JP3590673B2 - レジスト膜画像の除去方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体集積回路装置などの製造において、半導体基板上の不要となつたレジスト膜画像を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路装置の製造において、シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスにて、所定のレジスト膜画像（レジストパタ―ン）が形成され、これをマスクとして、たとえば開口部にＰ＋ 、Ｂ＋ 、Ａｓ＋ 、Ｓｂ＋ などのイオン注入、その他エツチングなどの種々の処理が施される。この際、上記のイオンは、レジスト膜画像の上表面層にも注入される。その後、不要となつたレジスト膜画像が除去されて、所定の回路が形成される。さらに、つぎの回路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサイクルが繰り返し行われる。このような回路の形成において、不要となつたレジスト膜画像を除去する方法としては、イオンアシストエツチング（灰化手段）、溶剤（剥離液）や薬品による方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、レジスト膜画像の上表面層に前記イオンが注入されて、レジスト膜画像の上表面層が硬化、変質すると、この上表面層は耐熱性が高くかつ反応性が低いことから、通常の灰化手段では、除去作業に長時間を要し、実用上除去が困難となる。さらに、レジスト材中の不純物イオンや前記注入イオンが半導体基板上に残留し、その後の熱処理により半導体基板中に注入され、設計通りの半導体集積回路の構築が不可能となり、半導体装置の特性を劣化させる。また、溶剤や薬品を用いる方法では、作業環境を害するという問題がある。
【０００４】
特開平６−３０２５０９号公報には、レジスト材の上面にレジスト除去体を貼り付け、このレジスト除去体の剥離処理により、物品上のレジスト材を除去する方法が提案されている。この方法によると、灰化手段、溶剤または薬品による方法に不可避とされた前記のような問題は少ないが、レジスト膜画像が存在しない部分での接着力が大きいため、レジスト除去体の剥離時にウエハ上にこの除去体の一部が残存し、半導体基板を汚染することがあつた。
【０００５】
したがつて、本発明は、半導体基板上の不要となつたレジスト膜画像を、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板中に注入されたり、作業環境を害することなく、また半導体基板の汚染といつた問題を生じることなく、簡単かつ確実に剥離除去する方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するため、鋭意検討した結果、レジスト除去体として特定の硬化型感圧性接着シ―ト類を用いるとともに、これを半導体基板のレジスト膜画像上に特定状態に貼り付け処理し、感圧性接着剤の硬化後に剥離処理することにより、従来の灰化手段、溶剤または薬品による方法の問題点、たとえば、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板中に注入されたり、作業環境を害するといつた問題を生じることなく、また半導体基板の汚染といつた問題を生じることもなく、レジスト膜画像を簡単かつ確実に剥離除去できることを見い出し、本発明を完成するに至つたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、半導体基板上に存在するレジスト材からなる画像の除去方法において、このレジスト膜画像上に、ダミ―ウエハの鏡面側に対する１８０度剥離接着力が硬化前で２００〜１，０００ｇ／１０ mm 幅であり、硬化後に１０〜６４ｇ／１０ mm 幅となる硬化型感圧性接着シ―ト類を貼り付け、加圧ないし加熱により硬化型感圧性接着剤の一部をレジストパタ―ンの凹部に浸透させたのち、この接着シ―ト類を硬化させ、その後、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離することを特徴とするレジスト膜画像の除去方法に係るものである。
【０００８】
【発明の構成・作用】
本発明に用いる硬化型感圧性接着シ―ト類は、フイルム基材上に厚さが約１０〜１８０μｍの硬化型感圧性接着剤の層を設けて、シ―ト状やテ―プ状の形態としたものであり、上記の接着剤には、感圧接着性を有するとともに、熱または紫外線などの活性エネルギ―線で硬化する性質を有する種々のタイプの接着剤が包含される。硬化作業性や回路基板に熱的な悪影響を与えないという観点からは、紫外線硬化型感圧性接着剤が好ましく、この場合、フイルム基材として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ―トなどからなる、厚さが約１０〜１００μｍ程度の紫外線透過性の樹脂フイルムが用いられる。
【０００９】
本発明においては、このような構成からなる硬化型感圧性接着剤として、とくに、ダミ―ウエハの鏡面側に対する１８０度剥離接着力が硬化前で２００〜１，０００ｇ／１０ mm 幅であり、硬化後に１０〜６４ｇ／１０ mm 幅となるものが選択使用される。硬化後の上記接着力が上記より大きくなりすぎると、剥離処理に問題があり、さらに糊残りによる半導体基板の汚染などの問題も生じやすく、レジスト膜画像の簡単かつ確実な剥離除去に支障をきたしやすい。
【００１０】
このような接着特性を有する硬化型感圧性接着剤としては、感圧接着性ポリマ―に分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体を含有させてなるものが好ましい。感圧接着性ポリマ―は、一般の感圧性接着剤に適用される公知の各種ポリマ―がいずれも使用できるが、とくに好ましいポリマ―として、アクリル酸アルキルエステルおよび／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマ―としたアクリル系ポリマ―が挙げられる。
【００１１】
このアクリル系ポリマ―は、上記の主モノマ―、つまりアクリル酸またはメタクリル酸と炭素数が通常１２以下のアルコ―ルとのエステルのほか、必要によりカルボキシル基または水酸基を有するモノマ―や、その他の改質用モノマ―を用いて、これらを常法により溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させることにより、合成することができる。
【００１２】
カルボキシル基含有モノマ―としては、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などが、水酸基含有モノマ―としては、たとえば、ヒドロキシエチルアクリレ―ト、ヒドロキシプロピルアクリレ―トなどが、それぞれ用いられる。これらモノマ―の使用量は、全モノマ―中、通常２０重量％以下とするのが好ましい。その他の改質用モノマ―としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ―トなどが用いられる。これら改質用モノマ―の使用量は、主モノマ―との合計量中、通常５０重量％以下とするのが好ましい。
【００１３】
なお、上記のアクリル系ポリマ―の合成にあたり、共重合モノマ―として、重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有するものを用いるか、あるいは合成後のアクリル系ポリマ―に重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を官能基間の反応により化学結合させるなどして、アクリル系ポリマ―の分子内に重合性炭素−炭素二重結合を導入しておくことにより、このポリマ―自体も紫外線の照射による重合硬化反応に関与させるようにしてもよい。
【００１４】
このようなモノマ―から構成されるアクリル系ポリマ―の分子量は、重量平均分子量で、通常３０万〜２００万であるのが好ましい。分子量が低すぎると、これに分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体を配合したときに、低粘度となつて、保存中に流れるなどの不都合を生じやすく、また高くなりすぎると、取り扱い上の問題を生じやすい。
【００１５】
このアクリル系ポリマ―をはじめとする感圧接着性ポリマ―に配合される分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体（以下、硬化性化合物という）は、上記ポリマ―との相溶性にすぐれて接着剤全体の流動化に寄与し、レジストパタ―ンの凹部への流動浸透、密着に好結果を与え、しかも加熱や紫外線などの照射により重合して接着剤全体を硬化させるものである。このような作用効果を奏するうえで、分子量が１０，０００以下であるのがよく、とくに硬化時の接着剤層の三次元網状化が効率良くなされるように、５，０００以下の分子量を有しているのがよい。
【００１６】
このような硬化性化合物の具体例としては、たとえば、トリメチロ―ルプロパントリ（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタントリ（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタンテトラ（メタ）アクリレ―ト、市販のオリゴエステル（メタ）アクリレ―ト、下記のウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―などの（メタ）アクリレ―ト系化合物が挙げられる。その他、特公平５−２５９０７号公報（とくに従来技術の欄）に記載されているようなオルガノポリシロキサン組成物などが用いられる。
【００１７】
ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―は、ポリオ―ル化合物、多価イソシアネ―ト化合物、ヒドロキシ（メタ）アクリレ―トなどより合成されるものである。ポリオ―ル化合物には、エチレングリコ―ル、プロピレングリコ―ル、ジエチレングリコ―ル、ブタンジオ―ル、ペンタンジオ―ル、トリメチロ―ルエタン、トリメチロ―ルプロパン、ペンタエリスリト―ルなどが、多価イソシアネ―ト化合物には、トルエンジイソアネ―ト、フエニレンジイソシアネ―ト、ヘキサメチレンジイソシネ―ト、ジフエニルメタンジイソシアネ―ト、ジメチルジフエニルジイソシアネ―ト、ジシクロヘキシルメタンジイソシネ―ト、キシレンジイソシアネ―トなどが、ヒドロキシ（メタ）アクリレ―トには、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ―ト、ポリエチレングリコ―ル（メタ）アクリレ―ト、ペンタエリスリト―ルトリ（メタ）アクリレ―トなどがある。
【００１８】
このような硬化性化合物は、前記の感圧接着性ポリマ―１００重量部に対し、１〜２００重量部、好ましくは５〜１５０重量部、より好ましくは１０〜１２０重量部、さらに好ましくは２０〜１００重量部の割合で用いられる。この使用量が少なすぎると、レジスト膜画像の剥離効果が十分でなくなる場合があり、また多すぎると、保存時に接着剤が流れ出すおそれがあり、好ましくない。
【００１９】
硬化型感圧性接着剤には、熱硬化の場合、ベンゾイルパ―オキサイド、アゾビスイソブチロニトリルなどの加熱によりラジカルを発生する熱重合開始剤が添加される。紫外線などの光硬化の場合、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピルベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケトンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタ―ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパンなどの光重合開始剤が添加される。これらの重合開始剤は、感圧接着性ポリマ―１００重量部に対し、０．１〜１５重量部の範囲で用いられる。
【００２０】
また、この硬化型感圧性接着剤には、半導体基板に貼り付ける際の作業性を良くする点から、感圧接着性ポリマ―を架橋して接着剤としての凝集力を高めるための架橋剤、たとえば、カルボキシル基ないし水酸基を有するアクリル系ポリマ―に対し、上記官能基と反応する多官能性化合物として、ポリイソシアネ―ト、ポリエポキシ、各種金属塩、キレ―ト化合物などを含ませてもよい。これら多官能性化合物の使用量は、感圧接着性ポリマ―１００重量部に対し、２０重量部以下の範囲内で上記ポリマ―の分子量などに応じて適宜決めればよい。
【００２１】
さらに、このような硬化型感圧性接着剤には、上記の多官能性化合物と同様の使用目的で、微粉シリカなどの充てん剤を含ませるようにしてもよい。また、この硬化型感圧性接着剤中には、粘着付与樹脂、着色剤、老化防止剤などの公知の各種添加剤のほか、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエ―テル、ベンゾキノン、ブチルカテコ―ル、トリ−ｐ−ニトロフエニルメチルなどの重合禁止剤を、必要により含ませることもできる。これら種々の添加剤の使用量は、硬化型感圧性接着剤として公知の通常の使用量でよい。
【００２２】
本発明においては、このように構成される硬化型感圧性接着シ―ト類を用い、以下の如くレジスト膜画像を除去する。まず、半導体基板のレジスト膜画像上に硬化型感圧性接着シ―ト類を貼り付け、加圧および／または加熱により硬化型感圧性接着剤の一部をレジストパタ―ンの凹部に浸透させて、十分に密着させる。通常のレジストパタ―ンは、回路形成後の基板に凹状に付着していたり、回路形成の段階で表面に微細な凹凸を有する状態となつていることが多いため、これら凹部への浸透・密着によつて、剥離操作を容易にする。
【００２３】
加圧ないし加熱は、上記接着剤のレジストパタ―ン凹部への浸透・密着によるレジスト材と上記接着剤との一体化を促進するためのものであり、その条件は、半導体基板上のレジストパタ―ンの付着状況や上記接着剤の種類などに応じて、適宜決定すればよい。一般には、指圧からロ―ル圧までの広い条件下で、接着剤の硬化や側面へのはみ出しが起こらない、通常１０〜２００℃の温度を選べばよい。加圧だけか、あるいは加熱だけでもよい。
【００２４】
このように貼り付け処理したのち、この接着シ―ト類をほぼ完全に硬化させる所定の硬化処理に供する。この硬化処理は、接着シ―ト類の種類に応じて、熱硬化または光硬化が選ばれるが、既述のとおり、半導体基板への熱的影響を考慮すると、光硬化とくに紫外線の照射による硬化が望ましく、この場合、通常３００〜５，０００ｍｊ／ｃｍ２ の照射量とするのがよい。
【００２５】
この硬化処理により、上記接着剤はレジスト材と一体化した状態で硬化して、その弾性率が著しく増大し、これに伴つてレジスト材と半導体基板との接着力が大きく低下することから、硬化後は剥離が容易で、汚染性が少ない。そのうえ、上記接着剤はレジストパタ―ンの凹部に食い込み状に浸透して硬化するため、この硬化後に接着シ―ト類を剥離することにより、半導体基板上のレジスト材は、上記接着シ―ト類と一体となつて、簡単かつ完全に剥離除去される。また、レジスト膜画像のない面に対しても、パ―テイクルの付着が少ない。
【００２６】
しかも、このようにレジスト膜画像を剥離除去する方法によると、灰化手段を用いる従来方法のような作業の長時間化や、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板に注入されるといつた心配が全くなく、また溶剤を用いる従来方法におけるような作業環境の悪化といつた心配もとくにない。
【００２７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の方法によれば、半導体基板上のレジスト膜画像を、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板に注入されたり、作業環境を害するといつた問題を一切生じることなく、しかも半導体基板の汚染という問題を生じることもなく、簡単かつ確実に剥離除去することができる。
【００２８】
【実施例】
つぎに、本発明を、参考例、実施例および比較例により、さらに具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。また、以下において、「ダミ―ウエハ（鏡面側）」とあるのは、「ダミ―ウエハの鏡面側」の意味である。
【００２９】
参考例１
５インチのシリコンウエハ（半導体基板）の表面に、クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルからなるポジ型フオトレジストを塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジストパタ―ン（膜画像）を全表面に形成したのち、Ｐ＋ イオンを加速エネルギ―８０ＫｅＶで注入量１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２ の濃度で全面に注入した。
【００３０】
実施例１
アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリル酸エチル１５部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エチル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行い、重量平均分子量が５６万のアクリル系ポリマ―の溶液Ａを得た。
【００３１】
つぎに、この溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト１０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト１０部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００３２】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を、厚さが５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥後の厚さが４５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分乾燥して、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、下記の要領にて、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は２３５ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１３ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００３３】
＜１８０度剥離接着力の測定＞
ダミ―ウエハとして、信越半導体製の４インチのシリコンダミ―ウエハ（片面ポリツシユド）を用い、このウエハ上に幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状にした接着シ―トを貼り付け、ホツトプレ―ト（１３０℃）上で３分間加熱したのち、硬化前の接着力を測定した。また、上記の加熱後、フイルム基材側から空冷式高圧水銀灯により紫外線（４６ｍｊ／ｃｍ２ ・秒）を２３秒間照射して感圧性接着剤を硬化させたのち、硬化後の接着力を測定した。各測定は、２３℃，６５％ＲＨの雰囲気下、剥離速度３００ｍｍ／分、剥離角度１８０度の条件で行つた。
【００３４】
つぎに、参考例１によりＰ＋ のイオン注入を行つたシリコンウエハのレジスト膜画像の全面に、上記の接着シ―トを貼り付け、１３０℃で３分加熱押圧して、接着剤の一部を上記画像の凹部に浸透させたのち、高圧水銀ランプにて紫外線を１，０００ｍＪ／ｃｍ２ 照射し、接着シ―トを硬化させた。その後、接着シ―トを剥離したところ、レジスト膜画像は接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００３５】
実施例２
実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてトリレンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００３６】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は５３８ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１２ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００３７】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００３８】
実施例３
アクリル酸ｎ−ブチル９０部、アクリロニトリル１０部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、実施例１と同様に重合して、重量平均分子量が６２万のアクリル系ポリマ―の溶液Ｂを得た。
【００３９】
つぎに、この溶液Ｂに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてテトラメチロ―ルメタントリアクリレ―ト３０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト５部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４０】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は３４５ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１４ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００４１】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００４２】
実施例４
実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト１０部、ポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト１０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４３】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は３００ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は６４ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００４４】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００４５】
実施例５
実施例３で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ｂに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてトリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト５部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４６】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は４６５ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１７ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００４７】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００４８】
実施例６
実施例３で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ｂに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、フエノキシポリエチレングリコ―ル４０部、多官能性化合物としてポリエポキシ化合物０．０１部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４９】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は３５７ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１７ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００５０】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００５１】
実施例７
アクリル酸２−エチルヘキシル５０部、アクリル酸メチル５０部、アクリル酸１０部からなるモノマ―混合物を、製造例１と同様に重合して、重量平均分子量が９０万のアクリル系ポリマ―の溶液Ｃを得た。
【００５２】
つぎに、この溶液Ｃに、アクリル系ポリマ―１００部に対して、硬化性化合物としてトリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００５３】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は７２０ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は２３ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００５４】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００５５】
比較例１
実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―ト６０部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト９０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００５６】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は１５３ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は２８８ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００５７】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みた。しかしながら、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に剥離除去されず、ウエハ周辺部（レジスト未塗布部分）への接着力が大きすぎて、剥離作業を容易に行えず、所期の目的を果たせなかつた。
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体集積回路装置などの製造において、半導体基板上の不要となつたレジスト膜画像を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路装置の製造において、シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスにて、所定のレジスト膜画像（レジストパタ―ン）が形成され、これをマスクとして、たとえば開口部にＰ＋ 、Ｂ＋ 、Ａｓ＋ 、Ｓｂ＋ などのイオン注入、その他エツチングなどの種々の処理が施される。この際、上記のイオンは、レジスト膜画像の上表面層にも注入される。その後、不要となつたレジスト膜画像が除去されて、所定の回路が形成される。さらに、つぎの回路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサイクルが繰り返し行われる。このような回路の形成において、不要となつたレジスト膜画像を除去する方法としては、イオンアシストエツチング（灰化手段）、溶剤（剥離液）や薬品による方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、レジスト膜画像の上表面層に前記イオンが注入されて、レジスト膜画像の上表面層が硬化、変質すると、この上表面層は耐熱性が高くかつ反応性が低いことから、通常の灰化手段では、除去作業に長時間を要し、実用上除去が困難となる。さらに、レジスト材中の不純物イオンや前記注入イオンが半導体基板上に残留し、その後の熱処理により半導体基板中に注入され、設計通りの半導体集積回路の構築が不可能となり、半導体装置の特性を劣化させる。また、溶剤や薬品を用いる方法では、作業環境を害するという問題がある。
【０００４】
特開平６−３０２５０９号公報には、レジスト材の上面にレジスト除去体を貼り付け、このレジスト除去体の剥離処理により、物品上のレジスト材を除去する方法が提案されている。この方法によると、灰化手段、溶剤または薬品による方法に不可避とされた前記のような問題は少ないが、レジスト膜画像が存在しない部分での接着力が大きいため、レジスト除去体の剥離時にウエハ上にこの除去体の一部が残存し、半導体基板を汚染することがあつた。
【０００５】
したがつて、本発明は、半導体基板上の不要となつたレジスト膜画像を、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板中に注入されたり、作業環境を害することなく、また半導体基板の汚染といつた問題を生じることなく、簡単かつ確実に剥離除去する方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するため、鋭意検討した結果、レジスト除去体として特定の硬化型感圧性接着シ―ト類を用いるとともに、これを半導体基板のレジスト膜画像上に特定状態に貼り付け処理し、感圧性接着剤の硬化後に剥離処理することにより、従来の灰化手段、溶剤または薬品による方法の問題点、たとえば、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板中に注入されたり、作業環境を害するといつた問題を生じることなく、また半導体基板の汚染といつた問題を生じることもなく、レジスト膜画像を簡単かつ確実に剥離除去できることを見い出し、本発明を完成するに至つたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、半導体基板上に存在するレジスト材からなる画像の除去方法において、このレジスト膜画像上に、ダミ―ウエハの鏡面側に対する１８０度剥離接着力が硬化前で２００〜１，０００ｇ／１０ mm 幅であり、硬化後に１０〜６４ｇ／１０ mm 幅となる硬化型感圧性接着シ―ト類を貼り付け、加圧ないし加熱により硬化型感圧性接着剤の一部をレジストパタ―ンの凹部に浸透させたのち、この接着シ―ト類を硬化させ、その後、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離することを特徴とするレジスト膜画像の除去方法に係るものである。
【０００８】
【発明の構成・作用】
本発明に用いる硬化型感圧性接着シ―ト類は、フイルム基材上に厚さが約１０〜１８０μｍの硬化型感圧性接着剤の層を設けて、シ―ト状やテ―プ状の形態としたものであり、上記の接着剤には、感圧接着性を有するとともに、熱または紫外線などの活性エネルギ―線で硬化する性質を有する種々のタイプの接着剤が包含される。硬化作業性や回路基板に熱的な悪影響を与えないという観点からは、紫外線硬化型感圧性接着剤が好ましく、この場合、フイルム基材として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ―トなどからなる、厚さが約１０〜１００μｍ程度の紫外線透過性の樹脂フイルムが用いられる。
【０００９】
本発明においては、このような構成からなる硬化型感圧性接着剤として、とくに、ダミ―ウエハの鏡面側に対する１８０度剥離接着力が硬化前で２００〜１，０００ｇ／１０ mm 幅であり、硬化後に１０〜６４ｇ／１０ mm 幅となるものが選択使用される。硬化後の上記接着力が上記より大きくなりすぎると、剥離処理に問題があり、さらに糊残りによる半導体基板の汚染などの問題も生じやすく、レジスト膜画像の簡単かつ確実な剥離除去に支障をきたしやすい。
【００１０】
このような接着特性を有する硬化型感圧性接着剤としては、感圧接着性ポリマ―に分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体を含有させてなるものが好ましい。感圧接着性ポリマ―は、一般の感圧性接着剤に適用される公知の各種ポリマ―がいずれも使用できるが、とくに好ましいポリマ―として、アクリル酸アルキルエステルおよび／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマ―としたアクリル系ポリマ―が挙げられる。
【００１１】
このアクリル系ポリマ―は、上記の主モノマ―、つまりアクリル酸またはメタクリル酸と炭素数が通常１２以下のアルコ―ルとのエステルのほか、必要によりカルボキシル基または水酸基を有するモノマ―や、その他の改質用モノマ―を用いて、これらを常法により溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させることにより、合成することができる。
【００１２】
カルボキシル基含有モノマ―としては、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などが、水酸基含有モノマ―としては、たとえば、ヒドロキシエチルアクリレ―ト、ヒドロキシプロピルアクリレ―トなどが、それぞれ用いられる。これらモノマ―の使用量は、全モノマ―中、通常２０重量％以下とするのが好ましい。その他の改質用モノマ―としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ―トなどが用いられる。これら改質用モノマ―の使用量は、主モノマ―との合計量中、通常５０重量％以下とするのが好ましい。
【００１３】
なお、上記のアクリル系ポリマ―の合成にあたり、共重合モノマ―として、重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有するものを用いるか、あるいは合成後のアクリル系ポリマ―に重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を官能基間の反応により化学結合させるなどして、アクリル系ポリマ―の分子内に重合性炭素−炭素二重結合を導入しておくことにより、このポリマ―自体も紫外線の照射による重合硬化反応に関与させるようにしてもよい。
【００１４】
このようなモノマ―から構成されるアクリル系ポリマ―の分子量は、重量平均分子量で、通常３０万〜２００万であるのが好ましい。分子量が低すぎると、これに分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体を配合したときに、低粘度となつて、保存中に流れるなどの不都合を生じやすく、また高くなりすぎると、取り扱い上の問題を生じやすい。
【００１５】
このアクリル系ポリマ―をはじめとする感圧接着性ポリマ―に配合される分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体（以下、硬化性化合物という）は、上記ポリマ―との相溶性にすぐれて接着剤全体の流動化に寄与し、レジストパタ―ンの凹部への流動浸透、密着に好結果を与え、しかも加熱や紫外線などの照射により重合して接着剤全体を硬化させるものである。このような作用効果を奏するうえで、分子量が１０，０００以下であるのがよく、とくに硬化時の接着剤層の三次元網状化が効率良くなされるように、５，０００以下の分子量を有しているのがよい。
【００１６】
このような硬化性化合物の具体例としては、たとえば、トリメチロ―ルプロパントリ（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタントリ（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタンテトラ（メタ）アクリレ―ト、市販のオリゴエステル（メタ）アクリレ―ト、下記のウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―などの（メタ）アクリレ―ト系化合物が挙げられる。その他、特公平５−２５９０７号公報（とくに従来技術の欄）に記載されているようなオルガノポリシロキサン組成物などが用いられる。
【００１７】
ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―は、ポリオ―ル化合物、多価イソシアネ―ト化合物、ヒドロキシ（メタ）アクリレ―トなどより合成されるものである。ポリオ―ル化合物には、エチレングリコ―ル、プロピレングリコ―ル、ジエチレングリコ―ル、ブタンジオ―ル、ペンタンジオ―ル、トリメチロ―ルエタン、トリメチロ―ルプロパン、ペンタエリスリト―ルなどが、多価イソシアネ―ト化合物には、トルエンジイソアネ―ト、フエニレンジイソシアネ―ト、ヘキサメチレンジイソシネ―ト、ジフエニルメタンジイソシアネ―ト、ジメチルジフエニルジイソシアネ―ト、ジシクロヘキシルメタンジイソシネ―ト、キシレンジイソシアネ―トなどが、ヒドロキシ（メタ）アクリレ―トには、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ―ト、ポリエチレングリコ―ル（メタ）アクリレ―ト、ペンタエリスリト―ルトリ（メタ）アクリレ―トなどがある。
【００１８】
このような硬化性化合物は、前記の感圧接着性ポリマ―１００重量部に対し、１〜２００重量部、好ましくは５〜１５０重量部、より好ましくは１０〜１２０重量部、さらに好ましくは２０〜１００重量部の割合で用いられる。この使用量が少なすぎると、レジスト膜画像の剥離効果が十分でなくなる場合があり、また多すぎると、保存時に接着剤が流れ出すおそれがあり、好ましくない。
【００１９】
硬化型感圧性接着剤には、熱硬化の場合、ベンゾイルパ―オキサイド、アゾビスイソブチロニトリルなどの加熱によりラジカルを発生する熱重合開始剤が添加される。紫外線などの光硬化の場合、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピルベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケトンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタ―ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパンなどの光重合開始剤が添加される。これらの重合開始剤は、感圧接着性ポリマ―１００重量部に対し、０．１〜１５重量部の範囲で用いられる。
【００２０】
また、この硬化型感圧性接着剤には、半導体基板に貼り付ける際の作業性を良くする点から、感圧接着性ポリマ―を架橋して接着剤としての凝集力を高めるための架橋剤、たとえば、カルボキシル基ないし水酸基を有するアクリル系ポリマ―に対し、上記官能基と反応する多官能性化合物として、ポリイソシアネ―ト、ポリエポキシ、各種金属塩、キレ―ト化合物などを含ませてもよい。これら多官能性化合物の使用量は、感圧接着性ポリマ―１００重量部に対し、２０重量部以下の範囲内で上記ポリマ―の分子量などに応じて適宜決めればよい。
【００２１】
さらに、このような硬化型感圧性接着剤には、上記の多官能性化合物と同様の使用目的で、微粉シリカなどの充てん剤を含ませるようにしてもよい。また、この硬化型感圧性接着剤中には、粘着付与樹脂、着色剤、老化防止剤などの公知の各種添加剤のほか、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエ―テル、ベンゾキノン、ブチルカテコ―ル、トリ−ｐ−ニトロフエニルメチルなどの重合禁止剤を、必要により含ませることもできる。これら種々の添加剤の使用量は、硬化型感圧性接着剤として公知の通常の使用量でよい。
【００２２】
本発明においては、このように構成される硬化型感圧性接着シ―ト類を用い、以下の如くレジスト膜画像を除去する。まず、半導体基板のレジスト膜画像上に硬化型感圧性接着シ―ト類を貼り付け、加圧および／または加熱により硬化型感圧性接着剤の一部をレジストパタ―ンの凹部に浸透させて、十分に密着させる。通常のレジストパタ―ンは、回路形成後の基板に凹状に付着していたり、回路形成の段階で表面に微細な凹凸を有する状態となつていることが多いため、これら凹部への浸透・密着によつて、剥離操作を容易にする。
【００２３】
加圧ないし加熱は、上記接着剤のレジストパタ―ン凹部への浸透・密着によるレジスト材と上記接着剤との一体化を促進するためのものであり、その条件は、半導体基板上のレジストパタ―ンの付着状況や上記接着剤の種類などに応じて、適宜決定すればよい。一般には、指圧からロ―ル圧までの広い条件下で、接着剤の硬化や側面へのはみ出しが起こらない、通常１０〜２００℃の温度を選べばよい。加圧だけか、あるいは加熱だけでもよい。
【００２４】
このように貼り付け処理したのち、この接着シ―ト類をほぼ完全に硬化させる所定の硬化処理に供する。この硬化処理は、接着シ―ト類の種類に応じて、熱硬化または光硬化が選ばれるが、既述のとおり、半導体基板への熱的影響を考慮すると、光硬化とくに紫外線の照射による硬化が望ましく、この場合、通常３００〜５，０００ｍｊ／ｃｍ２ の照射量とするのがよい。
【００２５】
この硬化処理により、上記接着剤はレジスト材と一体化した状態で硬化して、その弾性率が著しく増大し、これに伴つてレジスト材と半導体基板との接着力が大きく低下することから、硬化後は剥離が容易で、汚染性が少ない。そのうえ、上記接着剤はレジストパタ―ンの凹部に食い込み状に浸透して硬化するため、この硬化後に接着シ―ト類を剥離することにより、半導体基板上のレジスト材は、上記接着シ―ト類と一体となつて、簡単かつ完全に剥離除去される。また、レジスト膜画像のない面に対しても、パ―テイクルの付着が少ない。
【００２６】
しかも、このようにレジスト膜画像を剥離除去する方法によると、灰化手段を用いる従来方法のような作業の長時間化や、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板に注入されるといつた心配が全くなく、また溶剤を用いる従来方法におけるような作業環境の悪化といつた心配もとくにない。
【００２７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の方法によれば、半導体基板上のレジスト膜画像を、レジスト材中の不純物イオンが半導体基板に注入されたり、作業環境を害するといつた問題を一切生じることなく、しかも半導体基板の汚染という問題を生じることもなく、簡単かつ確実に剥離除去することができる。
【００２８】
【実施例】
つぎに、本発明を、参考例、実施例および比較例により、さらに具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。また、以下において、「ダミ―ウエハ（鏡面側）」とあるのは、「ダミ―ウエハの鏡面側」の意味である。
【００２９】
参考例１
５インチのシリコンウエハ（半導体基板）の表面に、クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルからなるポジ型フオトレジストを塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジストパタ―ン（膜画像）を全表面に形成したのち、Ｐ＋ イオンを加速エネルギ―８０ＫｅＶで注入量１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２ の濃度で全面に注入した。
【００３０】
実施例１
アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリル酸エチル１５部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エチル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行い、重量平均分子量が５６万のアクリル系ポリマ―の溶液Ａを得た。
【００３１】
つぎに、この溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト１０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト１０部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００３２】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を、厚さが５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥後の厚さが４５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分乾燥して、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、下記の要領にて、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は２３５ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１３ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００３３】
＜１８０度剥離接着力の測定＞
ダミ―ウエハとして、信越半導体製の４インチのシリコンダミ―ウエハ（片面ポリツシユド）を用い、このウエハ上に幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状にした接着シ―トを貼り付け、ホツトプレ―ト（１３０℃）上で３分間加熱したのち、硬化前の接着力を測定した。また、上記の加熱後、フイルム基材側から空冷式高圧水銀灯により紫外線（４６ｍｊ／ｃｍ２ ・秒）を２３秒間照射して感圧性接着剤を硬化させたのち、硬化後の接着力を測定した。各測定は、２３℃，６５％ＲＨの雰囲気下、剥離速度３００ｍｍ／分、剥離角度１８０度の条件で行つた。
【００３４】
つぎに、参考例１によりＰ＋ のイオン注入を行つたシリコンウエハのレジスト膜画像の全面に、上記の接着シ―トを貼り付け、１３０℃で３分加熱押圧して、接着剤の一部を上記画像の凹部に浸透させたのち、高圧水銀ランプにて紫外線を１，０００ｍＪ／ｃｍ２ 照射し、接着シ―トを硬化させた。その後、接着シ―トを剥離したところ、レジスト膜画像は接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００３５】
実施例２
実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてトリレンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００３６】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は５３８ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１２ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００３７】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００３８】
実施例３
アクリル酸ｎ−ブチル９０部、アクリロニトリル１０部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、実施例１と同様に重合して、重量平均分子量が６２万のアクリル系ポリマ―の溶液Ｂを得た。
【００３９】
つぎに、この溶液Ｂに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてテトラメチロ―ルメタントリアクリレ―ト３０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト５部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４０】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は３４５ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１４ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００４１】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００４２】
実施例４
実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト１０部、ポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト１０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４３】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は３００ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は６４ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００４４】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００４５】
実施例５
実施例３で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ｂに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてトリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト５部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４６】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は４６５ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１７ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００４７】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００４８】
実施例６
実施例３で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ｂに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、フエノキシポリエチレングリコ―ル４０部、多官能性化合物としてポリエポキシ化合物０．０１部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００４９】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は３５７ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は１７ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００５０】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００５１】
実施例７
アクリル酸２−エチルヘキシル５０部、アクリル酸メチル５０部、アクリル酸１０部からなるモノマ―混合物を、製造例１と同様に重合して、重量平均分子量が９０万のアクリル系ポリマ―の溶液Ｃを得た。
【００５２】
つぎに、この溶液Ｃに、アクリル系ポリマ―１００部に対して、硬化性化合物としてトリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００５３】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は７２０ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は２３ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００５４】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みたところ、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に簡単に剥離除去された。また、ウエハ表面には接着剤の付着もみられず、ほとんど汚染されていなかつた。
【００５５】
比較例１
実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―ト６０部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト９０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤の溶液を調製した。
【００５６】
この硬化型感圧性接着剤の溶液を用いて、実施例１と同様にして、硬化型感圧性接着シ―トを作製した。この接着シ―トの硬化前のダミ―ウエハ（鏡面側）に対する１８０度剥離接着力と、硬化後の同接着力を、前記と同様にして、測定したところ、硬化前の上記１８０度剥離接着力は１５３ｇ／１０ｍｍ幅、硬化後の同接着力は２８８ｇ／１０ｍｍ幅であつた。
【００５７】
つぎに、この硬化型感圧性接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハ上のレジスト膜画像の剥離除去を試みた。しかしながら、レジスト膜画像は、この接着シ―トと一体に剥離除去されず、ウエハ周辺部（レジスト未塗布部分）への接着力が大きすぎて、剥離作業を容易に行えず、所期の目的を果たせなかつた。
Claims (1)
- 半導体基板上に存在するレジスト材からなる画像の除去方法において、このレジスト膜画像上に、ダミ―ウエハの鏡面側に対する１８０度剥離接着力が硬化前で２００〜１，０００ｇ／１０ mm 幅であり、硬化後に１０〜６４ｇ／１０ mm 幅となる硬化型感圧性接着シ―ト類を貼り付け、加圧ないし加熱により硬化型感圧性接着剤の一部をレジストパタ―ンの凹部に浸透させたのち、この接着シ―ト類を硬化させ、その後、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離することを特徴とするレジスト膜画像の除去方法。
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| JP17431495A JP3590673B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | レジスト膜画像の除去方法 |
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| JPH097932A JPH097932A (ja) | 1997-01-10 |
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-
1995
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