JP2006191144A - ピックアップ装置及びピックアップ方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄厚化したチップをピックアップする際に、クラックを抑制でき、チップの品質を向上できるピックアップ装置及びピックアップ方法を提供する。
【解決手段】突き上げ機構22のピンで粘着テープからチップを引き剥がす際、粘着テープにおける粘着面の裏面側を吸着して保持しつつ、粘着テープの粘着面側から、コレット28をチップの上方に近づけ、コレットを徐々に下降させてチップを吸着し、チップが粘着テープから引き剥がされるまで待った後、コレットを上昇させてチップをピックアップすることを特徴としている。ピンを滞留させることでチップの剥離を促すことができる。また、ダイシングが終了し、粘着テープに貼り付けられたチップをピックアップするとき、粘着テープを高温の不活性ガスを吹き付けて瞬時に加熱することで、チップを粘着テープからダメージなく剥がすことを特徴としている。
【選択図】 図1
【解決手段】突き上げ機構22のピンで粘着テープからチップを引き剥がす際、粘着テープにおける粘着面の裏面側を吸着して保持しつつ、粘着テープの粘着面側から、コレット28をチップの上方に近づけ、コレットを徐々に下降させてチップを吸着し、チップが粘着テープから引き剥がされるまで待った後、コレットを上昇させてチップをピックアップすることを特徴としている。ピンを滞留させることでチップの剥離を促すことができる。また、ダイシングが終了し、粘着テープに貼り付けられたチップをピックアップするとき、粘着テープを高温の不活性ガスを吹き付けて瞬時に加熱することで、チップを粘着テープからダメージなく剥がすことを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置の実装技術、特にマウント技術に係り、半導体パッケージ、特にICカードやTAG、3Dパッケージなどで用いられる薄いチップをパッケージに実装する際に、ウェーハをダイシングして個片化したチップを、粘着テープから順次引き剥がして搬送するピックアップ装置及びピックアップ方法に関する。
ICカードや携帯機器に使われる半導体装置は、実装面積や厚さに制限がある。しかし、その反面、要求される機能は限りなく増加している。このような要求に応じるためには、チップを三次元に実装する技術が有効であり、盛んに試されている。いわゆる、積層モジュールと呼ばれる半導体パッケージであり、パッケージの厚さは従来と変わらない。例えば、携帯機器のメモリ部に使うために、フラッシュメモリとSRAMを2段重ねにした製品が既に市販されており、3〜4段に重ねた製品の研究開発も市販に向けて進められている。
このような薄い半導体パッケージに実装するために、従来は200〜650μmであったチップの厚さが、200μm未満という要求が増えつつある。上記フラッシュメモリとSRAMを2段重ねにした製品や3〜4段に重ねた製品では、チップの厚さが50〜150μmと特に薄い。更には、50μm以下という薄厚化したチップも要求されている。
しかし、このようなチップの薄厚化要求に従い、チップが薄くなるのに伴って、ピックアップ時に発生するクラックが深刻な問題となっている。チップの曲げ強度は、チップの厚さの2乗に比例することが知られており、薄くなるほどチップには割れやクラックが発生しやすくなるからである。
従来のピックアップ装置では、厚さが40〜200μmの薄いシリコン・チップでは、ピックアップ時にクラックが多発する。ここで言うクラックとは、チップが割れること、また、チップの周辺部、すなわちコーナー部や辺が欠けることを総称する。
まず、図12乃至図18により、上記ピックアップ時に発生するクラックについて詳しく説明する。図12は、従来のピックアップ装置及びピックアップ方法について説明するためのもので、突き上げ機構におけるバックアップ・ホルダー、ピン・ホルダー及びピンの断面構成を概略的に示している。ピン・ホルダー11は、バックアップ・ホルダー12内で上下動するようになっており、ピン・ホルダー11が上昇するとピン13が粘着テープ14越しにチップ15を上方に押圧し、粘着面14Aに貼り付けられたチップ15を引き剥がすようになっている。
一般に、ピン13は図13(a)に示すように、チップ15の中心位置に対して点対称で、且つ対角線に沿うように配置されている。また、バックアップ・ホルダー12には、上記ピン配置に対応して、図13(b)に示すようにピン13が飛び出す位置に貫通孔16が設けられている。
図14(a)〜(c)及び図15(a)〜(d)はそれぞれ、厚さが200〜750μmの通常のチップ15を突き上げる様子と、突き上げるにつれ、チップ15が徐々に粘着テープ14から離れていく様子を示している。図14(a)〜(c)に示すようにピン13が上昇すると、図15(a)〜(d)に斜線で示すようにチップ15が粘着テープ14から徐々に引き剥がされて行き、完全に剥離する。この際、ピン13の上昇に伴って、まずチップ15の周辺部、特にコーナー部が剥がれ、ピン13が最高点に達したときには既に剥がれている。
しかしながら、チップ15の厚さが40〜100μmまで薄くなると、図16(a)〜(c)に示すように、ピン13が当たった部分がまず上昇するが、ピン13が当たっていない部分には上昇の遅れが生ずる。なぜなら、チップ15が薄いためにチップ15が湾曲し、粘着テープ14からチップ15が剥離しないからである。この結果、図17(a),(b)に斜線で示すように粘着テープ14から剥離させることができず、図17(c)に示すようにクラック16が発生してしまう。このクラック16は、チップ15がシリコンの降伏限界を超えるほど曲げられたために、表面に劈開が生じて発生したものである。また、表面に生じたクラック16が裏面まで伝播し、チップ15が完全に裂けた状態になるものもある。このクラック16の発生は、チップ15の厚さが薄ければ薄いほど頻繁になる。
図18(a)〜(h)はそれぞれ、チップがクラックした様子を示しており、厚さ100μm以下の特に薄いシリコン・チップがクラックした様子である。クラックは、大きく分けて“カケ”モード、“ワレ”モード及び“貫通”モードの3つに分類することができる。“カケ”モードとは、図18(a)〜(c)に示すようにチップのコーナーや周辺がクラックして欠けたものである。“ワレ”モードとは、図18(d)〜(g)に示すように、線が入るようにクラックするものである。また、“貫通”モードとは、図18(h)に示すように、ピンが当たる部分だけ、シリコンが隆起するように割れるものである。
上記のように従来のピックアップ装置及びピックアップ方法では、薄厚化したチップをピックアップする際にクラックなどのダメージを与えてしまい、チップの品質が低下するという問題があった。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラックなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上できるピックアップ装置及びピックアップ方法を提供することにある。
本発明の一態様に係るピックアップ装置は、バックアップ・ホルダーと、このバックアップ・ホルダー内で上下動し、粘着テープに転写されたチップを、この粘着テープ越しにピンで押圧するためのピン・ホルダーとを備えた突き上げ機構と、前記突き上げ機構により粘着テープに転写されたチップをピックアップする際、前記粘着テープを加熱して粘着力を低下させる加熱機構と、前記突き上げ機構でピックアップしたチップを吸着して搬送する吸着搬送機構とを具備する。
そして、上記ピックアップ装置において、下記(A)〜(F)のような構成を備えている。
(A)前記ピン・ホルダーは、高温の不活性ガスを流すキャピラリ管を備え、前記バックアップ・ホルダーは、前記ピン・ホルダーのピンの位置と相対する位置と、前記ピン・ホルダーのキャピラリ管の位置と相対する位置にそれぞれ設けられた貫通孔を備える。
(B)高温の不活性ガスは、ピンが突き上げ動作を開始する直前または同時に供給され、この不活性ガスの供給から、ピンの突き上げ動作開始までの遅延時間を制御する第1の制御手段を更に具備する。
(C)高温の不活性ガスを供給し始めてから供給を停止するまでの時間を制御する第2の制御手段を更に具備する。
(D)粘着テープの加熱温度を検知するセンサと、このセンサによって加熱が検出されたときに前記高温の不活性ガスの供給を停止する第3の制御手段とを更に具備する。
(E)前記加熱機構は、前記ピン・ホルダーに設けられ、前記粘着テープを加熱するヒータである。
(F)前記突き上げ機構のピンによるチップの突き上げ動作と前記吸着搬送機構によるチップの吸着動作を制御し、前記ピンが最高点に達したときに前記吸着搬送機構でチップを吸着した状態でピンを滞留させることによって前記チップの剥離を促す第4の制御手段を更に具備する。
また、本発明の一態様に係るピックアップ方法は、ウェーハ・リングに装着した粘着テープの粘着面側に、ウェーハをダイシングして個片化したチップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であって、突き上げピンがチップを突き上げするのと同時または直前に、高温の不活性ガスを前記粘着テープに吹き付けて粘着力を低下させ、チップを粘着テープから順次剥がして搬送する。
更に、本発明の一態様に係るピックアップ方法は、ウェーハ・リングに装着した粘着テープの粘着面側に、ウェーハをダイシングして個片化したチップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であって、突き上げピンでチップを突き上げ、ピンが最高点に達してから下降し始めるまで、所定の時間滞留させた状態で、高温の不活性ガスを前記粘着テープに吹き付けて粘着力を低下させ、チップを粘着テープから順次剥がして搬送する。
そして、上記ピックアップ方法において、下記(G)のような特徴を備えている。
(G)前記不活性ガスは窒素ガスであり、この窒素ガスの温度は200〜400℃である。
上記のようなピックアップ装置によれば、粘着テープを瞬時に加熱することで、粘着テープの粘着力を低下させ、チップにダメージを与えることなく粘着テープから剥がすことができる。この結果、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラックなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上できる。
加熱には、高温の不活性ガスを粘着テープに吹き付ければ、粘着テープの基材の縮みや劣化、チップへのダメージを最小限にでき、冷却の問題を配慮する必要がない。
第1の制御手段を設ければ、高温の不活性ガスの供給とピンの突き上げ動作を最適化できる。
第2の制御手段を設ければ、高温の不活性ガスの供給時間を最適化できる。
第3の制御手段を設ければ、粘着テープの過熱状態に応じた不活性ガスの供給と停止が制御できる。
上記加熱機構は、ピン・ホルダーに設けたヒータでも実現できる。
第4の制御手段を設ければ、ピンの滞留時間を制御できる。
また、上記のようなピックアップ方法によれば、粘着テープを瞬時に加熱することで、粘着テープの粘着力を低下させ、チップにダメージを与えることなく粘着テープから剥がすことができる。この結果、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラックなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上できる。
上記高温の不活性ガスとしては、温度が200〜400℃の窒素ガスが安価である。
この発明によれば、薄厚化したチップをピックアップする際にもクラックなどのダメージを抑制でき、チップの品質を向上できるピックアップ装置及びピックアップ方法が得られる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るピックアップ装置について説明するためのもので、外観を示す斜視図である。このピックアップ装置は、ピックアップ機構21、突き上げ機構22、チップ位置認識機構23及び制御装置24などから構成されている。
図1は、本発明の実施の形態に係るピックアップ装置について説明するためのもので、外観を示す斜視図である。このピックアップ装置は、ピックアップ機構21、突き上げ機構22、チップ位置認識機構23及び制御装置24などから構成されている。
上記ピックアップ機構21は、ロボット・アーム25とこのロボット・アーム25の一端を支点にして図示矢印A方向に往復動作させる駆動部26、及びロボット・アーム25を上下動(矢印B方向)させる駆動部27を備えている。また、このロボット・アーム25の先端部には、コレット28が設けられている。コレット28は、チップと直接接触し、バキューム力でチップを吸着する。これによって、ロボット・アーム25は、チップをピックアップする位置で上下動し、且つチップを吸着して搬送する動作を行う。
ピックアップの対象となるチップは粘着テープに貼り付けられており、バキューム力だけではピックアップすることは困難である。バキューム力を強めたり、メカニカルにチップを掴み取る方法などもあるが、チップにチッピングやクラックを発生させ、品質を低下させる恐れがある。そこで、突き上げ機構22によりチップを粘着テープから剥離する。上記突き上げ機構22は、バックアップ・ホルダー32をウェーハ・リング面内で自由に動かせる駆動部29と、突き上げピンを上下動させる駆動部30とを備えている。上記駆動部29はモーター31などにより図示矢印方向Cと、この方向Cと直交する矢印方向Dにバックアップ・ホルダー32を移動させる。上記バックアップ・ホルダー32には貫通孔32Aが設けられており、駆動部30に設けられているモーター33により突き上げピンを上下動(矢印E方向)させることにより、上記貫通孔32Aからピンが突き出してチップを押し上げ、粘着テープから引き剥がすようになっている。
上記粘着テープはウェーハ・リングと呼ばれる環状の治具に貼り付けられている。このピックアップ装置には、ウェーハ・リングを精度良く載置して固定する治具34が設けられている。ウェーハ・リングの固定治具34は、粘着テープを固定するだけでなく、粘着テープを押し上げるようにして、粘着テープにテンションを掛けられるようになっている。チップをピックアップする際には、通常、1〜5mm押し上げるようにする。
上記チップ位置認識機構23は、カメラ35から得た画像データから、ウェーハ・リング内にあるチップの位置を±10μm以下の精度で割り出すものである。バックアップ・ホルダー32及びロボット・アーム25は、チップ位置認識機構23から得られたチップの位置データにしたがって、±20μm以下の精度で正確に移動するようになっている。
なお、上記ピックアップ機構21の駆動部26,27の動作やコレット28による吸着動作、突き上げ機構22の駆動部29,30の動作、及びチップ位置認識機構23によるチップ位置の割り出しなどはそれぞれ、制御装置24によって制御される。
ところで、薄厚化されたチップをピックアップする場合には、上記突き上げ機構22が重要である。次に、図2乃至図4を用いて上記ピックアップ装置の突き上げ機構22について詳しく説明する。図2は突き上げ機構22におけるバックアップ・ホルダー、ピン・ホルダー及びピンの断面構成を示している。図3及び図4はそれぞれ、ピンのパターン配置例を示しており、図3はアスタリスク型配置、図4は直線配置を示している。
図2は、上記チップ位置認識機構23から得られたチップ位置の認識データにしたがって、バックアップ・ホルダー32をピックアップの対象となるチップ下部に移動させ、今まさにピン・ホルダー36を上昇させて粘着テープ37越しにチップ38を突き上げようとしている状態である。ここで、ピン・ホルダー36は、バックアップ・ホルダー32内で上下動をするようになっており、ピン39の先端はバックアップ・ホルダー32の上面と同じ高さが定位置である。ここの高さを0とする。この位置からピン39が上昇を開始し、粘着テープ37越しにチップ38を上方向に押圧する。
図3(a)〜(q)及び図4(a)〜(r)に示すように、ピン39は5本以上であり、隣接するピンとピンとの隙間のうち、最も狭い部分の隙間は0.3mm以上、1mm以下である。また、前記突き上げ機構のピンは5本以上で、チップのコーナー部を押圧する外周の4本は四角形になるように配置され、その対角線の交点を中心として、外周の4本のピンは誤差100μmを見込んで点対称に配置されている。あるいは、最も外側に配置されたピンの中心を結び全てのピンを囲む図形を、チップ外周と同じ大きさの図形中に、はみ出さないように描いた場合、外側のピンの中心と、チップ外周との距離が1.5mm以上の外周が存在する。これらのピン39はそれぞれ、先端部が曲面を有しており、この曲面の半径は0.5mm以上、2mm以下である。
上記のように、5本以上のピンを用ることにより、ピックアップ時にチップ38に掛かる応力を分散でき、クラックをより抑制できる。また、ピン39とピン39との間の距離やピン39のパターン配置を最適化することにより、クラック抑制効果を更に高めることができる。更に、ピン38の先端部を曲面にし、この曲面の半径を0.5mm以上、2mm以下にすることにより、“貫通”モードのクラックを抑制できる。
次に、上記のような構成のピックアップ装置を用いたピックアップ方法について説明する。ウェーハをダイシングして個片化したチップを形成し、このチップをウェーハ・リングに装着した状態で図1に示したピックアップ装置におけるウェーハ・リングの固定治具34に固定する。
まず、ピックアップ装置にチップを供給するまでの一連のダイシング工程について説明する。
ウェーハに回路を焼き付けた後、ウェーハをダイシングして個片化する。個片化する手順は、普通、ウェーハ裏面を研削して薄くしてからダイシングする。この時、裏面チッピングが発生し易い。裏面チッピングとは、ウェーハの裏面に発生する細かいチップの欠けである。シリコンウェーハと粘着テープとの間、すなわち、固いものと柔らかいものとの間であるが故に発生し易いクラックである。裏面チッピングは、チップ裂開の起点となり得る。もちろん、チップ自体の強度にも関係してくるので、裏面チッピングが少ない方が品質が高いと言える。裏面チッピングは薄いチップほど深刻な問題となる。
上記裏面チッピングを極力減らすことができる方式が、これから説明する先ダイシング(DBGとも呼ぶ、Dicing Before Grindingの略)・プロセスである。図5は、先ダイシング・プロセスのフローチャートである。先ダイシング・プロセスでは、まず、ウェーハを個片化するためのダイシングラインやチップ分割ラインに沿って、ハーフカット溝を形成する(STEP1)。この時、切り込みはウェーハ裏面まで貫通しないようにする。この方法はハーフカット・ダイシングとも呼ばれる。通常のダイシングでは、ウェーハの裏面まで貫通するように切り込みを入れるからである。切り込みの深さは、チップの最終仕上げ厚さよりも、およそ10μm乃至30μmだけ深くする。どれだけ多めにするかは、ダイサーとグラインダーの精度により決まる。
図5のフローチャートでは、ウェーハを搬送する装置を前提にしているので、ダイシング・テープを使わない方式を表しているが、もちろん、ダイシング・テープを使っても構わない。すなわち、個片化したとき、チップが飛ばないように、ダイシング時には予めウェーハをテープに貼り固定しておく。ダイシング・テープ基材の材質は、塩化ビニルやポリオレフィン等のプラスチックが用いられる。基材に粘着性を持たせるために、表面状態を荒らし、自己粘着性を持つタイプと、基材上に薄く粘着剤を塗布したタイプに分けられる。後者の粘着剤タイプは、粘着力を選択的に変えられる。ダイシングするときは、しっかりと保持した方が良く、チップをピックアップするときは、ダメージを与えないように剥がし易い方が良い。粘着剤は、このような二律背反の性質を持つことが好ましく、何らかの作用によって粘着力を低下する性質を持つものが用いられる。何らかの作用とは、紫外線照射や加熱である。紫外線タイプは、主成分がエポキシ樹脂とアクリル樹脂であり、ラジカル重合による硬化反応を利用したものである。また、加熱タイプは、シリコーン樹脂の発泡現象を利用したものである。
上記ダイシング・テープを使うか使わないかは、装置の構成によって選ぶ。ダイシング・テープを使う装置では、ウェーハ・リングに装着した状態で搬送する。従って、予めウェーハをダイシング・テープに貼り付け、ダイサー(ダイシング装置)にウェーハを供給する。
次に、ハーフカット・ダイシング済みのウェーハの素子形成面にテープを貼り付ける(STEP2)。このテープを表面保護テープと呼ぶ。ウェーハ表面にテープを貼り付ける目的は、ウェーハ裏面を削り取り、薄くする過程で素子にダメージを与えないようにするためである。
次は、ウェーハの裏面研削(ラッピング)工程(STEP3)である。裏面研削は、砥石のついたホイールと呼ばれるものを4000〜6000rpmの高速で回転させながらウェーハの裏面を所定の厚さに削って行く工程である。上記砥石は、人工ダイヤモンドをフェノール樹脂で固めて成形したものである。この裏面研削工程は、2軸で行うことが多い。また、まず、1軸で予め320〜600番で荒削りした後、2軸で1500〜2000番で鏡面に仕上げる方法もある。更には、3軸で研削する方法でも良い。
裏面研削後のチップは、ウェーハ・リングに装着した粘着テープ上に転写する(STEP4)。この粘着テープは、ピックアップテープ(もしくは転写テープ)と呼ばれる。上記ピックアップ・テープの材料としては、塩化ビニル系、アクリル系が良く用いられる。薄厚のチップに対応可能なピックアップ・テープは、アクリル系で且つ紫外線を照射して、粘着力が弱くなるものが望ましい。ピックアップ・テープには、転写して搬送すること、ピックアップしやすいことなどが要求される。転写・搬送性のためには、チップが動かないようにしっかりと保持した方が好ましいが、ピックアップでは、簡単に剥がれる方が好ましい。アクリル系テープのうち、紫外線を照射すると粘着力が弱くなるものがある。このようなアクリル系テープでは、紫外線を照射する前と後で粘着特性が選択的であり、薄いチップを扱うピックアップ・テープとして好適である。ピックアップ・テープの代表銘柄を示すと、日立化成製HAL−1503、同HAL−1603、リンテック社製G−11、G−15などの塩化ビニル系テープが用いられる。また、リンテック社製のD−105などのアクリル・UV系テープでも良い。
その後、上記表面保護テープを剥離(STEP5)した後、ピックアップテープ(粘着テープ)に例えば紫外線を照射して粘着力を低下させ(STEP6)、ピックアップ装置におけるウェーハ・リングの固定治具34に装着する(STEP7)。
この先ダイシング方式によれば、通常ダイシングのような問題はなく、裏面のチッピングを大きく減らすことができる。特に、薄いチップに対しては、この先ダイシング・プロセスが好適であり、従来のダイシングに比べてウェーハまたはチップの抗折強度を向上できる。
本発明のピックアップ装置及びピックアップ方法では、この先ダイシング・プロセスを用いて個片化した薄いチップをピックアップする。
まず、カメラ35から得た画像データから、チップ位置認識機構23でピックアップの対象となるチップの位置を割り出し、この位置データにしたがって突き上げ機構22によりピン・ホルダー32を移動させると共に、ロボット・アーム25の先端部に設けられたコレット28を割り出した位置に移動させる。
そして、図6に示すようなシーケンスに従ってピン39を上昇させてピックアップを行う。この図6では、従来のシーケンスと比較して示している。従来のピックアップ装置では、ピンがフィルム越しにチップを押し、停止した瞬間に直ちに下降を始める。
これに対し、本発明のピックアップ方法では、ピンは停止位置(高さ0)から徐々に速度を上げ、やがて定速になり、最高点に近づくと遅くなり、最高点に達すると直ちに停止する。上記突き上げピン39が上昇する速度は、スピードが速すぎるとチップ38がクラックしてしまうので、厚さが100μm以下のチップでは、デバイスの種類によって異なるが、定速状態で0.1mm/秒〜5mm/秒が適正である。チップへのダメージを減らすために、最も好ましくは、0.1mm/秒〜1mm/秒である。更に、突き上げピン39のストロークは、バックアップ・ホルダー32上面を基準として0.1〜2mmが好ましい。なお、従来のピックアップ装置では、突き上げピンは、定速状態で100μm/秒〜1000μm/秒の速度である。また、突き上げのストロークは、バックアップ・ホルダー上面を基準として、1〜5mmである。ピンの突き上げ動作とコレットの下降動作は同時タイミングであり、突き上げピンが最高点に達したときは、コレット28はチップに接触し、吸着している。ピン39が最高点に達してから、直ちに下降をせずに滞留させている。滞留させることによって、チップ38の剥離を促すことができる。本発明のピックアップ装置では、滞留時間が0〜10秒までの間で設定可能である。それと同時にコレット28は上昇を開始し、チップ38を所定の場所に持って行く。
上記図6のシーケンスに従ったピン39の上昇では、突き上げ負荷は図7に示すようになる。図7に示すように、従来の方法ではチップ38が粘着テープ37から剥離する寸前に負荷のピークがあったのに対し、本発明の装置及び方法ではピークが2つに分かれ、且つそれぞれの負荷の最高点のレベルが従来の装置及び方法よりも下がっている。この結果、チップ38の変形量が小さくなり、図8に示すように、従来の装置あるいは方法に比してチップ38の抗折強度を高めることができる。
ピックアップした後の工程は、トレー詰めする場合とダイ・アタッチする場合がある。トレー詰めする場合は、ロボット・アーム25を移動させて、直接、チップをトレーに収納する。ダイ・アタッチする場合は、やはりロボット・アーム25を移動させて、リード・フレームや実装基板の所定の位置にチップをマウントする。
次に、本発明の第2の実施の形態に係るピックアップ装置及びピックアップ方法について説明する。第2の実施の形態の趣旨は、ピックアップし易くすることにある。本第2の実施の形態では、粘着テープを局部加熱することで、粘着性を低下させ、ピックアップを容易にする。加熱するときのポイントは、瞬時に加熱することである。瞬時に加熱することによって、生産性を落とさずにピックアップが可能になる。
図9は、図1に示したピックアップ装置における突き上げ機構22の他の構成例について説明するためのもので、バックアップ・ホルダー、ピン・ホルダー及びピンの断面構成を示している。バックアップ・ホルダー40には、粘着テープを真空圧で吸着固定できるように、真空配管がされている。ピン・ホルダー41は、バックアップ・ホルダー40の中に収容されて上下動する。ピン・ホルダー41の上面には突き上げピン42が固定され、バックアップ・ホルダー40の上面に設けられた貫通孔43からピン42が突出するようになっている。また、ピン・ホルダー41中にはピン42の位置と並ぶように、ガラスのキャピラリ管44が上下に延びており、高温の不活性ガスの注入口45が、このピン・ホルダー41に固定されている。注入口45から供給された高温の不活性ガス、例えば温度が200〜400℃の窒素ガスは、上記キャピラリ管44及び上記バックアップ・ホルダー40の上面に設けられている貫通孔46を介して、粘着テープの裏面側に導かれる。窒素ガスを粘着テープに吹き付けるタイミングは、ピン・ホルダー41が上昇し、突き上げを開始する直前か、上昇と同時が好ましい。
なお、図9では、キャピラリ管45がピン・ホルダー41の上面までしか形成されていないが、上面から突出していても構わない。
図10(a)は、上記ピン・ホルダー41の上面における突き上げピン42、キャピラリ管44、及び上記真空配管に接続されているバキューム孔47のパターン配置例を示している。図示するように、長孔48内に突き上げピン42とキャピラリ管44とが交互に配置され、この長孔48は、十字形になるように配置されている。そして、バキューム孔47が上記長孔48の間に等間隔で配置されている。
また、図10(b)は、バックアップ・ホルダー40の上面における各貫通孔43,46とバキューム孔47のパターン配置例を示している。この図10(b)はバックアップ・ホルダー40が粘着テープと接触する面である。バックアップ・ホルダー40の上面には、上記ピン・ホルダー41の上面に対応して長孔48とバキューム孔47が配置されている。
上記のような構成によれば、ピックアップの直前に粘着テープを加熱することで、粘着テープの粘着力を低下させ、チップをピックアップし易くできる。また、高温の不活性ガスを使うことで、瞬時に加熱することができ、且つガスを吹き付けたときのみ加熱が可能で、冷却も早いので生産性が高い。
図11(a)は、上記ピン・ホルダー41の上面における突き上げピン42、キャピラリ管44、及び上記真空配管に接続されているバキューム孔47の他のパターン配置例を示している。図示するように、長孔48を放射状に配置している。
また、図11(b)は、バックアップ・ホルダー40の上面における各貫通孔43,46とバキューム孔47の他のパターン配置例を示している。バックアップ・ホルダー40の上面には、上記ピン・ホルダー41の上面に対応して長孔48とバキューム孔47が配置されている。
このような構成によれば、ピン42の数が多くなるので、チップに掛かる応力を分散させてよりクラックの発生を抑制できる。
なお、上記第2の実施の形態では、高温の不活性ガスを吹き付けて粘着テープの粘着力を低下させる例について説明したが、バックアップ・ホルダーにヒータを設け、このヒータを制御して粘着テープを加熱しても良い。このヒータには、シート状のものを使っても良いし、バックアップ・ホルダーにヒータ棒を取り付け、局部的に加熱しても高温の不活性ガスを吹き付けるのと同様な効果が得られる。
しかし、この方式では、ヒータ部の冷却を瞬時にできないため、高温の不活性ガスを用いる場合に比べて多少生産性が低下する可能性がある。ヒータを冷却する理由は、加熱を続けすぎると粘着テープの基材の縮みが起きるなど、テープが劣化するとともに、チップにダメージを与える危険性もあるからである。
以上実施の形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。例えば、第1の実施の形態と第2の実施の形態を組み合わせても良いのは勿論である。更に、上記各実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
21…ピックアップ機構、22…突き上げ機構、23…チップ位置認識機構、24…制御装置、25…ロボット・アーム、26…駆動部、27…駆動部、28…コレット、29…駆動部、30…駆動部、31…モーター、32…バックアップ・ホルダー、32A…貫通孔、33…モーター、34…ウェーハ・リングの固定治具、35…カメラ、36…ピン・ホルダー、37…粘着テープ、38…チップ、39…ピン、40…バックアップ・ホルダー、41…ピン・ホルダー、42…ピン、43…貫通孔、44…キャピラリ管、45…高温不活性ガスの注入口、46…貫通孔、47…バキューム孔、48…長孔。
Claims (9)
- バックアップ・ホルダーと、このバックアップ・ホルダー内で上下動し、粘着テープに転写されたチップを、この粘着テープ越しにピンで押圧するためのピン・ホルダーとを備えた突き上げ機構と、
前記突き上げ機構により粘着テープに転写されたチップをピックアップする際、前記粘着テープを加熱して粘着力を低下させる加熱機構と、
前記突き上げ機構でピックアップしたチップを吸着して搬送する吸着搬送機構と
を具備することを特徴とするピックアップ装置。 - 請求項1に記載のピックアップ装置において、前記ピン・ホルダーは、高温の不活性ガスを流すキャピラリ管を備え、
前記バックアップ・ホルダーは、前記ピン・ホルダーのピンの位置と相対する位置と、前記ピン・ホルダーのキャピラリ管の位置と相対する位置にそれぞれ設けられた貫通孔を備えることを特徴とするピックアップ装置。 - 請求項1または2に記載のピックアップ装置において、高温の不活性ガスは、ピンが突き上げ動作を開始する直前または同時に供給され、この不活性ガスの供給から、ピンの突き上げ動作開始までの遅延時間を制御する第1の制御手段を更に具備することを特徴とするピックアップ装置。
- 請求項1乃至3いずれか1つの項に記載のピックアップ装置において、高温の不活性ガスを供給し始めてから供給を停止するまでの時間を制御する第2の制御手段を更に具備することを特徴とするピックアップ装置。
- 請求項1乃至4いずれか1つの項に記載のピックアップ装置において、粘着テープの加熱温度を検知するセンサと、このセンサによって加熱が検出されたときに前記高温の不活性ガスの供給を停止する第3の制御手段とを更に具備することを特徴とするピックアップ装置。
- 請求項1に記載のピックアップ装置において、前記加熱機構は、前記ピン・ホルダーに設けられ、前記粘着テープを加熱するヒータであることを特徴とするピックアップ装置。
- 請求項1乃至6いずれか1つの項に記載のピックアップ装置において、前記突き上げ機構のピンによるチップの突き上げ動作と前記吸着搬送機構によるチップの吸着動作を制御し、前記ピンが最高点に達したときに前記吸着搬送機構でチップを吸着した状態でピンを滞留させることによって前記チップの剥離を促す第4の制御手段を更に具備することを特徴とするピックアップ装置。
- ウェーハ・リングに装着した粘着テープの粘着面側に、ウェーハをダイシングして個片化したチップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であって、
突き上げピンがチップを突き上げするのと同時または直前に、高温の不活性ガスを前記粘着テープに吹き付けて粘着力を低下させ、チップを粘着テープから順次剥がして搬送することを特徴とするピックアップ方法。 - ウェーハ・リングに装着した粘着テープの粘着面側に、ウェーハをダイシングして個片化したチップを転写して貼り付け、これらのチップを粘着テープから順次引き剥がして搬送するピックアップ方法であって、
突き上げピンでチップを突き上げ、ピンが最高点に達してから下降し始めるまで、所定の時間滞留させた状態で、高温の不活性ガスを前記粘着テープに吹き付けて粘着力を低下させ、チップを粘着テープから順次剥がして搬送することを特徴とするピックアップ方法。
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