 속도 및 상기 선형 액추에이터의 선형 운동 속도를 조절함으로써 제어가능한,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착의 트레일은 상기 반도체 기판의 중심으로부터 상기 반도체 기판의 에지로 스월(swirl)링되도록 프로그램가능한,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 회전 액추에이터는 상기 회전 플레이트를 시계방향으로 그 다음 대안적으로 반시계방향으로 회전시키도록 구동하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 선형 액추에이터는 모터, 유압 타입의 실린더 또는 공압 타입의 실린더인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 실린더의 운동 속도는 액체 또는 기체의 유량에 의해 제어되는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  20. 반도체 기판을 보유하는 지지 아암;
    상기 반도체 기판 위에 접착 필름을 보유 및 위치시키도록 상기 지지 아암과 연결하는 스테이지;
    상기 반도체 기판의 접착측 상에 상기 접착 필름을 가압하도록 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 가스 노즐;
    상기 가스 노즐을 지지하는 스윙 바아;
    상기 스윙 바아를 스윙하도록 구동하기 위해 상기 스윙 바아에 연결되는 스윙 액추에이터; 및
    상기 지지 아암을 회전하도록 구동하기 위해 상기 지지 아암에 연결되는 회전 액추에이터
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 가스 노즐을 갖는 상기 스윙 바아를 수직방향 상하운동으로 구동하도록 상기 스윙 바아에 연결된 수직방향 액추에이터를 더 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 회전 액추에이터는 상기 지지 아암을 시계방향으로 그 다음 대안적으로 반시계방향으로 회전시키도록 구동하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 지지 아암은 베르누이 아암이고, 상기 반도체 기판의 접착측은 상기 반도체 기판의 장치측에 대향하는 상기 반도체 기판의 후방측이고, 상기 베르누이 아암은 상기 반도체 기판의 장치측과 상기 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 상기 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유하고, 상기 반도체 기판의 장치측은 상기 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 지지 아암은 진공 아암인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 진공 아암의 지지면은 연질의 다공성 재료로 덮인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착의 트레일은 상기 회전 액추에이터의 회전 속도 및 상기 스윙 액추에이터의 스윙 속도를 조절함으로써 제어가능한,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착의 트레일은 상기 반도체 기판의 중심으로부터 상기 반도체 기판의 에지로 복수의 링이 되도록 프로그램가능한,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치.
  28. 제1항 또는 제20항의 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 테이핑 장치;
    상기 반도체 기판의 장치측과 상기 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 상기 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유할 수 있는 베르누이 아암으로서, 상기 반도체 기판의 장치측은 상기 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않는, 상기 베르누이 아암;
    상기 반도체 기판의 후방측을 보유하고, 상기 반도체 기판을 상기 베르누이 아암으로 전달할 수 있는 진공 아암; 및
    상기 반도체 기판의 장치측 및 후방측을 세정하기 위한 세정 장치
    를 포함하며,
    상기 베르누이 아암과 상기 진공 아암은 상기 테이핑 장치와 상기 세정 장치 사이에서 상기 반도체 기판을 전달하는,
    시스템.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 상기 후방측의 세정을 위해 상기 세정 장치 내에서 처리될 때 상기 베르누이 아암에 의해 보유되고, 상기 장치측의 세정을 위해 상기 세정 장치 내에서 처리될 때 상기 진공 아암에 의해 보유되는,
    시스템.
  30. 지지 아암에 의해 반도체 기판을 보유하는 단계;
    상기 반도체 기판의 접착측 위에 접착 필름을 전달하는 단계;
    상기 접착 필름 위에 근접하게 위치하도록 가스 노즐을 이동시키는 단계;
    상기 접착 필름을 상기 반도체 기판의 접착측 아래로 가압하도록 상기 가스 노즐을 통해 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 단계;
    프로그램가능한 트레일을 따라 상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착이 시작하게 하는 단계;
    상기 테이핑 가스의 공급을 중지하는 단계; 및
    상기 접착 필름이 상기 지지 아암으로부터 멀어진 상태에서 테이핑된 상기 반도체 기판을 전달하는 단계
    를 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 프로그램가능한 트레일은 스월 또는 복수의 동심 링인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 두께는 30㎛ 내지 1000㎛ 범위에 있는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 테이핑 가스는 청정 건조 공기, N2, He, Ar의 압축된 가스 또는 그 조합인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  34. 제30항에 있어서,
    상기 테이핑 가스의 온도는 20℃ 내지 80℃의 범위에 있는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  35. 제30항에 있어서,
    상기 프로그램가능한 트레일은 상기 가스 노즐의 회전 속도 및 선형 운동 속도를 제어함으로써 형성되는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  36. 제30항에 있어서,
    상기 프로가능가능한 트레일은 상기 지지 아암의 회전 속도 및 상기 가스 노즐의 스윙 속도를 제어함으로써 형성되는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  37. 제30항에 있어서,
    상기 지지 아암은 베르누이 아암 또는 진공 아암인,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
  38. 반도체 기판을 세정 장치 내로 전달하여, 상기 반도체 기판의 후방측을 보유함으로써 상기 반도체 기판의 장치측을 세정하는 단계;
    상기 반도체 기판을 상기 세정 장치로부터 취출하여, 상기 반도체 기판을 베르누이 아암으로 전달하는 단계로서, 상기 베르누이 아암은 상기 반도체 기판의 장치측과 상기 베르누이 아암의 상부측 사이에 갭을 둔 상태에서 상기 반도체 기판을 플로팅 상태로 보유하고, 상기 반도체 기판의 장치측은 상기 베르누이 아암의 상부측과 접촉하지 않는, 상기 반도체 기판을 베르누이 아암으로 전달하는 단계;
    상기 반도체 기판의 후방측을 세정하도록 상기 반도체 기판을 상기 세정 장치 내로 전달하는 단계;
    상기 반도체 기판을 상기 세정 장치로부터 취출하여, 상기 반도체 기판을 테이핑 장치 내로 전달하는 단계;
    상기 반도체 기판의 후방측 위에 접착 필름을 전달하는 단계;
    상기 접착 필름 위에 근접하게 위치시키도록 가스 노즐을 이동시키는 단계;
    상기 접착 필름을 상기 반도체 기판의 후방측 아래로 가압하도록 상기 가스 노즐을 통해 상기 접착 필름 상에 테이핑 가스를 공급하는 단계;
    프로그램가능한 트레일을 따라 상기 접착 필름과 상기 반도체 기판 사이의 접착이 시작하게 하는 단계;
    상기 테이핑 가스의 공급을 중지하는 단계; 및
    상기 접착 필름이 상기 지지 아암으로부터 멀어진 상태에서 테이핑된 상기 반도체 기판을 전달하는 단계
    를 포함하는,
    반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 방법.
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