KR100436188B1 - 칩 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

픽업 장치는 압박 기구, 반송 기구 및 제어기를 구비하고 있다. 상기 압박 기구는 점착 테이프에 있어서의 점착면의 이면측으로부터 점착 테이프 너머로 핀에 의해 각각의 칩을 밀어올리도록 압박하여, 칩을 점착 테이프로부터 박리하도록 구성되어 있다. 상기 반송 기구는 상기 압박 기구에 의해 칩을 박리할 때, 콜릿으로 칩을 흡착하여 칩이 점착 테이프로부터 박리될 때까지 흡착 상태를 유지하고, 그 후 콜릿을 상승시켜 칩을 픽업하여 다음 공정으로 반송한다. 상기 제어기는 압박 기구의 핀에 의한 칩의 밀어올림 동작을 제어하도록 구성되고, 상기 핀의 상승 시간과 하강 시간을 제어하며, 상승으로부터 하강으로 변화할 때 소정 시간 체류시킨다.

Description

칩 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{CHIP PICK UP DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES}
본 발명은 반도체 장치의 장착(패키지) 기술, 특히 마운트 기술에서 사용되는 칩의 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는 IC 카드나 TAG, 3D 패키지 등에서 사용되는 얇은 칩을 패키지화하는 공정에 있어서, 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
IC 카드나 휴대 기기에 사용되는 반도체 장치는 장착 면적이나 두께에 제한이 있다. 그러나, 그 반면 요구되는 기능은 한없이 증가하고 있다. 이러한 요구에 부응하기 위해서는 칩을 3차원으로 장착하는 기술이 유효하며 활발히 시도되고 있다. 소위, 적층 모듈이라고 불리는 반도체 패키지이며, 패키지의 두께는 종래와 변함없다. 예를 들어, 휴대 기기의 메모리부에 사용하기 위해서, 플래시 메모리와 SRAM을 2단 중합으로 한 제품이 이미 시판되고 있고, 3단 및 4단으로 중합한 제품의 연구 개발도 시판을 목표로 해서 추진되고 있다.
이러한 얇은 반도체 패키지 내에 장착하기 위해서, 종래는 200 내지 650 ㎛이던 칩의 두께를 200 ㎛ 미만으로 하자는 요구가 증대하고 있다. 상기 플래시 메모리와 SRAM을 2단 중합으로 한 제품이나, 3단 및 4단으로 중합한 제품에서는 칩의 두께가 50 내지 150 ㎛로 특히 얇다. 또한, 50 ㎛ 이하의 얇은 두께를 갖는 칩도 요구되고 있다.
그러나, 이러한 칩 두께의 박형화의 요구에 따라 칩이 얇아지는 데 수반하여, 픽업시에 발생하는 크랙이 심각한 문제로 되고 있다. 칩의 굽힘 강도는 칩 두께의 2제곱에 비례하는 사실이 알려져 있으며, 얇아질수록 칩에는 크랙이 발생하기 쉬워지기 때문이다.
종래의 픽업 장치에서는, 두께가 40 내지 200 ㎛인 얇은 실리콘 칩에서는 픽업시에 크랙이 다량 발생한다. 여기서 의미하는 크랙이라 함은 칩이 갈라지고, 또한 칩의 주변부, 즉 코너부나 변이 절결되는 것 등을 포함하여 총칭한다.
우선, 도1 내지 도7의 (h)에 의해, 상기 픽업시에 발생하는 크랙에 대하여 상세하게 설명한다. 도1은 종래의 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명하기 위한 것이며, 압박 기구에 있어서의 백업 홀더, 핀 홀더 및 핀의 단면 구성을 개략적으로 도시하고 있다. 핀 홀더(11)는 백업 홀더(12) 내에서 상하 이동하게 되어 있고, 핀 홀더(11)가 상승하면 핀(13)이 점착 테이프(14) 너머로 칩(15)을 상방으로 압박하여, 점착면(14A)에 부착된 칩(15)을 박리하게 되어 있다.
일반적으로, 핀(13)은 도2의 (a)에 도시한 바와 같이 칩(15)의 중심 위치에 대하여 점대칭이고, 또한 대각선을 따르도록 배치되어 있다. 또, 백업 홀더(12)의 상면에는 상기 핀 배치에 대응하여, 도2의 (b)에 도시한 바와 같이 핀(13)이 돌출하는 위치에 관통 구멍(16)이 형성되어 있다.
도3의 (a) 내지 (c)는 각각 두께가 200 내지 750 ㎛인 통상의 칩(15)을 밀어올리는 상태를 도시하고, 도4의 (a) 내지 (d)는 각각 밀어올림에 따라서 칩(15)이 서서히 점착 테이프(14)로부터 이격되어 가는 상태를 도시하고 있다. 도3의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이 핀(13)이 상승하면, 도4의 (a) 내지 (c)에 사선으로 도시한 바와 같이 칩(15)이 점착 테이프(14)로부터 서서히 박리되어 가고, 도4의(d)에 도시한 바와 같이 완전히 박리된다. 이 때, 핀(13)의 상승에 수반하여, 우선 칩(15)의 주변부, 특히 코너부가 박리되고[도4의 (b) 참조], 박리된 부분이 핀(13)의 주위를 남기고 확산되어 가며[도4의 (c) 참조], 핀(13)이 최고점에 도달했을 때는 이미 박리되어 있다[도4의 (d) 참조].
그러나, 칩(15)의 두께가 40 내지 100 ㎛까지 얇아지면, 도5의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이 핀(13)이 접촉한 부분이 우선 상승하지만, 핀(13)이 접촉하고 있지 않은 부분에는 상승의 지연이 발생한다. 왜냐하면, 칩(15)이 얇기 때문에 칩(15)이 만곡되어, 점착 테이프(14)로부터 칩(15)이 박리되지 않기 때문이다. 그 결과, 도6의 (a) 및 (b)에 사선으로 도시한 바와 같이 점착 테이프(14)로부터의 박리가 지연되고, 도6의 (c)에 도시한 바와 같이 크랙(16)이 발생해 버린다. 이 크랙(16)은 칩(15)이 실리콘의 항복(降伏) 한계를 넘을 정도로 만곡되므로, 표면에 갈라짐이 생겨 발생한 것이다. 또, 표면에 생긴 크랙(16)이 이면까지 전파되어, 칩(15)이 완전히 갈라진 상태로 되는 것도 있다. 이 크랙(16)의 발생은 칩(15)의 두께가 얇으면 얇을수록 빈번해진다.
도7의 (a) 내지 (h)는 각각 칩이 크랙된 상태를 도시하고 있으며, 두께 100 ㎛ 이하의 특히 얇은 실리콘 칩이 크랙된 상태이다. 크랙은 크게 나누어 "절결" 모드, "균열" 모드 및 "관통" 모드의 세 가지로 분류할 수 있다. "절결" 모드라 함은 도7의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 칩(15)의 코너나 주변이 절결된 것이다. "균열" 모드라 함은 도7의 (d) 내지 (g)에 도시한 바와 같이, 선이 들어가도록 크랙되는 것이다. 또, "관통" 모드라 함은 도7의 (h)에 도시한 바와 같이,핀이 접촉하는 부분만 실리콘이 융기하는 것처럼 갈라지는 것이다.
상기와 같이, 종래의 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에서는 두께가 얇아진 칩을 픽업할 때 크랙 등의 손상을 입히게 되어, 칩의 품질이 저하되거나 또는 제조 수율이 저하되는 문제가 있었다.
도1은 종래의 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명하기 위한 것이며, 압박 기구에 있어서의 백업 홀더, 핀 홀더 및 핀의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
도2의 (a), (b)는 상기 도1에 도시한 압박 기구에 있어서의 핀의 배치와 백업 홀더의 관통 구멍의 관계에 대하여 설명하기 위한 상면도.
도3의 (a) 내지 (c)는 각각 두께가 200 내지 750 ㎛인 칩을 밀어올리는 상태를 순차적으로 도시한 단면도.
도4의 (a) 내지 (d)는 각각 상기 도3의 (a) 내지 (c)에 도시한 밀어올림 동작에 의해 칩이 서서히 점착 테이프로부터 이격되어 가는 상태를 도시한 평면도.
도5의 (a) 내지 (c)는 각각 두께가 40 내지 100 ㎛인 얇은 칩을 밀어올리는 상태를 순차적으로 도시한 단면도.
도6의 (a) 내지 (c)는 각각 상기 도5의 (a) 내지 (c)에 도시한 밀어올림 동작에 의해 칩에 크랙이 발생하는 상태를 도시한 평면도.
도7의 (a) 내지 (h)는 각각 칩에 크랙이 발생했을 때의 다양한 상태를 도시한 평면도.
도8은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 픽업 장치에 대하여 설명하기 위한 것이며, 외관을 도시한 사시도.
도9는 상기 도8에 도시한 픽업 장치의 압박 기구에 있어서의 백업 홀더, 핀 홀더 및 핀의 구성을 도시한 단면도.
도10의 (a) 내지 (q)는 각각 핀의 패턴 배치예를 도시하고 있으며, 애스터리스크형 배치를 도시한 평면도.
도11의 (a) 내지 (r)은 각각 핀의 패턴 배치예를 도시하고 있으며, 직선 배치를 도시한 평면도.
도12는 선(先) 다이싱 프로세스의 흐름도.
도13은 핀을 상승시켜 점착 테이프로부터 칩을 박리할 때의 시퀀스를 도시한 다이어그램.
도14는 핀의 밀어올림 부하를 종래의 픽업 장치와 본 실시 형태의 픽업 장치로 비교하여 도시한 다이어그램.
도15의 (a)는 4점 굽힘 시험에 대하여 설명하기 위한 단면도.
도15의 (b)는 칩의 굽힘 저항 강도의 와이불 분포(Weibull distribution)이며, 종래의 픽업 장치와 본 실시 형태의 픽업 장치로 비교하여 도시한 다이어그램.
도16은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명하기 위한 것이며, 도8에 도시한 픽업 장치에 있어서의 압박 기구의 다른 구성예를 도시하고, 백업 홀더, 핀 홀더 및 핀의 구성을 도시한 단면도.
도17의 (a)는 핀 홀더의 상면에 있어서의 핀, 모세관 및 진공 구멍의 배치예를 도시한 평면도.
도17의 (b)는 백업 홀더가 점착 테이프와 접촉하는 면에 있어서의 관통 구멍의 배치예를 도시한 평면도.
도18의 (a)는 핀 홀더의 상면에 있어서의 핀, 모세관 및 진공 구멍의 다른 배치예를 도시한 평면도.
도18의 (b)는 백업 홀더가 점착 테이프와 접촉하는 면에 있어서의 관통 구멍의 다른 배치예를 도시한 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
21 : 픽업 기구
22 : 압박 기구
23 : 칩 위치 인식 기구
24 : 제어 장치
28 : 콜릿
32 : 백업 홀더
36 : 핀 홀더
37 : 점착 테이프
38 : 칩
42 : 핀
본 발명의 형태에 따르면, 웨이퍼 링에 장착한 점착 테이프의 점착면측에 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 전사하여 부착하고, 이들 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 픽업 장치로서, 상기 점착 테이프에 있어서의 점착면의 이면측으로부터 점착 테이프 너머로 핀에 의해 각각의 칩을 밀어올리도록 압박하여 칩을 점착 테이프로부터 박리하도록 구성된 압박 기구와, 상기 압박 기구에 의해 칩을 박리할 때, 콜릿으로 칩을 흡착하여 칩이 점착 테이프로부터 박리될 때까지 흡착 상태를 유지하고, 그 후 콜릿을 상승시켜 칩을 픽업하여 다음 공정으로 반송하도록 구성된 반송 기구와, 상기 핀의 상승 시간과 하강 시간을 제어하고, 상승으로부터 하강으로 변화할 때 소정 시간 체류시키며, 상기 압박 기구의 핀에 의한 칩의 밀어올림 동작을 제어하도록 구성된 제어기를 구비한다.
본 발명의 형태에 따르면, 점착 테이프의 점착면측에 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 부착하고, 이들 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 점착 테이프에 있어서의 점착면의 이면측으로부터 핀으로 점착 테이프 너머로 칩을 밀어올리도록 압박하고, 상기 핀으로 칩을박리하는 동작시에, 상기 점착 테이프의 점착면측으로부터 콜릿을 칩에 접촉할 때까지 하강시켜 칩을 흡착하고, 칩이 점착 테이프로부터 박리될 때까지 대기한 후, 콜릿을 상승시켜 칩을 픽업하여 다음 공정으로 반송한다.
본 발명의 형태에 따르면, 픽업 장치는, 백업 홀더와, 상기 백업 홀더 내에서 상하 이동하고 점착 테이프에 부착된 칩을 상기 점착 테이프 너머로 핀에 의해 밀어올리도록 압박하기 위한 핀 홀더를 구비한 압박 기구와, 상기 점착 테이프에 부착된 칩을 픽업할 때, 상기 점착 테이프를 가열하여 점착력을 저하시키도록 구성된 가열 기구와, 상기 압박 기구에 의해 밀어올려진 칩을 흡착하여 반송하도록 구성된 흡착 반송 기구를 구비한다.
본 발명의 형태에 따르면, 점착 테이프의 점착면측에 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 부착하고, 이들 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 압박 핀이 칩을 밀어올리는 것과 동시 또는 직전에 고온의 불활성 가스를 점착 테이프에 배출하여 상기 점착 테이프의 점착력을 저하시키고, 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송한다.
명세서에 포함되어 그의 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명의 양호한 실시예를 도시하며, 위에서 주어진 개괄적인 설명 그리고 이하에서 주어지는 양호한 실시예의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 데 이용된다.
도8은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 픽업 장치에 대하여 설명하기 위한 것이며, 외관을 도시한 사시도이다. 이 픽업 장치는 픽업 기구(21), 압박 기구(22), 칩 위치 인식 기구(23) 및 제어 장치(제어기)(24) 등을 포함하여 구성되어 있다.
상기 픽업 기구(21)는 로봇 아암(25)과, 이 로봇 아암(25)의 일단부를 지지점으로 하여 도시한 화살표(A) 방향으로 왕복 동작시키는 구동부(26), 및 로봇 아암(25)을 상하 이동[화살표(B) 방향]시키는 구동부(27)를 구비하고 있다. 또, 이 로봇 아암(25)의 선단부에는 콜릿(28)이 설치되어 있다. 콜릿(28)은 칩과 직접 접촉하며, 진공력으로 칩을 흡착한다. 이에 따라, 로봇 아암(25)은 칩을 픽업하는 위치에서 상하 이동하고, 또한 칩을 흡착하여 반송하는 동작을 행한다.
픽업의 대상이 되는 칩은 점착 테이프에 부착되어 있고, 진공력만으로는 픽업하는 것이 곤란하다. 진공력을 강하게 하거나, 기계적으로 칩을 움켜잡는 방법 등도 있지만, 칩에 칩핑이나 크랙을 발생시켜 품질을 저하시킬 우려가 있다. 그래서, 압박 기구(22)에 의해 칩을 점착 테이프로부터 박리한다. 상기 압박 기구(22)측에는 백업 홀더(32)를 웨이퍼 링면 내에서 자유롭게 움직이게 하는 구동부(29)와, 압박 핀을 상하 이동시키는 구동부(30)를 구비하고 있다. 상기 구동부(29)는 모터(31) 등에 의해, 도시한 화살표 방향(C)과 이 방향(C)과 직교하는 화살표 방향(D)으로 백업 홀더(32)를 이동시킨다. 상기 백업 홀더(32)에는 관통 구멍(32A)이 형성되어 있고, 구동부(30)에 설치되어 있는 모터(33)에 의해 압박 핀을 상하 이동[화살표(E) 방향]시킴으로써, 상기 관통 구멍(32A)으로부터 핀이 돌출하여 칩을 밀어올려 점착 테이프로부터 박리하게 되어 있다.
상기 점착 테이프는 웨이퍼 링이라고 불리는 환형의 지그에 부착되어 있다. 이 픽업 장치에는 웨이퍼 링을 정밀도 높게 적재하여 고정하는 지그(34)가 설치되어 있다. 웨이퍼 링의 고정 지그(34)는 점착 테이프를 고정할 뿐만 아니라, 점착 테이프를 밀어올리도록 하여 점착 테이프에 장력이 가해지도록 되어 있다. 칩을 픽업할 때는 통상 1 내지 5 mm 밀어올리도록 한다.
상기 칩 위치 인식 기구(23)는 카메라(35)로부터 얻은 화상 데이타로부터 웨이퍼 링 내에 있는 칩의 위치를 ±10 ㎛ 이하의 정밀도로 알아내는 것이다. 백업 홀더(32) 및 로봇 아암(25)은 칩 위치 인식 기구(23)로부터 얻어진 칩의 위치 데이타에 따라서, ±20 ㎛ 이하의 정밀도로 정확하게 이동하게 되어 있다.
또, 상기 픽업 기구(21)의 구동부(26, 27)의 동작이나 콜릿(28)에 의한 흡착 동작, 압박 기구(22)측 구동부(29, 30)의 동작, 및 칩 위치 인식 기구(23)에 의한 칩 위치의 산출 등은 각각 제어 장치(24)에 의해서 제어된다.
그러나, 두께가 얇아진 칩을 픽업하는 경우에는 상기 압박 기구(22)가 중요하다. 다음에, 도9 내지 도11의 (r)을 참조하여 상기 픽업 장치의 압박 기구(22)에 대하여 상세하게 설명한다. 도9는 압박 기구(22)에 있어서의 백업 홀더, 핀 홀더 및 핀의 단면 구성을 도시하고 있다. 도10의 (a) 내지 도11의 (r)은 각각 핀의 패턴 배치예를 도시하고 있고, 도10의 (a) 내지 (q)는 애스터리스크형 배치, 그리고 도11의 (a) 내지 (r)은 직선 배치를 도시하고 있다.
도9는 상기 칩 위치 인식 기구(23)로부터 얻어진 칩 위치의 인식 데이타에 따라서, 구동부(29)가 백업 홀더(32)를 픽업의 대상이 되는 칩 하부로 이동시키고, 이제 막 핀 홀더(36)를 상승시켜 점착 테이프(37) 너머로 칩(38)을 밀어올리려고 하고 있는 상태이다. 여기서, 핀 홀더(36)는 백업 홀더(32) 내에서 상하 이동을하게 되어 있고, 핀(39)의 선단부는 백업 홀더(32)의 상면과 동일한 높이가 정위치이다. 이 부분의 높이를 0으로 한다. 이 위치로부터 핀(39)이 상승을 개시하여, 점착 테이프(37) 너머로 칩(38)을 상방향으로 압박한다.
도10의 (a) 내지 (q) 및 도11의 (a) 내지 (r)에 도시한 바와 같이, 핀(39)은 5개 이상이며, 인접한 핀과 핀의 간극 중 가장 좁은 부분의 간극은 0.3 mm 이상, 1 mm 이하이다. 또, 5개 이상의 핀 중에서 4개를 선택하여, 이들 4개의 핀의 중심을 각각 연결하도록 6개의 결선을 넣었을 때, 외주가 사각형이고 또한 그 대각선의 교점을 중심으로 해서 대각선 상의 2세트의 핀이 모두 오차 100 ㎛를 예상하여 점대칭이 되는 4개의 세트가, 적어도 1세트 존재하도록 배치되어 있다. 또는, 가장 외측에 배치된 핀의 중심을 연결하여 모든 핀을 둘러싸는 도형을 칩 외주와 동일한 크기의 도형 내에 비어져 나오지 않도록 그린 경우, 외측 핀의 중심과 칩 외주의 거리가 1.5 mm 이상인 외주가 존재한다. 이들 핀(39)은 각각 선단부가 곡면을 갖고 있으며, 이 곡면의 반경은 0.5 mm 이상, 2 mm 이하이다.
상기와 같이 5개 이상의 핀을 사용함으로써, 픽업시에 칩(38)에 걸리는 응력을 분산할 수 있으며, 크랙을 보다 억제할 수 있다. 또, 핀(39)과 핀(39) 사이의 거리나 핀(39)의 패턴 배치를 최적화함으로써, 크랙 억제 효과를 한층 더 높일 수 있다. 그리고, 핀(39)의 선단부를 곡면으로 하고, 이 곡면의 반경을 0.5 mm 이상, 2 mm 이하로 함으로써, "관통" 모드의 크랙을 억제할 수 있다.
다음에, 상기와 같은 구성의 픽업 장치를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 형성하고, 이 칩을 웨이퍼링에 장착한 상태로 도8에 도시한 픽업 장치에 있어서의 웨이퍼 링의 고정 지그(34)에 고정한다.
우선, 픽업 장치에 칩을 공급할 때까지의 일련의 다이싱 공정에 대하여 설명한다.
주지의 각종 공정에 의해 웨이퍼 내에 회로를 형성한 후, 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한다. 개별화하는 순서는 보통 웨이퍼 이면을 연삭하여 얇게 한 후 다이싱한다. 이 때, 이면 칩핑이 발생하기 쉽다. 이면 칩핑이라 함은 웨이퍼의 이면에 발생하는 미세한 칩의 절결이다. 단단한 실리콘 웨이퍼를 부드러운 점착 테이프 상에서 절단할 때, 실리콘 웨이퍼가 분리되기 직전에 점착 테이프가 변형됨으로써, 절단 방향이 어긋나거나 또는 빠지거나 하여 실리콘 웨이퍼와 점착 테이프의 계면에 발생하는 크랙이다. 이면 칩핑은 칩 균열의 기점이 될 수 있다. 물론, 칩 자체의 강도에도 관계되게 되므로, 이면 칩핑이 적은 편이 품질이 높다고 할 수 있다. 이면 칩핑은 얇은 칩일수록 심각한 문제가 된다.
상기 이면 칩핑을 최대한으로 저감시킬 수 있는 방식이 이제부터 설명하는 선다이싱(DBG라고도 함, Dicing Before Grinding의 약자) 프로세스이다. 도12는 선다이싱 프로세스의 흐름도이다. 선다이싱 프로세스에서는 우선 웨이퍼를 개별화하기 위한 다이싱 라인이나 칩 분할 라인을 따라서 반절삭 홈을 형성한다(단계 1). 이 때, 절삭은 웨이퍼 이면까지 관통하지 않도록 한다. 이 방법은 반절삭 다이싱이라고도 불린다. 통상의 다이싱에서는 웨이퍼의 이면까지 관통하도록 절삭부를 형성하기 때문이다. 절삭의 깊이는 칩의 최종 마무리 두께보다도 대략 10 ㎛ 내지30 ㎛ 만큼 깊게 한다. 얼마만큼 많게 할지는 다이서와 연삭기의 정밀도에 의해 결정된다.
도12의 흐름도에서는 웨이퍼를 반송하는 장치를 전제로 하고 있으므로, 다이싱 테이프를 사용하지 않는 방식을 도시하고 있지만, 물론 다이싱 테이프를 사용해도 상관없다. 즉, 개별화했을 때 칩이 비산하지 않도록 다이싱시에는 미리 웨이퍼를 테이프에 부착하여 고정해 둔다. 다이싱 테이프 기초재의 재질은 염화비닐이나 폴리올레핀 등의 플라스틱이 사용된다. 기초재에 점착성을 갖게 하기 위해서, 표면 상태를 거칠게 하여 자기 점착성을 갖는 형태와, 기초재 상에 얇게 점착제를 도포한 형태로 나눌 수 있다. 후자의 점착제 형태는 점착력을 선택적으로 바꿀 수 있다. 다이싱할 때는 단단히 보유 지지하는 편이 좋고, 칩을 픽업할 때는 손상을 입히지 않도록 박리하기 쉬운 편이 좋다. 점착제는 이러한 이율 배반의 성질을 갖는 것이 바람직하고, 어떠한 작용에 의해서 점착력을 저하시키는 성질을 갖는 것이 사용된다. 어떠한 작용이라 함은 자외선 조사나 가열이다. 자외선 형태는 주성분이 에폭시 수지와 아크릴 수지이고, 라디칼 중합에 의한 경화 반응을 이용한 것이다. 또, 가열 형태는 실리콘 수지의 발포 현상을 이용한 것이다.
상기 다이싱 테이프의 사용 여부는 장치의 구성에 따라서 선택한다. 다이싱 테이프를 사용하는 장치에서는 웨이퍼 링에 장착한 상태로 반송한다. 따라서, 미리 웨이퍼를 다이싱 테이프에 부착하고, 다이서(다이싱 장치)에 웨이퍼를 공급한다.
다음에, 반절삭 다이싱이 끝난 웨이퍼의 소자 형성면에 테이프를 부착한다(단계 2). 이 테이프를 표면 보호 테이프라고 부른다. 웨이퍼 표면에 테이프를 부착하는 목적은 웨이퍼 이면을 깎아내어 얇게 하는 과정에서 소자에 손상을 입히지 않도록 하기 위함이다.
다음은 웨이퍼의 이면 연삭(랩핑) 공정(단계 3)이다. 이면 연삭은 지석이 달린 휠이라고 불리는 것을 4000 내지 6000 rpm의 고속으로 회전시키면서 웨이퍼의 이면을 소정의 두께로 연삭해 가는 공정이다. 상기 지석은 인공 다이아몬드를 페놀 수지로 굳혀서 성형한 것이다. 이 이면 연삭 공정은 2축으로 행하는 경우가 많다. 또, 미리 1축에서 320 내지 600번의 지석으로 거칠게 연삭한 후, 2축에서 1500 내지 2000번의 지석으로 경면으로 마무리하는 방법도 있다. 또한, 3축으로 연삭하는 방법이라도 상관없다.
이면 연삭후의 칩은 웨이퍼 링에 장착한 점착 테이프 상에 전사한다(단계 4). 이 점착 테이프는 픽업 테이프(또는 전사 테이프)라고 불린다. 상기 픽업 테이프의 재료로서는 염화 비닐계, 아크릴계가 자주 사용된다. 두께가 얇은 칩에 대응 가능한 픽업 테이프는 아크릴계이고 또한 자외선을 조사하여 점착력이 약해지는 것이 바람직하다. 픽업 테이프에는 전사하여 반송하는 것, 및 픽업하기 쉬운 것 등이 요구된다. 전사ㆍ반송성을 위해서는 칩이 움직이지 않도록 단단히 보유 지지하는 편이 바람직하지만, 픽업에서는 간단하게 박리되는 편이 바람직하다. 아크릴계 테이프 중, 자외선을 조사하면 점착력이 약해지는 것이 있다. 이러한 아크릴계 테이프에서는 자외선을 조사하기 전과 후에서 점착 특성이 선택적이며, 얇은 칩을 취급하는 픽업 테이프로서 적합하다. 픽업 테이프의 대표 상품을 제시하면, 히다찌 가세이제 HAL-1503, 동HAL-1603, 인테크사제 G-11, G15 등의 염화비닐계 테이프가 사용된다. 또, 인테크사제의 D-105 등의 아크릴ㆍUV계 테이프라도 상관없다.
그 후, 상기 표면 보호 테이프를 박리(단계 5)한 후, 픽업 테이프(점착 테이프)에 예를 들어 자외선을 조사하여 점착력을 저하시키고(단계 6), 픽업 장치에 있어서의 웨이퍼 링의 고정 지그(34)에 장착한다(단계 7).
이 선다이싱 방식에 따르면, 통상 다이싱과 같은 문제는 없고, 이면의 칩핑을 크게 저감시킬 수 있다. 특히, 얇은 칩에 대해서는 이 선다이싱 프로세스가 적합하며, 종래의 다이싱에 비해 웨이퍼 또는 칩의 굽힘 저항 강도를 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태의 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에서는 이 선다이싱 프로세스를 이용하여 개별화한 얇은 칩을 픽업한다.
우선, 제어 장치(24)의 제어에 기초하여, 카메라(35)로부터 얻은 화상 데이타로부터 칩 위치 인식 기구(23)에 의해 픽업의 대상이 되는 칩의 위치를 알아내고, 이 위치 데이타에 따라서 압박 기구(22)에 의해 백업 홀더(32)를 이동시키는 동시에, 로봇 아암(25)의 선단부에 설치된 콜릿(28)을 알아낸 위치로 이동시킨다.
그리고, 상기 제어 장치(24)의 제어에 의해, 도13에 도시한 바와 같은 시퀀스에 따라서 핀(39)을 상승시켜 픽업을 행한다. 종래의 픽업 장치에서는 핀이 필름 너머로 칩을 압박하고, 정지한 순간에 바로 하강을 시작하는 데 반해, 본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법에서는 핀은 정지 위치(높이 0)로부터 서서히 속도를 높여서 결국 정속이 되고, 최고점(상사점)에 가까워지면 느려지고 최고점에 도달하면 바로 정지한다. 체류 시간(△T)은 칩의 두께가 100 ㎛ 이하인 경우, 0.01 내지 10초가 바람직하다. 상사점 부근의 속도를 충분히 저하시키면, 반드시 핀을 완전하게 정지시키지 않아도 된다. 그 후, 정지 위치(높이 0)로 복귀하여 정지한다.
상기 압박 핀(39)이 상승하는 속도는 속도가 너무 빠르면 칩(38)이 크랙되어 버리므로, 두께가 100 ㎛ 이하인 칩에서는 픽업 장치의 종류에 따라서 다르지만, 정속 상태에서 0.1 mm/초 내지 5 mm/초가 적정하다. 칩에의 손상을 저감시키기 위해서, 가장 바람직하게는 0.1 mm/초 내지 1 mm/초이다. 그리고, 압박 핀(39)의 스트로크는 백업 홀더(32)의 상면을 기준으로 하여 0.1 내지 2 mm가 바람직하다.
또, 종래의 픽업 장치에서는 두꺼운 칩의 픽업을 전제로 하고 있었기 때문에 압박 핀을 체류시킬 필요가 없고, 정속 상태에서 100 ㎛/초 내지 1000 ㎛/초의 속도였다. 또한, 압박 스트로크는 백업 홀더의 상면을 기준으로 하여 1 내지 5 mm이다. 핀의 밀어올림 동작과 콜릿의 하강 동작은 동시 타이밍이며, 압박 핀이 최고점에 도달했을 때는 콜릿(28)은 칩에 접촉하여 흡착하고 있다.
본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법에서는 핀(39)이 최고점에 도달한 후 바로 하강시키지 않고 체류시키고 있다. 체류시킴으로써, 칩(38)의 박리를 촉진할 수 있다. 본 실시 형태의 픽업 장치에서는 체류 시간(△T)이 0 내지 10초까지의 사이에서 설정 가능하다. 그 후, 콜릿(28)은 상승을 개시하여 칩(38)을 소정의 장소로 가져 간다.
상기 도13의 시퀀스에 따른 핀(39)의 상승에서는 밀어올림 부하는 도14에 도시한 바와 같이 된다. 도14에 도시한 바와 같이, 종래의 방법에서는 칩(38)이 점착 테이프(37)로부터 박리되기 직전에 부하의 피크가 있었던 데 반해, 본 실시 형태의 장치 및 방법에서는 피크가 둘로 나누어지고, 또한 각각의 부하의 최고점의 레벨이 종래의 장치 및 방법보다도 낮아져 있다. 그 결과, 칩(38)의 변형량이 작아지고, 종래의 장치 또는 방법에 비해 칩(38)의 굽힘 저항 강도를 높일 수 있다.
도15의 (a)는 4점 굽힘 시험에 대하여 설명하기 위한 것이며, 칩(38)의 한 쪽 면측의 두 점을 지지 부재(P1, P2)로 지지한 상태에서, 다른 쪽 면측의 두 점에 부재(P3, P4)를 거쳐서 굽힘 지그(50)에 의해 화살표(F) 방향으로 하중을 가한 상태를 도시하고 있다. 이 때의 굽힘 저항 하중을 측정하여, 재료 역학의 이론에 의해 굽힘 저항 강도를 구하면, 굽힘 저항 강도(б)(MPa)는 다음식으로 나타내어진다.
б = 3aF / bh2
여기서, F는 칩(38)이 파손되었을 때의 하중(N), a는 역점(力点) 사이의 거리(m), b는 지지점 사이의 거리(m), h는 칩(38)의 두께(m)이다.
도15의 (b)는 상기 4점 굽힘 시험과 상기식으로부터 얻어진 와이불 분포(Weibull distribution)이다. 종래의 장치 또는 방법에 비해 본 실시 형태 쪽이 칩(38)의 굽힘 저항 강도가 높아짐을 알 수 있다.
픽업한 후의 공정은 트레이 막힘하는 경우와 다이 어태치하는 경우가 있다. 트레이 막힘하는 경우는 로봇 아암(25)을 이동시켜 직접 칩을 트레이에 수납한다.다이 어태치하는 경우는 역시 로봇 아암(25)을 이동시켜 리드 프레임이나 장착 기판의 소정 위치에 칩을 마운트한다.
상기와 같은 구성의 픽업 장치에 따르면, 픽업시에 제어 장치에 의해 핀의 상하 이동 동작을 제어하고, 핀을 체류시킴으로써 칩의 박리를 촉진할 수 있으며, 작은 부하로 칩을 점착 테이프로부터 무리없이 박리할 수 있다. 그 결과, 두께가 얇아진 칩을 픽업할 때도 크랙 등의 손상을 억제할 수 있으며, 칩의 품질을 향상시킬 수 있다.
또, 상기와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 따르면, 핀으로 칩을 압박한 상태에서 칩이 점착 테이프로부터 박리될 때까지 대기하므로, 칩의 박리를 촉진할 수 있고, 작은 부하로 칩을 점착 테이프로부터 무리없이 박리할 수 있다. 이에 따라, 두께가 얇아진 칩을 픽업할 때도 크랙 등의 손상을 억제할 수 있고, 칩의 품질과 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태의 취지는 칩을 점착 테이프로부터 픽업하기 쉽게 하는 데 있다. 즉, 본 제2 실시 형태에서는 점착 테이프를 국부 가열함으로써, 점착성을 저하시켜 픽업을 용이하게 한다. 가열할 때의 포인트는 순식간에 가열하는 것이다. 순식간에 가열함으로써, 생산성을 떨어뜨리지 않고 픽업이 가능해진다.
도16은 도8에 도시한 픽업 장치에 있어서의 압박 기구(22)의 다른 구성예에 대하여 설명하기 위한 것이며, 백업 홀더, 핀 홀더 및 핀의 단면 구성을 도시하고있다. 백업 홀더(40)에는 점착 테이프를 진공 압력으로 흡착 고정할 수 있도록 진공 배관이 설치되어 있다. 핀 홀더(41)는 백업 홀더(40) 내에 수용되어 상하 이동한다. 핀 홀더(41)의 상면에는 압박 핀(42)이 고정되고, 백업 홀더(40)의 상면에 형성된 관통 구멍(43)으로부터 핀(42)이 돌출하게 되어 있다. 또, 핀 홀더(41) 내에는 핀(42)의 위치와 나란하게 되도록 유리로 된 모세관(44)이 상하로 연장되어 있고, 고온의 불활성 가스의 주입구(45)가 이 핀 홀더(41)에 고정되어 있다. 주입구(45)로부터 공급된 고온의 불활성 가스, 예를 들어 온도가 200 내지 400 ℃인 질소(N2) 가스는 상기 모세관(44) 및 상기 백업 홀더(40)의 상면에 형성되어 있는 관통 구멍(46)을 거쳐서 점착 테이프의 이면측에 도입된다. 질소 가스를 점착 테이프에 배출하는 타이밍은 핀 홀더(41)가 상승하여 밀어올림을 개시하기 직전이나, 또는 상승과 동시가 바람직하다. 이 질소 가스의 공급으로부터 핀의 밀어올림 동작 개시까지의 지연 시간은 제어기(24)에 의해 제어된다. 또, 질소 가스를 공급하기 시작한 후, 공급을 정지할 때까지의 시간도 마찬가지로 제어기(24)에 의해 제어된다. 점착 테이프의 가열 온도를 검지하는 센서(60)를 설치하고, 상기 센서(60)에 의해서 가열이 검지되었을 때 상기 질소 가스의 공급을 정지하도록 제어기(24)로 제어해도 된다.
또, 도16에서는 모세관(44)이 핀 홀더(41)의 상면까지 밖에 형성되어 있지 않지만, 상면으로부터 돌출되어 있어도 상관없다.
도17의 (a)는 상기 핀 홀더(41)의 상면에 있어서의 압박 핀(42),모세관(44), 및 상기 진공 배관에 접속되어 있는 진공 구멍(47)의 패턴 배치예를 도시하고 있다. 도시한 바와 같이, 긴 구멍(48) 내에 압박 핀(42)과 모세관(44)이 교대로 배치되고, 이 긴 구멍(48)은 열십자 형태가 되도록 배치되어 있다. 그리고, 진공 구멍(47)이 상기 긴 구멍(48)의 사이에 등간격으로 배치되어 있다.
또, 도17의 (b)는 백업 홀더(40)의 상면에 있어서의 각 관통 구멍(43, 46)과 진공 구멍(47)의 패턴 배치예를 도시하고 있다. 이 도17의 (b)는 백업 홀더(40)가 점착 테이프와 접촉하는 면이다. 백업 홀더(40)의 상면에는 상기 핀 홀더(41)의 상면에 대응하여 긴 구멍(48)과 진공 구멍(47)이 배치되어 있다.
상기와 같은 구성에 따르면, 픽업 직전에 점착 테이프를 가열함으로써, 점착 테이프의 점착력을 저하시켜 칩을 픽업하기 쉽게 할 수 있다. 또, 고온의 불활성 가스를 사용함으로써 순식간에 가열할 수 있고, 또한 가스를 배출했을 때만 가열이 가능하며, 냉각도 빠르므로 생산성이 높다.
도18의 (a)는 상기 핀 홀더(41)의 상면에 있어서의 압박 핀(42), 모세관(44), 및 상기 진공 배관에 접속되어 있는 진공 구멍(47)의 다른 패턴 배치예를 도시하고 있다. 도시한 바와 같이, 긴 구멍(48)을 방사형으로 배치하고 있다.
또, 도18의 (b)는 백업 홀더(40)의 상면에 있어서의 각 관통 구멍(43, 46)과 진공 구멍(47)의 다른 패턴 배치예를 도시하고 있다. 백업 홀더(40)의 상면에는 상기 핀 홀더(41)의 상면에 대응하여 긴 구멍(48)과 진공 구멍(47)이 배치되어 있다.
이러한 구성에 따르면, 핀(42)의 수가 많아지므로 칩에 걸리는 응력을 분산시켜 보다 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 상기와 같은 픽업 장치에 따르면, 점착 테이프를 순식간에 가열함으로써, 점착 테이프의 점착력을 저하시켜 칩에 손상을 입히지 않고 점착 테이프로부터 박리할 수 있다. 그 결과, 두께가 얇아진 칩을 픽업할 때도 크랙 등의 손상을 억제할 수 있으며, 칩의 품질을 향상시킬 수 있다.
또, 상기와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 따르면, 점착 테이프를 순식간에 가열함으로써, 점착 테이프의 점착력을 저하시켜 칩에 손상을 입히지 않고 점착 테이프로부터 박리할 수 있다. 그 결과, 두께가 얇아진 칩을 픽업할 때도 크랙 등의 손상을 억제할 수 있으며, 칩의 품질과 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
또, 상기의 제2 실시 형태에서는 고온의 불활성 가스를 배출하여 점착 테이프의 점착력을 저하시키는 예에 대하여 설명했지만, 백업 홀더에 히터를 설치하고, 이 히터를 제어하여 점착 테이프를 가열해도 된다. 이 히터에는 시트 형상의 것을 사용해도 되고, 백업 홀더에 히터봉을 부착하여 국부적으로 가열해도 고온의 불활성 가스를 배출하는 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
그러나, 이러한 방식은 히터부의 냉각을 순식간에 행하지 못하므로, 고온의 불활성 가스를 사용하는 경우에 비해 다소 생산성이 저하될 가능성이 있다. 히터를 냉각하는 이유는 가열을 지나치게 계속하면 점착 테이프의 기초재의 수축이 일어나는 등, 테이프가 열화하는 동시에 칩에 손상을 입힐 위험성도 있기 때문이다.
다른 장점 및 변경은 당업자에게 자명할 것이다. 그러므로, 본 발명은 그의넓은 태양에 있어서 본원에 도시되고 설명된 특정 세부 및 예시적인 실시예로 제한되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그의 등가물에 의해 한정된 본 발명의 광범위한 개념의 취지 또는 범위를 벗어나지 않고서 다양한 변경이 이루어질 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 두께가 얇아진 칩을 픽업할 때도 크랙 등의 손상을 억제할 수 있고, 칩의 품질을 향상시킬 수 있는 픽업 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 얻을 수 있다.

Claims (22)

  1. 웨이퍼 링에 장착한 점착 테이프의 점착면측에 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 전사하여 부착하고, 이들 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 픽업 장치에 있어서,
    상기 점착 테이프에 있어서의 점착면의 이면측으로부터 점착 테이프 너머로 핀에 의해 각각의 칩을 밀어올리도록 압박하여 칩을 점착 테이프로부터 박리하도록 구성된 압박 기구와,
    상기 압박 기구에 의해 칩을 박리할 때, 콜릿으로 칩을 흡착하여 칩이 점착 테이프로부터 박리될 때까지 흡착 상태를 유지하고, 그 후 콜릿을 상승시켜 칩을 픽업하여 다음 공정으로 반송하도록 구성된 반송 기구와,
    상기 핀의 상승 시간과 하강 시간을 제어하고, 상승으로부터 하강으로 변화할 때 소정 시간 체류시키며, 상기 압박 기구의 핀에 의한 칩의 밀어올림 동작을 제어하도록 구성된 제1 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 링을 보유 지지하도록 구성된 웨이퍼 링 보유 지지 기구와,
    박리하는 칩의 위치를 광학적으로 인식하도록 구성된 칩 위치 인식 기구와,
    상기 압박 기구의 핀을 상기 칩 위치 인식 기구로 인식한 칩의 위치로 이동시키도록 구성된 이동 기구를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 점착 테이프는 한 쪽 면에 접착제가 도공된 유기 필름인 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩은 다이싱 라인 또는 칩 분할 라인을 따라서 웨이퍼의 소자 형성면으로부터 상기 웨이퍼의 이면까지 관통하지 않는 반절삭 홈을 형성하고, 상기 웨이퍼의 이면을 연삭하여 개별화한 것임을 특징으로 하는 픽업 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 압박 기구에 있어서의 핀은 칩을 점착 테이프로부터 박리할 때, 원점 위치로부터 서서히 속도를 높인 후 정상 속도가 되고, 다음에 서서히 느려져서 정지하며, 그 후 원점 위치로 복귀하는 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 칩의 두께는 100 ㎛ 이하이고, 상기 압박 기구의 핀이 점착 테이프 너머로 칩을 압박할 때의 속도는 정상 상태에서 0.1 mm/초 내지 1 mm/초인 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 압박 기구의 핀이 점착 테이프를 압박하는 스트로크는 0.1 mm 내지 2 mm인 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 제어기는 상기 압박 기구의 핀의 체류 시간을 0.01 내지 10초 사이에서 제어하는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 압박 기구의 핀은 5개 이상이고, 인접한 핀과 핀의 간극 중 가장 좁은 부분의 간극은 0.3 mm 이상 1 mm 이하인 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 압박 기구의 핀은 5개 이상이고, 그 중에서 4개 선택하여 이들 4개의 핀의 중심을 각각 연결하도록 6개의 결선을 넣었을 때, 외주가 사각형이고 또한 그 대각선의 교점을 중심으로 해서 대각선 상의 2세트의 핀이 모두 오차 100 ㎛를 예상하여 점대칭이 되는 4개의 세트가, 적어도 1세트 존재하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 압박 기구의 핀은 5개 이상이고, 가장 외측에 배치된 핀의 중심을 연결하여 모든 핀을 둘러싸는 도형을 칩 외주와 동일한 크기의 도형 내에 비어져 나오지 않도록 그린 경우, 외측 핀의 중심과 칩 외주의 거리가 1.5 mm 이상인 외주가 존재하는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 압박 기구의 핀은 선단부가 곡면을 갖고, 상기 곡면의반경은 0.5 mm 이상, 2 mm 이하인 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  13. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    웨이퍼를 다이싱하여 분리한 칩들을 점착 테이프의 점착면측에 부착하는 단계와,
    상기 칩들을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하기 위해 칩을 점착 테이프로부터 박리하는 단계를 반복하는 단계를 포함하고,
    칩을 점착 테이프로부터 박리하는 상기 단계는,
    상기 점착 테이프의 점착력을 저하시키기 위해 고온의 불활성 가스를 점착 테이프에 불어 넣는 단계와,
    상기 점착 테이프를 칩들과 핀들 사이에 놓고 점착 테이프의 후방측으로부터 핀들을 사용하여 상기 칩들을 밀어 내고, 상기 핀들이 점착 테이프를 관통하지 않은 채로, 점착 테이프로부터 칩을 박리하기 용이하도록 0.01 내지 10 초 동안의 상당한 시간 동안 상기 핀들을 피크 위치에 유지하는 단계와,
    점착 테이프로부터 칩이 박리되면 칩을 흡착하기 위해 점착 테이프의 점착측으로 콜릿을 하강시키는 단계와,
    상기 콜릿을 상승시켜 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 점착 테이프에 있어서의 점착면의 이면측으로부터 핀으로 점착 테이프 너머로 칩을 밀어올리도록 압박하기 전에,
    박리하는 칩의 위치를 광학적으로 인식하고,
    압박 기구의 핀을 인식한 칩의 위치로 이동시키고,
    상기 점착 테이프에 있어서의 점착면의 이면측을 흡착하여 보유 지지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 웨이퍼를 다이싱하여 칩으로 개별화할 때, 다이싱 라인 또는 칩 분할 라인을 따라서 웨이퍼의 소자 형성면으로부터 상기 웨이퍼의 이면까지 관통하지 않는 반절삭 홈을 형성하고, 상기 웨이퍼의 이면을 연삭하여 개별화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 핀은 칩을 박리할 때 원점 위치로부터 서서히 속도를 높인 후 정상 속도가 되고, 다음에 서서히 느려져서 정지하며, 그 후 원점 위치로 복귀하는 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    백업 홀더와, 상기 백업 홀더 내에서 상하 이동하고 점착 테이프에 부착된 칩을 상기 점착 테이프 너머로 핀으로 밀어올리도록 압박하기 위한 핀 홀더를 구비한 압박 기구와,
    상기 점착 테이프에 부착된 칩을 픽업할 때, 상기 점착 테이프를 가열하여 점착력을 저하시키도록 구성된 가열 기구와,
    상기 압박 기구에 의해 밀어올려진 칩을 흡착하여 반송하도록 구성된 흡착 반송 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 픽업 장치.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 점착 테이프의 점착면측에 웨이퍼를 다이싱하여 개별화한 칩을 부착하고, 이들 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    압박 핀이 칩을 밀어올리는 것과 동시 또는 직전에 고온의 불활성 가스를 점착 테이프에 배출하여 상기 점착 테이프의 점착력을 저하시키고, 칩을 점착 테이프로부터 순차적으로 박리하여 반송하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 제13항에 있어서, 상기 각각의 칩들의 두께는 100 ㎛ 이하이고, 점착 테이프가 개재된 상태로 상기 핀들이 칩들을 밀어 내는 속도는 0.1 ㎜/s 내지 1 ㎜/s의 일정한 속도로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제13항에 있어서, 점착 테이프가 개재된 상태로 상기 핀들이 칩들을 밀어 내는 스트로크는 0.1 내지 2 ㎜ 내로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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