JPH108267A - レジスト膜画像の除去方法とレジスト除去用接着材料 - Google Patents
レジスト膜画像の除去方法とレジスト除去用接着材料Info
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- JPH108267A JPH108267A JP8166980A JP16698096A JPH108267A JP H108267 A JPH108267 A JP H108267A JP 8166980 A JP8166980 A JP 8166980A JP 16698096 A JP16698096 A JP 16698096A JP H108267 A JPH108267 A JP H108267A
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 物品上のレジスト膜画像をそのサイズに左右
されることなく確実に除去する、とくに微小サイズのレ
ジスト膜画像を高い除去率で除去する。 【解決手段】 レジスト膜画像が存在する物品上に接着
剤層を設け、この接着剤層が硬化型であるときはこれを
硬化させたのち、この接着剤層とレジスト材とを物品上
から一体に剥離するにあたり、接着剤層として重量平均
分子量１万〜２００万の接着性ポリマ―を用いて、１ブ
ロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、面積１００mm2 以下
となる微小サイズのレジスト膜画像を９５％以上、通常
１００％またはこれに近い値となる高い除去率で除去す
る。
されることなく確実に除去する、とくに微小サイズのレ
ジスト膜画像を高い除去率で除去する。 【解決手段】 レジスト膜画像が存在する物品上に接着
剤層を設け、この接着剤層が硬化型であるときはこれを
硬化させたのち、この接着剤層とレジスト材とを物品上
から一体に剥離するにあたり、接着剤層として重量平均
分子量１万〜２００万の接着性ポリマ―を用いて、１ブ
ロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、面積１００mm2 以下
となる微小サイズのレジスト膜画像を９５％以上、通常
１００％またはこれに近い値となる高い除去率で除去す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種のプリント基板、各種のマスク、リ―ドフレ―ムなど
の微細加工部分の製造に際し、半導体ウエハなどの物品
上の不要となつたレジスト膜画像を除去する方法と、こ
れに用いる接着材料に関する。
種のプリント基板、各種のマスク、リ―ドフレ―ムなど
の微細加工部分の製造に際し、半導体ウエハなどの物品
上の不要となつたレジスト膜画像を除去する方法と、こ
れに用いる接着材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のデバイス製造では、ウエハ上に
レジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスにてレジス
トパタ―ンからなる画像、つまりレジスト膜画像を形成
し、これをマスクとしてエツチングしたのち、不要とな
つたレジスト膜画像を除去して回路を形成する。つぎの
回路を形成するため、再度レジスト材を塗布し、画像形
成−エツチング−レジスト膜画像の除去というサイクル
が繰り返し行われる。各種の基板に回路を形成する場合
でも、上記と同様に、レジスト膜画像の形成後、不要と
なつたレジスト膜画像を除去する。
レジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスにてレジス
トパタ―ンからなる画像、つまりレジスト膜画像を形成
し、これをマスクとしてエツチングしたのち、不要とな
つたレジスト膜画像を除去して回路を形成する。つぎの
回路を形成するため、再度レジスト材を塗布し、画像形
成−エツチング−レジスト膜画像の除去というサイクル
が繰り返し行われる。各種の基板に回路を形成する場合
でも、上記と同様に、レジスト膜画像の形成後、不要と
なつたレジスト膜画像を除去する。
【０００３】ここで、不要となつたレジスト膜画像の除
去は、アツシヤ―（灰化手段）や、溶剤（剥離液）など
で行われるのが一般的である。しかしながら、レジスト
膜画像の除去にアツシヤ―を用いると、作業に長時間を
要したり、レジスト材中の不純物イオンがウエハに注入
されるおそれがあり、好ましくない。また、溶剤を用い
ると、作業環境を害するという問題があつた。
去は、アツシヤ―（灰化手段）や、溶剤（剥離液）など
で行われるのが一般的である。しかしながら、レジスト
膜画像の除去にアツシヤ―を用いると、作業に長時間を
要したり、レジスト材中の不純物イオンがウエハに注入
されるおそれがあり、好ましくない。また、溶剤を用い
ると、作業環境を害するという問題があつた。
【０００４】このため、本件出願人は、特開平４−３４
５０１５号、同５−２７５３２４号などの公報に開示の
ように、レジスト膜画像の除去に、シ―ト状やテ―プ状
などの接着シ―ト類を用い、これをレジスト膜画像の上
面に貼り付けたのち、レジスト材と一体に剥離するとい
う方法を提案している。この方法は、レジスト材中の不
純物イオンがウエハに注入されたり、作業環境を害する
という問題がなく、簡単かつ確実な除去方法として、そ
の実用化が期待されている。
５０１５号、同５−２７５３２４号などの公報に開示の
ように、レジスト膜画像の除去に、シ―ト状やテ―プ状
などの接着シ―ト類を用い、これをレジスト膜画像の上
面に貼り付けたのち、レジスト材と一体に剥離するとい
う方法を提案している。この方法は、レジスト材中の不
純物イオンがウエハに注入されたり、作業環境を害する
という問題がなく、簡単かつ確実な除去方法として、そ
の実用化が期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな接着シ―ト類による方法では、除去対象であるレジ
スト膜画像のサイズに制約があり、１ブロツクの大きさ
が厚さ５μｍ以下、面積１００mm2 以下となる微小サイ
ズの多数個のレジスト膜画像を除去する場合に、完全に
除去しきれず、未除去部分を生じることがあつた。
うな接着シ―ト類による方法では、除去対象であるレジ
スト膜画像のサイズに制約があり、１ブロツクの大きさ
が厚さ５μｍ以下、面積１００mm2 以下となる微小サイ
ズの多数個のレジスト膜画像を除去する場合に、完全に
除去しきれず、未除去部分を生じることがあつた。
【０００６】本発明は、このような事情に照らし、物品
上のレジスト膜画像をそのサイズに左右されることなく
確実に除去する、とくに微小サイズのレジスト膜画像を
高い除去率で除去することを目的としている。
上のレジスト膜画像をそのサイズに左右されることなく
確実に除去する、とくに微小サイズのレジスト膜画像を
高い除去率で除去することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着シ―ト類な
どの接着剤層を構成させる接着性ポリマ―として特定の
分子量を有するものを用いたときに、この接着剤層がレ
ジスト膜画像の表面の凹凸に良好に追従して、上記画像
の除去性に好結果を与え、画像サイズに左右されること
なく、確実に除去できることを見い出し、本発明を完成
するに至つた。
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着シ―ト類な
どの接着剤層を構成させる接着性ポリマ―として特定の
分子量を有するものを用いたときに、この接着剤層がレ
ジスト膜画像の表面の凹凸に良好に追従して、上記画像
の除去性に好結果を与え、画像サイズに左右されること
なく、確実に除去できることを見い出し、本発明を完成
するに至つた。
【０００８】すなわち、本発明は、レジスト膜画像が存
在する物品上に接着剤層を設け、この接着剤層が硬化型
であるときはこれを硬化させたのち、この接着剤層とレ
ジスト材とを物品上から一体に剥離するにあたり、接着
剤層として重量平均分子量１万〜２００万の接着性ポリ
マ―を用いて、１ブロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、
面積１００mm2 以下となる微小サイズのレジスト膜画像
を９５％以上の除去率で除去することを特徴とするレジ
スト膜画像の除去方法（請求項１）に係るものであり、
とくに微小サイズのレジスト膜画像の除去率が１００％
またはこれに近い値である上記除去方法（請求項２）を
提供するものである。
在する物品上に接着剤層を設け、この接着剤層が硬化型
であるときはこれを硬化させたのち、この接着剤層とレ
ジスト材とを物品上から一体に剥離するにあたり、接着
剤層として重量平均分子量１万〜２００万の接着性ポリ
マ―を用いて、１ブロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、
面積１００mm2 以下となる微小サイズのレジスト膜画像
を９５％以上の除去率で除去することを特徴とするレジ
スト膜画像の除去方法（請求項１）に係るものであり、
とくに微小サイズのレジスト膜画像の除去率が１００％
またはこれに近い値である上記除去方法（請求項２）を
提供するものである。
【０００９】また、本発明は、重量平均分子量１万〜２
００万の接着性ポリマ―を含むことを特徴とするレジス
ト除去用接着材料（請求項３）に係るものであり、とく
に上記の接着性ポリマ―と分子内に不飽和二重結合を１
個以上有する化合物を含有する紫外線硬化型の感圧接着
剤からなる上記接着材料（請求項４）を提供するもので
ある。さらに、本発明は、基材上に接着剤層を設けてシ
―ト状やテ―プ状などの形態とした接着シ―ト類からな
り、接着剤層が重量平均分子量１万〜２００万の接着性
ポリマ―を含むことを特徴とするレジスト除去用接着材
料（請求項５）に係るものであり、とくに接着剤層が上
記の接着性ポリマ―と分子内に不飽和二重結合を１個以
上有する化合物を含有する紫外線硬化型の感圧接着剤か
らなる上記接着材料（請求項６）を提供するものであ
る。
００万の接着性ポリマ―を含むことを特徴とするレジス
ト除去用接着材料（請求項３）に係るものであり、とく
に上記の接着性ポリマ―と分子内に不飽和二重結合を１
個以上有する化合物を含有する紫外線硬化型の感圧接着
剤からなる上記接着材料（請求項４）を提供するもので
ある。さらに、本発明は、基材上に接着剤層を設けてシ
―ト状やテ―プ状などの形態とした接着シ―ト類からな
り、接着剤層が重量平均分子量１万〜２００万の接着性
ポリマ―を含むことを特徴とするレジスト除去用接着材
料（請求項５）に係るものであり、とくに接着剤層が上
記の接着性ポリマ―と分子内に不飽和二重結合を１個以
上有する化合物を含有する紫外線硬化型の感圧接着剤か
らなる上記接着材料（請求項６）を提供するものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト膜画像の除去方
法においては、まず、レジスト膜画像が存在する物品上
に接着剤層を設ける。この設け方は、接着剤を上記物品
上に直接塗布するか、より好ましくは接着剤をあらかじ
めシ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類としておき、
これを上記物品上に貼り合わせればよい。
法においては、まず、レジスト膜画像が存在する物品上
に接着剤層を設ける。この設け方は、接着剤を上記物品
上に直接塗布するか、より好ましくは接着剤をあらかじ
めシ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類としておき、
これを上記物品上に貼り合わせればよい。
【００１１】ここで、接着剤としては、重量平均分子量
１万〜２００万、好ましくは１万〜１５０万の接着性ポ
リマ―を用いなければならない。重量平均分子量が１万
未満となると、接着剤が低粘度となつて保存中に流れる
などの不具合を生じやすく、また２００万を超えると、
接着剤の流動性に劣るため、レジスト膜画像の凹凸への
追従が不十分となり、厚さ５μｍ以下、面積１００mm2
以下となる微小サイズのレジスト膜画像の除去性に問題
を生じやすい。
１万〜２００万、好ましくは１万〜１５０万の接着性ポ
リマ―を用いなければならない。重量平均分子量が１万
未満となると、接着剤が低粘度となつて保存中に流れる
などの不具合を生じやすく、また２００万を超えると、
接着剤の流動性に劣るため、レジスト膜画像の凹凸への
追従が不十分となり、厚さ５μｍ以下、面積１００mm2
以下となる微小サイズのレジスト膜画像の除去性に問題
を生じやすい。
【００１２】このような接着剤は、感圧接着性を示すも
のが好ましいが、熱時接着性などの特性を示すものであ
つてもよく、また非硬化型であつても、硬化型であつて
もよい。非硬化型の接着剤としては、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルアセタ―ル、ポリビニルアルコ―ル、ポリ
（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸エステ
ル、天然高分子などの熱可塑性樹脂を接着性ポリマ―と
したものが挙げられる。硬化型の接着剤としては、上記
同様の接着性ポリマ―に分子内に不飽和二重結合を１個
以上有する化合物を加えてなる熱硬化型や光硬化型の接
着剤が挙げられ、その他、前記の重量平均分子量を有す
る尿素樹脂、フエノ―ル樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬
化性樹脂を用いたものであつてもよい。
のが好ましいが、熱時接着性などの特性を示すものであ
つてもよく、また非硬化型であつても、硬化型であつて
もよい。非硬化型の接着剤としては、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルアセタ―ル、ポリビニルアルコ―ル、ポリ
（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸エステ
ル、天然高分子などの熱可塑性樹脂を接着性ポリマ―と
したものが挙げられる。硬化型の接着剤としては、上記
同様の接着性ポリマ―に分子内に不飽和二重結合を１個
以上有する化合物を加えてなる熱硬化型や光硬化型の接
着剤が挙げられ、その他、前記の重量平均分子量を有す
る尿素樹脂、フエノ―ル樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬
化性樹脂を用いたものであつてもよい。
【００１３】これらの接着剤の中でも、物品上への貼り
合わせ作業性や剥離性の観点より、硬化型の感圧接着剤
が好ましく、さらに硬化作業性、ウエハや回路基板など
の物品に熱的な悪影響を与えないという観点より、光硬
化型、とくに接着性ポリマ―（感圧接着性ポリマ―）に
分子内に不飽和二重結合を１個以上有する化合物を含有
させてなる紫外線硬化型の感圧接着剤が、最も好まし
い。
合わせ作業性や剥離性の観点より、硬化型の感圧接着剤
が好ましく、さらに硬化作業性、ウエハや回路基板など
の物品に熱的な悪影響を与えないという観点より、光硬
化型、とくに接着性ポリマ―（感圧接着性ポリマ―）に
分子内に不飽和二重結合を１個以上有する化合物を含有
させてなる紫外線硬化型の感圧接着剤が、最も好まし
い。
【００１４】上記の感圧接着性ポリマ―は、アクリル系
ポリマ―として、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリ
ル酸と炭素数が通常１２以下のアルコ―ルとのエステル
を主モノマ―とし、必要により全モノマ―中２０重量％
以下のカルボキシル基ないし水酸基含有モノマ―（マレ
イン酸、イタコン酸、ヒドロキシエチルアクリレ―ト、
ヒドロキシプロピルアクリレ―トなど）や、全モノマ―
中５０重量％以下のその他の改質用モノマ―（酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アクリロニトリ
ル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ―トなど）
を用いて、これらのモノマ―を溶液重合、乳化重合、懸
濁重合、塊状重合などの方法で重合させることにより得
られるポリマ―が、とくに好ましく用いられる。
ポリマ―として、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリ
ル酸と炭素数が通常１２以下のアルコ―ルとのエステル
を主モノマ―とし、必要により全モノマ―中２０重量％
以下のカルボキシル基ないし水酸基含有モノマ―（マレ
イン酸、イタコン酸、ヒドロキシエチルアクリレ―ト、
ヒドロキシプロピルアクリレ―トなど）や、全モノマ―
中５０重量％以下のその他の改質用モノマ―（酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アクリロニトリ
ル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ―トなど）
を用いて、これらのモノマ―を溶液重合、乳化重合、懸
濁重合、塊状重合などの方法で重合させることにより得
られるポリマ―が、とくに好ましく用いられる。
【００１５】なお、このようなアクリル系ポリマ―の合
成にあたり、共重合モノマ―として分子内に不飽和二重
結合を２個以上有する化合物を用いるか、あるいは合成
後のアクリル系ポリマ―に分子内に不飽和二重結合を有
する化合物を官能基間の反応で化学結合させるなどし
て、アクリル系ポリマ―の分子内に不飽和二重結合を導
入しておくことにより、このポリマ―自体も紫外線照射
による重合硬化反応に関与させるようにすることもでき
る。
成にあたり、共重合モノマ―として分子内に不飽和二重
結合を２個以上有する化合物を用いるか、あるいは合成
後のアクリル系ポリマ―に分子内に不飽和二重結合を有
する化合物を官能基間の反応で化学結合させるなどし
て、アクリル系ポリマ―の分子内に不飽和二重結合を導
入しておくことにより、このポリマ―自体も紫外線照射
による重合硬化反応に関与させるようにすることもでき
る。
【００１６】また、上記の分子内に不飽和二重結合を１
個以上有する化合物（以下、重合性不飽和化合物とい
う）としては、不揮発性でかつ重量平均分子量が１０，
０００未満の低分子量体であるのがよく、とくに硬化時
の接着剤層の三次元網状化が効率良くなされるように、
５，０００以下の分子量を有しているのが好ましい。こ
のような重合性不飽和化合物は、アクリル系ポリマ―と
の相溶性にすぐれて、接着剤全体の流動化に寄与し、レ
ジスト膜画像の凹部への流動浸漬、密着に好結果を与え
るものである。また、この重合性不飽和化合物は、レジ
スト材との親和性にすぐれ、レジスト材との接着力が大
きく、さらにテ―プ状やシ―ト状などの形態での保存時
に側面に流れ出ないものであることが望ましい。
個以上有する化合物（以下、重合性不飽和化合物とい
う）としては、不揮発性でかつ重量平均分子量が１０，
０００未満の低分子量体であるのがよく、とくに硬化時
の接着剤層の三次元網状化が効率良くなされるように、
５，０００以下の分子量を有しているのが好ましい。こ
のような重合性不飽和化合物は、アクリル系ポリマ―と
の相溶性にすぐれて、接着剤全体の流動化に寄与し、レ
ジスト膜画像の凹部への流動浸漬、密着に好結果を与え
るものである。また、この重合性不飽和化合物は、レジ
スト材との親和性にすぐれ、レジスト材との接着力が大
きく、さらにテ―プ状やシ―ト状などの形態での保存時
に側面に流れ出ないものであることが望ましい。
【００１７】このような重合性不飽和化合物としては、
種々のモノマ―ないしオリゴマ―を使用できるが、代表
的なものとしては、フエノキシポリエチレングリコ―ル
（メタ）アクリレ―ト、ε−カプロラクトン（メタ）ア
クリレ―ト、ポリエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリ
レ―ト、ポリプロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ
―ト、トリメチロ―ルプロパントリ（メタ）アクリレ―
ト、ペンタエリスリト―ルテトラ（メタ）アクリレ―
ト、ジペンタエリスリト―ルヘキサ（メタ）アクリレ―
ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト、エポキシ（メタ）
アクリレ―ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ―ト、
エトキシ化トリメチロ―ルプロパントリ（メタ）アクリ
レ―ト、エトキシ化ペンタエリスリト―ルテトラ（メ
タ）アクリレ―ト、ポリエステルジ（メタ）アクリレ―
トなどが挙げられる。これらの化合物の中から、用いる
アクリル系ポリマ―の種類や、対象とされるレジスト材
の種類に応じて、その１種または２種以上を選択するこ
とができる。
種々のモノマ―ないしオリゴマ―を使用できるが、代表
的なものとしては、フエノキシポリエチレングリコ―ル
（メタ）アクリレ―ト、ε−カプロラクトン（メタ）ア
クリレ―ト、ポリエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリ
レ―ト、ポリプロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ
―ト、トリメチロ―ルプロパントリ（メタ）アクリレ―
ト、ペンタエリスリト―ルテトラ（メタ）アクリレ―
ト、ジペンタエリスリト―ルヘキサ（メタ）アクリレ―
ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト、エポキシ（メタ）
アクリレ―ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ―ト、
エトキシ化トリメチロ―ルプロパントリ（メタ）アクリ
レ―ト、エトキシ化ペンタエリスリト―ルテトラ（メ
タ）アクリレ―ト、ポリエステルジ（メタ）アクリレ―
トなどが挙げられる。これらの化合物の中から、用いる
アクリル系ポリマ―の種類や、対象とされるレジスト材
の種類に応じて、その１種または２種以上を選択するこ
とができる。
【００１８】このような重合性不飽和化合物は、感圧接
着性ポリマ―１００重量部に対し、通常５〜３００重量
部、好ましくは２０〜３００重量部の割合で用いられ
る。この使用量が少なすぎると、接着剤全体の流動化が
低くなり、レジスト材の剥離効果が十分でなくなる場合
があり、また多くなりすぎると、保存時に接着剤が流れ
出すおそれがあり、いずれも好ましくない。
着性ポリマ―１００重量部に対し、通常５〜３００重量
部、好ましくは２０〜３００重量部の割合で用いられ
る。この使用量が少なすぎると、接着剤全体の流動化が
低くなり、レジスト材の剥離効果が十分でなくなる場合
があり、また多くなりすぎると、保存時に接着剤が流れ
出すおそれがあり、いずれも好ましくない。
【００１９】硬化型の接着剤では、適宜の重合開始剤が
用いられる。熱硬化型では、ベンゾイルパ−オキサイ
ド、アゾビスイソブチロニトリルなどの熱重合開始剤
が、光硬化型では、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―
テル、ジベンジル、イソプロピルベンゾインエ―テル、
ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケトンクロロチオキサント
ン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサント
ン、アセトフエノンジエチルケタ―ル、ベンジルジメチ
ルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケ
トン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパン、２，２
−ジメトキシ−２−フエニルアセトフエノンなどの光重
合開始剤が、それぞれ用いられる。これらの重合開始剤
は、接着性ポリマ―１００重量部に対し、通常０．１〜
１５重量部、好ましくは０．５〜１０重量部の範囲で用
いられる。
用いられる。熱硬化型では、ベンゾイルパ−オキサイ
ド、アゾビスイソブチロニトリルなどの熱重合開始剤
が、光硬化型では、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―
テル、ジベンジル、イソプロピルベンゾインエ―テル、
ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケトンクロロチオキサント
ン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサント
ン、アセトフエノンジエチルケタ―ル、ベンジルジメチ
ルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケ
トン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパン、２，２
−ジメトキシ−２−フエニルアセトフエノンなどの光重
合開始剤が、それぞれ用いられる。これらの重合開始剤
は、接着性ポリマ―１００重量部に対し、通常０．１〜
１５重量部、好ましくは０．５〜１０重量部の範囲で用
いられる。
【００２０】接着剤には、半導体ウエハなどの物品に貼
り付ける際などの作業性を良くし、かつレジスト材を効
率良く剥離する観点より、接着性ポリマ―を架橋して接
着剤としての凝集力を高めるための架橋剤、たとえば、
カルボキシル基や水酸基を有するアクリル系ポリマ―に
対し、上記官能基と反応する多官能性化合物として、ジ
フエニルメタンジイソシアネ―ト、トリレンジイソシア
ネ―トなどのポリイソシアネ―ト化合物、ポリエポキシ
化合物、各種金属塩、キレ―ト化合物などを含ませるの
が好ましい。これらの使用量は、接着性ポリマ―１００
重量部に対し、通常２０重量部以下とし、この範囲内で
上記ポリマ―の分子量が小さいと多く、大きいと少なく
なるように、適宜選択する。あまり多くなりすぎると、
接着剤層とレジスト材との接着力が低下するため、好ま
しくない。
り付ける際などの作業性を良くし、かつレジスト材を効
率良く剥離する観点より、接着性ポリマ―を架橋して接
着剤としての凝集力を高めるための架橋剤、たとえば、
カルボキシル基や水酸基を有するアクリル系ポリマ―に
対し、上記官能基と反応する多官能性化合物として、ジ
フエニルメタンジイソシアネ―ト、トリレンジイソシア
ネ―トなどのポリイソシアネ―ト化合物、ポリエポキシ
化合物、各種金属塩、キレ―ト化合物などを含ませるの
が好ましい。これらの使用量は、接着性ポリマ―１００
重量部に対し、通常２０重量部以下とし、この範囲内で
上記ポリマ―の分子量が小さいと多く、大きいと少なく
なるように、適宜選択する。あまり多くなりすぎると、
接着剤層とレジスト材との接着力が低下するため、好ま
しくない。
【００２１】また、接着剤には、上記の多官能性化合物
と同様の使用目的で、微粉シリカなどの充填剤を含ませ
るようにしてもよい。さらに、必要により、粘着付与樹
脂、着色剤、老化防止剤などの公知の各種添加剤を含ま
せてもよい。これら種々の添加剤は、一般の接着剤に採
用される通常の使用量でよい。
と同様の使用目的で、微粉シリカなどの充填剤を含ませ
るようにしてもよい。さらに、必要により、粘着付与樹
脂、着色剤、老化防止剤などの公知の各種添加剤を含ま
せてもよい。これら種々の添加剤は、一般の接着剤に採
用される通常の使用量でよい。
【００２２】本発明においては、既述のとおり、このよ
うな接着剤をそのままレジスト除去用接着材料として、
これをレジスト膜画像が存在する物品上に直接塗布する
こともできるが、より好ましくは上記の接着剤をあらか
じめシ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類の形態と
し、これをレジスト除去用接着材料として上記物品上に
貼り合わせるようにするのがよい。接着シ―ト類とする
場合、接着剤単独でシ―ト状やテ―プ状などの形態とす
ることも可能であるが、通常は基材を用いてこの上に接
着剤層を設けるようにするのが望ましい。
うな接着剤をそのままレジスト除去用接着材料として、
これをレジスト膜画像が存在する物品上に直接塗布する
こともできるが、より好ましくは上記の接着剤をあらか
じめシ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類の形態と
し、これをレジスト除去用接着材料として上記物品上に
貼り合わせるようにするのがよい。接着シ―ト類とする
場合、接着剤単独でシ―ト状やテ―プ状などの形態とす
ることも可能であるが、通常は基材を用いてこの上に接
着剤層を設けるようにするのが望ましい。
【００２３】基材としては、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレ―ト、ポリウレタン、ポ
リ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体などから
なるプラスチツクフイルム、プラスチツク不織布、プラ
スチツク合繊やガラス繊維などからなるクロス、アルミ
ニウムやステンレスなどからなる金属箔、紙などが用い
られる。基材の厚さは、通常１０〜５００μｍ程度であ
る。
レン、ポリエチレンテレフタレ―ト、ポリウレタン、ポ
リ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体などから
なるプラスチツクフイルム、プラスチツク不織布、プラ
スチツク合繊やガラス繊維などからなるクロス、アルミ
ニウムやステンレスなどからなる金属箔、紙などが用い
られる。基材の厚さは、通常１０〜５００μｍ程度であ
る。
【００２４】光硬化型の接着剤では、基材として光を透
過するものが選択使用される。とくに、前記した紫外線
硬化型の感圧接着剤を用いるときは、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレ―トなどからな
る、厚さが１０〜１００μｍの紫外線を透過するプラス
チツクフイルムを基材とし、この基材上に厚さが１０〜
１８０μｍの接着剤層を設けて、紫外線硬化型の感圧接
着シ―ト類とし、これをレジスト除去用接着材料とする
ことができる。
過するものが選択使用される。とくに、前記した紫外線
硬化型の感圧接着剤を用いるときは、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレ―トなどからな
る、厚さが１０〜１００μｍの紫外線を透過するプラス
チツクフイルムを基材とし、この基材上に厚さが１０〜
１８０μｍの接着剤層を設けて、紫外線硬化型の感圧接
着シ―ト類とし、これをレジスト除去用接着材料とする
ことができる。
【００２５】本発明のレジスト除去方法においては、レ
ジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品上に上
記のように接着剤層を設け、必要によりレジスト材と接
着剤層との密着性を良くするための加熱や加圧手段を付
加したのち、接着剤層が硬化型であるときは、これを加
熱や光照射により硬化させる。硬化処理は、ウエハなど
の物品に与える熱的影響を考慮すると、光硬化型、とく
に紫外線硬化型の感圧接着剤を用いて、紫外線照射によ
る硬化処理を行うのが望ましい。紫外線の照射量は、３
００〜３，０００ｍｊ／cm2 程度である。
ジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品上に上
記のように接着剤層を設け、必要によりレジスト材と接
着剤層との密着性を良くするための加熱や加圧手段を付
加したのち、接着剤層が硬化型であるときは、これを加
熱や光照射により硬化させる。硬化処理は、ウエハなど
の物品に与える熱的影響を考慮すると、光硬化型、とく
に紫外線硬化型の感圧接着剤を用いて、紫外線照射によ
る硬化処理を行うのが望ましい。紫外線の照射量は、３
００〜３，０００ｍｊ／cm2 程度である。
【００２６】つぎに、この接着剤層を剥離操作すると、
半導体ウエハなどの物品上のレジスト膜画像は上記接着
剤層と一体に剥離除去される。ここで、接着剤層を構成
する接着性ポリマ―が重量平均分子量１万〜２００万の
範囲にあり、接着剤の流動性にすぐれているため、レジ
スト膜画像が複雑かつ微小であつても、この画像の凹凸
へ十分に追従し、その剥離除去が確実になされる。とく
に１ブロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、面積１００mm
2 以下となる微小サイズのレジスト膜画像を、９５％以
上、好ましくは１００％またはこれに近い値（約９９％
以上）となる非常に高い除去率で除去できる。言うまで
もないが、上記よりサイズの大きなレジスト膜画像の除
去性にも好結果が得られるものである。
半導体ウエハなどの物品上のレジスト膜画像は上記接着
剤層と一体に剥離除去される。ここで、接着剤層を構成
する接着性ポリマ―が重量平均分子量１万〜２００万の
範囲にあり、接着剤の流動性にすぐれているため、レジ
スト膜画像が複雑かつ微小であつても、この画像の凹凸
へ十分に追従し、その剥離除去が確実になされる。とく
に１ブロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、面積１００mm
2 以下となる微小サイズのレジスト膜画像を、９５％以
上、好ましくは１００％またはこれに近い値（約９９％
以上）となる非常に高い除去率で除去できる。言うまで
もないが、上記よりサイズの大きなレジスト膜画像の除
去性にも好結果が得られるものである。
【００２７】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、各例で除去対象としたレジスト
膜画像Ａ，Ｂは、下記の参考例１，２の方法により形成
したものである。以下、部とあるのは重量部を意味す
る。
体的に説明する。なお、各例で除去対象としたレジスト
膜画像Ａ，Ｂは、下記の参考例１，２の方法により形成
したものである。以下、部とあるのは重量部を意味す
る。
【００２８】参考例１ ＣＶＤで処理された酸化膜（ＳｉＯ2 膜）や窒化膜（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 膜）を有する５インチのシリコンウエハ上に、
クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルか
らなる、ポジ型フオトレジストを５μｍの厚さで塗布
し、加熱、露光、現像を行い、１ブロツクが１．８２mm
2 の面積からなる３，２５０個のレジスト膜画像を表面
に形成したのち、Ｐ+ イオンを加速エネルギ―３．０Ｍ
ｅＶ、注入量５×１０13ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に
注入した。これを、レジスト膜画像Ａとした。
ｉ3 Ｎ4 膜）を有する５インチのシリコンウエハ上に、
クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルか
らなる、ポジ型フオトレジストを５μｍの厚さで塗布
し、加熱、露光、現像を行い、１ブロツクが１．８２mm
2 の面積からなる３，２５０個のレジスト膜画像を表面
に形成したのち、Ｐ+ イオンを加速エネルギ―３．０Ｍ
ｅＶ、注入量５×１０13ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に
注入した。これを、レジスト膜画像Ａとした。
【００２９】参考例２ ＣＶＤで処理された酸化膜（ＳｉＯ2 膜）や窒化膜（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 膜）を有する５インチのシリコンウエハ上に、
クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルか
らなる、ポジ型フオトレジストを５μｍの厚さで塗布
し、加熱、露光、現像を行い、１ブロツクが７８mm2 の
面積からなる７０個のレジスト膜画像を表面に形成した
のち、Ｐ+イオンを加速エネルギ―３．０ＭｅＶ、注入
量５×１０13ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入した。
これを、レジスト膜画像Ｂとした。
ｉ3 Ｎ4 膜）を有する５インチのシリコンウエハ上に、
クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルか
らなる、ポジ型フオトレジストを５μｍの厚さで塗布
し、加熱、露光、現像を行い、１ブロツクが７８mm2 の
面積からなる７０個のレジスト膜画像を表面に形成した
のち、Ｐ+イオンを加速エネルギ―３．０ＭｅＶ、注入
量５×１０13ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入した。
これを、レジスト膜画像Ｂとした。
【００３０】実施例１ 重量平均分子量１．２万のポリアクリル酸１００部、水
溶性モノマ―（トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―
ト）５０部、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケ
トン５部を、親水性溶媒（メチルアルコ―ル）に均一に
溶解混合して、感圧接着剤溶液を調製した。この溶液
を、厚さが５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥
後の厚さが４０μｍとなるように塗布し、１００℃で５
分間乾燥して、レジスト除去用接着シ―トを作製した。
溶性モノマ―（トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―
ト）５０部、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケ
トン５部を、親水性溶媒（メチルアルコ―ル）に均一に
溶解混合して、感圧接着剤溶液を調製した。この溶液
を、厚さが５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥
後の厚さが４０μｍとなるように塗布し、１００℃で５
分間乾燥して、レジスト除去用接着シ―トを作製した。
【００３１】このレジスト除去用接着シ―トを、レジス
ト膜画像Ａ，Ｂの全面に１２０℃で圧着して、貼り付け
たのち、１２０℃で１分間加温後、高圧水銀ランプによ
り紫外線を１Ｊ／cm2 の照射量で照射して、硬化させ
た。硬化後の接着シ―トをシリコンウエハ上より剥離
し、このシ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像
の個数をカウントし、除去率（％）＝〔（剥離数／全
数）×１００％〕を求めた。結果は、表１に示されると
おりであつた。
ト膜画像Ａ，Ｂの全面に１２０℃で圧着して、貼り付け
たのち、１２０℃で１分間加温後、高圧水銀ランプによ
り紫外線を１Ｊ／cm2 の照射量で照射して、硬化させ
た。硬化後の接着シ―トをシリコンウエハ上より剥離
し、このシ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像
の個数をカウントし、除去率（％）＝〔（剥離数／全
数）×１００％〕を求めた。結果は、表１に示されると
おりであつた。
【００３２】実施例２ ポリアクリル酸の重量平均分子量を５３万とした以外
は、実施例１に準じて、レジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを用いて、実施例１と同様の操
作により、レジスト膜画像Ａ，Ｂの剥離除去を行つた。
接着シ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像の個
数をカウントして、除去率を求めた。結果は、表１に併
記されるとおりであつた。
は、実施例１に準じて、レジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを用いて、実施例１と同様の操
作により、レジスト膜画像Ａ，Ｂの剥離除去を行つた。
接着シ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像の個
数をカウントして、除去率を求めた。結果は、表１に併
記されるとおりであつた。
【００３３】実施例３ ポリアクリル酸の重量平均分子量を１４６万とした以外
は、実施例１に準じて、レジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを用いて、実施例１と同様の操
作により、レジスト膜画像Ａ，Ｂの剥離除去を行つた。
接着シ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像の個
数をカウントして、除去率を求めた。結果は、表１に併
記されるとおりであつた。
は、実施例１に準じて、レジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを用いて、実施例１と同様の操
作により、レジスト膜画像Ａ，Ｂの剥離除去を行つた。
接着シ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像の個
数をカウントして、除去率を求めた。結果は、表１に併
記されるとおりであつた。
【００３４】比較例１ ポリアクリル酸の重量平均分子量を４４１万とした以外
は、実施例１に準じて、レジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを用いて、実施例１と同様の操
作により、レジスト膜画像Ａ，Ｂの剥離除去を行つた。
接着シ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像の個
数をカウントして、除去率を求めた。結果は、表１に併
記されるとおりであつた。
は、実施例１に準じて、レジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを用いて、実施例１と同様の操
作により、レジスト膜画像Ａ，Ｂの剥離除去を行つた。
接着シ―トと一体に剥離除去できたレジスト膜画像の個
数をカウントして、除去率を求めた。結果は、表１に併
記されるとおりであつた。
【００３５】
【００３６】上記の表１の結果から、ポリアクリル酸の
重量平均分子量が１万〜２００万の範囲にあるレジスト
除去用接着シ―トを用いた実施例１〜３の方法によれ
ば、１ブロツクの大きさが厚さ５μｍで面積１．８２mm
2 （レジスト膜画像Ａ）または７８mm2 （レジスト膜画
像Ｂ）となる微小サイズのレジスト膜画像でも、これら
の画像を１００％の除去率で確実に除去できることが明
らかである。
重量平均分子量が１万〜２００万の範囲にあるレジスト
除去用接着シ―トを用いた実施例１〜３の方法によれ
ば、１ブロツクの大きさが厚さ５μｍで面積１．８２mm
2 （レジスト膜画像Ａ）または７８mm2 （レジスト膜画
像Ｂ）となる微小サイズのレジスト膜画像でも、これら
の画像を１００％の除去率で確実に除去できることが明
らかである。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明は、半導体、回
路、各種のプリント基板、各種のマスク、リ―ドフレ―
ムなどの微細加工部分の製造段階での微細パタ―ンの形
成工程において、レジスト膜画像を除去する際に適用さ
れて、上記画像をそのサイズに左右されることなく確実
に除去できるという効果が得られる。
路、各種のプリント基板、各種のマスク、リ―ドフレ―
ムなどの微細加工部分の製造段階での微細パタ―ンの形
成工程において、レジスト膜画像を除去する際に適用さ
れて、上記画像をそのサイズに左右されることなく確実
に除去できるという効果が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/34 Ｇ０３Ｆ 7/34 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｃ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｚ
Claims (6)
- 【請求項１】 レジスト膜画像が存在する物品上に接着
剤層を設け、この接着剤層が硬化型であるときはこれを
硬化させたのち、この接着剤層とレジスト材とを物品上
から一体に剥離するにあたり、接着剤層として重量平均
分子量１万〜２００万の接着性ポリマ―を用いて、１ブ
ロツクの大きさが厚さ５μｍ以下、面積１００mm2 以下
となる微小サイズのレジスト膜画像を９５％以上の除去
率で除去することを特徴とするレジスト膜画像の除去方
法。 - 【請求項２】 微小サイズのレジスト膜画像の除去率が
１００％またはこれに近い値である請求項１に記載のレ
ジスト膜画像の除去方法。 - 【請求項３】 重量平均分子量１万〜２００万の接着性
ポリマ―を含むことを特徴とするレジスト除去用接着材
料。 - 【請求項４】 重量平均分子量１万〜２００万の接着性
ポリマ―と分子内に不飽和二重結合を１個以上有する化
合物を含有する紫外線硬化型の感圧接着剤からなる請求
項３に記載のレジスト除去用接着材料。 - 【請求項５】 基材上に接着剤層を設けてシ―ト状やテ
―プ状などの形態とした接着シ―ト類からなり、接着剤
層が重量平均分子量１万〜２００万の接着性ポリマ―を
含むことを特徴とするレジスト除去用接着材料。 - 【請求項６】 接着剤層が重量平均分子量１万〜２００
万の接着性ポリマ―と分子内に不飽和二重結合を１個以
上有する化合物を含有する紫外線硬化型の感圧接着剤か
らなる請求項５に記載のレジスト除去用接着材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8166980A JPH108267A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | レジスト膜画像の除去方法とレジスト除去用接着材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8166980A JPH108267A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | レジスト膜画像の除去方法とレジスト除去用接着材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108267A true JPH108267A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=15841179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8166980A Pending JPH108267A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | レジスト膜画像の除去方法とレジスト除去用接着材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108267A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001029884A1 (en) * | 2000-10-12 | 2001-04-26 | General Semiconductor Of Taiwan, Ltd. | Apparatus for attaching resists and wafers to substrates |
| WO2009084511A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. | 活性エネルギー線硬化型圧着塗膜形成用組成物およびそれを用いた剥離性接着加工紙 |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8166980A patent/JPH108267A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001029884A1 (en) * | 2000-10-12 | 2001-04-26 | General Semiconductor Of Taiwan, Ltd. | Apparatus for attaching resists and wafers to substrates |
| WO2009084511A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. | 活性エネルギー線硬化型圧着塗膜形成用組成物およびそれを用いた剥離性接着加工紙 |
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