CN1341958A - 芯片的拾取装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的芯片拾取装置,备有顶推机构、运送机构和控制器。上述顶推机构,从粘接带的粘接面背面侧,用销越过粘接带,顶推单个的芯片,将芯片从粘接带上剥离下来。上述运送机构,在上述顶推机构剥离芯片时,用吸头吸附芯片,一直保持吸附状态,然后使吸头上升,拾取芯片,运送到下一工序;上述控制器,控制顶推机构的销对芯片的顶推动作,控制该销的上升时间和下降时间,在从上升变化到下降时使其滞留预定的时间。

Description

芯片的拾取装置及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的组装技术，特别涉及装配技术中采用的芯片拾取装置及半导体装置的制造方法。具体地说，是涉及在IC卡或TAG、3D组件等用的薄芯片组装工序中，把切割晶片而得到的单个芯片，从粘接带上依次剥离下并运送的拾取装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
IC卡和便携式机器中使用的半导体装置，其装配面积和厚度受到限制。但是，其功能却要求无限制地增加。为了适应该要求，三维地安装芯片的技术是有效的，并且正盛行中。是被称为叠层模块的半导体组件，该组件的厚度与已往相同。例如，为了用于便携式机器的存储部，将快速存储器与SRAM二层重叠的产品已有市售。重叠3至4层的产品也在研究开发中，即将上市。
为了在这样薄的半导体组件中安装，对于已往200～650μm的芯片厚度，要求达到不足200μm。上述将快速存储器与SRAM2层重叠的产品、或者重叠3～4层的产品中，芯片的厚度很薄，达到50～150μm。另外，也要求50μm以下的薄型化的芯片。
但是，随着对芯片薄型化的要求，芯片减薄后，在拾取时会产生破裂的问题。芯片的弯曲强度与芯片的厚度平方成正比，芯片越薄则越容易产生裂缝或破裂。
已往的拾取装置中，厚度40～200μm的薄硅芯片，在拾取时常常产生破裂。这里所说的破裂，是指芯片裂缝、或者在芯片的周边部即角部或边缘产生缺口等。
下面，参照图1、2A、2B、3A至3C、4A至4D、5A至5C、6A至6C、7A至7H，说明上述拾取时产生的破裂。图1用于说明已往的拾取装置及半导体装置制造方法，概略地表示顶推机构中的支撑座、销座及销的断面构造。销座11在支撑座12内上下动，当销座11上升时，销13越过粘接带14把芯片15顶推到上方，把粘贴在粘接面14上的芯片15剥离下来。
通常，销13如图2A所示，以芯片15的中心位置为点对称、并且沿对角线配置。在支撑座12的上面，与上述销的配置对应地、如图2B所示，在销13的伸出位置设有贯通孔16。
图3A至图3C分别表示把厚度为200～750μm的通常芯片15顶起的状况。图4A至图4D分别表示随着顶起，芯片15渐渐离开粘接带14的状况。如图3A至图3C所示，当销13上升时，如图4A至图4C中斜线所示，芯片15渐渐地从粘接带14上剥离，图4D表示芯片完全剥离。这时，随着销13的上升，芯片15的周边部、尤其是角部先剥离(见图4B)，剥离的部分除了销13周围外渐渐扩大(见图4C)，当销13到达最高点时，完全剥离(见图4D)。
但是，如果芯片15的厚度减薄到40～100μm时，如图5A至图5C所示，与销13相接的部分先上升，不与销13相接的部分，上升迟缓。这是由于芯片15薄，芯片15产生弯曲而不能从粘接带14上剥离的缘故。结果，如图6A和图6B中斜线所示，从粘接带14的剥离迟缓，如图6C所示产生裂缝16。该裂缝16，是由于芯片15超过硅屈服极限地被弯曲，在表面产生了开裂。另外，在表面产生的裂缝16一直延伸到背面，使芯片15成为完全裂开的状态。芯片15的厚度越薄，该裂缝16的产生越多。
图7A至图7H分别表示芯片裂开的状况，是厚度为100μm以下特薄硅芯片开裂的状况。裂缝可大致分为“缺口”型、“开裂”型、和“贯通”型三大类。“缺口”型如图7A至图7C所示，在芯片15的角部或周边产生缺口。“开裂”型如图7D至图7G所示，产生线状的裂缝。“贯通”型如图7H所示，仅在与销13相接的部分，硅片隆起地裂开。
如上所述，已往的拾取装置及半导体的制造方法中，在拾取薄型化的芯片时，存在产生裂缝等的损坏，使芯片质量降低，制造成品率降低的问题。
发明内容
本发明提供的芯片拾取装置，在安装在晶片环上的粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，用该芯片拾取装置将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该拾取装置包括：顶推机构、运送机构和控制器；
上述顶推机构，从上述粘接带的粘接面背面，用销越过粘接带将各个芯片顶起，把芯片从粘接带上剥离开来；
上述运送机构，在上述顶推机构剥离芯片时，用吸头吸附芯片，在芯片从粘接带上剥离时，一直保持吸附状态，然后使吸头上升，拾取芯片，运送到下一工序；
上述控制器，控制上述顶推机构的销对芯片的顶推动作；该第1控制器控制销的上升时间和下降时间，从上升变化到下降时使其滞留预定时间。
另外，本发明提供的半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：
从上述粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接面将芯片顶起；
在上述销剥离芯片的动作时，从粘接带的粘接面侧，使吸头下降直到与芯片接触，吸附芯片；
在芯片从粘接带上被剥离下来后，使吸头上升，拾取芯片，运送到下工序。
另外本发明提供的芯片拾取装置，包括顶推机构、加热机构和吸附运送机构；
上述顶推机构，备有支撑座和销座，该销座在上述支撑座内上下动，使销越过粘接带顶推那样地按压粘贴在上述粘接带上的芯片；
上述加热机构，在拾取粘接在粘接带上的芯片时，加热该粘接带，使其粘接力降低；
上述吸附运送机构，吸附并运送被上述顶推机构顶推的芯片。
另外，本发明提供的半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：
在顶推销顶推芯片的同时或之前，向粘接带吹喷高温非活性气体，使粘接带的粘接力降低；
从粘接带上依次将芯片剥离下来后运送。
附图说明
图1用于说明已往的拾取装置及半导体装置的制造方法，是概略地表示顶推机构中的支撑座、销座及销的构造的断面图。
图2A和图2B是说明图1所示顶推机构中的销的配置和支撑座的贯通孔关系的顶视图。
图3A至图3C分别是依次表示将厚度为200～750μm的芯片顶起的断面图。
图4A至图4D分别是表示借助上述图3A至图3C所示的顶推动作，芯片渐渐离开粘接带的状况的平面图。
图5A至图5C分别是依次表示将厚度为40～100μm的芯片顶起的断面图。
图6A至图6C分别是表示借助上述图5A至图5C所示的顶推动作，芯片产生裂缝状况的平面图。
图7A至图7H，分别是表示在芯片上产生裂缝时的各种状态的平面图。
图8用于说明本发明第1实施例之拾取装置，是表示其外观的立体图。
图9是表示图8所示拾取装置的顶推机构中的支撑座、销座和销构造的断面图。
图10A至图10Q分别表示销的配置例，是表示星型配置的平面图。
图11A至图11R分别表示销的配置例，是表示直线配置的平面图。
图12是表示先切割加工的流程图。
图13是表示使销13上升、将芯片从粘接带上剥离时的程序。
图14是已往的拾取装置和本实施例的拾取装置中的、销的顶推负荷比较曲线图。
图15A是说明四点弯曲试验的断面图。
图15B表示芯片抗折强度的维泊尔分布(weibulldistribution)，是表示已往的拾取装置与本实施例拾取装置的比较图。
图16用于说明本发明第2实施例之拾取装置和半导体装置的制造方法，表示图8所示拾取装置中的顶推机构的另一例构造，是表示支撑座、销座和销构造的断面图。
图17A是表示销座上的销、毛细管及真空孔的配置平面图。
图17B是表示支撑座与粘接带的接触面上的贯通孔的配置平面图。
图18A是表示销座上的销、毛细管及真空孔的另一配置平面图。
图18B是表示支撑座与粘接带的接触面上的贯通孔的另一配置平面图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施例。图8说明本发明第1实施例之拾取装置，是表示其外观的立体图。该拾取装置，由拾取机构21、顶推机构22、芯片位置识别机构23和控制装置(控制器)24等构成。
上述拾取机构21，备有机械手25、以该机械手25的一端为支点朝图示箭头A方向往复动作的驱动部26、和使机械手25上下动(箭头B方向)的驱动部27。在该机械手25的前端部，设有吸头28。吸头28与芯片直接接触，用真空力吸附芯片。这样，机械手25在拾取芯片的位置上下动，并且吸附芯片进行运送动作。
作为拾取对象的芯片，粘贴在粘接带上，仅靠真空力拾取是困难的。虽然可以采取加强真空力、或者用机械挟取芯片的方法，但这些方法会使芯片上产生缺陷或裂缝，降低质量。因此，用顶推机构22从粘接带上剥离芯片。上述顶推机构22侧备有驱动部29和驱动部30。驱动部29使支撑座32在晶片环面内自由动，驱动部30使顶推销上下动。上述驱动部29借助马达31等，使支撑座32在图示箭头方向C和直交于该方向C的箭头方向D移动。在上述支撑座32上设有贯通孔32A，由设在驱动部30上的马达33，使顶推销上下动(箭头E方向)，这样，销从上述贯通孔32A突出，将芯片顶起，从粘接带上剥离。
上述粘接带粘贴在称为晶片环的环状工具上。该拾取装置上设有夹具34，该夹具34上高精度地载置固定着晶片环。晶片环的固定夹具34不仅固定粘接带，而且，把粘接带推上时使粘接带张紧。拾取芯片时，通常顶起1～5mm。
上述芯片位置识别机构23，根据从照相机35得到的图像数据，用±10μm以下的精度，推断出晶片环内的芯片位置。支撑座32和机械手25，按照从芯片位置识别机构23得到的芯片位置数据，以±20μm以下的精度准确地移动。
上述拾取机构21的驱动部26、27的动作、吸头28的吸附动作、顶推机构22侧的驱动部29、30的动作、以及芯片位置识别机构23对芯片位置的推断等，均由控制装置24控制。
拾取薄型化的芯片时，上述顶推机构22是非常重要的。下面，参照图9、10A至10Q、图11A至图11R，详细说明上述拾取装置的顶推机构22。图9表示顶推机构22中的支撑座、销座和销的断面构造。图10A至图10Q、图11A至图11R，分别表示销的配置例。图10A至图10Q是星形配置，图11A至图11R是直线配置。
图9中，表示按照从上述芯片位置识别机构23得到的芯位置识别数据，将支撑座32移动到作为拾取对象的芯片下部，再使销座36上升，用销越过粘接带37，顶推芯片38的状态。销座36在支撑座32内上下动，销39的前端，与支撑座32的上面是同一高度。将该高度设为0。从该位置销39开始上升，越过粘接带37将芯片38顶推到上方。
如图10A至图10Q和图11A至图11R所示，销39有5个以上，相邻销与销的间隙之中，最狭窄部分的间隙是0.3mm以上、1mm以下。另外，这些销这样配置：从5个以上的销中选择4个，分别将该4个销的中心连线，有6根连线时，其外周是四边形，并且，位于对角线上的2组销估计以100μm误差以其对角线的交点为中心的呈点对称的4根形成的组至少存在1组。或者这样配置：将配置在最外侧的销的中心连接，使包围全部销的图形，不伸出于与芯片外周相同大小的图形时，外侧的销的中心与芯片外周的距离，存在1.5mm以上的外周。这些销39，其前端部有弯曲面，该弯曲面的半径是0.5mm以上、2mm以下。
如上所述，由于采用5个以上的销，所以，在拾取时能分散作用在芯片38上的应力，抑制裂缝。另外，由于销39与销39间的距离和销39的配置适当，所以，更提高裂缝抑制效果。另外，由于销39的前端部是曲面，该曲面的半径是0.5mm以上、2mm以下，所以，可抑制“贯通”型裂缝。
下面，说明采用上述拾取装置的半导体装置的制造方法。将晶片切割，形成单个的芯片，在把该芯片安装在晶片环上的状态，固定在图8所示拾取装置的晶片环的固定夹具34上。
先说明将芯片供给拾取装置前的切割工序。
用公知的各种工序，在晶片中形成回路后，将晶片切割成为单片化。单片化的顺序是，研削晶片的背面，将其减薄后切割。这时，在背面容易产生缺陷。背面缺陷是在晶片背面产生的细片状缺口。在柔软的粘接带上切断坚硬的硅晶片时，在硅晶片断开前，由于粘接带变形，使切断方向偏移或破缺，在硅晶片与粘接带的界面产生裂缝。背面缺陷在芯片裂开的起点产生。当然，这也与芯片自身的强度有关，所以，背面缺陷少者质量高。芯片越薄，背面缺陷越严重。
下面说明的先切割(也称为DBG，Dicing Before Grinding的缩写)加工，是可以极力减少上述背面缺陷的方式。图12是先切割·加工的流程图。先切割·加工中，沿着用于将晶片单片化的切割线或芯片分割线，形成半切槽(STEP1)。这时的切入，不贯通到晶片背面。该方法也称为半切·切割。因为通常的切割是一直贯通到晶片背面地切入。切入的深度，比芯片的最终加工厚度深约10μm至30μm。至于具体深多少，取决于切割刀和研磨机的精度。
图12的流程图中，以运送晶片的装置为前提，所以，表示不使用切割带的方式。当然，也可以使用切割带。即，单片化时，为了使芯片不飞散，在研磨时预先将晶片粘贴固定在带上。切割带基材的材质，采用氯乙烯、聚烯烃等的塑料。使基材具有粘接性的方法有两种，一种方法是将表面弄粗糙，使其本身具有粘接性。另一种方法是在基材上涂敷粘接剂。后者方法，可选择地改变粘接力。在切割时，希望能牢固地保持住芯片；在拾取芯片时，希望不损坏芯片地容易剥下。粘接剂具有上述二种相互矛盾的性质，所以采用涂敷粘接剂的方法比较好。该粘接剂，要采用在某种作用下粘接力降低的粘接剂。上述的某种作用，是指紫外线照射或加热等。紫外线照射时，采用主成分为环氧树脂和丙烯基树脂的粘接剂，利用原子团聚合的硬化反应。加热时，利用硅树脂的发泡现象。
是否使用上述切割带，根据装置的构造进行选择。在使用切割带的装置中，以安装在晶片环上的状态运送。因此，预先将晶片粘贴在切割带上，将晶片供给到切割刀(切割装置)。
接着，把带粘贴在半切割后的晶片的元件形成面上(STEP2)。把该带称为表面保护带。把带粘贴在晶片表面的目的，是为了削取晶片背面，在减薄的过程中，不损伤元件。
接着，是晶片的背面研削(抛光)工序(STEP3)。背面研削，是使带磨石的砂轮以4000～6000rpm的高速旋转，对晶片的背面进行研削，一直到预定的厚度。上述磨石是用酚醛树脂将人造金刚石固接而成的。该背面研削工序，多采用2轴研削方法。另外，也可以采用这样的方法，即，预先用1轴，用320～600号的磨石进行粗磨后，再用2轴，用1500～2000号的磨石，加工成光面。另外，也可采用3轴研削方法。
背面研削后的芯片，被转送到安装在晶片环上的粘接带上(STEP4)。该粘接带称为拾取带(或转移带)。上述拾取带的材料，是采用氯乙烯、丙烯基系。与薄芯片对应的拾取带，最好是丙烯基系、且照射紫外线时粘接力变弱的带。拾取带应具有转送容易、拾取容易的性质。为了转送，最好能牢固地将芯片保持住，使该芯片不动。同时，拾取带也应具有能简单地剥离芯片的性质。丙烯基系的带之中，有些带在照射紫外线时粘接力变弱。该丙烯基系带，在照射紫外线前后，粘接性不同，所以适合于作为薄芯片的拾取带。拾取带可采用日立化成制HAL-1503、HAL-1603、林特库(リンテック)公司制的G-11、G15等的氯乙烯系带。另外，也可以采用公司制的D-105等的丙烯基UV系带。
然后，剥离了上述表面保护带(STEP5)后，例如将紫外线照射到拾取带(粘接带)上，使其粘接力降低(STEP6)，安装到拾取装置中的晶片环的固定夹具34上(STEP7)。
根据该先切割方式，没有通常切割那样的问题，可大大减少背面的缺陷。尤其对于薄芯片该先切割·加工更为适合。与已往的切割相比，可提高晶片或芯片的抗折强度。
本实施例的拾取装置及半导体装置的制造方法中，采用该先切割·加工，对单片化的薄芯片进行拾取。
首先，按照控制装置24的控制，根据从照相机35得到的图像数据，由芯片位置识别装置23推断出作为拾取对象的芯片的位置，按照该位置数据，用顶推机构22使支撑座32移动，并且，使其移动到设在机械手25前端部的吸头28的位置。
然后，借助上述控制装置24的控制，按照图13所示的程序，使销39上升，进行拾取。已往的拾取装置中，销越过薄膜后顶推芯片，在停止的瞬间立刻开始下降。而本实施例的半导体装置的制造方法中，销从停止位置(高度0)渐渐提高速度，不久成为定速，接近最高点(上死点)时速度减缓，到达最高点时立即停止。滞留时间ΔT，当芯片厚度为100μm以下时，最好为0.01～10秒。如果使上死点附近的速度充分降低，则也不一定要使销完全停止。然后，返回停止位置(高度0)停止。
上述顶推销39上升的速度，如果速度过快，则芯片38开裂，所以，对于厚度为100μm以下的芯片，在定速状态，合适的速度是0.1mm/秒～5mm/秒(当然该速度也因拾取装置的种类而异)。为了减少对芯片的损伤，最好是0.1mm/秒～1mm/秒。另外，顶推销39的行程，以支撑座32的上面为基准，最好是0.1～2mm。
已往的拾取装置中，是拾取厚芯片，所以，不必使顶推销滞留，在定速状态，其速度是100μm/秒～1000μm/秒。另外，顶推销的行程，以支撑座的上面为基准，是1～5mm。该销的顶推动作和吸头的下降动作是同时的，顶推销到达最高点时，吸头28接触、吸附芯片。
而本实施例的半导体装置的制造方法中，在销39到达最高点后，不立即使其下降，而使其滞留。通过滞留，可促使芯片38的剥离。本实施例的拾取装置中，滞留时间△T可设定为0～10秒之间。此后，吸头28开始上升，将芯片38带到预定的场所。
按照图13所示程序的销39的上升中，顶推负荷如图14所示。如图14所示，已往的方法中，在芯片38即将从粘接带37剥离时，负荷是峰值。而本实施例的装置和方法中，峰值被分成为2个，并且，各负荷最高点的值比已往的装置及方法低。结果，芯片38的变形量小，与已往的装置或方法相比，可提高芯片38的抗折强度。
图15A用于说明四点弯曲试验。用支承部件P1、P2支承着芯片38一方面侧的2点，在该状态下，通过部件P3、P4，用弯曲工具50朝箭头F方向对芯片另一方面侧的2点施加荷重。测定这时的抗折荷重，用材料力学理论求出抗折强度。抗折强度σ(MPa)用下式表示。
σ＝3aF/bh2
式中，F是芯片38破损时的荷重(N)，a是力点间距离(m)，b是支点间距离(m)，h是芯片38的厚度(m)。
图15B是从上述四点弯曲试验和上式得到的维泊尔分布。与已往的装置或方法相比，本实施例的芯片38的抗折强度提高。
拾取后的工序，有装入托盘情形和安装情形。装入托盘情形时，使机械手25移动，直接将芯片收容在托盘内。安装情形时，也是使机械手25移动，将芯片安装在导线架或安装基板的预定位置。
根据上述构造的拾取装置，在拾取时，用控制装置控制销的上下动作，通过使销滞留，可促进芯片的剥离，用小的负荷即可把芯片从粘接带上剥离下来。结果，在拾取薄型化芯片时，也可抑制开裂等的损伤，提高芯片质量。
根据上述半导体装置的制造方法，在用销顶推着芯片的状态，等待芯片从粘接带上剥离下来，所以，可促进芯片的剥离，可用小负荷将芯片从粘接带上剥离下来。这样，在拾取薄型化的芯片时，也能抑制开裂等的损伤，提高芯片质量和成品率。
下面，说明本发明第2实施例的拾取装置及半导体装置的制造方法。第2实施例的主旨是容易地将芯片从粘接带上剥离下来。即，该第2实施例中，通过对粘接带局部加热，使其粘接性降低，容易拾取。加热时的要点，是瞬时加热。通过瞬时加热，可不降低生产性地拾取。
图16说明上述图8所示拾取装置中的顶推机构22的另一例，表示支撑座、销座和销的断面构造。在支撑座40上形成真空配管，该真空配管用真空压吸附固定粘接带。销座41收容在支撑座40中并可上下动。在销座41的上面固定着顶推销42，销42从设在支撑座40上面的贯通孔43伸出。在销座41中，与销42的位置并排地、上下延伸着玻璃毛细管44，高温非活性气体的注入口45固定在该销座41上。从注入口45供给的高温非活性气体，例如是温度为200～400℃的氮(N2)气，该氮气通过上述毛细管44和设在上述支撑座40上面的贯通孔46，被导向粘接带的背面侧。将氮气吹喷到粘接带上的时间，最好在销座41上升、开始顶推之前，或者与上升同时。从供给氮气到销上顶动作开始的延迟时间由控制器24控制。从开始供给氮气到停止供给的时间也同样由控制器24控制。设置探测粘接带的加热温度的传感器60，在传感器60探测到加热时，也可以由控制器24停止上述氮气的供给。
图16中，毛细管44仅一直形成到销座41的上面，但也可以突出于上面。
图17A表示销座41上面的顶推销42、毛细管44以及与上述真空配管连接着的真空孔47的布置例。如该图所示，在长孔48内，交替地配置着顶推销42和毛细管44，该长孔48配置成十字形。真空孔47以等间隔配置在上述长孔48之间。
图17B表示支撑座40上面的各贯通孔43、46和真空孔47的布置例。该图17B是支撑座40与粘接带接触的面。在支撑座40的上面，与上述销座41的上面对应地、配置着长孔48和真空孔47。
根据上述构造，在拾取前，通过对粘接带加热，使粘接带的粘接力降低，可容易地拾取芯片。另外，通过使用高温的非活性气体，可瞬间加热，并且，可只在吹喷气体时加热，冷却也快，生产性提高。
图18A表示与上述销座41上面的顶推销42、毛细管44、以及与上述真空配管连接着的真空孔47的另一布置例。如图所示，长孔48呈放射状配置。
图18B表示支撑座40上面的各贯通孔43、46和真空孔47的另一布置例。在支撑座40的上面，与上述销座41的上面对应地、配置着长孔48和真空孔47。
根据该构造，由于销42的数量多，所以，使作用在芯片上的应力分散，可更加抑制裂缝的发生。
因此，根据上述拾取装置，通过对粘接带瞬时加热，使粘接带的粘接力降低，可不损伤芯片地将芯片从粘接带上剥离下来。结果，在拾取薄型化的芯片时也能抑制开裂等的损伤，提高芯片质量。
另外，根据上述半导体装置的制造方法，通过对粘接带瞬时加热，使粘接带的粘接力降低，可不损伤芯片地将芯片从粘接带上剥离下来。结果，在拾取薄型化的芯片时也能抑制开裂等的损伤，提高芯片质量和制造成品率。
另外，上述第2实施例中，说明了吹喷高温非活性气体、使粘接带的粘接力降低的例子。但是，也可以在支撑座上设置加热器，控制该加热器将粘接带加热。该加热器，可采用片状物，也可以在支撑座上安装加热棒，进行局部加热，这样也能得到与喷吹高温非活性气体同样的效果。
但是，该方式中，由于加热器部不能瞬时冷却，与采用高温非活性气体时相比，生产性有些降低。冷却加热器的理由是，如果持续加热，粘接带的基材收缩，使粘接带恶化，并且也有损伤芯片的危险。
本发的进一步变更和修改对本领域技术人员来说是容易的。因此，本发明并不限于上述实施方式。因此，在不偏离本发明的权利要求和其等同内容的宗旨下，本发明可作各种变更。

Claims (20)

1.芯片拾取装置，在安装在晶片环上的粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，用该芯片拾取装置将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该拾取装置包括：顶推机构、运送机构和第1控制器；
上述顶推机构，从上述粘接带的粘接面背面，用销越过粘接带将各个芯片顶起，把芯片从粘接带上剥离开来；
上述运送机构，在上述顶推机构剥离芯片时，用吸头吸附芯片，在芯片从粘接带上剥离时，一直保持吸附状态，然后使吸头上升，拾取芯片，运送到下一工序；
上述第1控制器，控制上述顶推机构的销对芯片的顶推动作；该第1控制器控制销的上升时间和下降时间，从上升变化到下降时使其滞留预定时间。
2.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，还备有晶片环保持机构、芯片位置识别机构、和移动机构；
上述晶片环保持机构，用于保持上述晶片环；
上述芯片位置识别机构，光学地识别被剥离芯片的位置；
上述移动机构，使上述顶推机构的销移动到由芯片位置识别机构所识别的芯片位置。
3.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述粘接带，是一面涂敷着粘接剂的有机薄膜。
4.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，将上述晶片切割而成的单片化芯片，是沿着切割线或芯片分割线，在晶片元件形成面上形成不贯通到晶片背面的半切槽，研削上述晶片的背面而形成的单片化芯片。
5.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述顶推机构的销，从粘接带上剥离芯片时，从原点位置渐渐提高速度后，成为定常速度，再渐渐地减缓并停止，然后，进行返回原点位置的动作。
6.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述芯片的厚度为100μm以下，上述顶推机构的销，越过粘接带顶推芯片时的速度，在定常状态是0.1mm/秒～1mm/秒。
7.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述顶推机构的销，推压粘接带的行程是0.1mm～2mm。
8.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述第1控制器，使上述顶推机构的销滞留的时间是0.01～10秒之间。
9.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述顶推机构的销有5个以上，相邻销与销之间的间隙之中，最狭窄部分的间隙是0.3mm以上、1mm以下。
10.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述顶推机构的销有5个以上，这些销这样配置：从其中选择4个，将该4个销的中心分别连线形成6根连线时，外周是四边形，并且，对角线上的2组销估计以100μm误差地以其对角形的交点为中心呈点对称的这样的4根的组，至少存在1组。
11.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述顶推机构的销有5个以上，这些销这样配置：连接配置在最外侧销的中心的、包围全部销的图形，不伸出于与芯片外周相同大小的图形时，外侧的销的中心与芯片外周的距离，存在着1.5mm以上的外周。
12.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述顶推机构的销，前端部有曲面，该曲面的半径是0.5mm以上、2mm以下。
13.半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：
从上述粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接面将芯片顶起；
在上述销剥离芯片的动作时，从粘接带的粘接面侧，使吸头下降直到与芯片接触，吸附芯片；
在芯片从粘接带上被剥离下来后，使吸头上升，拾取芯片，运送到下工序。
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在从上述粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接带将芯片顶起之前，光学地识别被剥离芯片的位置；使顶推机构的销移动到所识别的芯片位置；吸附保持粘接带的粘接面背面侧。
15.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在将上述晶片切割成单片化芯片时，沿着切割线或芯片分割线，在晶片元件的形成面上形成不贯通到晶片背面的半切槽，研削上述晶片的背面而成为单片化芯片。
16.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述销在剥离芯片时，从原点位置渐渐地提高速度后，成为定常速度，再渐渐地减缓速度后停止，然后进行返回原点的动作。
17.芯片拾取装置，包括顶推机构、加热机构和吸附运送机构；
上述顶推机构，备有支撑座和销座，该销座在上述支撑座内上下动，使销越过粘接带顶推那样地按压粘贴在上述粘接带上的芯片；
上述加热机构，在拾取粘接在粘接带上的芯片时，加热该粘接带，使其粘接力降低；
上述吸附运送机构，吸附并运送被上述顶推机构顶推的芯片。
18.如权利要求17所述的芯片拾取装置，其特征在于，上述销座备有流过高温非活性气体的毛细管；上述支撑座设有分别设在与销座的销位置相对的位置、和与销座的毛细管位置相对位置的贯通孔。
19.如权利要求18所述的芯片拾取装置，其特征在于，还备有控制器，用于控制从非活性气体的供给到销顶推动作开始的延迟时间，上述高温非活性气体在销的顶推动作开始前或同时被供给。
20.半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：
在顶推销顶推芯片的同时或之前，向粘接带吹喷高温非活性气体，使粘接带的粘接力降低；
从粘接带上依次将芯片剥离下来后运送。
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