JPH11162805A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPH11162805A JPH11162805A JP9331530A JP33153097A JPH11162805A JP H11162805 A JPH11162805 A JP H11162805A JP 9331530 A JP9331530 A JP 9331530A JP 33153097 A JP33153097 A JP 33153097A JP H11162805 A JPH11162805 A JP H11162805A
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- adhesive tape
- resist pattern
- wafer
- article
- cooling
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C63/00—Lining or sheathing, i.e. applying preformed layers or sheathings of plastics; Apparatus therefor
- B29C63/0004—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C63/0013—Removing old coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
- Y10S156/919—Delaminating in preparation for post processing recycling step
- Y10S156/922—Specified electronic component delaminating in preparation for recycling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 粘着テープを用いて行うレジスト除去方法に
おいて、半導体基板などの物品上のレジストパターンを
確実に除去できるようにする。 【解決手段】 レジストパターンで覆われた物品Ｗに粘
着テープＴを貼付けた後、粘着テープＴが貼付けられた
物品Ｗを、少なくとも１５０°Ｃの温度差でもって急激
に冷却し、冷却後に粘着テープＴを物品Ｗから剥離す
る。
おいて、半導体基板などの物品上のレジストパターンを
確実に除去できるようにする。 【解決手段】 レジストパターンで覆われた物品Ｗに粘
着テープＴを貼付けた後、粘着テープＴが貼付けられた
物品Ｗを、少なくとも１５０°Ｃの温度差でもって急激
に冷却し、冷却後に粘着テープＴを物品Ｗから剥離す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体基
板、各種プリント基板、各種マスク、リードフレームな
どの各種微細加工物品の製造時において、不要となった
レジストパターンを物品表面から除去する方法に関す
る。
板、各種プリント基板、各種マスク、リードフレームな
どの各種微細加工物品の製造時において、不要となった
レジストパターンを物品表面から除去する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体のデバイスの製造におい
て、シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト剤を
塗布し、通常のフォトプロセスにより、所定の画像（レ
ジストパターン）が形成される。これをマスクとして、
例えばイオン注入、エッチング、ドーピングなどの種々
の処理が施される。その後、不要になったレジストパタ
ーンが除去され、所定の回路が形成される。次いで、つ
ぎの回路を形成するため、再度レジスト剤を塗布すると
いうサイクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回
路等を形成する場合も、画像形成後、不要になったレジ
ストパターンが除去される。この際、不要になったレジ
ストパターンの除去は、一般的にアッシャー（灰化手
段）や溶剤（剥離液）などで行われていたが、アッシャ
ーを用いると、その作業に長時間を要したり、レジスト
パターン中の不純物イオンがウエハ表面に残留するおそ
れがあった。また、溶剤を用いると、作業環境を害する
という問題が生じていた。
て、シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト剤を
塗布し、通常のフォトプロセスにより、所定の画像（レ
ジストパターン）が形成される。これをマスクとして、
例えばイオン注入、エッチング、ドーピングなどの種々
の処理が施される。その後、不要になったレジストパタ
ーンが除去され、所定の回路が形成される。次いで、つ
ぎの回路を形成するため、再度レジスト剤を塗布すると
いうサイクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回
路等を形成する場合も、画像形成後、不要になったレジ
ストパターンが除去される。この際、不要になったレジ
ストパターンの除去は、一般的にアッシャー（灰化手
段）や溶剤（剥離液）などで行われていたが、アッシャ
ーを用いると、その作業に長時間を要したり、レジスト
パターン中の不純物イオンがウエハ表面に残留するおそ
れがあった。また、溶剤を用いると、作業環境を害する
という問題が生じていた。
【０００３】そこで、最近では、例えば特開平９−１４
８２３２号公報に開示されているように、不要になった
レジストパターンの除去に際し、粘着テープをレジスト
パターン上に貼付け、この粘着テープとレジストパター
ンとを一体に剥離することで、ウエハ表面からレジスト
パターンを除去する手段が提案されている。
８２３２号公報に開示されているように、不要になった
レジストパターンの除去に際し、粘着テープをレジスト
パターン上に貼付け、この粘着テープとレジストパター
ンとを一体に剥離することで、ウエハ表面からレジスト
パターンを除去する手段が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】粘着テープを用いてレ
ジストパターンを一体に剥離除去する上記提案手段は、
アッシャーや溶剤を用いる旧来の一般的な除去手段に見
られた不具合点は回避されるのであるが、次のような問
題点がある。すなわち、半導体基板などの物品上のレジ
ストパターンは極めて微細なため、貼付けられた粘着テ
ープの粘着剤との接触面積が小さく、かつ、レジストパ
ターンと物品との密着強度が大きいために、粘着テープ
と一体に剥離されないで物品上に残留することがあり、
物品上からレジストパターンを完全に除去することが困
難となっていた。
ジストパターンを一体に剥離除去する上記提案手段は、
アッシャーや溶剤を用いる旧来の一般的な除去手段に見
られた不具合点は回避されるのであるが、次のような問
題点がある。すなわち、半導体基板などの物品上のレジ
ストパターンは極めて微細なため、貼付けられた粘着テ
ープの粘着剤との接触面積が小さく、かつ、レジストパ
ターンと物品との密着強度が大きいために、粘着テープ
と一体に剥離されないで物品上に残留することがあり、
物品上からレジストパターンを完全に除去することが困
難となっていた。
【０００５】この発明は、このような事情に着目してな
されたものであって、粘着テープを用いてのレジスト除
去方法において、半導体基板などの物品上のレジストパ
ターンを確実に除去できるようにすることを目的とする
ものである。
されたものであって、粘着テープを用いてのレジスト除
去方法において、半導体基板などの物品上のレジストパ
ターンを確実に除去できるようにすることを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項１に記載の発明は、レジストパターンで覆われた物品
に粘着テープを貼付ける粘着テープ貼付け行程と、粘着
テープが貼付けられた物品を急激に冷却する急冷却行程
と、冷却後に粘着テープを物品から剥離する粘着テープ
剥離行程とを含むことを特徴とする。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項１に記載の発明は、レジストパターンで覆われた物品
に粘着テープを貼付ける粘着テープ貼付け行程と、粘着
テープが貼付けられた物品を急激に冷却する急冷却行程
と、冷却後に粘着テープを物品から剥離する粘着テープ
剥離行程とを含むことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、レジスト
パターンで覆われた物品に紫外線硬化型の粘着テープを
貼付ける粘着テープ貼付け行程と、貼付けられた粘着テ
ープに紫外線を照射する紫外線照射行程と、紫外線照射
後に粘着テープが貼付けられた物品を急激に冷却する急
冷却行程と、冷却後に粘着テープを物品から剥離する粘
着テープ剥離行程とを含むことを特徴とする。
パターンで覆われた物品に紫外線硬化型の粘着テープを
貼付ける粘着テープ貼付け行程と、貼付けられた粘着テ
ープに紫外線を照射する紫外線照射行程と、紫外線照射
後に粘着テープが貼付けられた物品を急激に冷却する急
冷却行程と、冷却後に粘着テープを物品から剥離する粘
着テープ剥離行程とを含むことを特徴とする。
【０００８】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または２に記載の発明において、前記急冷却行程が、物
品を少なくとも１５０°Ｃの温度差でもって急冷却する
ものである。
または２に記載の発明において、前記急冷却行程が、物
品を少なくとも１５０°Ｃの温度差でもって急冷却する
ものである。
【０００９】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項１に
記載のレジスト除去方法によれば、まず、物品表面上に
粘着テープが貼付けられ、その後、粘着テープが貼付け
られた物品を急激に冷却すると、物品上のレジストパタ
ーンが収縮してクラックが発生し、物品表面とレジスト
パターンとの密着性が低下する。その後、粘着テープを
物品から剥離することで、密着性の低下した不要レジス
トパターンは物品表面から容易に取り除かれる。
記載のレジスト除去方法によれば、まず、物品表面上に
粘着テープが貼付けられ、その後、粘着テープが貼付け
られた物品を急激に冷却すると、物品上のレジストパタ
ーンが収縮してクラックが発生し、物品表面とレジスト
パターンとの密着性が低下する。その後、粘着テープを
物品から剥離することで、密着性の低下した不要レジス
トパターンは物品表面から容易に取り除かれる。
【００１０】請求項２に記載のレジスト除去方法によれ
ば、まず、物品表面上に紫外線硬化型の粘着テープが貼
付けられ、次に、この粘着テープに紫外線が照射される
ことで、粘着剤が硬化して粘着剤とレジストパターンと
の密着強度が高まる。その後、粘着テープが貼付けられ
た物品を急激に冷却すると、物品上のレジストパターン
が収縮してクラックが発生し、物品表面とレジストパタ
ーンとの密着性が低下する。その後、粘着テープを物品
から剥離することで、粘着剤と強力に密着し、かつ、物
品表面との密着性の低下した不要レジストパターンは物
品表面から容易に取り除かれる。
ば、まず、物品表面上に紫外線硬化型の粘着テープが貼
付けられ、次に、この粘着テープに紫外線が照射される
ことで、粘着剤が硬化して粘着剤とレジストパターンと
の密着強度が高まる。その後、粘着テープが貼付けられ
た物品を急激に冷却すると、物品上のレジストパターン
が収縮してクラックが発生し、物品表面とレジストパタ
ーンとの密着性が低下する。その後、粘着テープを物品
から剥離することで、粘着剤と強力に密着し、かつ、物
品表面との密着性の低下した不要レジストパターンは物
品表面から容易に取り除かれる。
【００１１】ここで、急冷却行程での冷却を、少なくと
も１５０°Ｃの温度差でもって冷却すると（請求項
３）、収縮によるレジストパターンのクラック発生およ
び、物品表面からのレジストパターンの遊離が効果的に
行われる。
も１５０°Ｃの温度差でもって冷却すると（請求項
３）、収縮によるレジストパターンのクラック発生およ
び、物品表面からのレジストパターンの遊離が効果的に
行われる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１および図２に、本発明方法の
第１例における処理動作の説明図が示されており、以
下、その処理動作を図面に基づいて説明する。
第１例における処理動作の説明図が示されており、以
下、その処理動作を図面に基づいて説明する。
【００１３】図１（ａ）に示すように、レジストパター
ンが形成された物品の一例としての半導体ウエハＷは、
レジストパターンが形成された表面を上面として、図示
しない搬送ロボットによって貼付けテーブル１上に搬入
され、貼付けテーブル１の中心において上昇した吸着パ
ッド１ａに受け渡される。その後、吸着パッド１ａが下
降して貼付けテーブル１上に半導体ウエハＷが載置され
る。また、貼付けテーブル１は、下面を粘着面として張
り掛けられた粘着テープＴの下方に位置している。
ンが形成された物品の一例としての半導体ウエハＷは、
レジストパターンが形成された表面を上面として、図示
しない搬送ロボットによって貼付けテーブル１上に搬入
され、貼付けテーブル１の中心において上昇した吸着パ
ッド１ａに受け渡される。その後、吸着パッド１ａが下
降して貼付けテーブル１上に半導体ウエハＷが載置され
る。また、貼付けテーブル１は、下面を粘着面として張
り掛けられた粘着テープＴの下方に位置している。
【００１４】図１（ｂ）に示すように、貼付けテーブル
１が上昇して粘着テープＴの下面に接近するとともに、
粘着テープＴの上方に配備されている貼付け機構２が下
降する。ここで、貼付けテーブル１および貼付け機構２
には接合・分離可能なフード３，４がそれぞれ備えられ
ており、接合されたフード内が減圧され、この減圧雰囲
気内で貼付けローラ５が粘着テープＴの上面に沿って転
動することで、半導体ウエハＷと粘着テープＴの間に空
気を巻き込むことなく粘着テープＴが半導体ウエハＷの
表面に貼付けられてゆく。この際、半導体ウエハＷは貼
付けテーブル１に内蔵されたヒータによって加熱され、
粘着テープＴの粘着剤とウエハ表面のレジストとの密着
が図られる。以上の動作によって、半導体ウエハＷの表
面への粘着テープ貼付け行程が終了する。
１が上昇して粘着テープＴの下面に接近するとともに、
粘着テープＴの上方に配備されている貼付け機構２が下
降する。ここで、貼付けテーブル１および貼付け機構２
には接合・分離可能なフード３，４がそれぞれ備えられ
ており、接合されたフード内が減圧され、この減圧雰囲
気内で貼付けローラ５が粘着テープＴの上面に沿って転
動することで、半導体ウエハＷと粘着テープＴの間に空
気を巻き込むことなく粘着テープＴが半導体ウエハＷの
表面に貼付けられてゆく。この際、半導体ウエハＷは貼
付けテーブル１に内蔵されたヒータによって加熱され、
粘着テープＴの粘着剤とウエハ表面のレジストとの密着
が図られる。以上の動作によって、半導体ウエハＷの表
面への粘着テープ貼付け行程が終了する。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、半導体ウ
エハＷを貼付けた粘着テープＴは剥離テーブル６上に移
行され、次いで、剥離テーブル６が上昇するとともに、
その上方で待機していた冷却盤７が下降して、半導体ウ
エハＷおよび貼付けた粘着テープＴを剥離テーブル６と
冷却盤７とで挟み込む。ここで、剥離テーブル６は、そ
の内部に熱電子冷却素子を利用した冷却部８が備えられ
ており、また、冷却盤７は、図３に示すように、その内
部に液体窒素あるいはその他の冷媒が流動する流路９が
装備されたものであり、半導体ウエハＷは上下面から急
激に冷却される。この急冷却によって半導体ウエハＷ上
のレジストパターンは収縮してクラックが発生し、半導
体ウエハＷとの密着度が低下する。
エハＷを貼付けた粘着テープＴは剥離テーブル６上に移
行され、次いで、剥離テーブル６が上昇するとともに、
その上方で待機していた冷却盤７が下降して、半導体ウ
エハＷおよび貼付けた粘着テープＴを剥離テーブル６と
冷却盤７とで挟み込む。ここで、剥離テーブル６は、そ
の内部に熱電子冷却素子を利用した冷却部８が備えられ
ており、また、冷却盤７は、図３に示すように、その内
部に液体窒素あるいはその他の冷媒が流動する流路９が
装備されたものであり、半導体ウエハＷは上下面から急
激に冷却される。この急冷却によって半導体ウエハＷ上
のレジストパターンは収縮してクラックが発生し、半導
体ウエハＷとの密着度が低下する。
【００１６】上記急冷却行程が終了すると、次に、図２
（ｄ）に示すように、冷却盤７が上昇退避するととも
に、剥離ローラ１０が前進移動して、粘着テープＴを半
導体ウエハＷの表面から剥離してゆき、これに伴って、
半導体ウエハＷ上のレジストパターンが粘着テープＴと
一体に剥離除去されてゆく。
（ｄ）に示すように、冷却盤７が上昇退避するととも
に、剥離ローラ１０が前進移動して、粘着テープＴを半
導体ウエハＷの表面から剥離してゆき、これに伴って、
半導体ウエハＷ上のレジストパターンが粘着テープＴと
一体に剥離除去されてゆく。
【００１７】急冷却工程では、半導体ウエハＷを、少な
くとも１５０°Ｃの温度差でもって急冷却するのが好ま
しい。さらに好ましくは１７０〜２００°Ｃの温度差で
急冷する。１５０°Ｃ未満の温度差であると、レジスト
パターンのクラックの発生度合いが少なくなり、レジス
トパターンの剥離効果が低下する。上記の急冷は短時間
で行うほど好ましいが、２〜３秒で急冷することによ
り、レジストパターンを十分に剥離することができる。
因みに、貼付けテーブル１上で粘着テープＴを貼付けた
半導体ウエハＷを１５０°Ｃに加熱した後、剥離テーブ
ル６上で−２０°Ｃまで急冷して剥離処理を行うとウエ
ハ表面の不要レジストを完全に除去することができた。
くとも１５０°Ｃの温度差でもって急冷却するのが好ま
しい。さらに好ましくは１７０〜２００°Ｃの温度差で
急冷する。１５０°Ｃ未満の温度差であると、レジスト
パターンのクラックの発生度合いが少なくなり、レジス
トパターンの剥離効果が低下する。上記の急冷は短時間
で行うほど好ましいが、２〜３秒で急冷することによ
り、レジストパターンを十分に剥離することができる。
因みに、貼付けテーブル１上で粘着テープＴを貼付けた
半導体ウエハＷを１５０°Ｃに加熱した後、剥離テーブ
ル６上で−２０°Ｃまで急冷して剥離処理を行うとウエ
ハ表面の不要レジストを完全に除去することができた。
【００１８】上記粘着テープ剥離行程が終了すると、次
に、図２（ｅ）に示すように、剥離テーブル６が下降す
るとともに、剥離テーブル６の中心に備えた吸着パッド
６ａが上昇して半導体ウエハＷをテーブル上に持ち上げ
浮上させ、図示しない搬送ロボットが処理の終わった半
導体ウエハＷを搬出する。また、この間に、貼付けテー
ブル１には新たに半導体ウエハＷが搬入され、以下、上
記動作を繰り返す。
に、図２（ｅ）に示すように、剥離テーブル６が下降す
るとともに、剥離テーブル６の中心に備えた吸着パッド
６ａが上昇して半導体ウエハＷをテーブル上に持ち上げ
浮上させ、図示しない搬送ロボットが処理の終わった半
導体ウエハＷを搬出する。また、この間に、貼付けテー
ブル１には新たに半導体ウエハＷが搬入され、以下、上
記動作を繰り返す。
【００１９】図４および図５に、本発明方法の第２例に
おける処理動作の説明図が示されており、以下、その処
理動作を図面に基づいて説明する。
おける処理動作の説明図が示されており、以下、その処
理動作を図面に基づいて説明する。
【００２０】図４（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ
は、レジストパターンが形成された表面を上面として、
図示しない搬送ロボットによって貼付けテーブル１上に
搬入され、貼付けテーブル１の中心において上昇した吸
着パッド１ａに受け渡される。その後、吸着パッド１ａ
が下降して貼付けテーブル１上に半導体ウエハＷが載置
される。また、貼付けテーブル１は、下面を粘着面とし
て張り掛けられた粘着テープＴの下方に位置している。
なお、ここで粘着テープＴは紫外線硬化型のものが使用
される。
は、レジストパターンが形成された表面を上面として、
図示しない搬送ロボットによって貼付けテーブル１上に
搬入され、貼付けテーブル１の中心において上昇した吸
着パッド１ａに受け渡される。その後、吸着パッド１ａ
が下降して貼付けテーブル１上に半導体ウエハＷが載置
される。また、貼付けテーブル１は、下面を粘着面とし
て張り掛けられた粘着テープＴの下方に位置している。
なお、ここで粘着テープＴは紫外線硬化型のものが使用
される。
【００２１】図４（ｂ）に示すように、貼付けテーブル
１が上昇して粘着テープＴの下面に接近するとともに、
粘着テープＴの上方に配備されている貼付け機構２が下
降する。ここで、貼付けテーブル１および貼付け機構２
には接合・分離可能なフード３，４がそれぞれ備えられ
ており、接合されたフード内が減圧され、この減圧雰囲
気内で貼付けローラ５が粘着テープＴの上面に沿って転
動することで、半導体ウエハＷと粘着テープＴの間に空
気を巻き込むことなく粘着テープＴが半導体ウエハＷの
表面に貼付けられてゆく。この際、半導体ウエハＷを貼
付けテーブル１に内蔵されたヒータによって加熱され、
粘着テープＴの粘着剤とウエハ表面のレジストとの密着
が図られる。以上の動作によって、半導体ウエハＷの表
面への粘着テープ貼付け行程が終了する。
１が上昇して粘着テープＴの下面に接近するとともに、
粘着テープＴの上方に配備されている貼付け機構２が下
降する。ここで、貼付けテーブル１および貼付け機構２
には接合・分離可能なフード３，４がそれぞれ備えられ
ており、接合されたフード内が減圧され、この減圧雰囲
気内で貼付けローラ５が粘着テープＴの上面に沿って転
動することで、半導体ウエハＷと粘着テープＴの間に空
気を巻き込むことなく粘着テープＴが半導体ウエハＷの
表面に貼付けられてゆく。この際、半導体ウエハＷを貼
付けテーブル１に内蔵されたヒータによって加熱され、
粘着テープＴの粘着剤とウエハ表面のレジストとの密着
が図られる。以上の動作によって、半導体ウエハＷの表
面への粘着テープ貼付け行程が終了する。
【００２２】図４（ｃ）に示すように、半導体ウエハＷ
を貼付けた粘着テープＴは剥離テーブル６上に移行さ
れ、次いで、剥離テーブル６が上昇して半導体ウエハＷ
を支持するとともに、その上方で待機していた紫外線照
射装置１１が下降して、粘着テープＴに紫外線を照射す
る。これによって、紫外線硬化型の粘着テープＴの粘着
剤が硬化して、レジストパターンとの密着強度が増大さ
れる。なお、紫外線照射装置１１には照射箇所を覆うフ
ード１２が備えられ、紫外線ランプ１３からの紫外線が
外部に漏洩するのが防止される。
を貼付けた粘着テープＴは剥離テーブル６上に移行さ
れ、次いで、剥離テーブル６が上昇して半導体ウエハＷ
を支持するとともに、その上方で待機していた紫外線照
射装置１１が下降して、粘着テープＴに紫外線を照射す
る。これによって、紫外線硬化型の粘着テープＴの粘着
剤が硬化して、レジストパターンとの密着強度が増大さ
れる。なお、紫外線照射装置１１には照射箇所を覆うフ
ード１２が備えられ、紫外線ランプ１３からの紫外線が
外部に漏洩するのが防止される。
【００２３】紫外線照射行程が終了すると、図５（ｄ）
に示すように、紫外線照射装置１１が上昇退避するとと
もに、その後に、別箇所で待機していた冷却盤７が下降
して、半導体ウエハＷおよび貼付けた粘着テープＴを剥
離テーブル６と冷却盤７とで挟み込む。ここで、先例と
同様に、剥離テーブル６は、その内部に熱電子冷却素子
を利用した冷却部８が備えられるとともに、冷却盤７
は、その内部に液体窒素あるいはその他の冷媒が流動す
る流路９が装備されたものであり、半導体ウエハＷは上
下面から急激に冷却される。この急冷却によって半導体
ウエハＷ上のレジストパターンは収縮してクラックが発
生し、半導体ウエハＷとの密着度が低下する。
に示すように、紫外線照射装置１１が上昇退避するとと
もに、その後に、別箇所で待機していた冷却盤７が下降
して、半導体ウエハＷおよび貼付けた粘着テープＴを剥
離テーブル６と冷却盤７とで挟み込む。ここで、先例と
同様に、剥離テーブル６は、その内部に熱電子冷却素子
を利用した冷却部８が備えられるとともに、冷却盤７
は、その内部に液体窒素あるいはその他の冷媒が流動す
る流路９が装備されたものであり、半導体ウエハＷは上
下面から急激に冷却される。この急冷却によって半導体
ウエハＷ上のレジストパターンは収縮してクラックが発
生し、半導体ウエハＷとの密着度が低下する。
【００２４】上記急冷却行程が終了すると、図５（ｅ）
に示すように、冷却盤７が待機位置に退避するととも
に、剥離ローラ１０が前進移動して、粘着テープＴを半
導体ウエハＷの表面から剥離してゆき、これに伴って、
半導体ウエハＷ上のレジストパターンが粘着テープＴと
一体に剥離除去されてゆく。
に示すように、冷却盤７が待機位置に退避するととも
に、剥離ローラ１０が前進移動して、粘着テープＴを半
導体ウエハＷの表面から剥離してゆき、これに伴って、
半導体ウエハＷ上のレジストパターンが粘着テープＴと
一体に剥離除去されてゆく。
【００２５】上記粘着テープ剥離行程が終了すると、次
に、図５（ｆ）に示すように、剥離テーブル６が下降す
るとともに、剥離テーブル６の中心に備えた吸着パッド
６ａが上昇して半導体ウエハＷをテーブル上に持ち上げ
浮上させ、図示しない搬送ロボットが処理の終わった半
導体ウエハＷを搬出する。また、この間に、貼付けテー
ブル１には新たに半導体ウエハＷが搬入され、以下、上
記動作を繰り返す。
に、図５（ｆ）に示すように、剥離テーブル６が下降す
るとともに、剥離テーブル６の中心に備えた吸着パッド
６ａが上昇して半導体ウエハＷをテーブル上に持ち上げ
浮上させ、図示しない搬送ロボットが処理の終わった半
導体ウエハＷを搬出する。また、この間に、貼付けテー
ブル１には新たに半導体ウエハＷが搬入され、以下、上
記動作を繰り返す。
【００２６】なお、本発明は、以下のような形態に変形
して実施することもできる。粘着テープＴを貼付けた半
導体ウエハＷを急冷却する手段は、上記各例に示した手
段に限られるものではなく、剥離テーブルのみ、あるい
は、冷却盤のみの接触で急冷却処理を行うことも可能で
ある。また、直接に接触冷却しなくても、液体窒素やド
ライアイスなどで冷却される雰囲気中に物品を置いて急
激に冷却するようにしてもよく、要は、粘着テープＴを
貼付けた半導体ウエハＷを短時間に大きい温度差で冷却
できればよい。
して実施することもできる。粘着テープＴを貼付けた半
導体ウエハＷを急冷却する手段は、上記各例に示した手
段に限られるものではなく、剥離テーブルのみ、あるい
は、冷却盤のみの接触で急冷却処理を行うことも可能で
ある。また、直接に接触冷却しなくても、液体窒素やド
ライアイスなどで冷却される雰囲気中に物品を置いて急
激に冷却するようにしてもよく、要は、粘着テープＴを
貼付けた半導体ウエハＷを短時間に大きい温度差で冷却
できればよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、次のような効果をもたらす。すなわち、請求
項１に記載の発明方法によれば、急冷却によってレジス
トパターンにクラックをもたらして物品表面との密着性
を低下させるので、微細な不要レジストパターンを簡単
確実に粘着テープと一体に剥離除去することができるよ
うになった。しかも、粘着テープを貼付けた状態でレジ
ストパターンにクラックを発生させるので、クラック発
生によって物品表面から遊離したレジストパターンが周
囲に拡散、あるいは飛散するようなことが未然に回避さ
れることになり、処理環境を汚染することがない。
によれば、次のような効果をもたらす。すなわち、請求
項１に記載の発明方法によれば、急冷却によってレジス
トパターンにクラックをもたらして物品表面との密着性
を低下させるので、微細な不要レジストパターンを簡単
確実に粘着テープと一体に剥離除去することができるよ
うになった。しかも、粘着テープを貼付けた状態でレジ
ストパターンにクラックを発生させるので、クラック発
生によって物品表面から遊離したレジストパターンが周
囲に拡散、あるいは飛散するようなことが未然に回避さ
れることになり、処理環境を汚染することがない。
【００２８】また、請求項２に記載の発明方法によれ
ば、レジストパターンと粘着テープの粘着剤との密着強
度を一層高めて、物品表面との密着性が低下した不要レ
ジストパターンを粘着テープと一体に剥離除去すること
ができる。
ば、レジストパターンと粘着テープの粘着剤との密着強
度を一層高めて、物品表面との密着性が低下した不要レ
ジストパターンを粘着テープと一体に剥離除去すること
ができる。
【００２９】特に、請求項３に記載の発明方法によれ
ば、レジストパターンのクラック発生をより効果的に行
わせることができ、請求項１または２に記載の発明方法
による上記効果を一層助長する。
ば、レジストパターンのクラック発生をより効果的に行
わせることができ、請求項１または２に記載の発明方法
による上記効果を一層助長する。
【図１】本発明方法の第１例における処理動作を示す説
明図である。
明図である。
【図２】本発明方法の第１例における引き続く処理動作
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】冷却手段の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明方法の第２例における処理動作を示す説
明図である。
明図である。
【図５】本発明方法の第２例における引き続く処理動作
を示す説明図である。
を示す説明図である。
Ｔ 粘着テープ Ｗ 物品（半導体ウエハ） １ 貼付けテーブル ２ 貼付け機構 ６ 剥離テーブル ７ 冷却盤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 繁寿 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 宮本 三郎 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 精機株式会社内 (72)発明者 松下 孝夫 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 精機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 レジストパターンで覆われた物品に粘着
テープを貼付ける粘着テープ貼付け行程と、粘着テープ
が貼付けられた物品を急激に冷却する急冷却行程と、冷
却後に粘着テープを物品から剥離する粘着テープ剥離行
程とを含むことを特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項２】 レジストパターンで覆われた物品に紫外
線硬化型の粘着テープを貼付ける粘着テープ貼付け行程
と、貼付けられた粘着テープに紫外線を照射する紫外線
照射行程と、紫外線照射後に粘着テープが貼付けられた
物品を急激に冷却する急冷却行程と、冷却後に粘着テー
プを物品から剥離する粘着テープ剥離行程とを含むこと
を特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項３】 前記急冷却行程が、物品を少なくとも１
５０°Ｃの温度差でもって急冷却するものである請求項
１または２記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331530A JPH11162805A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | レジスト除去方法 |
| US09/203,497 US6099675A (en) | 1997-12-02 | 1998-12-01 | Resist removing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331530A JPH11162805A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162805A true JPH11162805A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18244696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331530A Pending JPH11162805A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | レジスト除去方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6099675A (ja) |
| JP (1) | JPH11162805A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10223615A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Nitto Denko Corp | レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法 |
| JPH11176731A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Nitto Denko Corp | レジスト除去装置 |
| EP0971270B1 (en) | 1998-07-08 | 2003-03-19 | Nitto Denko Corporation | Process for the removal of resist material |
| DE102005056879A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Erzeugung einer Mehrzahl regelmäßig angeordneter Nanoverbindungen auf einem Substrat |
| CN106354195B (zh) * | 2015-07-17 | 2017-12-08 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种半导体设备用冷却盘装置 |
| US9685330B1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59174677A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 保護フイルムの剥離方法 |
| GB2157193B (en) * | 1984-04-10 | 1987-08-19 | Nitto Electric Ind Co | Process for peeling protective film off a thin article |
| JPH0691153B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1994-11-14 | 日東電工株式会社 | 保護フイルムの剥離方法 |
| US5466325A (en) * | 1993-06-02 | 1995-11-14 | Nitto Denko Corporation | Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method |
| EP0848415A1 (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-17 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer |
| JP3396357B2 (ja) * | 1995-11-16 | 2003-04-14 | 日東電工株式会社 | レジスト除去装置 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9331530A patent/JPH11162805A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-01 US US09/203,497 patent/US6099675A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6099675A (en) | 2000-08-08 |
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