JP2004079597A - 半導体チップの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フィルム状接着剤の切断面に生じたバリを低減することの可能な半導体チップの加工方法を提供すること。
【解決手段】表面に半導体素子が形成され，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が接着された半導体ウェハをダイシングして形成された半導体チップの加工方法であって，半導体チップをダイボンディングする前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することを特徴とする，半導体チップの加工方法が提供される。かかる構成により，フィルム状接着剤を加熱処理することにより，フィルム状接着剤の切断面に生じたバリを収縮させて低減することができる。このようなバリの低減をダイボンディング工程前に予め行っておくことにより，ワイヤボンディング工程における当該バリの悪影響を排除して，好適にワイヤボンディングすることができる。
【選択図】 図１
【解決手段】表面に半導体素子が形成され，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が接着された半導体ウェハをダイシングして形成された半導体チップの加工方法であって，半導体チップをダイボンディングする前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することを特徴とする，半導体チップの加工方法が提供される。かかる構成により，フィルム状接着剤を加熱処理することにより，フィルム状接着剤の切断面に生じたバリを収縮させて低減することができる。このようなバリの低減をダイボンディング工程前に予め行っておくことにより，ワイヤボンディング工程における当該バリの悪影響を排除して，好適にワイヤボンディングすることができる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体チップの加工方法にかかり，特に，フィルム状接着剤付き半導体チップの加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来，半導体チップのダイボンディング工程では，ダイボンディング材料として樹脂ペーストなどを用いて，半導体チップをリードフレームなどの基台に接着していた。しかし，かかる手法では，半導体チップが傾いて接着されたり，半導体チップの端から樹脂ペーストがはみ出したりして，高精度にダイボンディングすることができない上に，接着層の厚さ制御も困難であるという問題があった。
【０００３】
このため，近年では，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が予め貼り付けられている半導体チップを用いる手法が普及しつつある。このフィルム状接着剤は，略均一な厚さを有し，厚さ制御も容易であるので，半導体チップを高精度でダイボンディングすることができる。
【０００４】
かかるフィルム状接着剤付きの半導体チップは，半導体チップのサイズに応じて切断されたフィルム状接着剤を半導体チップの裏面に貼り合わせることで製造することもできるが，かかる製造方法では，小さい半導体チップに対応しきれず，生産性も低いという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する手法として，特開平１１−２１９９６２号公報には，半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を熱圧着して貼り付け，かかるフィルム状接着剤付き半導体ウェハをダイシングして，フィルム状接着剤付きの半導体チップを製造する手法が提案されている。このような手法によれば，フィルム状接着剤の貼り付けが容易になるとともに，フィルム状接着剤と半導体ウェハとを同時に切断して分割することができるので，あらゆるチップサイズにも対応することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来のフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法では，例えばダイシングブレードなどの切断手段により，上記フィルム状接着剤を切断すると，その切断面は平滑面とはならずに，ヒゲ状のバリが多数発生してしまうという問題があった。この結果，図８に示すように，フィルム状接着剤１０’付の半導体チップ１４’をワイヤボンディングするときに，上記バリ４０’がワイヤボンディングのパッド７２’に接触してしまい，好適にワイヤボンディングすることができなかった。特に，半導体装置の小型化や高集積化が求められている現在では，１つのパッケージ内に複数の半導体チップ１４’を積層して相互にワイヤボンディングするスタックドＣＳＰ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）が多用されているが，上記バリ４０’があると，このスタックドＣＳＰのワイヤボンディング工程に大きな支障を来すこととなっていた。
【０００７】
従って，上記のようにして製造されたフィルム状接着剤付き半導体チップに関し，フィルム状接着剤の切断面に生じたバリを低減することの可能な半導体チップの加工方法が希求されていた。
【０００８】
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，半導体チップのフィルム状接着剤に生じたバリを低減することが可能な，新規かつ改良された半導体チップの加工方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，表面に半導体素子が形成され，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が接着された半導体ウェハをダイシングして形成された半導体チップの加工方法であって，半導体チップをダイボンディングする前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することを特徴とする，半導体チップの加工方法が提供される。
【００１０】
かかる構成により，半導体チップの裏面に接着しているフィルム状接着剤の切断面には例えばヒゲ状のバリが発生するが，このフィルム状接着剤を加熱処理することにより，当該バリを収縮させて低減することができる。このようなバリの低減をダイボンディング工程前に予め行っておくことにより，ワイヤボンディング工程における当該バリの悪影響を排除して，好適にワイヤボンディングすることができる。
【００１１】
また，上記加熱処理として，半導体チップのフィルム状接着剤に熱風を吹きつける，如く構成すれば，熱風を吹きつけることによりフィルム状接着剤を所定の温度に加熱することができるので，上記バリを熱収縮させて低減できる。
【００１２】
また，上記加熱処理として，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱手段に接触させる，如く構成すれば，加熱手段の発した熱をフィルム状接着剤に伝導させて，フィルム状接着剤を加熱できるので，上記バリを熱収縮させて低減できる。
【００１３】
さらに，上記加熱処理の加熱温度は略１４０〜１６０℃であるようにしてもよい。これにより，上記バリを好適に収縮させることができる程度の温度にフィルム状接着剤を加熱できるとともに，高温に加熱しすぎて半導体チップを破壊してしまうこともない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法について説明する。本実施形態にかかる半導体チップの加工方法は，特に，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が貼り付けられた半導体ウェハをダイシング加工して形成されたフィルム状接着剤付き半導体チップを，ダイボンディング加工する前に加熱処理することに特徴を有する。そこで，以下では，フィルム状接着剤の貼り付け工程からワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスについて説明しながら，本実施形態にかかる特徴である当該半導体チップの加熱処理について詳細に説明することとする。
【００１６】
まず，図１〜図４に基づいて，本実施形態にかかるフィルム状接着剤の貼り付け工程かからワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスの流れについて説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるフィルム状接着剤の貼り付け工程かからワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスを示すフローチャートである。また，図２および図３は，当該プロセスの各工程における半導体ウェハ１２または半導体チップ１４の状態を示す説明図である。また，図４は，フィルム状接着剤１０の周囲に発生したバリ４０を裏面側と側面側から示す写真図である。
【００１７】
図１に示すように，まず，ステップＳ１０では，図２（ａ）に示すように，半導体ウェハ１２の裏面にフィルム状接着剤１０が貼り付けられる（ステップＳ１０）。
【００１８】
半導体ウェハ１２は，例えば，略円盤形状を有するシリコンウェハなどであり，その大きさは，外径が例えば８インチであり，厚さが例えば約０．１５ｍｍである。なお，以下では，半導体ウェハ１２の表面とは，半導体素子（回路）が形成された側の面をいい，半導体ウェハ１２の裏面とは，上記表面とは反対側の面をいうものとする。また，かかる半導体ウェハ１２を切断して形成された半導体チップについても，表面および裏面の定義は同様とする。
【００１９】
フィルム状接着剤１０は，後述する半導体チップ１４をダイボンディングするためのフィルム状（シート状）の接着剤であり，例えばＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ：ダイアタッチフィルム）とも呼ばれる。このフィルム状接着剤１０は，例えば，主に，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などからなり，例えば導電性を有していない。また，かかるフィルム状接着剤１０は，その厚さが例えば４０μｍ程度，幅が例えば２〜２４０ｍｍとなるように成形されており，例えば，カバーフィルムやキャリアフィルムなどが貼り付けられていない。
【００２０】
このようなフィルム状接着剤１０は，例えば，ラミネート加工により半導体ウェハ１２の裏面に貼り付けられる。より詳細には，フィルム状接着剤１０は，ホットプレート２０によって例えば９０〜１８０℃に加熱された半導体ウェハ１２の裏面に対して，圧着ロール２４により例えば２秒間にわたり熱圧着されて，当該半導体ウェハ１２の裏面に好適に貼り付けられる。なお，このようなラミネート温度および時間はかかる例に限定されず，フィルム状接着剤１０の材質や厚さ，半導体ウェハ１２の種類などに応じて，自由に変更可能である。
【００２１】
次いで，ステップＳ１２では，図２（ｂ）に示すように，ダイシングブレード３０などの切断手段により半導体ウェハ１２がダイシングされる（ステップＳ１２）。本ステップでは，まず，例えば，半導体ウェハ１２の裏面に貼り付けられたフィルム状接着剤１０の上に，さらに，ダイシングテープ３２を貼り付けた後，半導体ウェハ１２をチャックテーブル３４に固定する。次いで，例えば，略リング形状のダイシングブレード３０を高速回転させながら半導体ウェハ１２に切り込ませて，半導体ウェハ１２のストリートに沿って極薄のカーフを形成する。これにより，半導体ウェハ１２およびフィルム状接着剤１０を例えば格子状に切断（即ち，ダイシング）して，複数の半導体チップ１４に分割することができる。
【００２２】
かかるダイシング加工では，例えば，半導体ウェハ１２を一度にフルカットしてしまうワンパスカットと，切り込み深さを変えずにダイシングブレード３０を同一のカーフに複数回繰り返し通して切断する多度切り（２度切り，３度切りなど）のいずれを採用してもよい。しかし，例えば，多度切りで切断した場合の方が，ワンパスカットの場合よりも，後述するフィルム状接着剤１０のバリ４０の大きさを小さくできるので，多度切りの方がより好ましいといえる。
【００２３】
このように，半導体ウェハ１２をフィルム状接着剤１０ごと切断することにより，フィルム状接着剤１０付きの半導体チップ１４を複数形成できる。かかる手法によれば，フィルム状接着剤１０を半導体チップ１４のサイズに合わせて切り出した上で貼り合わせるといった繁雑な作業がないので，貼り付け精度および生産性の面から非常に有用である。
【００２４】
さらに，ステップＳ１４では，図２（ｃ）に示すように，フィルム状接着剤１０付きの半導体チップ１４が加熱処理される（ステップＳ１４）。
【００２５】
上記ステップＳ１２において例えばダンシングブレード３０などでフィルム状接着剤１０を切断すると，図４に示すように，フィルム状接着剤１０の切断面に，例えば，複数の略ヒゲ状のバリ４０が生じてしまう。このバリ４０の長さは，長いもので例えば１ｍｍ程度に達する場合もある。このようなバリ４０があると，後述するワイヤボンディング工程で，例えば，ワイヤとパッドとを好適に接続できないため，ＬＳＩなどの半導体装置が不良品となったり，生産性が低下したりしてしまう。このため，かかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４をダイボンディングする前に，上記バリ４０を低減する必要がある。
【００２６】
そこで，本願発明者らは，鋭意努力して，フィルム状接着剤１０を所定の温度に加熱処理することにより，その周囲に生じているバリ４０を収縮させて，ワイヤボンディング工程に支障が生じない程度の大きさに低減できることに想到した。本ステップでは，かかる観点に基づいて，上記バリ４０を加熱して収縮させるべく，半導体チップ１４のフィルム状接着剤１０に熱風を吹きつけるという加熱処理を採用した。
【００２７】
詳細には，まず，上記ステップＳ１２のダイシング加工によって形成されたフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の１つを，ピックアップする。次いで，この半導体チップ１４を，例えば，フィルム状接着剤１０を上向きにしてガラスなどの平板５２上に載置する。さらに，かかる状態で，例えば，ドライヤなどの熱風送風装置５０を用いて，フィルム状接着剤１０に向けて熱風を吹きつけて加熱する。この熱風による加熱温度は例えば１４０〜１６０℃であり，加熱時間は例えば２〜３秒程度である。なお，加熱温度は，かかる例に限定されず，バリが好適に収縮するとともに，半導体チップ１４が耐えられる温度であれば，例えば，１４０℃以下若しくは１６０℃以上であってもよい。また，加熱時間も上記の例に限定されず，フィルム状接着剤１０の材質や厚さなどに応じて増減させてもよい。
【００２８】
このようにして，フィルム状接着剤１０を加熱処理することにより，バリ４０を好適に収縮させて低減することができる。かかる加熱処理は，上記のように比較的簡便で安価な熱風送風装置５０を用いて実現できるとともに，その加熱方法も簡単かつ短時間で済むので，生産コストと生産性の面で優れる。
【００２９】
その後，ステップＳ１６では，図３（ａ）に示すように，半導体チップ１４が基台６０にダイボンディングされる（ステップＳ１６）。上記ステップ１４の加熱処理によってバリ４０が低減されたフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４を，ピックアップ手段８０にてピックアップして，例えば，ホットプレート６２により加熱されたリードフレーム等の基台６０の中央部（即ち，アイランド）に押圧する。この際，加熱温度は例えば１６０〜２３０℃であり，押圧力は例えば０．０４〜１．３ＭＰａであり，押圧時間は例えば１ｓｅｃである。
【００３０】
このように，フィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４を熱圧着させることにより，フィルム状接着剤１０が溶融して接着剤として機能するので，半導体チップ１４を基台６０に接着する，即ち，ダイボンディングすることができる。かかるダイボンディングでは，接着層としてフィルム状接着剤１０を用いているので，例えば，接着層の厚さが略均一となるとともに，半導体チップ１４が傾いて接着されたり，接着剤が半導体チップ１４の端からはみ出したりすることなく，半導体チップ１４を基台６０に高精度で接着できる。
【００３１】
さらに，例えば，上記のようにして基台６０上に接着された半導体チップ１４の上面（即ち，表面）に，さらに別のフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４を同様にして接着してもよい。これにより，例えば１つのパッケージ内に複数の半導体チップ１４を積層した例えばスタックドＣＳＰなどの半導体装置を製造できる。かかるスタックドＣＳＰを用いることにより，１つのパッケージ内に大量の回路を高集積化できるので，半導体装置の実装面積を低減することができる。
【００３２】
次いで，ステップＳ１８では，図３（ｂ）に示すように，半導体チップ１４がワイヤボンディングされる（ステップＳ１８）。上記ステップＳ１６でダイボンディングされた半導体チップ１４のパッド（接続電極）７２とパッケージの外部引き出し用端子７４の間をボンディングワイヤ７０で接続する。このとき，上記加熱処理によってバリ４０が十分に低減されているため，ボンディングワイヤ７０の接続を妨げることがない。このため，当該ワイヤボンディング処理を円滑かつ迅速に実行することができるので，ワイヤボンディング加工の精度および生産性が向上する。この結果，本ステップ後に例えばモールド成形してパッケージングすることでＬＳＩ等の半導体装置（図示せず。）が完成するが，かかる半導体装置の品質および製品歩留まりが向上する。
【００３３】
以上のように，本実施形態にかかる半導体装置の製造プロセスは，ダイシング工程後，ダイボンディング工程前に，半導体チップ１４を加熱処理加工している。かかる加熱処理加工を行うことにより，フィルム状接着剤１０を切断した際に生じたバリ４０を収縮させて十分に小さくできるので，後工程であるワイヤボンディング工程を良好に行うことができる。
【００３４】
（第２の実施の形態）
次に，本発明の第２の実施形態にかかる半導体チップの加工方法について説明する。第２の実施形態にかかる半導体チップの加工方法は，第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法と比して，熱風を吹きつける方法が異なる点で相違するのみであり，その他の機能構成は略同一であるので，その説明は省略する。
【００３５】
まず，図５に基づいて，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法について説明する。なお，図５は，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法を示す説明図である。
【００３６】
図５（ａ）に示すように，上記図１のステップＳ１２で説明したようなダイシング工程において，半導体ウェハ１２は複数の半導体チップ１４に分割される。この半導体チップ１４は，ピックアップ手段８０によってピックアップされて，ダイボンディング工程を行う装置の場所まで搬送される。
【００３７】
本実施形態にかかる加熱処理は，図５（ｂ）に示すように，上記ピックアップされ搬送途中の半導体チップ１４に対し，例えば下方から熱風を吹きつけてフィルム状接着剤１０を加熱する手法である。
【００３８】
より詳細には，まず，例えば，ピックアップ手段８０による搬送経路の例えば下方にドライヤ等の熱風送風装置５０を配設しておく。次いで，ピックアップ手段８０が１つの半導体チップ１４の表面を例えば吸着して，半導体チップ１４をピックアップして搬送する。さらに，熱風送風装置５０は，自身の上部の位置まで半導体チップ１４が搬送されてくると，半導体チップ１４の裏面のフィルム状接着剤１０に対して熱風を吹きつけて加熱する。この際の加熱温度と加熱時間は，例えば，上記第１の実施形態の場合と同様である。
【００３９】
このような加熱処理により，フィルム状接着剤１０の切断面に発生していたバリ４０を，収縮させて低減することができる。さらに，ピックアップ手段５０などの既存の装置を利用することにより，加熱処理に要する装置を簡素化できるとともに，装置数も低減できる。加えて，搬送途中に加熱処理を行うことにより，加熱処理専用の工程を設けなくて済むので，半導体装置製造プロセスの工程数を徒に増加させることがなく，作業が効率的になる。従って，上記のような加熱処理の手法を採用することにより，生産性の向上および生産コストの低減を図ることができる。
【００４０】
（第３の実施の形態）
次に，本発明の第３の実施形態にかかる半導体チップの加工方法について説明する。第３の実施形態にかかる半導体チップの加工方法は，第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法と比して，加熱処理の手法が異なる点で相違するのみであり，その他の機能構成は略同一であるので，その説明は省略する。
【００４１】
まず，図６に基づいて，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法について説明する。なお，図６は，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法を示す説明図である。
【００４２】
図６に示すように，上記図１のステップＳ１２で説明したようなダイシング工程後，ピックアップされた例えば１つの半導体チップ１４は，例えば，フィルム状接着剤１０を下向きにして，ガラスなどで形成された平板９０上に載置される。さらに，この平板９０は，例えば，ホットプレート９２などの加熱手段上に載置されており，ホットプレート９２が発する熱を半導体チップ１４に伝導することができる。
【００４３】
かかる構成により，ホットプレート９２の発熱により例えば平板９０に接触しているフィルム状接着剤１０を加熱することができる。この際の，加熱温度は例えば１４０〜１６０℃であり，加熱時間は例えば２〜５秒程度である。なお，加熱温度は，かかる例に限定されず，バリが好適に収縮するとともに，半導体チップ１４が耐えられる温度であれば，例えば，１４０℃以下若しくは１６０℃以上であってもよい。また，加熱時間も上記の例に限定されず，フィルム状接着剤１０の材質や厚さなどに応じて増減させてもよい。
【００４４】
また，かかる加熱処理では，例えば，ホットプレート９２とフィルム状接着剤１０を直接接触させて加熱するのではなく，双方の間に配された平板９０を介して間接的に加熱処理している。これにより，フィルム状接着剤１０を過度に加熱したり，溶融したフィルム状接着剤１０がホットプレート９２に付着したりすることを防止できるとともに，フィルム状接着剤１０全体をむらなく均等に加熱できる。なお，平板９０をガラス等の素材で構成するのは，例えば，ガラスが転熱性（熱伝導性）に優れた素材であるからであるが，平板９０の素材はかかる例に限定されず，他の熱伝導性を有する素材であってもよい。また，ホットプレート９２とフィルム状接着剤１０を直接接触させて，加熱してもよい。
【００４５】
上記のように，半導体チップ１４のフィルム状接着剤１０を加熱手段に接触させるという加熱処理によっても，フィルム状接着剤１０の切断面に発生していたバリ４０を，収縮させて低減することができる。さらに，かかる加熱処理方法によれば，フィルム状接着剤１０を確実かつ均等に加熱することができるので，バリ４０を効果的に低減することができる。
【００４６】
なお，上記例では，半導体チップ１４を平板９０上に載置して加熱を行ったが，かかる平板９０への半導体チップ１４の載置およびピックアップを，上記第２の実施形態で説明したようなピックアップ手段８０を用いて行ってもよい。これにより，ダンシング工程からダイボンディング工程に移行する途中で，各半導体チップ１４の加熱処理を行うことができるので，生産性および生産コストの面から効率的である。
【００４７】
（実施例）
次に，上記第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法（即ち，熱風吹きつけによる加熱処理方法）に基づいて，フィルム状接着剤１０のバリ４０を低減させる実験を行った結果について説明する。
【００４８】
まず，本実施例にかかる加熱処理実験の実験条件について説明する。表１は，本実施例にかかる実験に用いたフィルム状接着剤１０のスペックである。また，表２は，表１に示したようなフィルム状接着剤１０を貼り付けた半導体ウェハ１２をダイシング加工したときの加工条件である。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
本実験では，以上のような条件で切り出されたフィルム状接着剤１０付きの半導体チップ１４について，フィルム状接着剤１０の切断面に生じたバリ４０を顕微鏡で観察した。次いで，かかる半導体チップ１４のフィルム状接着剤１０に対して，ドライヤを用いて，加熱温度１５０℃，加熱時間２秒という条件で熱風を吹きつけて加熱処理を行った。さらに，このような加熱処理後に，再び，バリ４０を顕微鏡で観察した。かかる観察結果を，図７に示す。なお，図７は，本実験結果として，加熱処理前および加熱処理後におけるフィルム状接着剤１０のバリ４０の状態変化を示す写真図である。
【００５２】
図７に示すように，加熱処理前には２００μｍ〜１ｍｍ程度もあったバリ４０は，加熱処理後には，いずれも１００μｍ以下と非常に小さくなっている。かかる実験結果によれば，熱風を吹きつけることにより，バリ４０を熱収縮させて著しく小さくすることができるといえる。従って，上記第１の実施形態にかかる加熱処理により，フィルム状接着剤１０のバリ４０を十分に低減できることが実証されたといえる。
【００５３】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５４】
例えば，上記実施形態にかかるフィルム状接着剤１０は，ポリイミド系樹脂などの粘着層のみの単層であったが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，キャリアフィルム上にポリイミド系樹脂などの粘着剤を塗布して乾燥させた，キャリアフィルム付きのフィルム状接着剤１０であってもよい。また，ダンシングテープの代用である多孔質基材上に粘着剤を塗布したものであってもよく，この場合には，上記ダイシング工程においてダイシングテープをフィルム状接着剤１０上に貼り付けなくてもよい。
【００５５】
また，上記第３の実施形態では，加熱手段としてホットプレート９２を用いたが，本発明はかかる例に限定されない。加熱手段としては，接触させられたフィルム状接着剤１０を加熱できるものであれば，いかなる装置であってもよい。なお，ここでいう接触とは，上記ガラス平板９０などの中間部材を介した間接的な接触をも含むものである
【００５６】
また，上記実施形態では，フィルム状接着剤１０を加熱処理する方法として，熱風送風機５０若しくはホットプレート９２を用いた加熱処理方法であったが，本発明はかかる例に限定されない。フィルム状接着剤１０の加熱方法としては，フィルム状接着剤１０を所定の温度に加熱できる方法であれば，例えば，フィルム状接着剤１０を熱した液体に接触させる，電磁波を用いて加熱する，ストーブなどの発熱器に接近させるなど，多様な方法であってもよい。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，ダイボンディング工程前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することにより，フィルム状接着剤を切断することによって生じたバリを収縮させて大幅に低減できる。このため，フィルム状接着剤付の半導体チップをワイヤボンディングするときに，上記バリがパッドに接触しなくなるので，ワイヤボンディングを良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，第１の実施形態にかかるフィルム状接着剤の貼り付け工程かからワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスを示すフローチャートである。
【図２】図２は，第１の実施形態にかかる半導体装置製造プロセスの各工程における半導体ウェハまたは半導体チップの状態を示す説明図である。
【図３】図３は，第１の実施形態にかかる半導体装置製造プロセスの各工程における半導体ウェハまたは半導体チップの状態を示す説明図である。
【図４】図４は，フィルム状接着剤の周囲に発生したバリを裏面側と側面側から示す写真図である。
【図５】図５は，第２の実施形態にかかるフィルム状接着剤付き半導体チップの加熱処理の方法を示す説明図である。
【図６】図６は，第３の実施形態にかかるフィルム状接着剤付き半導体チップの加熱処理の方法を示す説明図である。
【図７】図７は，実験結果として，加熱処理前および加熱処理後におけるフィルム状接着剤のバリの状態変化を示す写真図である。
【図８】図８は，従来のフィルム状接着剤のバリがワイヤボンディングの妨げとなる態様を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ ： フィルム状接着剤
１２ ： 半導体ウェハ
１４ ： 半導体チップ
３０ ： ダイシングブレード
４０ ： バリ
５０ ： 熱風送風装置
５２ ： 平板
６０ ： 基台
７０ ： ボンディングワイヤ
７２ ： パッド
７４ ： 外部引き出し用端子
８０ ： ピックアップ手段
９０ ： 平板
９２ ： ホットプレート
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体チップの加工方法にかかり，特に，フィルム状接着剤付き半導体チップの加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来，半導体チップのダイボンディング工程では，ダイボンディング材料として樹脂ペーストなどを用いて，半導体チップをリードフレームなどの基台に接着していた。しかし，かかる手法では，半導体チップが傾いて接着されたり，半導体チップの端から樹脂ペーストがはみ出したりして，高精度にダイボンディングすることができない上に，接着層の厚さ制御も困難であるという問題があった。
【０００３】
このため，近年では，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が予め貼り付けられている半導体チップを用いる手法が普及しつつある。このフィルム状接着剤は，略均一な厚さを有し，厚さ制御も容易であるので，半導体チップを高精度でダイボンディングすることができる。
【０００４】
かかるフィルム状接着剤付きの半導体チップは，半導体チップのサイズに応じて切断されたフィルム状接着剤を半導体チップの裏面に貼り合わせることで製造することもできるが，かかる製造方法では，小さい半導体チップに対応しきれず，生産性も低いという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する手法として，特開平１１−２１９９６２号公報には，半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を熱圧着して貼り付け，かかるフィルム状接着剤付き半導体ウェハをダイシングして，フィルム状接着剤付きの半導体チップを製造する手法が提案されている。このような手法によれば，フィルム状接着剤の貼り付けが容易になるとともに，フィルム状接着剤と半導体ウェハとを同時に切断して分割することができるので，あらゆるチップサイズにも対応することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来のフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法では，例えばダイシングブレードなどの切断手段により，上記フィルム状接着剤を切断すると，その切断面は平滑面とはならずに，ヒゲ状のバリが多数発生してしまうという問題があった。この結果，図８に示すように，フィルム状接着剤１０’付の半導体チップ１４’をワイヤボンディングするときに，上記バリ４０’がワイヤボンディングのパッド７２’に接触してしまい，好適にワイヤボンディングすることができなかった。特に，半導体装置の小型化や高集積化が求められている現在では，１つのパッケージ内に複数の半導体チップ１４’を積層して相互にワイヤボンディングするスタックドＣＳＰ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）が多用されているが，上記バリ４０’があると，このスタックドＣＳＰのワイヤボンディング工程に大きな支障を来すこととなっていた。
【０００７】
従って，上記のようにして製造されたフィルム状接着剤付き半導体チップに関し，フィルム状接着剤の切断面に生じたバリを低減することの可能な半導体チップの加工方法が希求されていた。
【０００８】
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，半導体チップのフィルム状接着剤に生じたバリを低減することが可能な，新規かつ改良された半導体チップの加工方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，表面に半導体素子が形成され，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が接着された半導体ウェハをダイシングして形成された半導体チップの加工方法であって，半導体チップをダイボンディングする前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することを特徴とする，半導体チップの加工方法が提供される。
【００１０】
かかる構成により，半導体チップの裏面に接着しているフィルム状接着剤の切断面には例えばヒゲ状のバリが発生するが，このフィルム状接着剤を加熱処理することにより，当該バリを収縮させて低減することができる。このようなバリの低減をダイボンディング工程前に予め行っておくことにより，ワイヤボンディング工程における当該バリの悪影響を排除して，好適にワイヤボンディングすることができる。
【００１１】
また，上記加熱処理として，半導体チップのフィルム状接着剤に熱風を吹きつける，如く構成すれば，熱風を吹きつけることによりフィルム状接着剤を所定の温度に加熱することができるので，上記バリを熱収縮させて低減できる。
【００１２】
また，上記加熱処理として，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱手段に接触させる，如く構成すれば，加熱手段の発した熱をフィルム状接着剤に伝導させて，フィルム状接着剤を加熱できるので，上記バリを熱収縮させて低減できる。
【００１３】
さらに，上記加熱処理の加熱温度は略１４０〜１６０℃であるようにしてもよい。これにより，上記バリを好適に収縮させることができる程度の温度にフィルム状接着剤を加熱できるとともに，高温に加熱しすぎて半導体チップを破壊してしまうこともない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法について説明する。本実施形態にかかる半導体チップの加工方法は，特に，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が貼り付けられた半導体ウェハをダイシング加工して形成されたフィルム状接着剤付き半導体チップを，ダイボンディング加工する前に加熱処理することに特徴を有する。そこで，以下では，フィルム状接着剤の貼り付け工程からワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスについて説明しながら，本実施形態にかかる特徴である当該半導体チップの加熱処理について詳細に説明することとする。
【００１６】
まず，図１〜図４に基づいて，本実施形態にかかるフィルム状接着剤の貼り付け工程かからワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスの流れについて説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるフィルム状接着剤の貼り付け工程かからワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスを示すフローチャートである。また，図２および図３は，当該プロセスの各工程における半導体ウェハ１２または半導体チップ１４の状態を示す説明図である。また，図４は，フィルム状接着剤１０の周囲に発生したバリ４０を裏面側と側面側から示す写真図である。
【００１７】
図１に示すように，まず，ステップＳ１０では，図２（ａ）に示すように，半導体ウェハ１２の裏面にフィルム状接着剤１０が貼り付けられる（ステップＳ１０）。
【００１８】
半導体ウェハ１２は，例えば，略円盤形状を有するシリコンウェハなどであり，その大きさは，外径が例えば８インチであり，厚さが例えば約０．１５ｍｍである。なお，以下では，半導体ウェハ１２の表面とは，半導体素子（回路）が形成された側の面をいい，半導体ウェハ１２の裏面とは，上記表面とは反対側の面をいうものとする。また，かかる半導体ウェハ１２を切断して形成された半導体チップについても，表面および裏面の定義は同様とする。
【００１９】
フィルム状接着剤１０は，後述する半導体チップ１４をダイボンディングするためのフィルム状（シート状）の接着剤であり，例えばＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ：ダイアタッチフィルム）とも呼ばれる。このフィルム状接着剤１０は，例えば，主に，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などからなり，例えば導電性を有していない。また，かかるフィルム状接着剤１０は，その厚さが例えば４０μｍ程度，幅が例えば２〜２４０ｍｍとなるように成形されており，例えば，カバーフィルムやキャリアフィルムなどが貼り付けられていない。
【００２０】
このようなフィルム状接着剤１０は，例えば，ラミネート加工により半導体ウェハ１２の裏面に貼り付けられる。より詳細には，フィルム状接着剤１０は，ホットプレート２０によって例えば９０〜１８０℃に加熱された半導体ウェハ１２の裏面に対して，圧着ロール２４により例えば２秒間にわたり熱圧着されて，当該半導体ウェハ１２の裏面に好適に貼り付けられる。なお，このようなラミネート温度および時間はかかる例に限定されず，フィルム状接着剤１０の材質や厚さ，半導体ウェハ１２の種類などに応じて，自由に変更可能である。
【００２１】
次いで，ステップＳ１２では，図２（ｂ）に示すように，ダイシングブレード３０などの切断手段により半導体ウェハ１２がダイシングされる（ステップＳ１２）。本ステップでは，まず，例えば，半導体ウェハ１２の裏面に貼り付けられたフィルム状接着剤１０の上に，さらに，ダイシングテープ３２を貼り付けた後，半導体ウェハ１２をチャックテーブル３４に固定する。次いで，例えば，略リング形状のダイシングブレード３０を高速回転させながら半導体ウェハ１２に切り込ませて，半導体ウェハ１２のストリートに沿って極薄のカーフを形成する。これにより，半導体ウェハ１２およびフィルム状接着剤１０を例えば格子状に切断（即ち，ダイシング）して，複数の半導体チップ１４に分割することができる。
【００２２】
かかるダイシング加工では，例えば，半導体ウェハ１２を一度にフルカットしてしまうワンパスカットと，切り込み深さを変えずにダイシングブレード３０を同一のカーフに複数回繰り返し通して切断する多度切り（２度切り，３度切りなど）のいずれを採用してもよい。しかし，例えば，多度切りで切断した場合の方が，ワンパスカットの場合よりも，後述するフィルム状接着剤１０のバリ４０の大きさを小さくできるので，多度切りの方がより好ましいといえる。
【００２３】
このように，半導体ウェハ１２をフィルム状接着剤１０ごと切断することにより，フィルム状接着剤１０付きの半導体チップ１４を複数形成できる。かかる手法によれば，フィルム状接着剤１０を半導体チップ１４のサイズに合わせて切り出した上で貼り合わせるといった繁雑な作業がないので，貼り付け精度および生産性の面から非常に有用である。
【００２４】
さらに，ステップＳ１４では，図２（ｃ）に示すように，フィルム状接着剤１０付きの半導体チップ１４が加熱処理される（ステップＳ１４）。
【００２５】
上記ステップＳ１２において例えばダンシングブレード３０などでフィルム状接着剤１０を切断すると，図４に示すように，フィルム状接着剤１０の切断面に，例えば，複数の略ヒゲ状のバリ４０が生じてしまう。このバリ４０の長さは，長いもので例えば１ｍｍ程度に達する場合もある。このようなバリ４０があると，後述するワイヤボンディング工程で，例えば，ワイヤとパッドとを好適に接続できないため，ＬＳＩなどの半導体装置が不良品となったり，生産性が低下したりしてしまう。このため，かかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４をダイボンディングする前に，上記バリ４０を低減する必要がある。
【００２６】
そこで，本願発明者らは，鋭意努力して，フィルム状接着剤１０を所定の温度に加熱処理することにより，その周囲に生じているバリ４０を収縮させて，ワイヤボンディング工程に支障が生じない程度の大きさに低減できることに想到した。本ステップでは，かかる観点に基づいて，上記バリ４０を加熱して収縮させるべく，半導体チップ１４のフィルム状接着剤１０に熱風を吹きつけるという加熱処理を採用した。
【００２７】
詳細には，まず，上記ステップＳ１２のダイシング加工によって形成されたフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の１つを，ピックアップする。次いで，この半導体チップ１４を，例えば，フィルム状接着剤１０を上向きにしてガラスなどの平板５２上に載置する。さらに，かかる状態で，例えば，ドライヤなどの熱風送風装置５０を用いて，フィルム状接着剤１０に向けて熱風を吹きつけて加熱する。この熱風による加熱温度は例えば１４０〜１６０℃であり，加熱時間は例えば２〜３秒程度である。なお，加熱温度は，かかる例に限定されず，バリが好適に収縮するとともに，半導体チップ１４が耐えられる温度であれば，例えば，１４０℃以下若しくは１６０℃以上であってもよい。また，加熱時間も上記の例に限定されず，フィルム状接着剤１０の材質や厚さなどに応じて増減させてもよい。
【００２８】
このようにして，フィルム状接着剤１０を加熱処理することにより，バリ４０を好適に収縮させて低減することができる。かかる加熱処理は，上記のように比較的簡便で安価な熱風送風装置５０を用いて実現できるとともに，その加熱方法も簡単かつ短時間で済むので，生産コストと生産性の面で優れる。
【００２９】
その後，ステップＳ１６では，図３（ａ）に示すように，半導体チップ１４が基台６０にダイボンディングされる（ステップＳ１６）。上記ステップ１４の加熱処理によってバリ４０が低減されたフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４を，ピックアップ手段８０にてピックアップして，例えば，ホットプレート６２により加熱されたリードフレーム等の基台６０の中央部（即ち，アイランド）に押圧する。この際，加熱温度は例えば１６０〜２３０℃であり，押圧力は例えば０．０４〜１．３ＭＰａであり，押圧時間は例えば１ｓｅｃである。
【００３０】
このように，フィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４を熱圧着させることにより，フィルム状接着剤１０が溶融して接着剤として機能するので，半導体チップ１４を基台６０に接着する，即ち，ダイボンディングすることができる。かかるダイボンディングでは，接着層としてフィルム状接着剤１０を用いているので，例えば，接着層の厚さが略均一となるとともに，半導体チップ１４が傾いて接着されたり，接着剤が半導体チップ１４の端からはみ出したりすることなく，半導体チップ１４を基台６０に高精度で接着できる。
【００３１】
さらに，例えば，上記のようにして基台６０上に接着された半導体チップ１４の上面（即ち，表面）に，さらに別のフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４を同様にして接着してもよい。これにより，例えば１つのパッケージ内に複数の半導体チップ１４を積層した例えばスタックドＣＳＰなどの半導体装置を製造できる。かかるスタックドＣＳＰを用いることにより，１つのパッケージ内に大量の回路を高集積化できるので，半導体装置の実装面積を低減することができる。
【００３２】
次いで，ステップＳ１８では，図３（ｂ）に示すように，半導体チップ１４がワイヤボンディングされる（ステップＳ１８）。上記ステップＳ１６でダイボンディングされた半導体チップ１４のパッド（接続電極）７２とパッケージの外部引き出し用端子７４の間をボンディングワイヤ７０で接続する。このとき，上記加熱処理によってバリ４０が十分に低減されているため，ボンディングワイヤ７０の接続を妨げることがない。このため，当該ワイヤボンディング処理を円滑かつ迅速に実行することができるので，ワイヤボンディング加工の精度および生産性が向上する。この結果，本ステップ後に例えばモールド成形してパッケージングすることでＬＳＩ等の半導体装置（図示せず。）が完成するが，かかる半導体装置の品質および製品歩留まりが向上する。
【００３３】
以上のように，本実施形態にかかる半導体装置の製造プロセスは，ダイシング工程後，ダイボンディング工程前に，半導体チップ１４を加熱処理加工している。かかる加熱処理加工を行うことにより，フィルム状接着剤１０を切断した際に生じたバリ４０を収縮させて十分に小さくできるので，後工程であるワイヤボンディング工程を良好に行うことができる。
【００３４】
（第２の実施の形態）
次に，本発明の第２の実施形態にかかる半導体チップの加工方法について説明する。第２の実施形態にかかる半導体チップの加工方法は，第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法と比して，熱風を吹きつける方法が異なる点で相違するのみであり，その他の機能構成は略同一であるので，その説明は省略する。
【００３５】
まず，図５に基づいて，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法について説明する。なお，図５は，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法を示す説明図である。
【００３６】
図５（ａ）に示すように，上記図１のステップＳ１２で説明したようなダイシング工程において，半導体ウェハ１２は複数の半導体チップ１４に分割される。この半導体チップ１４は，ピックアップ手段８０によってピックアップされて，ダイボンディング工程を行う装置の場所まで搬送される。
【００３７】
本実施形態にかかる加熱処理は，図５（ｂ）に示すように，上記ピックアップされ搬送途中の半導体チップ１４に対し，例えば下方から熱風を吹きつけてフィルム状接着剤１０を加熱する手法である。
【００３８】
より詳細には，まず，例えば，ピックアップ手段８０による搬送経路の例えば下方にドライヤ等の熱風送風装置５０を配設しておく。次いで，ピックアップ手段８０が１つの半導体チップ１４の表面を例えば吸着して，半導体チップ１４をピックアップして搬送する。さらに，熱風送風装置５０は，自身の上部の位置まで半導体チップ１４が搬送されてくると，半導体チップ１４の裏面のフィルム状接着剤１０に対して熱風を吹きつけて加熱する。この際の加熱温度と加熱時間は，例えば，上記第１の実施形態の場合と同様である。
【００３９】
このような加熱処理により，フィルム状接着剤１０の切断面に発生していたバリ４０を，収縮させて低減することができる。さらに，ピックアップ手段５０などの既存の装置を利用することにより，加熱処理に要する装置を簡素化できるとともに，装置数も低減できる。加えて，搬送途中に加熱処理を行うことにより，加熱処理専用の工程を設けなくて済むので，半導体装置製造プロセスの工程数を徒に増加させることがなく，作業が効率的になる。従って，上記のような加熱処理の手法を採用することにより，生産性の向上および生産コストの低減を図ることができる。
【００４０】
（第３の実施の形態）
次に，本発明の第３の実施形態にかかる半導体チップの加工方法について説明する。第３の実施形態にかかる半導体チップの加工方法は，第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法と比して，加熱処理の手法が異なる点で相違するのみであり，その他の機能構成は略同一であるので，その説明は省略する。
【００４１】
まず，図６に基づいて，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法について説明する。なお，図６は，本実施形態にかかるフィルム状接着剤１０付き半導体チップ１４の加熱処理の方法を示す説明図である。
【００４２】
図６に示すように，上記図１のステップＳ１２で説明したようなダイシング工程後，ピックアップされた例えば１つの半導体チップ１４は，例えば，フィルム状接着剤１０を下向きにして，ガラスなどで形成された平板９０上に載置される。さらに，この平板９０は，例えば，ホットプレート９２などの加熱手段上に載置されており，ホットプレート９２が発する熱を半導体チップ１４に伝導することができる。
【００４３】
かかる構成により，ホットプレート９２の発熱により例えば平板９０に接触しているフィルム状接着剤１０を加熱することができる。この際の，加熱温度は例えば１４０〜１６０℃であり，加熱時間は例えば２〜５秒程度である。なお，加熱温度は，かかる例に限定されず，バリが好適に収縮するとともに，半導体チップ１４が耐えられる温度であれば，例えば，１４０℃以下若しくは１６０℃以上であってもよい。また，加熱時間も上記の例に限定されず，フィルム状接着剤１０の材質や厚さなどに応じて増減させてもよい。
【００４４】
また，かかる加熱処理では，例えば，ホットプレート９２とフィルム状接着剤１０を直接接触させて加熱するのではなく，双方の間に配された平板９０を介して間接的に加熱処理している。これにより，フィルム状接着剤１０を過度に加熱したり，溶融したフィルム状接着剤１０がホットプレート９２に付着したりすることを防止できるとともに，フィルム状接着剤１０全体をむらなく均等に加熱できる。なお，平板９０をガラス等の素材で構成するのは，例えば，ガラスが転熱性（熱伝導性）に優れた素材であるからであるが，平板９０の素材はかかる例に限定されず，他の熱伝導性を有する素材であってもよい。また，ホットプレート９２とフィルム状接着剤１０を直接接触させて，加熱してもよい。
【００４５】
上記のように，半導体チップ１４のフィルム状接着剤１０を加熱手段に接触させるという加熱処理によっても，フィルム状接着剤１０の切断面に発生していたバリ４０を，収縮させて低減することができる。さらに，かかる加熱処理方法によれば，フィルム状接着剤１０を確実かつ均等に加熱することができるので，バリ４０を効果的に低減することができる。
【００４６】
なお，上記例では，半導体チップ１４を平板９０上に載置して加熱を行ったが，かかる平板９０への半導体チップ１４の載置およびピックアップを，上記第２の実施形態で説明したようなピックアップ手段８０を用いて行ってもよい。これにより，ダンシング工程からダイボンディング工程に移行する途中で，各半導体チップ１４の加熱処理を行うことができるので，生産性および生産コストの面から効率的である。
【００４７】
（実施例）
次に，上記第１の実施形態にかかる半導体チップの加工方法（即ち，熱風吹きつけによる加熱処理方法）に基づいて，フィルム状接着剤１０のバリ４０を低減させる実験を行った結果について説明する。
【００４８】
まず，本実施例にかかる加熱処理実験の実験条件について説明する。表１は，本実施例にかかる実験に用いたフィルム状接着剤１０のスペックである。また，表２は，表１に示したようなフィルム状接着剤１０を貼り付けた半導体ウェハ１２をダイシング加工したときの加工条件である。
【００４９】
【表１】
【表２】
本実験では，以上のような条件で切り出されたフィルム状接着剤１０付きの半導体チップ１４について，フィルム状接着剤１０の切断面に生じたバリ４０を顕微鏡で観察した。次いで，かかる半導体チップ１４のフィルム状接着剤１０に対して，ドライヤを用いて，加熱温度１５０℃，加熱時間２秒という条件で熱風を吹きつけて加熱処理を行った。さらに，このような加熱処理後に，再び，バリ４０を顕微鏡で観察した。かかる観察結果を，図７に示す。なお，図７は，本実験結果として，加熱処理前および加熱処理後におけるフィルム状接着剤１０のバリ４０の状態変化を示す写真図である。
【００５２】
図７に示すように，加熱処理前には２００μｍ〜１ｍｍ程度もあったバリ４０は，加熱処理後には，いずれも１００μｍ以下と非常に小さくなっている。かかる実験結果によれば，熱風を吹きつけることにより，バリ４０を熱収縮させて著しく小さくすることができるといえる。従って，上記第１の実施形態にかかる加熱処理により，フィルム状接着剤１０のバリ４０を十分に低減できることが実証されたといえる。
【００５３】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５４】
例えば，上記実施形態にかかるフィルム状接着剤１０は，ポリイミド系樹脂などの粘着層のみの単層であったが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，キャリアフィルム上にポリイミド系樹脂などの粘着剤を塗布して乾燥させた，キャリアフィルム付きのフィルム状接着剤１０であってもよい。また，ダンシングテープの代用である多孔質基材上に粘着剤を塗布したものであってもよく，この場合には，上記ダイシング工程においてダイシングテープをフィルム状接着剤１０上に貼り付けなくてもよい。
【００５５】
また，上記第３の実施形態では，加熱手段としてホットプレート９２を用いたが，本発明はかかる例に限定されない。加熱手段としては，接触させられたフィルム状接着剤１０を加熱できるものであれば，いかなる装置であってもよい。なお，ここでいう接触とは，上記ガラス平板９０などの中間部材を介した間接的な接触をも含むものである
【００５６】
また，上記実施形態では，フィルム状接着剤１０を加熱処理する方法として，熱風送風機５０若しくはホットプレート９２を用いた加熱処理方法であったが，本発明はかかる例に限定されない。フィルム状接着剤１０の加熱方法としては，フィルム状接着剤１０を所定の温度に加熱できる方法であれば，例えば，フィルム状接着剤１０を熱した液体に接触させる，電磁波を用いて加熱する，ストーブなどの発熱器に接近させるなど，多様な方法であってもよい。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，ダイボンディング工程前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することにより，フィルム状接着剤を切断することによって生じたバリを収縮させて大幅に低減できる。このため，フィルム状接着剤付の半導体チップをワイヤボンディングするときに，上記バリがパッドに接触しなくなるので，ワイヤボンディングを良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，第１の実施形態にかかるフィルム状接着剤の貼り付け工程かからワイヤボンディング工程に至るまでの半導体装置製造プロセスを示すフローチャートである。
【図２】図２は，第１の実施形態にかかる半導体装置製造プロセスの各工程における半導体ウェハまたは半導体チップの状態を示す説明図である。
【図３】図３は，第１の実施形態にかかる半導体装置製造プロセスの各工程における半導体ウェハまたは半導体チップの状態を示す説明図である。
【図４】図４は，フィルム状接着剤の周囲に発生したバリを裏面側と側面側から示す写真図である。
【図５】図５は，第２の実施形態にかかるフィルム状接着剤付き半導体チップの加熱処理の方法を示す説明図である。
【図６】図６は，第３の実施形態にかかるフィルム状接着剤付き半導体チップの加熱処理の方法を示す説明図である。
【図７】図７は，実験結果として，加熱処理前および加熱処理後におけるフィルム状接着剤のバリの状態変化を示す写真図である。
【図８】図８は，従来のフィルム状接着剤のバリがワイヤボンディングの妨げとなる態様を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ ： フィルム状接着剤
１２ ： 半導体ウェハ
１４ ： 半導体チップ
３０ ： ダイシングブレード
４０ ： バリ
５０ ： 熱風送風装置
５２ ： 平板
６０ ： 基台
７０ ： ボンディングワイヤ
７２ ： パッド
７４ ： 外部引き出し用端子
８０ ： ピックアップ手段
９０ ： 平板
９２ ： ホットプレート
Claims (3)
- 表面に半導体素子が形成され，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が接着された半導体ウェハをダイシングして形成された半導体チップの加工方法であって，
前記半導体チップをダイボンディングする前に，前記半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することを特徴とする，半導体チップの加工方法。 - 前記加熱処理として，前記半導体チップのフィルム状接着剤に熱風を吹きつけることを特徴とする，請求項１に記載の半導体チップの加工方法。
- 前記加熱処理として，前記半導体チップのフィルム状接着剤を加熱手段に接触させることを特徴とする，請求項１に記載の半導体チップの加工方法。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146149A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Alps Electric Co Ltd | 衛星放送受信用コンバーター |
| JP2008187203A (ja) * | 2008-04-25 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015119068A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| KR20190118518A (ko) | 2018-04-10 | 2019-10-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 절삭 방법 |
| JP2021048150A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2002
- 2002-08-12 JP JP2002234393A patent/JP2004079597A/ja active Pending
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| JP7355568B2 (ja) | 2019-09-17 | 2023-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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