JP3327654B2 - レジストの多段階除去方法 - Google Patents

レジストの多段階除去方法

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JP3327654B2 JP32749593A JP32749593A JP3327654B2 JP 3327654 B2 JP3327654 B2 JP 3327654B2 JP 32749593 A JP32749593 A JP 32749593A JP 32749593 A JP32749593 A JP 32749593A JP 3327654 B2 JP3327654 B2 JP 3327654B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、例えば、半導体、回路、各種プ
リント基板、各種マスク、リードフレームなどの各種微
細加工部品の製造時において、不要となったレジストか
らなる画像(レジストパターン上に残したレジスト)を
剥離除去するために、レジスト剥離用のシートもしくは
テープなどのシート類を用いたレジストの剥離除去方法
に関する。
【0002】以下、半導体のデバイス製造の例を用いて
本発明を説明するが、本発明は、レジスト材からなる画
像が存在する物品であれば、何らその用途に限定される
ものではない。
【0003】
【従来の技術】例えば、半導体のデバイス製造におい
て、シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト材を
塗布し、通常のフォトプロセスにより、所定の画像(レ
ジストパターン)が形成される。 これをマスクとし
て、例えばイオン注入、エッチング、ドーピングなどの
種々の処理が施される。 その後不要になった画像が除
去され、所定の回路が形成される。 次いで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。 また各種基板に回路を形
成する場合も、画像形成後、不要になった画像が除去さ
れる。 この際、不要になったレジスト材からなる画像
の除去は、アッシャー(灰化手段)や溶剤(剥離液)、
薬品などにて行われるのが一般的である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、画像の
除去にアッシャーを用いると、その作業に長時間を要し
たり、レジスト材中の不純物イオンがウエハに注入され
る恐れがあった。 また、溶剤や薬品を用いると、作業
環境を害するという問題を生じていた。
【0005】これを解決するために、本出願人らは、半
導体基板上の不要となったレジストの剥離除去に際し、
感圧性接着シートを用いたレジスト剥離方法を提案して
いる(特願平3−88053号)。 しかし、感圧性接
着シートのレジスト面への密着性が低い場合や個所があ
り、そのためレジストの剥離性が低下するという問題が
あった。 そのため、使用する感圧性接着剤のレジスト
面への濡れ性を向上させることも考えられるが(例え
ば、特開平4−345015号)、硬化後の接着性が低
下したり、糊の凝集力が低下して糊残りしやすいという
問題があった。
【0006】特にレジスト膜画像の上表面層に前記イオ
ンが注入される場合には、この画像の上表面層が硬化、
変質して、この上表面層は耐熱性が高くかつ反応性が低
いことから、通常の灰化手段では、除去作業に長時間を
要し、実用上除去が困難であるという問題があった。さ
らに、通常の灰化手段を用いると、レジスト材中の不純
物イオンや前記イオンが半導体基板上に残留し、その後
の熱処理により半導体基板中に注入され、設計通りの半
導体集積回路の構築が不可能となり、半導体装置の特性
を劣化させるという問題もあった。したがって、本発明
は、半導体基板上の不要となったレジスト膜画像、特に
その除去が律速となっているイオン注入されたレジスト
の表層を、従来とは全く異なる新規な方法で、簡便かつ
確実に除去できる方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、半導体基
板などの物品上の不要となったレジスト膜画像の除去に
際し、少なくとも2段階の多段階処理により、レジスト
膜画像を簡便かつ確実に除去できることを見い出し、こ
の発明を完成するに至った。
【0008】即ち本発明は、物品上に存在するレジスト
を剥離除去する方法において、該レジストの表層上に、
この表層と親和性を有しかつ感圧性接着剤が感圧接着性
ポリマーにアミン類及び/又はアルコール類を含有させ
てなる第一の感圧性接着シート類を貼り付け、この第一
の感圧性接着シート類とレジストの表層とを一体に剥離
し、次いで残存するレジストの下層上に、感圧性接着剤
が感圧接着性ポリマーに親水性のオリゴマー及び/又は
モノマーを含有させてなる第二の感圧性接着シート類を
貼り付け、この第二の感圧性接着シート類とレジストの
下層とを一体に剥離することを特徴とするレジストの多
段階除去方法に関する。
【0009】
【発明の構成・作用】本発明のレジストの多段階除去方
法においては、まず例えばイオン注入されて改質・変質
したレジスト表層上に、以下の第一の感圧性接着シート
類を貼り付け、この接着シート類とレジストの表層とを
一体に剥離する。
【0010】ここで用いられる第一の感圧性接着シート
類は、レジストの表層と親和性を有するために、本発明
においては、感圧接着性ポリマーに、アミン類及び/又
はアルコール類を含有する感圧性接着剤を用いる。さら
に半導体基板の汚染防止という点からは、硬化型感圧性
接着剤を用いることが好ましい。
【0011】かかるアミン類を含有する硬化型感圧性接
着剤としては、感圧接着性ポリマーに、後述のアミン系
化合物あるいはモノマーを、含有もしくは共重合させて
なるものであり、かかる方法により、レジスト材と該接
着剤との一体化を促進させることができる。 具体例と
しては、例えば(1)感圧接着性ポリマーに、レジスト
材との親和性が良好なアミン系化合物を含有させてなる
硬化型感圧性接着剤、(2)感圧接着性ポリマーに、分
子内に少なくとも1個の反応性官能基を有するアミン系
化合物を含有させてなる硬化型感圧性接着剤、(3)感
圧接着性ポリマーに、アミン系モノマーを共重合してな
る硬化型感圧性接着剤などが挙げられる。
【0012】上記(1)で用いられるアミン系化合物
は、レジスト材との親和性が良好であることが必要であ
る。 ここでレジスト材との親和性が良好であるという
のは、レジスト材を溶解、膨潤あるいは破壊する現象が
顕著であることを意味し、レジスト材中に移行あるいは
拡散する現象も含まれる。 この目安として、溶剤を十
分乾燥したレジスト材をこのアミン系化合物中に浸漬
し、例えば、130℃に24時間保存したときに、レジ
スト材が溶解、膨潤あるいは破壊する程度とする。ま
た、この化合物が不揮発性であるとは、接着剤の塗布乾
燥工程などにおいて、簡単に揮散してしまうことがない
ことを意味する。
【0013】かかるアミン系化合物の具体例としては、
例えば、トリエチルアミン、トリオクチルアミン、トリ
エタノールアミンなどの3級アミン類、ジイソオクチル
アミン、ジエタノールアミンなどの2級アミン類、ステ
アリルアミン、アミノナフトール、2−アミノプロピル
アルコール、m−キシリレンジアミンなどの1級アミン
類、その他、ポリエチレンイミンやトリエチレンテトラ
ミンなどのアミンポリマーや1〜3級アミノ基を有する
ものも挙げられる。 これらの中から、用いられる前記
感圧接着性ポリマーや後述の不揮発性化合物の種類、対
象とされるレジスト材などに応じて、その一種又は二種
以上が適宜選択して使用することができる。
【0014】このアミン化合物の使用量は、感圧接着性
ポリマー100重量部に対して、通常1〜50重量部、
好ましくは5〜30重量部とするのが良い。 この使用
量が多すぎると、保存時に接着剤が流れだしたり、時に
は硬化してしまうなど保存安定性が悪くなるので好まし
くない。 また少なすぎると、レジスト材の除去効果が
十分でなくなるので好ましくない。
【0015】特にこのアミン化合物は、例えば、半導体
ウエハ処理工程中のイオン注入工程により変質したレジ
ストの除去に際して、接着剤とレジスト材との一体化を
促進するのに寄与する。
【0016】上記(2)における分子内に少なくとも1
個の反応性官能基を有するアミン系化合物としては、例
えば、以下の一般式〔化1〕で表されるジアルキルアミ
ノアルキル(メタ)アクリルアミド及び/又は(メタ)
アクリル酸ジアルキルアミノアルキルエステル、一般式
〔化2〕で表されるアリルアミンなどの不飽和二重結合
を1個以上有するアミン系化合物、あるいは一般式〔化
3〕で表されるようなエポキシ基を1個以上有するアミ
ン系化合物、一般式〔化4〕で表される化合物、あるい
は3又は4ビニルピリジン及びその誘導体、N−ビニル
カルバゾールなどが挙げられる。
【0017】
【化1】
【0018】
【化2】
【0019】
【化3】
【0020】
【化4】
【0021】本発明においては、これらの中から、用い
る前記感圧接着性ポリマーや後述の不揮発性化合物の種
類、対象とされるレジスト材などに応じて、その一種又
は二種以上を適宜選択して使用することができる。
【0022】これら分子内に少なくとも1個の反応性官
能基を有するアミン系化合物の使用量は、感圧接着性ポ
リマー100重量部に対して、通常1〜100重量部、
好ましくは5〜50重量部とするのが良い。 この使用
量が多すぎると、保存時に接着剤が流れだしたり、時に
は硬化してしまうなど保存安定性が悪くなるので好まし
くない。 また少なすぎると、レジスト材の除去効果が
十分でなくなるので好ましくない。本発明においては、
かかる分子内に少なくとも1個の反応性官能基を有する
アミン系化合物を用いることにより、例えば半導体ウエ
ハ処理工程中のイオン注入工程などにより変質したレジ
ストパターンの除去に際して、前記の如く接着剤とレジ
スト材との一体化をさらに促進する効果がある。
【0023】上記(3)におけるアミン系モノマーとし
ては、例えば、以下の一般式〔化5〕で表されるジアル
キルアミノアルキル(メタ)アクリルアミド及び/又は
(メタ)アクリル酸ジアルキルアミノアルキルエステ
ル、一般式〔化6〕で表されるアリルアミン、一般式
〔化7〕で表される化合物、あるいは3又は4ビニルピ
リジン及びその誘導体、ビニルカルバゾールなどが挙げ
られる。
【0024】
【化5】
【0025】
【化6】
【0026】
【化7】
【0027】本発明においては、これらの中から、用い
る前記感圧接着性ポリマーや後述の不揮発性化合物の種
類や対象とされるレジスト材に応じて、その一種又は二
種以上を適宜選択して使用することができる。
【0028】これらアミン系モノマーの使用量は、その
他の共重合モノマー全量100重量部に対して、通常5
〜200重量部、好ましくは5〜50重量部とするのが
良い。 この使用量が多すぎると、後述するポリマーの
弾性率が低くなりすぎ、レジスト材の剥離性が良くなら
ない傾向があり、一方、少なすぎると、レジスト材との
一体化などの効果が十分でなくなるので好ましくない。
【0029】本発明においては、かかるアミン系モノマ
ーを共重合させることにより、前記の反応性官能基を有
するアミン系化合物を用いるのと同様の効果があり、得
られる接着シート類自体の安定性や保存性を増すという
効果もある。
【0030】またアルコール類を含有する硬化型感圧性
接着剤としては、感圧接着性ポリマーに、後述のアルコ
ール類を含有させてなるものであり、かかる方法によ
り、レジスト材と該接着剤との一体化を促進させること
ができる。 具体例としては、例えばオレイルアルコー
ル、オクチルアルコール、ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリストールトリアクリレート、2−ヒドロ
キシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、2−アク
リロイルオキシエチル2ヒドロキシプロピルフタレート
などが挙げられる。
【0031】かかるアルコール類の含有量は、通常5〜
100重量部、好ましくは10〜50重量部が好まし
い。 かかる量が少なすぎると、レジスト材の剥離性が
良くならない場合があるという問題があり、一方、多す
ぎると感圧性接着剤が極めて軟らかくなり、ベトツキが
生じ、実用上取扱いが困難となる。 また保存中に流れ
が生じ、耐保存性が悪くなる。
【0032】また本発明におけるレジストの下層を除去
するための手段としては、第二の感圧性接着シート類を
用いて剥離する。 かかる第二の感圧性接着シート類の
感圧性接着剤としては、感圧接着性ポリマーに、親水性
のオリゴマー及び/又はモノマーを含有させてなる感圧
性接着剤が用いられる。
【0033】ここで親水性のオリゴマーとしては、レジ
ストに対して親和性があり、共重合可能であれば特に限
定されないが、具体的には例えば、ウレタンアクリレー
ト、オリゴエステルアクリレート、フェノールノボラッ
クアクリレート、ビスフェノールAのアクリル誘導体な
どが挙げられる。
【0034】また親水性モノマーとしては、レジストに
対し親和性があり、共重合可能であれば限定されない
が、具体的には例えば、(ポリ)エチレングリコール
(モノ、ジ)(メタ)アクリレート、ポリプロピレング
リコール(モノ、ジ)(メタ)アクリレート、その他各
種多官能アクリレート、ウレタンアクリレート、エステ
ルアクリレート、多価アルコールアクリレートなどが挙
げられる。
【0035】これら親水性のオリゴマー及び/又はモノ
マーの含有量は、5〜150重量部、好ましくは10〜
100重量部である。 かかる範囲より少ないと、レジ
スト材の剥離性が良くならないおそれがあり、一方、多
すぎると感圧性接着剤が軟化して極めて軟らかくなりベ
トツキが生じ、取扱いが困難となる場合や、UV照射後
の感圧性接着剤が極めて硬く又はもろくなり、「割れ」
が生じたり、テープ基材の切断が生じて実用上取扱いが
困難となる場合がある。
【0036】本発明における第1及び第2の硬化型感圧
性接着剤は、感圧接着性ポリマーに、レジスト材との親
和性が良好で、かつ分子内に不飽和二重結合を1個以上
有する不揮発性化合物を含有させてなるものが好まし
い。
【0037】ここで感圧接着性ポリマーとしては、一般
の感圧接着剤に適用される公知の各種ポリマーがいずれ
も使用可能であるが、特に好ましいポリマーとして、ア
クリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アル
キルエステルを主モノマーとしたアクリル系ポリマーが
挙げられる。
【0038】このアクリル系ポリマーは、上記の主モノ
マー、つまりアクリル酸またはメタクリル酸と炭素数が
通常12以下のアルコールとのエステルのほか、必要に
よりカルボキシル基あるいは水酸基を有するモノマー
や、その他の改質用モノマーを用いて、これらを常法に
より溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方
法で重合させることにより、得ることができる。
【0039】このカルボキシル基含有モノマーとして
は、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、
イタコン酸などが、水酸基含有モノマーとしては、例え
ば、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピ
ルアクリレートなどがそれぞれ用いられる。 これらの
モノマーの使用量は、全モノマー中、通常20重量%以
下とするのが好ましい。
【0040】また上記その他の改質用モノマーとして
は、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アク
リロニトリル、アクリルアミド、クグリシジルメタクリ
レートなどが用いられる。
【0041】このようなモノマーから構成されるアクリ
ル系ポリマーの分子量は、重量平均分子量で、通常10
万〜200万であることが好ましい。 分子量が低すぎ
るとこれに後述の不揮発性化合物を配合したときに低粘
度となって、保存中に流れるなどの不都合を生じやす
く、また高くなりすぎると、取り扱い上の問題を生じや
すい。 また、このアクリル系ポリマーは、画像除去時
の作業性を勘案して、そのガラス転移点が250°K以
下であるのが好ましい。 これより高くなると、硬化後
に硬くなりすぎて剥離が重くなる傾向がある。 ただ
し、このような高いガラス転移点を有するアクリル系ポ
リマーの使用をすべて排除しようとするものではなく、
場合により使用可能なのは勿論である。
【0042】本発明においては、上記感圧接着性ポリマ
ーに、レジスト材との親和性が良好で、かつ分子内に不
飽和二重結合を1個以上有する不揮発性化合物を含有し
てなる硬化型感圧性接着剤からなる接着シートが好まし
く用いられる。 ここでレジスト材との親和性が良好で
あるというのは、レジスト材を溶解、膨潤あるいは破壊
する現象が顕著であることを意味し、レジスト材中に移
行あるいは拡散する現象も含まれる。 この目安とし
て、溶剤を十分乾燥したレジスト材をこの不揮発性化合
物中に浸漬し、例えば、130℃に24時間保存したと
きに、レジスト材が溶解、膨潤あるいは破壊する程度と
する。 また、この化合物が不揮発性であるとは、接着
剤の塗布乾燥工程などにおいて、簡単に揮散してしまう
ことがないことを意味する。
【0043】かかる不揮発性化合物は、接着シート類が
レジスト膜画像が存在する半導体基板などの物品上に貼
り付けられた後、この化合物の作用でレジスト材と接着
剤が一体化し、その後硬化するという機能を有する。
したがって、この不揮発性化合物としては、分子内に熱
や光などで硬化できる不飽和二重結合を1個以上有する
とともに、レジスト材との親和性が良好であることが要
求され、さらに感圧接着性ポリマーとの相溶性がよく保
存時に流れ出ないことも要求される。
【0044】このような不揮発性化合物としては、例え
ば、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリ
レート、ε−カプロラクトン(メタ)アクリレート、ポ
リエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプ
ロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエ
リスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ウレタン
(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレー
ト、オリゴエステル(メタ)アクリレートなどが挙げら
れ、これらの中から、用いる感圧接着性ポリマーの種類
や対象とされるレジスト材に応じて、その一種または二
種以上を適宜選択使用できる。
【0045】この不揮発性化合物の使用量としては、感
圧接着性ポリマー100重量部に対して、通常5〜20
0重量部、好ましくは10〜100重量部とするのがよ
い。この使用量が少なすぎると、レジスト材の剥離効果
が十分ではなくなる場合があり、また多すぎると、保存
時に接着剤が流れ出す恐れがあり、好ましくない。
【0046】本発明で用いる上記の硬化型感圧性接着剤
においては、半導体基板などの物品に貼り付ける際の作
業性の点から、前記感圧接着性ポリマーを架橋して凝集
力を高めておくのが好ましい。 例えば、感圧接着性ポ
リマーとしてカルボキシル基あるいは水酸基含有モノマ
ーを共重合させたアクリル系ポリマーを用い、このポリ
マーの上記官能基と反応する多官能性化合物、例えばポ
リイソシアネート、ポリエポキシ、各種金属塩、キレー
ト化合物などを接着剤中に含有することにより、シート
状などの成形段階で上記反応を促進させて、上記ポリマ
ーの架橋を行わせることができる。
【0047】かかる多官能性化合物の使用量は、感圧接
着性ポリマー100重量部に対して通常20重量部以下
とし、この範囲内で上記ポリマーの分子量が低ければ多
く、高ければ少なくなるように、適宜選択すればよい。
多官能性化合物の使用量が多すぎると、接着力が低下
するため、好ましくない。
【0048】また、この硬化型感圧性接着剤には、上記
の多官能性化合物の使用と同じ目的で微粉シリカなどの
充填剤を含有させることもできる。 さらに、粘着付与
剤、着色剤、老化防止剤などの各種添加剤を必要に応じ
て含有することもできる。これらの使用量は、通常の範
囲でよい。
【0049】このような各種成分を含ませることができ
る硬化型感圧性接着剤には、さらにその硬化手段に応じ
た重合開始剤がを添加することができる。 例えば、熱
硬化の場合は、ベンゾイルパーオキサイド、アゾビスイ
ソブチロニトリルなどの加熱によりラジカルを発生する
熱重合開始剤が用いられ、また紫外線などの光硬化の場
合は、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ジベン
ジルなどの光照射によりラジカルを発生する光重合開始
剤が用いられる。 これらの重合開始剤は、感圧接着性
ポリマー100重量部に対して、通常0.1〜10重量
部の範囲で使用される。
【0050】このような硬化型感圧性接着剤は、その使
用に際し、場合によりこれ単独でシート状やテープ状な
どに成形されることもできるが、通常はフィルム基材上
に乾燥後の厚さが約10〜180μmとなるように塗着
され、本発明のレジスト剥離用の接着シート類とするこ
とができる。 かかるフィルム基材としては、例えば、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢
酸ビニル共重合体ケン化物などからなる、厚さが通常約
12〜100μmの樹脂フィルムが用いられ、特に接着
剤の硬化を光照射にて行う場合は、紫外線などの光を透
過するものが選択使用される。
【0051】本発明のレジストの多段階除去方法におい
て、半導体基板などの物品上のに存在するレジストの表
層上に、上記構成の硬化型感圧性接着剤を用いた接着シ
ート類を貼り付け、レジストの表層とこの接着剤とを一
体化させた後、加熱または光照射などによる所定の硬化
処理を行う。 この際、半導体基板に与える熱的影響を
考慮に入れる場合は、光照射による硬化処理が特に好適
で、その照射量は、紫外線では通常100〜5000m
j/cm2 好ましくは300〜3000mj/cm2
範囲とするのがよい。
【0052】この硬化処理により、上記接着剤はレジス
ト材と一体化した状態で硬化して、その弾性率が著しく
増大し、これに伴ってレジスト表層と下層との接着力が
大きく低下する。 その結果、この硬化後に接着シート
類を剥離することにより、基板上のレジスト表層は、こ
の接着シート類と一体になって、簡単かつ完全に剥離除
去できる。
【0053】本発明においては、次いで前記第2の感圧
性接着剤からなる第2の感圧性接着シート類を、物品上
の残存するレジスト上に貼り付け、この接着シート類と
レジスト下層とを一体に剥離することにより、レジスト
層を簡単かつ完全に剥離除去できる。
【0054】本発明で用いられる接着シート類は、半導
体基板の汚染防止という点から特にレジスト剤との親和
性が良好な硬化型感圧性接着剤を用いた接着シート類を
貼り付けることが好ましい。 このとき、レジスト材と
上記接着剤とは良好に貼着一体化されるが、この貼着一
体化を促進するために、上記貼り付け時に加熱及び/又
は加圧することもできる。
【0055】また本発明においては、上記工程を少なく
とも2回行えばよく、例えばそれ以上の複数回繰り返す
ことも可能である。
【0056】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体基
板などの物品上のレジストを簡便かつ確実に除去できる
という効果がある。
【0057】
【実施例】以下、本発明を実施例にもとづいて説明す
る。 なお、以下部とあるのは重量部を意味する。
【0058】参考例1 シリコンウエハ(半導体基板)の表面に、クレゾールノ
ボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるレジスト
材を塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像
を全表面に形成した後、As+ イオンを加速エネルギー8
0keV でドーズ量1×1016ions/cm2の高濃度で全面に注
入した。
【0059】実施例1(レジスト表層剥離用接着シート
1の製造) アクリル酸n−ブチル80部、アクリル酸エチル15
部、アクリル酸5部からなるモノマー混合物を、酢酸エ
チル150部、アゾビスイソブチロニトリル0.1部を
用いて、窒素気流下60℃にて12時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が56万、ガラス転移点が231°
Kのアクリル系ポリマーの溶液を得た。このアクリル系
ポリマー溶液250部にアミン系化合物としてトリエタ
ノールアミン10部、不揮発性化合物としてオリゴエス
テルアクリレート100部、重合開始剤としてDETX-S5
部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤溶液を得
た。つぎに、この硬化型感圧性接着剤溶液を、厚さが5
0μmのポリエステルフィルム上に、乾燥後の厚さが5
0μmとなるように塗布し、150℃で10分間乾燥し
て、本発明のレジスト表層剥離用接着シート1を作製し
た。
【0060】実施例2(レジスト表層剥離用接着シート
2の製造) アクリル酸−2−エチルヘキシル60部、アクリル酸ブ
チル30部、酢酸ビニル5部、アクリル酸5部からなる
モノマー混合物を、実施例1と同様に重合して、重量平
均分子量が62万、ガラス転移点が217°Kのアクリ
ル系ポリマーの溶液を得た。このアクリル系ポリマー溶
液250部に、アミン系化合物としてトリオクチルアミ
ン10部、不揮発性化合物としてエポキシアクリレート
15部及びポリエチレングリコールジメタクリレート1
0部、光重合開始剤イルガキュアー1843部を、均一
に混合して、硬化型感圧性接着剤溶液を得、実施例1と
同様にしてレジスト表層剥離用接着シート2の接着テー
プを得た。
【0061】比較例1 実施例1のトリエタノールアミンを除いた以外は、実施
例1と同様にして接着テープを得た。
【0062】比較例2 実施例2におけるトリオクチルアミン10部を、トリフ
ェニルホスフィン3部に代えた以外は、実施例2と同様
にして接着テープを得た。
【0063】実施例3(レジスト表層剥離用接着シート
3の製造) 実施例1におけるトリエタノールアミン10部をキシリ
レンジアミン5部に代えた以外は、実施例1と同様にし
てレジスト表層剥離用接着シート3を得た。
【0064】実施例4(レジスト表層剥離用接着シート
4の製造) 実施例2におけるトリオクチルアミン10部を、ステア
リルアミン5部に代えた以外は、実施例2と同様にして
接着シート4を得た。
【0065】実施例5(レジスト表層剥離用接着シート
5の製造) 実施例1で得たアクリル系ポリマー溶液250部に、分
子内に少なくとも1個の反応性基を有するアミン系化合
物としてテトラグリシジルメタキシレンジアミン15
部、不揮発性化合物としてポリエチレングリコールジメ
タクリレート50部、光重合開始剤3部を、均一に混合
して、硬化型感圧性接着剤溶液を得た。つぎに、この硬
化型感圧性接着剤溶液を、厚さが50μmのポリエステ
ルフィルム上に、乾燥後の厚さが50μmとなるように
塗布し、150℃で10分間乾燥して、本発明のレジス
ト表層剥離用接着シート5を作製した。
【0066】実施例6(レジスト表層剥離用接着シート
6の製造) 実施例5において、テトラグリシジルメタキシレンジア
ミン15部を、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド
25部に代えた以外は、実施例5と同様にして接着シー
ト6を得た。
【0067】実施例7(レジスト表層剥離用接着シート
7の製造) 実施例2で得たアクリル系ポリマー溶液250部に、分
子内に少なくとも1個の反応性基を有するアミン系化合
物としてジメチルアミノエチルアクリレート20部、不
揮発性化合物としてエポキシアクリレート20部、光重
合開始剤3部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤
溶液を得、次いで実施例5と同様にして接着シート7を
得た。
【0068】実施例8(レジスト表層剥離用接着シート
8の製造) 実施例2で得たアクリル系ポリマー溶液250部に、分
子内に少なくとも1個の反応性基を有するアミン系化合
物としてジエチルアミノプロピルメタクリレート15
部、不揮発性化合物としてポリエチレングリコールジメ
タクリレート50部、光重合開始剤3部を、均一に混合
して、硬化型感圧性接着剤溶液を得、次いで実施例5と
同様にして接着シート8を得た。
【0069】比較例3 実施例8のジエチルアミノプロピルメタクリレート15
部を、省いた以外は、実施例8と同様にして接着テープ
を得た。
【0070】実施例9(レジスト表層剥離用接着シート
9の製造) アクリル酸n−ブチル80部、ジメチルアミノプロピル
アクリルアミド25部、アクリル酸エチル15部、アク
リル酸5部からなるモノマー混合物を、酢酸エチル15
0部、アゾビスイソブチロニトリル0.1部を用いて、
窒素気流下60℃にて12時間溶液重合を行い、重量平
均分子量が36万、ガラス転移点が241°Kの、アミ
ン系モノマーが共重合されたアクリル系ポリマー溶液を
得た。このアクリル系ポリマー溶液250部に、不揮発
性化合物としてエポキシアクリレート25部、光重合開
始剤3部を、均一に混合して、硬化型感圧性接着剤溶液
を得た。つぎに、この硬化型感圧性接着剤溶液を、厚さ
が50μmのポリエステルフィルム上に、乾燥後の厚さ
が50μmとなるように塗布し、150℃で10分間乾
燥して、本発明の接着シート9を作製した。
【0071】比較例4 実施例9においてジメチルアミノプロピルアクリルアミ
ドを除いて共重合したアクリル系ポリマー(重量平均分
子量が56万、ガラス転移点が246°K)溶液を用い
て、同様にして接着テープを得た。
【0072】実施例10(レジスト表層剥離用接着シー
ト10の製造) アクリル酸−2−エチルヘキシル60部、アクリル酸ブ
チル30部、酢酸ビニル5部、アクリル酸5部、ジメチ
ルアミノエチルメタクリレート20部からなるモノマー
混合物を、実施例9と同様に重合して、重量平均分子量
が65万、ガラス転移点が228°Kの、アミン系モノ
マーが共重合されたアクリル系ポリマー溶液を得た。こ
のアクリル系ポリマー溶液250部に、不揮発性化合物
としてポリエチレングリコールジメタクリレート40
部、光重合開始剤3部を、均一に混合して、塩基性の硬
化型感圧性接着剤溶液を得、実施例9と同様にして接着
シート10を得た。
【0073】比較例5 実施例10のジメチルアミノエチルメタクリレート20
部を除いて共重合したアクリル系ポリマー(重量平均分
子量が62万、ガラス転移点が207°K)溶液を用い
て、同様にして接着テープを得た。
【0074】実施例11(レジスト下層剥離用接着シー
ト1の製造) 実施例1のアクリルポリマー100部に、ポリエチレン
グリコールアクリレート(重量平均分子量:500)4
0部、ウレタン系光架橋剤3部を添加したものを、ポリ
エステルフィルム上に乾燥後の厚みが30μmとなるよ
うに塗布し、下層剥離用接着シート1を得た。
【0075】実施例12(レジスト下層剥離用接着シー
ト2の製造) 実施例10において、ジメチルアミノエチルアクリレー
トを除いたモノマー混合物より得られたポリマー(重量
平均分子量:80万、ガラス転移点が233°K)10
0部に対し、ペンタエリスリトールトリアクリレート1
0部、ジエチレングリコールジアクリレート30部を添
加し、光重合開始剤を3部混合したものを、ポリエステ
ルフィルム上に乾燥後の厚みが50μmとなるように塗
布し、下層剥離用接着シート2を得た。
【0076】実施例13(2段階除去) 参考例1におけるレジストの表層上に、実施例1〜10
及び比較例5の接着シートをそれぞれ貼り付け、この接
着シート類とレジストの表層とを一体に剥離し、次いで
残存するレジストの下層上に実施例11または実施例1
2の接着シートを貼り付け、この接着シート類とレジス
トの表層とを一体に剥離した。
【0077】その結果を以下の表1及び表2に示す。
本発明の方法により、ウエハ表面のレジストを確実に剥
離除去できることがわかる。ここで、それぞれの剥離面
積(%)とは、被剥離面積に対して実際にレジストを剥
離できた面積の割合をいう。
【0078】
【0079】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−345015(JP,A) 特開 平5−275324(JP,A) 特開 平6−267893(JP,A) 特開 平6−140318(JP,A) 特開 平7−66102(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/16

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 物品上に存在するレジストを剥離除去す
    る方法において、該レジストの表層上に、この表層と親
    和性を有しかつ感圧性接着剤が感圧接着性ポリマーにア
    ミン類及び/又はアルコール類を含有させてなる第一の
    感圧性接着シート類を貼り付け、この第一の感圧性接着
    シート類とレジストの表層とを一体に剥離し、次いで残
    存するレジストの下層上に、感圧性接着剤が感圧接着性
    ポリマーに親水性のオリゴマー及び/又はモノマーを含
    有させてなる第二の感圧性接着シート類を貼り付け、こ
    の第二の感圧性接着シート類とレジストの下層とを一体
    に剥離することを特徴とするレジストの多段階除去方
    法。
  2. 【請求項2】 物品が半導体基板であり、レジストの表
    層が半導体製造プロセスにおいてイオン注入された層で
    あることを特徴とする請求項1記載のレジストの多段階
    除去方法。
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