JPH09311464A - レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法Info
- Publication number
- JPH09311464A JPH09311464A JP12564096A JP12564096A JPH09311464A JP H09311464 A JPH09311464 A JP H09311464A JP 12564096 A JP12564096 A JP 12564096A JP 12564096 A JP12564096 A JP 12564096A JP H09311464 A JPH09311464 A JP H09311464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- adhesive sheet
- article
- adhesive
- resist material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 物品上の不要となつたレジスト膜画像を、そ
の種類や性状に関係なく、接着シ―ト類を用いて簡便に
かつ確実に除去し、また除去後に物品上にパ─テイクル
が残らなくなるようにする。 【解決手段】 レジスト除去用接着シ―ト類として、フ
イルム基材上に光硬化型接着剤層を設け、この接着剤層
中にＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその
誘導体を含ませてなるものを使用し、この接着シ―ト類
をレジスト膜画像が存在する物品上に貼り付け、この接
着シ―ト類を光硬化させたのち、この接着シ―ト類とレ
ジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除
去する。
の種類や性状に関係なく、接着シ―ト類を用いて簡便に
かつ確実に除去し、また除去後に物品上にパ─テイクル
が残らなくなるようにする。 【解決手段】 レジスト除去用接着シ―ト類として、フ
イルム基材上に光硬化型接着剤層を設け、この接着剤層
中にＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその
誘導体を含ませてなるものを使用し、この接着シ―ト類
をレジスト膜画像が存在する物品上に貼り付け、この接
着シ―ト類を光硬化させたのち、この接着シ―ト類とレ
ジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除
去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造に際して、不要となつたレジスト膜画
像（レジストパタ―ン）を除去する技術に関するもので
ある。
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造に際して、不要となつたレジスト膜画
像（レジストパタ―ン）を除去する技術に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体のデバイス製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エツチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エツチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。
【０００３】この際、不要となつたレジスト材の除去は
アツシヤ―（灰化手段）や溶剤、薬品などにて行われる
のが一般的である。しかし、レジスト材の除去にアツシ
ヤ―を用いると、作業に長時間を要したり、レジスト材
中の不純物がウエハに注入されるおそれがあり、また半
導体基板にダメ─ジを与えることがある。また、溶剤や
薬品を用いると、作業環境を害するという問題があつ
た。
アツシヤ―（灰化手段）や溶剤、薬品などにて行われる
のが一般的である。しかし、レジスト材の除去にアツシ
ヤ―を用いると、作業に長時間を要したり、レジスト材
中の不純物がウエハに注入されるおそれがあり、また半
導体基板にダメ─ジを与えることがある。また、溶剤や
薬品を用いると、作業環境を害するという問題があつ
た。
【０００４】このため、レジスト膜画像の除去に際し、
高分子重合体の溶液を上記画像を有する半導体基板上に
塗布し、加熱乾燥などの特定の処理を施したのち、高分
子重合体とレジスト材とを一体に剥離する方法、高分子
重合体からなる接着シ―ト類をレジスト膜画像の上面に
貼り付け、加熱処理などの特定の処理を施したのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離する方法な
どが提案された。とくに、後者の方法は、簡易な除去方
法として注目されている。
高分子重合体の溶液を上記画像を有する半導体基板上に
塗布し、加熱乾燥などの特定の処理を施したのち、高分
子重合体とレジスト材とを一体に剥離する方法、高分子
重合体からなる接着シ―ト類をレジスト膜画像の上面に
貼り付け、加熱処理などの特定の処理を施したのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離する方法な
どが提案された。とくに、後者の方法は、簡易な除去方
法として注目されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、接着シ―ト
類を用いる方法は、レジスト膜画像の種類や性状により
レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで物品
上に残る場合があり、とくに半導体基板にイオンを注入
したり、半導体基板をドライエツチングしたのちレジス
ト材を除去する際には、全く除去されない場合があり、
接着シ─ト類による除去操作を２度、３度と繰り返す必
要があつた。しかも、レジスト材が剥離された基板上に
レジスト材や接着シ─ト類由来の微粒子状有機物質（以
下、パ─テイクルという）が多量に残るという問題もあ
つた。
類を用いる方法は、レジスト膜画像の種類や性状により
レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで物品
上に残る場合があり、とくに半導体基板にイオンを注入
したり、半導体基板をドライエツチングしたのちレジス
ト材を除去する際には、全く除去されない場合があり、
接着シ─ト類による除去操作を２度、３度と繰り返す必
要があつた。しかも、レジスト材が剥離された基板上に
レジスト材や接着シ─ト類由来の微粒子状有機物質（以
下、パ─テイクルという）が多量に残るという問題もあ
つた。
【０００６】本発明は、上記の事情に照らし、物品上の
不要となつたレジスト膜画像を、その種類や性状に関係
なく、接着シ―ト類を用いて簡便にかつ確実に除去し、
また除去後に物品上にパ─テイクルが残らなくすること
を目的としている。
不要となつたレジスト膜画像を、その種類や性状に関係
なく、接着シ―ト類を用いて簡便にかつ確実に除去し、
また除去後に物品上にパ─テイクルが残らなくすること
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着剤層中に特
定の不飽和化合物を含ませた光硬化型接着シ―ト類を用
いたときに、高いレジスト除去性が得られ、レジスト膜
画像を簡便にかつ確実に除去でき、物品上のパ─テイク
ルの数も低減できることを知り、本発明を完成するに至
つた。
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着剤層中に特
定の不飽和化合物を含ませた光硬化型接着シ―ト類を用
いたときに、高いレジスト除去性が得られ、レジスト膜
画像を簡便にかつ確実に除去でき、物品上のパ─テイク
ルの数も低減できることを知り、本発明を完成するに至
つた。
【０００８】すなわち、本発明は、フイルム基材上に光
硬化型接着剤層が設けられてなり、かつ上記の接着剤層
中につぎの一般式（１）； ＣＨ2 ＝ＣＲ1 ＣＯＮＨＣＨ2 ＯＲ2 …（１） 〔式中、Ｒ1 は水素またはメチル基であり、Ｒ2 は水素
またはＣn Ｈ2n+1基（ｎ＝１〜４）である〕で表わされ
るＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその誘
導体が含まれていることを特徴とするレジスト除去用接
着シ―ト類（請求項１，２）と、レジスト膜画像が存在
する物品上に、上記構成のレジスト除去用接着シ―ト類
を貼り付け、この接着シ―ト類を光硬化させたのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去することを特徴とするレジスト除
去方法（請求項３）に係るものである。
硬化型接着剤層が設けられてなり、かつ上記の接着剤層
中につぎの一般式（１）； ＣＨ2 ＝ＣＲ1 ＣＯＮＨＣＨ2 ＯＲ2 …（１） 〔式中、Ｒ1 は水素またはメチル基であり、Ｒ2 は水素
またはＣn Ｈ2n+1基（ｎ＝１〜４）である〕で表わされ
るＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその誘
導体が含まれていることを特徴とするレジスト除去用接
着シ―ト類（請求項１，２）と、レジスト膜画像が存在
する物品上に、上記構成のレジスト除去用接着シ―ト類
を貼り付け、この接着シ―ト類を光硬化させたのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去することを特徴とするレジスト除
去方法（請求項３）に係るものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト除去用接着シ―
ト類において、フイルム基材としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどの各種プラスチツクからなる、厚さが
通常１０〜１００μｍ程度の紫外線などの光を透過しう
るプラスチツクフイルムが用いられる。
ト類において、フイルム基材としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどの各種プラスチツクからなる、厚さが
通常１０〜１００μｍ程度の紫外線などの光を透過しう
るプラスチツクフイルムが用いられる。
【００１０】このようなフイルム基材上に通常１０〜１
８０μｍ程度の光硬化型接着剤層を形成し、シ―ト状や
テ―プ状などのレジスト除去用接着シ―ト類とする。こ
こで、上記の光硬化型接着剤層中に前記の一般式（１）
で表わされるＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドま
たはその誘導体からなる不飽和化合物を含ませると、レ
ジスト材の種類や性状に関係なく、高いレジスト除去性
が得られるとともに、良好なパ─テイクル低減効果を発
現させることができる。
８０μｍ程度の光硬化型接着剤層を形成し、シ―ト状や
テ―プ状などのレジスト除去用接着シ―ト類とする。こ
こで、上記の光硬化型接着剤層中に前記の一般式（１）
で表わされるＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドま
たはその誘導体からなる不飽和化合物を含ませると、レ
ジスト材の種類や性状に関係なく、高いレジスト除去性
が得られるとともに、良好なパ─テイクル低減効果を発
現させることができる。
【００１１】この理由についは必ずしも明らかではない
が、上記の不飽和化合物がレジスト材中に浸透親和して
これが光照射によりレジスト材と一体に硬化するととも
に、光硬化型接着剤を構成する高分子重合体に含まれる
カルボキシル基や水酸基などとの間で官能基同志の反応
による結合を生じることも考えられ、これらのことが要
因となつて上記効果を発現するものと思われる。
が、上記の不飽和化合物がレジスト材中に浸透親和して
これが光照射によりレジスト材と一体に硬化するととも
に、光硬化型接着剤を構成する高分子重合体に含まれる
カルボキシル基や水酸基などとの間で官能基同志の反応
による結合を生じることも考えられ、これらのことが要
因となつて上記効果を発現するものと思われる。
【００１２】このような効果を発現する上記の不飽和化
合物としては、Ｎ−メチロ―ルアクリルアミドやＮ−メ
チロ―ルメタクリルアミドのほか、これらの誘導体とし
て、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−
エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−プロポキ
シメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル
（メタ）アクリルアミドなどが挙げられる。使用量は、
光硬化型接着剤を構成する高分子重合体１００重量部あ
たり、１〜１００重量部、好ましくは５〜５０重量部と
するのがよい。過少では上記効果が得られず、また過多
となるとレジスト除去性やパ─テイクル低減効果が低下
してくる。
合物としては、Ｎ−メチロ―ルアクリルアミドやＮ−メ
チロ―ルメタクリルアミドのほか、これらの誘導体とし
て、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−
エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−プロポキ
シメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル
（メタ）アクリルアミドなどが挙げられる。使用量は、
光硬化型接着剤を構成する高分子重合体１００重量部あ
たり、１〜１００重量部、好ましくは５〜５０重量部と
するのがよい。過少では上記効果が得られず、また過多
となるとレジスト除去性やパ─テイクル低減効果が低下
してくる。
【００１３】これらの不飽和化合物を含ませる光硬化型
接着剤は、常態で感圧接着性を有するとともに、物品上
のレジスト材との親和性が良好で、紫外線などの光照射
によりレジスト材と一体に硬化するものであればよい。
一般には、高分子重合体に光重合性化合物と光重合開始
剤を含ませてなるものが用いられる。
接着剤は、常態で感圧接着性を有するとともに、物品上
のレジスト材との親和性が良好で、紫外線などの光照射
によりレジスト材と一体に硬化するものであればよい。
一般には、高分子重合体に光重合性化合物と光重合開始
剤を含ませてなるものが用いられる。
【００１４】高分子重合体は、感圧性接着剤に適用され
る公知の各種重合体がいずれも使用可能である。通常
は、重量平均分子量が６千〜１００万の重合体が用いら
れる。分子量が低すぎると、接着剤層とレジスト材とを
一体に剥離する際に、皮膜強度が十分でないため、破断
や凝集破壊を生じるおそれがあり、レジスト材を十分に
剥離することが難しい。また、分子量が高すぎると、取
り扱い上の問題を生じやすい。このような高分子重合体
としては、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコ―ル、ア
クリル系重合体などの合成高分子のほか、天然高分子と
して澱粉、カルボキシメチルセルロ―スなどのセルロ―
ス系重合体を使用できる
る公知の各種重合体がいずれも使用可能である。通常
は、重量平均分子量が６千〜１００万の重合体が用いら
れる。分子量が低すぎると、接着剤層とレジスト材とを
一体に剥離する際に、皮膜強度が十分でないため、破断
や凝集破壊を生じるおそれがあり、レジスト材を十分に
剥離することが難しい。また、分子量が高すぎると、取
り扱い上の問題を生じやすい。このような高分子重合体
としては、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコ―ル、ア
クリル系重合体などの合成高分子のほか、天然高分子と
して澱粉、カルボキシメチルセルロ―スなどのセルロ―
ス系重合体を使用できる
【００１５】このような高分子重合体の中でも、分子内
にカルボキシル基ないし水酸基を有する重合体を使用す
るのが好ましい。とくにアクリル系重合体として、（メ
タ）アクリル酸アルキルエステル（アクリル酸やメタク
リル酸と炭素数が通常１２以下のアルコ―ル類とのエス
テル）を主単量体とし、これにカルボキシル基ないし水
酸基含有単量体を加え、また必要によりその他の改質用
単量体を加え、これらの単量体を常法により溶液重合、
乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させて
得られるアクリル系重合体が好ましく用いられる。
にカルボキシル基ないし水酸基を有する重合体を使用す
るのが好ましい。とくにアクリル系重合体として、（メ
タ）アクリル酸アルキルエステル（アクリル酸やメタク
リル酸と炭素数が通常１２以下のアルコ―ル類とのエス
テル）を主単量体とし、これにカルボキシル基ないし水
酸基含有単量体を加え、また必要によりその他の改質用
単量体を加え、これらの単量体を常法により溶液重合、
乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させて
得られるアクリル系重合体が好ましく用いられる。
【００１６】上記のカルボキシル基含有単量体として
は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などが、水
酸基含有単量体としては、ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレ─ト、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ─ト
などが、それぞれ用いられる。また、その他の改質用単
量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチ
レン、（メタ）アクリロニトリル、アクリルアミド、グ
リシジルメタクリレ─トなどを挙げることができる。
は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などが、水
酸基含有単量体としては、ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレ─ト、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ─ト
などが、それぞれ用いられる。また、その他の改質用単
量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチ
レン、（メタ）アクリロニトリル、アクリルアミド、グ
リシジルメタクリレ─トなどを挙げることができる。
【００１７】光重合性化合物は、光照射により硬化しう
る不飽和二重結合を１個以上有する不揮発性化合物であ
り、ここで、不揮発性とは、接着剤の製造工程、たとえ
ば塗布工程や乾燥工程などにおいて、この化合物が簡単
に揮散してしまうことがないことを意味している。この
光重合性化合物の使用量は、高分子重合体１００重量部
あたり、通常２００重量部以下とするのがよい。この使
用量が過多となると、保存時に接着剤が流れ出すため、
好ましくない。
る不飽和二重結合を１個以上有する不揮発性化合物であ
り、ここで、不揮発性とは、接着剤の製造工程、たとえ
ば塗布工程や乾燥工程などにおいて、この化合物が簡単
に揮散してしまうことがないことを意味している。この
光重合性化合物の使用量は、高分子重合体１００重量部
あたり、通常２００重量部以下とするのがよい。この使
用量が過多となると、保存時に接着剤が流れ出すため、
好ましくない。
【００１８】このような重合性化合物としては、たとえ
ば、フエノキシポリエチレングリコ―ル（メタ）アクリ
レ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレ─ト、ポ
リエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、ポリプ
ロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、トリメチ
ロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─ト、ジペンタエ
リスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─ト、ウレタン
（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）アクリレ─
ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─トなどが挙げら
れ、これらの中から、１種または２種以上が用いられ
る。
ば、フエノキシポリエチレングリコ―ル（メタ）アクリ
レ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレ─ト、ポ
リエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、ポリプ
ロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、トリメチ
ロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─ト、ジペンタエ
リスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─ト、ウレタン
（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）アクリレ─
ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─トなどが挙げら
れ、これらの中から、１種または２種以上が用いられ
る。
【００１９】光重合開始剤は、紫外線などの光照射によ
りラジカルを発生するものであり、ベンゾイン、ベンゾ
インエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知の光重合開
始剤をいずれも使用できる。これらの光重合開始剤は、
高分子重合体１００重量部あたり、通常０．１〜１０重
量部の範囲で使用される。
りラジカルを発生するものであり、ベンゾイン、ベンゾ
インエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知の光重合開
始剤をいずれも使用できる。これらの光重合開始剤は、
高分子重合体１００重量部あたり、通常０．１〜１０重
量部の範囲で使用される。
【００２０】これらの成分からなる光硬化型接着剤は、
弾性率が光硬化前で０．０５〜１kg／mm2 、光硬化後で
１〜５００kg／mm2 となるように、各成分の種類や量を
決めるのが望ましい。光硬化前つまり貼り付け時の弾性
率が小さすぎると保存時に接着剤が流れ出すおそれがあ
り、逆に大きすぎると貼り付け時にレジスト材との一体
化が不十分となつて、レジスト除去性に劣りやすい。ま
た、光硬化後の弾性率が小さすぎるとレジスト除去性に
劣り、大きすぎると接着剤層の切断が生じやすくなつ
て、レジスト除去性にやはり劣ることになる。
弾性率が光硬化前で０．０５〜１kg／mm2 、光硬化後で
１〜５００kg／mm2 となるように、各成分の種類や量を
決めるのが望ましい。光硬化前つまり貼り付け時の弾性
率が小さすぎると保存時に接着剤が流れ出すおそれがあ
り、逆に大きすぎると貼り付け時にレジスト材との一体
化が不十分となつて、レジスト除去性に劣りやすい。ま
た、光硬化後の弾性率が小さすぎるとレジスト除去性に
劣り、大きすぎると接着剤層の切断が生じやすくなつ
て、レジスト除去性にやはり劣ることになる。
【００２１】本発明のレジスト除去方法においては、ま
ず、レジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品
上に、上記構成の接着シ―ト類を貼り付けて、光硬化型
接着剤層とレジスト材とを一体化させる。この一体化を
促進するため、貼り付け時に加熱および／または加圧し
てもよい。この一体化後、紫外線を３００〜３，０００
mj／cm2 程度の照射量で照射して光硬化させたのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去する。
ず、レジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品
上に、上記構成の接着シ―ト類を貼り付けて、光硬化型
接着剤層とレジスト材とを一体化させる。この一体化を
促進するため、貼り付け時に加熱および／または加圧し
てもよい。この一体化後、紫外線を３００〜３，０００
mj／cm2 程度の照射量で照射して光硬化させたのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去する。
【００２２】この除去操作によると、物品上のレジスト
膜画像は、その種類や性状に関係なく、たとえばイオン
の注入などによりレジスト材が変質などしているときで
も、レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで
物品上に残るといつた心配がなく、簡便な操作にて確実
に剥離除去できる。しかも、このようにレジスト材が剥
離除去された物品の表面にレジスト材や接着シ─ト類由
来のパ─テイクルが残るという心配も少なく、その後の
洗浄工程も容易である。
膜画像は、その種類や性状に関係なく、たとえばイオン
の注入などによりレジスト材が変質などしているときで
も、レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで
物品上に残るといつた心配がなく、簡便な操作にて確実
に剥離除去できる。しかも、このようにレジスト材が剥
離除去された物品の表面にレジスト材や接着シ─ト類由
来のパ─テイクルが残るという心配も少なく、その後の
洗浄工程も容易である。
【００２３】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Ａは、つぎの参考例１の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Ａは、つぎの参考例１の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。
【００２４】参考例１ シリコンウエハ（５インチの半導体基板）の表面にノボ
ラツクとナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗
布し、加熱、露光、現像を行い、これを全表面に形成し
たのち、Ｐ+ イオンを加速エネルギ―８０ＫｅＶでド─
ズ量１×１０16ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入し
た。このように形成したシリコンウエハ上の画像を、レ
ジスト膜画像Ａとした。
ラツクとナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗
布し、加熱、露光、現像を行い、これを全表面に形成し
たのち、Ｐ+ イオンを加速エネルギ―８０ＫｅＶでド─
ズ量１×１０16ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入し
た。このように形成したシリコンウエハ上の画像を、レ
ジスト膜画像Ａとした。
【００２５】実施例１ ポリアクリル酸（重量平均分子量５２万）６０ｇ、Ｎ−
メチロ―ルアクリルアミド１２ｇ、ポリエチレングリコ
―ルジアクリレ―ト６０ｇ、光重合開始剤２ｇのメタノ
―ル溶液を、厚さが５０μｍのポリエステルフイルムか
らなるフイルム基材上に塗布し、乾燥オ─ブンにて７０
℃および１３０℃で各々３分間乾燥して、厚さが５０μ
ｍの光硬化型接着剤層を形成することにより、レジスト
除去用接着シ―トを作製した。
メチロ―ルアクリルアミド１２ｇ、ポリエチレングリコ
―ルジアクリレ―ト６０ｇ、光重合開始剤２ｇのメタノ
―ル溶液を、厚さが５０μｍのポリエステルフイルムか
らなるフイルム基材上に塗布し、乾燥オ─ブンにて７０
℃および１３０℃で各々３分間乾燥して、厚さが５０μ
ｍの光硬化型接着剤層を形成することにより、レジスト
除去用接着シ―トを作製した。
【００２６】つぎに、半導体ウエハ上のレジスト膜画像
Ａに、上記の接着シ―トを加熱下、圧着ロ─ルにより貼
り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を１Ｊ／
cm2の照射量で照射し、接着シ―トを硬化させた。その
後、この接着シ―トと上記画像Ａとを一体に剥離して、
ウエハ上から上記画像Ａを除去した。
Ａに、上記の接着シ―トを加熱下、圧着ロ─ルにより貼
り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を１Ｊ／
cm2の照射量で照射し、接着シ―トを硬化させた。その
後、この接着シ―トと上記画像Ａとを一体に剥離して、
ウエハ上から上記画像Ａを除去した。
【００２７】実施例２ アクリル酸ブチル／アクリル酸／アクリロニトリル＝８
０／５／１５（重量比）の共重合体（重量平均分子量４
２万）６０ｇ、Ｎ−メチロ―ルアクリルアミド９ｇ、ト
リアクリル酸ペンタエリスリト―ル３０ｇ、光重合開始
剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用し、他は実施例１と全く
同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。ま
た、この接着シ―トを用いて、実施例１と全く同様にし
て、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。
０／５／１５（重量比）の共重合体（重量平均分子量４
２万）６０ｇ、Ｎ−メチロ―ルアクリルアミド９ｇ、ト
リアクリル酸ペンタエリスリト―ル３０ｇ、光重合開始
剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用し、他は実施例１と全く
同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。ま
た、この接着シ―トを用いて、実施例１と全く同様にし
て、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。
【００２８】実施例３ アクリル酸／アクリル酸メチル／アクリル酸ヒドロキシ
エチル＝７０／２５／５（重量比）の共重合体（重量平
均分子量３７万）６０ｇ、Ｎ−ブトキシメチルアクリル
アミド１２ｇ、ポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―
ト４５ｇ、光重合開始剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用
し、他は実施例１と全く同様にして、レジスト除去用接
着シ―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、
実施例１と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除
去を行つた。
エチル＝７０／２５／５（重量比）の共重合体（重量平
均分子量３７万）６０ｇ、Ｎ−ブトキシメチルアクリル
アミド１２ｇ、ポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―
ト４５ｇ、光重合開始剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用
し、他は実施例１と全く同様にして、レジスト除去用接
着シ―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、
実施例１と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除
去を行つた。
【００２９】実施例４ アクリル酸２−エチルヘキシル／アクリル酸エチル／メ
タクリル酸メチル／アクリル酸ヒドロキシエチル＝２６
／６５／５／４（重量比）の共重合体（重量平均分子量
３７万）６０ｇ、Ｎ−メチロ―ルアクリルアミド１２
ｇ、トリアクリル酸ペンタエリスリト―ル３０ｇ、光重
合開始剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用し、他は実施例１
と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製し
た。また、この接着シ―トを用いて、実施例１と全く同
様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。
タクリル酸メチル／アクリル酸ヒドロキシエチル＝２６
／６５／５／４（重量比）の共重合体（重量平均分子量
３７万）６０ｇ、Ｎ−メチロ―ルアクリルアミド１２
ｇ、トリアクリル酸ペンタエリスリト―ル３０ｇ、光重
合開始剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用し、他は実施例１
と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製し
た。また、この接着シ―トを用いて、実施例１と全く同
様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。
【００３０】比較例１ Ｎ−メチロ―ルアクリルアミドの使用を省いた以外は、
実施例１と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―ト
を作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１
と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つ
た。
実施例１と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―ト
を作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１
と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つ
た。
【００３１】比較例２ Ｎ−メチロ―ルアクリルアミドの使用を省いた以外は、
実施例２と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―ト
を作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１
と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つ
た。
実施例２と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―ト
を作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１
と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つ
た。
【００３２】比較例３ Ｎ−ブトキシメチルアクリルアミドの使用を省いた以外
は、実施例３と全く同様にして、レジスト除去用接着シ
―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施
例１と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を
行つた。
は、実施例３と全く同様にして、レジスト除去用接着シ
―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施
例１と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を
行つた。
【００３３】比較例４ Ｎ−メチロ―ルアクリルアミドの使用を省いた以外は、
実施例４と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―ト
を作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１
と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つ
た。
実施例４と全く同様にして、レジスト除去用接着シ―ト
を作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１
と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つ
た。
【００３４】上記の実施例１〜４および比較例１〜４に
よるレジスト膜画像Ａの剥離除去の結果について、その
レジスト除去性を下記の基準で評価した。また、剥離除
去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数として、レ─
ザ─表面検査装置〔日立電子エンジニアリング（株）製
の商品名「ＬＳ−５０００」〕によりウエハ表面に付着
する０．２μｍ以上の異物数〔５インチウエハ１枚（ウ
エハ面積１２３cm2 ）あたり〕をカウントし、下記の基
準で評価した。
よるレジスト膜画像Ａの剥離除去の結果について、その
レジスト除去性を下記の基準で評価した。また、剥離除
去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数として、レ─
ザ─表面検査装置〔日立電子エンジニアリング（株）製
の商品名「ＬＳ−５０００」〕によりウエハ表面に付着
する０．２μｍ以上の異物数〔５インチウエハ１枚（ウ
エハ面積１２３cm2 ）あたり〕をカウントし、下記の基
準で評価した。
【００３５】＜レジスト除去性＞ ◎：レジストが全く認められない。 ○：レジストが痕跡量認められる。 △：レジストが部分的にしか除去されない。 ×：レジストが全く除去されない。
【００３６】＜パ―テイクル数＞ Ａ：１００個未満である Ｂ：１００〜１，０００個である Ｃ：１，０００個より多い
【００３７】
【００３８】上記の表１の結果から明らかなように、本
発明の実施例１〜４の接着シ―トを用いることにより、
レジスト膜画像Ａの除去性に好結果が得られており、ま
た剥離除去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数も大
きく低減されている。
発明の実施例１〜４の接着シ―トを用いることにより、
レジスト膜画像Ａの除去性に好結果が得られており、ま
た剥離除去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数も大
きく低減されている。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、レジスト除去
用接着シ―ト類として、光硬化型接着剤層中にＮ−メチ
ロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその誘導体からな
る特定の不飽和化合物を含ませたものを用いるようにし
たことにより、半導体ウエハなどの物品上の不要となつ
たレジスト膜画像を、その種類や性状に関係なく、簡便
にかつ確実に除去することができ、しかも、上記除去後
に物品上のパ─テイクルの数も低減できるという効果が
奏される。
用接着シ―ト類として、光硬化型接着剤層中にＮ−メチ
ロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその誘導体からな
る特定の不飽和化合物を含ませたものを用いるようにし
たことにより、半導体ウエハなどの物品上の不要となつ
たレジスト膜画像を、その種類や性状に関係なく、簡便
にかつ確実に除去することができ、しかも、上記除去後
に物品上のパ─テイクルの数も低減できるという効果が
奏される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｚ (72)発明者 橋本 浩一 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 関戸 達也 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 フイルム基材上に光硬化型接着剤層が設
けられてなり、かつ上記の接着剤層中につぎの一般式
（１）； ＣＨ2 ＝ＣＲ1 ＣＯＮＨＣＨ2 ＯＲ2 …（１） 〔式中、Ｒ1 は水素またはメチル基であり、Ｒ2 は水素
またはＣn Ｈ2n+1基（ｎ＝１〜４）である〕で表わされ
るＮ−メチロ―ル（メタ）アクリルアミドまたはその誘
導体が含まれていることを特徴とするレジスト除去用接
着シ―ト類。 - 【請求項２】 光硬化型接着剤層を構成する高分子重合
体がカルボキシル基ないし水酸基を有する請求項１に記
載のレジスト除去用接着シ―ト類。 - 【請求項３】 レジスト膜画像が存在する物品上に、請
求項１または２に記載の接着シ―ト類を貼り付け、この
接着シ―ト類を光硬化させたのち、この接着シ―ト類と
レジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を
除去することを特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564096A JP3682339B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564096A JP3682339B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311464A true JPH09311464A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3682339B2 JP3682339B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=14915035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12564096A Expired - Fee Related JP3682339B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3682339B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003015320A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| KR100594940B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토레지스트 세정용 수용액 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성 방법 |
| JP2007217674A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-30 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 活性エネルギー線重合性組成物、粘着剤、および粘着テープ |
| JP2010106231A (ja) * | 2008-03-25 | 2010-05-13 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 一時表面保護用粘着剤組成物、それにより得られる粘着剤、粘着シート、およびその粘着シートの使用方法 |
| WO2015190799A1 (ko) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | 광경화성 수지 조성물 |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP12564096A patent/JP3682339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003015320A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| KR100594940B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토레지스트 세정용 수용액 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성 방법 |
| JP2007217674A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-30 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 活性エネルギー線重合性組成物、粘着剤、および粘着テープ |
| JP2010106231A (ja) * | 2008-03-25 | 2010-05-13 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 一時表面保護用粘着剤組成物、それにより得られる粘着剤、粘着シート、およびその粘着シートの使用方法 |
| WO2015190799A1 (ko) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | 광경화성 수지 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3682339B2 (ja) | 2005-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5959011A (en) | Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method | |
| US6126772A (en) | Method for resist removal, and adhesive or adhesive sheet for use in the same | |
| US20020100553A1 (en) | Adhesive tape and process for removing resist | |
| KR20010007330A (ko) | 저오염성 접착 시이트 및 레지스트 물질의 제거 방법 | |
| JP3682339B2 (ja) | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 | |
| JP3581190B2 (ja) | レジスト剥離用接着シ―ト類と剥離方法 | |
| JP4859005B2 (ja) | 低汚染性接着シ―ト類とレジスト材の除去方法 | |
| JP3040007B2 (ja) | レジストの除去方法とこれに用いる硬化型感圧性接着剤および接着シ―ト類 | |
| JPH09311463A (ja) | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 | |
| JP4495813B2 (ja) | 低汚染性接着シ―ト類とレジスト材の除去方法 | |
| JP3723278B2 (ja) | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 | |
| JP3443486B2 (ja) | レジストの除去方法 | |
| JP3441836B2 (ja) | 精密電子部品の異物除去用粘着テ―プ | |
| JPH09311466A (ja) | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 | |
| JP3590673B2 (ja) | レジスト膜画像の除去方法 | |
| JP3723277B2 (ja) | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 | |
| JP2868720B2 (ja) | レジストの除去方法、およびこれに用いる接着剤もしくは接着シート類 | |
| JPH108267A (ja) | レジスト膜画像の除去方法とレジスト除去用接着材料 | |
| JPH09311465A (ja) | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 | |
| JPH10245531A (ja) | 不要物の除去用接着剤もしくは接着シート類 | |
| JPH08302309A (ja) | レジスト剥離用接着シ―ト類と剥離方法 | |
| JPH06151300A (ja) | レジスト膜画像の除去方法、及びそれに用いる硬化型感圧性接着剤あるいは接着シート類 | |
| JPH0637010A (ja) | レジスト除去方法および硬化型感圧接着シ―ト類 | |
| JPH07183195A (ja) | レジスト剥離用シート類、及びそれを用いたレジストの剥離除去方法 | |
| JPH09266162A (ja) | レジストの除去方法、およびこれに用いる接着剤もしくは接着シート類 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050517 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050523 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080527 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |