JPH10223615A - レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法 - Google Patents
レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法Info
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- JPH10223615A JPH10223615A JP9027399A JP2739997A JPH10223615A JP H10223615 A JPH10223615 A JP H10223615A JP 9027399 A JP9027399 A JP 9027399A JP 2739997 A JP2739997 A JP 2739997A JP H10223615 A JPH10223615 A JP H10223615A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 側壁保護プロセスによるドライエツチング処
理後、不要となつたレジスト材と側壁保護膜とを一括し
て除去することにより、半導体などの製造工程の簡略化
を図ることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板２上に存在するレジストパタ
―ン３をマスクとして側壁保護プロセスによるドライエ
ツチング処理を施し、その後不要となつたレジスト材３
とパタ―ン側壁２２に堆積した側壁保護膜４を除去する
にあたり、上記基板２上に粘着シ―ト類１を貼り付け、
加熱加圧によりパタ―ン側壁４の部分にまで粘着剤１１
を密着させたのち、この粘着シ―ト類１とレジスト材３
および側壁保護膜４とを一体に剥離除去する。
理後、不要となつたレジスト材と側壁保護膜とを一括し
て除去することにより、半導体などの製造工程の簡略化
を図ることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板２上に存在するレジストパタ
―ン３をマスクとして側壁保護プロセスによるドライエ
ツチング処理を施し、その後不要となつたレジスト材３
とパタ―ン側壁２２に堆積した側壁保護膜４を除去する
にあたり、上記基板２上に粘着シ―ト類１を貼り付け、
加熱加圧によりパタ―ン側壁４の部分にまで粘着剤１１
を密着させたのち、この粘着シ―ト類１とレジスト材３
および側壁保護膜４とを一体に剥離除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの製
造における微細パタ―ンを形成する工程において、半導
体ウエハなどの物品上の不要となつたレジスト材とドラ
イエツチング処理時にパタ―ン側壁に堆積した側壁保護
膜とを除去する方法に関する。
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの製
造における微細パタ―ンを形成する工程において、半導
体ウエハなどの物品上の不要となつたレジスト材とドラ
イエツチング処理時にパタ―ン側壁に堆積した側壁保護
膜とを除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程では、たとえば、シリ
コンウエハ上にレジストパタ―ンを形成し、これをマス
クとして不純物イオンの注入、ドライエツチングなどの
処理を施したのち、不要となつたレジスト材を通常はア
ツシヤ―（炭化処理装置）により除去して、回路素子や
配線を形成するようにしている。
コンウエハ上にレジストパタ―ンを形成し、これをマス
クとして不純物イオンの注入、ドライエツチングなどの
処理を施したのち、不要となつたレジスト材を通常はア
ツシヤ―（炭化処理装置）により除去して、回路素子や
配線を形成するようにしている。
【０００３】上記のドライエツチツグ処理は、エツチン
グの異方性を得るため、側壁保護プロセスが好ましく採
用される。これは、半導体基板などの物品をレジストパ
タ―ンをマスクとして、イオン化したエツチングガスに
てエツチングするにあたり、ポリマ―形成用ガスを添加
して、パタ―ン側壁にポリマ―保護膜を堆積させ、この
側壁保護膜にてパタ―ン側壁へのラジカルの侵入を防い
で、サイドエツチングのない異方性エツチングを行うも
のである（図４参照）。
グの異方性を得るため、側壁保護プロセスが好ましく採
用される。これは、半導体基板などの物品をレジストパ
タ―ンをマスクとして、イオン化したエツチングガスに
てエツチングするにあたり、ポリマ―形成用ガスを添加
して、パタ―ン側壁にポリマ―保護膜を堆積させ、この
側壁保護膜にてパタ―ン側壁へのラジカルの侵入を防い
で、サイドエツチングのない異方性エツチングを行うも
のである（図４参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このような
側壁保護プロセスによると、エツチング処理後アツシヤ
―によりレジスト材を除去する工程において、上記の側
壁保護膜を一緒に除去することができず、上記工程後に
側壁保護膜を除去するための洗浄工程を別途付加する必
要があり、製造工程上の不利を免れなかつた。
側壁保護プロセスによると、エツチング処理後アツシヤ
―によりレジスト材を除去する工程において、上記の側
壁保護膜を一緒に除去することができず、上記工程後に
側壁保護膜を除去するための洗浄工程を別途付加する必
要があり、製造工程上の不利を免れなかつた。
【０００５】本発明は、上記の事情に照らし、側壁保護
プロセスによるドライエツチング処理後、不要となつた
レジスト材と側壁保護膜とを一括して除去することによ
り、半導体などの製造工程の簡略化を図ることを目的と
する。
プロセスによるドライエツチング処理後、不要となつた
レジスト材と側壁保護膜とを一括して除去することによ
り、半導体などの製造工程の簡略化を図ることを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、鋭意検討した結果、側壁保護プロセスによ
るドライエツチング処理後、物品上に粘着シ―ト類を貼
り付けて、このシ―ト類を剥離操作する方法により、レ
ジスト材と側壁保護膜とを一括して剥離除去できること
を知り、本発明を完成するに至つた。
的に対して、鋭意検討した結果、側壁保護プロセスによ
るドライエツチング処理後、物品上に粘着シ―ト類を貼
り付けて、このシ―ト類を剥離操作する方法により、レ
ジスト材と側壁保護膜とを一括して剥離除去できること
を知り、本発明を完成するに至つた。
【０００７】すなわち、本発明は、物品上に存在するレ
ジストパタ―ンをマスクとして側壁保護プロセスによる
ドライエツチング処理を施し、その後不要となつたレジ
スト材とパタ―ン側壁に堆積した側壁保護膜を除去する
にあたり、上記物品上にシ―ト状やテ―プ状などの形態
とした粘着シ―ト類を貼り付け、加熱加圧によりパタ―
ン側壁部分にまで粘着剤を密着させたのち、この粘着シ
―ト類とレジスト材および側壁保護膜とを一体に剥離除
去することを特徴とするレジスト材と側壁保護膜との一
括除去方法に係るものである。
ジストパタ―ンをマスクとして側壁保護プロセスによる
ドライエツチング処理を施し、その後不要となつたレジ
スト材とパタ―ン側壁に堆積した側壁保護膜を除去する
にあたり、上記物品上にシ―ト状やテ―プ状などの形態
とした粘着シ―ト類を貼り付け、加熱加圧によりパタ―
ン側壁部分にまで粘着剤を密着させたのち、この粘着シ
―ト類とレジスト材および側壁保護膜とを一体に剥離除
去することを特徴とするレジスト材と側壁保護膜との一
括除去方法に係るものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図４を参考にして説明する。図１は、本発明に使用
する粘着シ―ト類の構成を示したものである。図１にお
いて、粘着シ―ト類１は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレ―トなどのプラスチツクか
らなる厚さが通常１０〜１００μｍのフイルム基材１０
上に、厚さが通常１０〜２００μｍの粘着剤層１１を設
けて、シ―ト状やテ―プ状の形態としたものである。上
記の粘着剤層２は非硬化型であつても、熱または紫外線
などの活性エネルギ―により硬化する硬化型であつても
よいが、好ましくは紫外線硬化型であるのがよい。
１〜図４を参考にして説明する。図１は、本発明に使用
する粘着シ―ト類の構成を示したものである。図１にお
いて、粘着シ―ト類１は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレ―トなどのプラスチツクか
らなる厚さが通常１０〜１００μｍのフイルム基材１０
上に、厚さが通常１０〜２００μｍの粘着剤層１１を設
けて、シ―ト状やテ―プ状の形態としたものである。上
記の粘着剤層２は非硬化型であつても、熱または紫外線
などの活性エネルギ―により硬化する硬化型であつても
よいが、好ましくは紫外線硬化型であるのがよい。
【０００９】紫外線硬化型の粘着剤としては、アクリル
系ポリマ―を粘着性ポリマ―とし、これに分子内に重合
性炭素−炭素二重結合を１個以上有する分子量が通常１
０，０００以下の不揮発性低分子量体（以下、硬化性化
合物という）および光重合開始剤を配合し、また必要に
より架橋剤としてポリイソシアネ―ト、ポリエポキシ、
各種金属塩、キレ―ト化合物などの多官能性化合物や、
微粉シリカなどの充てん剤、粘着付与樹脂、着色剤、老
化防止剤、重合禁止剤などの各種添加剤を配合してなる
ものが、好ましく用いられる。粘着力は、たとえば、シ
リコンウエハに対する１８０度剥離接着力として、紫外
線硬化前では１５０ｇ／１０mm幅以上（通常２００〜
１，０００ｇ／１０mm幅）、紫外線硬化後では１５０ｇ
／１０mm幅未満（通常１０〜１００ｇ／１０mm幅）であ
るのがよい。
系ポリマ―を粘着性ポリマ―とし、これに分子内に重合
性炭素−炭素二重結合を１個以上有する分子量が通常１
０，０００以下の不揮発性低分子量体（以下、硬化性化
合物という）および光重合開始剤を配合し、また必要に
より架橋剤としてポリイソシアネ―ト、ポリエポキシ、
各種金属塩、キレ―ト化合物などの多官能性化合物や、
微粉シリカなどの充てん剤、粘着付与樹脂、着色剤、老
化防止剤、重合禁止剤などの各種添加剤を配合してなる
ものが、好ましく用いられる。粘着力は、たとえば、シ
リコンウエハに対する１８０度剥離接着力として、紫外
線硬化前では１５０ｇ／１０mm幅以上（通常２００〜
１，０００ｇ／１０mm幅）、紫外線硬化後では１５０ｇ
／１０mm幅未満（通常１０〜１００ｇ／１０mm幅）であ
るのがよい。
【００１０】アクリル系ポリマ―としては、（メタ）ア
クリル酸アルキルエステルの単独重合体、上記モノマ―
とカルボキシル基または水酸基含有モノマ―やその他の
改質用モノマ―との共重合体などからなる、重量平均分
子量が通常３０万〜２００万のものが好ましい。硬化性
化合物には、たとえば、トリメチロ―ルプロパントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタンテトラ
（メタ）アクリレ―ト、オリゴエステル（メタ）アクリ
レ―ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―な
どがある。光重合開始剤には、たとえば、ベンゾイン、
ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピル
ベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケト
ンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジ
メチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタ―
ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフエニルケトンなどが挙げられる。
クリル酸アルキルエステルの単独重合体、上記モノマ―
とカルボキシル基または水酸基含有モノマ―やその他の
改質用モノマ―との共重合体などからなる、重量平均分
子量が通常３０万〜２００万のものが好ましい。硬化性
化合物には、たとえば、トリメチロ―ルプロパントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタンテトラ
（メタ）アクリレ―ト、オリゴエステル（メタ）アクリ
レ―ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―な
どがある。光重合開始剤には、たとえば、ベンゾイン、
ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピル
ベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケト
ンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジ
メチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタ―
ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフエニルケトンなどが挙げられる。
【００１１】図２は、上記構成の粘着シ―ト類を用い
て、半導体基板などの物品上に存在するレジスト材およ
び側壁保護膜を剥離除去する方法を示したものである。
また、図３は、上記図２のIII 部分を拡大して示したも
のである。
て、半導体基板などの物品上に存在するレジスト材およ
び側壁保護膜を剥離除去する方法を示したものである。
また、図３は、上記図２のIII 部分を拡大して示したも
のである。
【００１２】ここで、上記のレジスト材は、たとえば、
図４に示すように、シリコンウエハ２０上に配線用金属
薄膜２１を設けた半導体基板２の全面に塗布されて、通
常のフオトプロセスにより、所定のレジストパタ―ン
（レジスト膜画像）３として、形成されたものである。
また、上記の側壁保護膜は、上記のレジストパタ―ン３
をマスクとして、上記金属薄膜２１に対して側壁保護プ
ロセスによるドライエツチング処理を施して所望の配線
回路を形成する工程において、パタ―ン側壁２２にポリ
マ―保護膜４として堆積されたものである。
図４に示すように、シリコンウエハ２０上に配線用金属
薄膜２１を設けた半導体基板２の全面に塗布されて、通
常のフオトプロセスにより、所定のレジストパタ―ン
（レジスト膜画像）３として、形成されたものである。
また、上記の側壁保護膜は、上記のレジストパタ―ン３
をマスクとして、上記金属薄膜２１に対して側壁保護プ
ロセスによるドライエツチング処理を施して所望の配線
回路を形成する工程において、パタ―ン側壁２２にポリ
マ―保護膜４として堆積されたものである。
【００１３】この側壁保護膜４は、イオン化したエツチ
ングガス５により金属薄膜２１をドライエツチングする
際に、側壁２２へのラジカルの侵入を防いで、サイドエ
ツチングのない異方性エツチングを可能とする。なお、
このような保護膜４を形成するため、通常はエツチング
ガス中にポリマ―形成用ガスを添加しておくが、場合に
よりフオトレジストなどの被エンチング材料そのものか
らポリマ―形成用ガスを解離生成させることもある。こ
のような側壁保護プロセスの組み立ては、一般に、イオ
ンのエネルギ―とブラズマ形成を独立に制御できるマイ
クロ波プラズマエツチングを採用して行うのが好まし
い。なお、エツチングの処理操作自体は、従来公知の方
法に準じて行えるものである。
ングガス５により金属薄膜２１をドライエツチングする
際に、側壁２２へのラジカルの侵入を防いで、サイドエ
ツチングのない異方性エツチングを可能とする。なお、
このような保護膜４を形成するため、通常はエツチング
ガス中にポリマ―形成用ガスを添加しておくが、場合に
よりフオトレジストなどの被エンチング材料そのものか
らポリマ―形成用ガスを解離生成させることもある。こ
のような側壁保護プロセスの組み立ては、一般に、イオ
ンのエネルギ―とブラズマ形成を独立に制御できるマイ
クロ波プラズマエツチングを採用して行うのが好まし
い。なお、エツチングの処理操作自体は、従来公知の方
法に準じて行えるものである。
【００１４】本発明では、まず、図２および図３に示す
ように、半導体基板２上に粘着シ―ト類１を貼り付け
る。その際、粘着剤層１１が可塑化してパタ―ン側壁２
２の部分にまで十分に密着するように、加熱加圧する。
このときの条件は、レジストパタ―ン３の付着状況や粘
着剤の種類などに応じて、適宜決定できるが、一般に、
指圧からロ―ル圧までの広い条件下で、接着剤の硬化や
側面へのはみ出しが起こらない、通常２０〜１５０℃の
温度を選ぶのがよい。
ように、半導体基板２上に粘着シ―ト類１を貼り付け
る。その際、粘着剤層１１が可塑化してパタ―ン側壁２
２の部分にまで十分に密着するように、加熱加圧する。
このときの条件は、レジストパタ―ン３の付着状況や粘
着剤の種類などに応じて、適宜決定できるが、一般に、
指圧からロ―ル圧までの広い条件下で、接着剤の硬化や
側面へのはみ出しが起こらない、通常２０〜１５０℃の
温度を選ぶのがよい。
【００１５】このような貼り付け処理後、紫外線硬化型
の粘着シ―ト類ではこれに紫外線を照射して硬化させた
のち、この粘着シ―ト類１を、図２中、矢印方向イに剥
離操作する。この操作により、半導体基板２上のレジス
ト材（レジストパタ―ン）３とさらにパタ―ン側壁２２
の側壁保護膜４は、粘着シ―ト類１と一体となつて剥離
除去される。このように、粘着シ―ト類１の剥離操作に
て、レジスト材と側壁保護膜とを一括して除去できる結
果、この操作後に、従来のような洗浄工程を付加する必
要がなく、工程の大幅な簡素化が達成される。
の粘着シ―ト類ではこれに紫外線を照射して硬化させた
のち、この粘着シ―ト類１を、図２中、矢印方向イに剥
離操作する。この操作により、半導体基板２上のレジス
ト材（レジストパタ―ン）３とさらにパタ―ン側壁２２
の側壁保護膜４は、粘着シ―ト類１と一体となつて剥離
除去される。このように、粘着シ―ト類１の剥離操作に
て、レジスト材と側壁保護膜とを一括して除去できる結
果、この操作後に、従来のような洗浄工程を付加する必
要がなく、工程の大幅な簡素化が達成される。
【００１６】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。
【００１７】参考例１ 表面に配線用多層金属薄膜を形成したシリコンウエハ上
に、クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物
のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチ
ルからなるポリ型フオトレジストを塗布し、加熱、露光
および現像を行い、レジストパタ―ンを形成した。その
後、このレジストパタ―ンをマスクとして、側壁保護プ
ロセスによるドライエツチング処理を施すことにより、
所望の金属配線パタ―ンを形成した。
に、クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物
のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチ
ルからなるポリ型フオトレジストを塗布し、加熱、露光
および現像を行い、レジストパタ―ンを形成した。その
後、このレジストパタ―ンをマスクとして、側壁保護プ
ロセスによるドライエツチング処理を施すことにより、
所望の金属配線パタ―ンを形成した。
【００１８】実施例１ アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリル酸エチル１５
部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を
用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が５６万のアクリル系ポリマ―の溶
液Ａを得た。
部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を
用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が５６万のアクリル系ポリマ―の溶
液Ａを得た。
【００１９】この溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００
部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ル
ジアクリレ―ト１０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサ
アクリレ―ト１０部、トリメチロ―ルプロパントリアク
リレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタ
ンジイソシアネ―ト３部、光重合開始剤としてα−ヒド
ロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部を、均一に混
合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製した。
部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ル
ジアクリレ―ト１０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサ
アクリレ―ト１０部、トリメチロ―ルプロパントリアク
リレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタ
ンジイソシアネ―ト３部、光重合開始剤としてα−ヒド
ロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部を、均一に混
合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製した。
【００２０】この紫外線硬化型の粘着剤溶液を、厚さが
５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥後の厚さが
４５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分乾燥し
て、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘着シ
―トの紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８０度
剥離接着力は２３５ｇ／１０mm幅であり、また紫外線硬
化後の同剥離接着力は１３ｇ／１０mm幅であつた。
５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥後の厚さが
４５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分乾燥し
て、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘着シ
―トの紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８０度
剥離接着力は２３５ｇ／１０mm幅であり、また紫外線硬
化後の同剥離接着力は１３ｇ／１０mm幅であつた。
【００２１】つぎに、参考例１の方法により金属配線パ
タ―ンを形成してなる、レジスト材（レジストパタ―
ン）および側壁保護膜が存在するシリコンウエハに、上
記の紫外線硬化型の粘着シ―トを、１３０℃の加熱板上
で圧着して貼り付けた。その後高圧水銀ランプにより、
紫外線を１，０００ｍｊ／cm2 の照射量で照射して、硬
化処理した。この硬化処理後、粘着シ―トを剥離操作し
たところ、レジスト材と側壁保護膜は、粘着シ―トと一
体に剥離除去された。
タ―ンを形成してなる、レジスト材（レジストパタ―
ン）および側壁保護膜が存在するシリコンウエハに、上
記の紫外線硬化型の粘着シ―トを、１３０℃の加熱板上
で圧着して貼り付けた。その後高圧水銀ランプにより、
紫外線を１，０００ｍｊ／cm2 の照射量で照射して、硬
化処理した。この硬化処理後、粘着シ―トを剥離操作し
たところ、レジスト材と側壁保護膜は、粘着シ―トと一
体に剥離除去された。
【００２２】上記の剥離操作後に、シリコンウエハの表
面を蛍光顕微鏡、断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で
観察した結果、レジスト材とともに側壁保護膜がきれい
に除去されていることを確認できた。なお、上記の実施
例１において、粘着シ―トのシリコンウエハへの貼り付
けを９０℃で行つたところ、この場合も側壁保護膜の一
括除去は可能であつたが、ウエハ断面のＳＥＭ観察か
ら、側壁保護膜がごく一部取り残されている箇所があ
り、完全な剥離除去のためには、実施例１のように貼り
付け温度をより高くした方が望ましいことがわかつた。
面を蛍光顕微鏡、断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で
観察した結果、レジスト材とともに側壁保護膜がきれい
に除去されていることを確認できた。なお、上記の実施
例１において、粘着シ―トのシリコンウエハへの貼り付
けを９０℃で行つたところ、この場合も側壁保護膜の一
括除去は可能であつたが、ウエハ断面のＳＥＭ観察か
ら、側壁保護膜がごく一部取り残されている箇所があ
り、完全な剥離除去のためには、実施例１のように貼り
付け温度をより高くした方が望ましいことがわかつた。
【００２３】実施例２ 実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリ
ル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリ
エチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、トリメチロ
―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物
としてトリレンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤とし
てα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部
を、均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製
した。
ル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリ
エチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、トリメチロ
―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物
としてトリレンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤とし
てα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部
を、均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製
した。
【００２４】この粘着剤溶液を用いて、実施例１と同様
にして、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘
着シ―トの紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８
０度剥離接着力は５３８ｇ／１０mm幅、紫外線硬化後の
同剥離接着力は１２ｇ／１０mm幅であつた。つぎに、こ
の紫外線硬化型の粘着シ―トを用いて、実施例１と同様
にして、レジスト材および側壁保護膜の剥離除去を試み
たところ、レジスト材および側壁保護膜は、この粘着シ
―トと一体に剥離除去された。シリコンウエハの表面を
蛍光顕微鏡、断面をＳＥＭで観察した結果、レジスト材
とともに側壁保護膜がきれいに除去されていることを確
認できた。
にして、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘
着シ―トの紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８
０度剥離接着力は５３８ｇ／１０mm幅、紫外線硬化後の
同剥離接着力は１２ｇ／１０mm幅であつた。つぎに、こ
の紫外線硬化型の粘着シ―トを用いて、実施例１と同様
にして、レジスト材および側壁保護膜の剥離除去を試み
たところ、レジスト材および側壁保護膜は、この粘着シ
―トと一体に剥離除去された。シリコンウエハの表面を
蛍光顕微鏡、断面をＳＥＭで観察した結果、レジスト材
とともに側壁保護膜がきれいに除去されていることを確
認できた。
【００２５】比較例１ 参考例１の方法により金属配線パタ―ンを形成してな
る、レジスト材（レジストパタ―ン）および側壁保護膜
が存在するシリコンウエハに対して、酸素プラズマによ
るアツシング処理を行つた。ウエハ表面を蛍光顕微鏡、
断面をＳＥＭ観察したところ、レジスト材が除去されて
いることは確認できたが、側壁保護膜は残存しており、
この保護膜の一括除去は困難であることが判明した。
る、レジスト材（レジストパタ―ン）および側壁保護膜
が存在するシリコンウエハに対して、酸素プラズマによ
るアツシング処理を行つた。ウエハ表面を蛍光顕微鏡、
断面をＳＥＭ観察したところ、レジスト材が除去されて
いることは確認できたが、側壁保護膜は残存しており、
この保護膜の一括除去は困難であることが判明した。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明は、物品上に存在
するレジストパタ―ンをマスクとして側壁保護プロセス
によるドライエツチング処理後、上記物品上に粘着シ―
ト類を貼り付けて、このシ―ト類を剥離操作する方法に
より、不要となつたレジスト材と側壁保護膜とを一括し
て除去することができることから、半導体などの製造工
程の簡略化を図れるという効果が奏される。
するレジストパタ―ンをマスクとして側壁保護プロセス
によるドライエツチング処理後、上記物品上に粘着シ―
ト類を貼り付けて、このシ―ト類を剥離操作する方法に
より、不要となつたレジスト材と側壁保護膜とを一括し
て除去することができることから、半導体などの製造工
程の簡略化を図れるという効果が奏される。
【図１】本発明に使用する粘着シ―ト類の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のレジスト材と側壁保護膜との一括除去
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図３】図２のIII 部分を拡大して示す断面図である。
【図４】レジストパタ―ンをマスクとして側壁保護プロ
セスによるドライエツチング処理を施している状態を示
す断面図である。
セスによるドライエツチング処理を施している状態を示
す断面図である。
１ 粘着シ―ト類 １０ フイルム基材 １１ 粘着剤層 ２ 半導体基板 ２０ シリコンウエハ ２１ 配線用金属薄膜 ２２ パタ―ン側壁 ３ レジストパタ―ン（レジスト材） ４ 側壁保護膜 ５ エツチング用ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 浩一 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 白井 精一郎 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (1)
- 【請求項１】 物品上に存在するレジストパタ―ンをマ
スクとして側壁保護プロセスによるドライエツチング処
理を施し、その後不要となつたレジスト材とパタ―ン側
壁に堆積した側壁保護膜を除去するにあたり、上記物品
上に粘着シ―ト類を貼り付け、加熱加圧によりパタ―ン
側壁部分にまで粘着剤を密着させたのち、この粘着シ―
ト類とレジスト材および側壁保護膜とを一体に剥離除去
することを特徴とするレジスト材と側壁保護膜との一括
除去方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9027399A JPH10223615A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法 |
| US09/367,099 US6436220B1 (en) | 1997-02-12 | 1998-02-06 | Process for the collective removal of resist material and side wall protective film |
| DE69817351T DE69817351T2 (de) | 1997-02-12 | 1998-02-06 | Einstufiges verfahren zur entfernung von einem photoresistmuster und einer seitenwand |
| ES98901544T ES2205440T3 (es) | 1997-02-12 | 1998-02-06 | Procedimiento para la retirada en una sola operacion de un elemento resistente y una capa protectora de pared lateral. |
| PCT/JP1998/000509 WO1998036445A1 (fr) | 1997-02-12 | 1998-02-06 | Procede pour retirer en une seule operation un element de resist et une couche de protection de paroi laterale |
| EP98901544A EP0989465B1 (en) | 1997-02-12 | 1998-02-06 | Method for one-shot removal of resist member and sidewall protection layer |
| KR10-1999-7007305A KR100460166B1 (ko) | 1997-02-12 | 1998-02-06 | 레지스트재 및 측벽 보호막의 일괄 제거 방법 |
| TW087101910A TW370679B (en) | 1997-02-12 | 1998-02-12 | Method for removing both anti-etching materials and sidewall protection films |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9027399A JPH10223615A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223615A true JPH10223615A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12219994
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9027399A Pending JPH10223615A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6436220B1 (ja) |
| EP (1) | EP0989465B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10223615A (ja) |
| KR (1) | KR100460166B1 (ja) |
| DE (1) | DE69817351T2 (ja) |
| ES (1) | ES2205440T3 (ja) |
| TW (1) | TW370679B (ja) |
| WO (1) | WO1998036445A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001076871A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-23 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
| TWI457238B (zh) * | 2011-11-15 | 2014-10-21 | Himax Tech Ltd | 晶圓級光學透鏡模組之保護膜除去方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474650A (en) * | 1991-04-04 | 1995-12-12 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for dry etching |
| US5466325A (en) * | 1993-06-02 | 1995-11-14 | Nitto Denko Corporation | Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method |
| JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
| JPH088153A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Nitto Denko Corp | レジスト除去方法およびその装置 |
| JP3590672B2 (ja) * | 1994-12-29 | 2004-11-17 | 日東電工株式会社 | レジスト膜画像の除去方法 |
| JPH0916082A (ja) | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Nitto Denko Corp | パターン形成用シート及びそのラベル |
| JP3581190B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2004-10-27 | 日東電工株式会社 | レジスト剥離用接着シ―ト類と剥離方法 |
| JPH08305042A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Nitto Denko Corp | レジストの除去方法 |
| US6126772A (en) * | 1995-06-15 | 2000-10-03 | Nitto Denko Corporation | Method for resist removal, and adhesive or adhesive sheet for use in the same |
| JP3590673B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2004-11-17 | 日東電工株式会社 | レジスト膜画像の除去方法 |
| JP3396357B2 (ja) * | 1995-11-16 | 2003-04-14 | 日東電工株式会社 | レジスト除去装置 |
| JP3028927B2 (ja) * | 1996-02-16 | 2000-04-04 | 日本電気株式会社 | 高融点金属膜のドライエッチング方法 |
| US5895740A (en) * | 1996-11-13 | 1999-04-20 | Vanguard International Semiconductor Corp. | Method of forming contact holes of reduced dimensions by using in-situ formed polymeric sidewall spacers |
| JPH10247321A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-14 | Nitto Denko Corp | スタンパ―の製造方法 |
| JPH11162805A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Nitto Denko Corp | レジスト除去方法 |
-
1997
- 1997-02-12 JP JP9027399A patent/JPH10223615A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-06 DE DE69817351T patent/DE69817351T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-06 ES ES98901544T patent/ES2205440T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-06 KR KR10-1999-7007305A patent/KR100460166B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-02-06 EP EP98901544A patent/EP0989465B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-06 US US09/367,099 patent/US6436220B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-06 WO PCT/JP1998/000509 patent/WO1998036445A1/ja active IP Right Grant
- 1998-02-12 TW TW087101910A patent/TW370679B/zh active
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| DE69817351T2 (de) | 2004-04-08 |
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| EP0989465A1 (en) | 2000-03-29 |
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