JP3723277B2 - レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、回路、各種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微細加工部品の製造に際して、不要となつたレジスト膜画像(レジストパタ―ン)を除去する技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体のデバイス製造においては、シリコンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマスクとして、エツチング後、不要となつたレジスト材が除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサイクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつたレジスト材が除去される。
【0003】
この際、不要となつたレジスト材の除去はアツシヤ―(灰化手段)や溶剤、薬品などにて行われるのが一般的である。しかし、レジスト材の除去にアツシヤ―を用いると、作業に長時間を要したり、レジスト材中の不純物がウエハに注入されるおそれがあり、また半導体基板にダメ─ジを与えることがある。また、溶剤や薬品を用いると、作業環境を害するという問題があつた。
【0004】
このため、レジスト膜画像の除去に際し、高分子重合体の溶液を上記画像を有する半導体基板上に塗布し、加熱乾燥などの特定の処理を施したのち、高分子重合体とレジスト材とを一体に剥離する方法、高分子重合体からなる接着シ―ト類をレジスト膜画像の上面に貼り付け、加熱処理などの特定の処理を施したのち、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離する方法などが提案された。とくに、後者の方法は、簡易な除去方法として注目されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、接着シ―ト類を用いる方法には、レジストが剥離されたウエハ上に接着シ─ト類由来の有害金属が転写、転移などにより付着し、これがウエハの電気特性などに悪影響をおよぼす難点があつた。このため、接着シ─ト類の構成材料に含まれる有害金属を洗浄、精製により低減する方法が採られたが、有害金属の低減が難しかつたり、コストが高くなるなどの問題があつた。
【0006】
本発明は、上記の事情に照らし、物品上の不要となつたレジスト膜画像を接着シ―ト類を用いて剥離除去するとともに、その際接着シ―ト類由来の有害金属が物品上に付着するのを抑制して、半導体ウエハなどの物品に対しその電気特性などへの悪影響を防ぐことを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するため、鋭意検討した結果、接着シ―ト類として接着剤層中に有害金属と結合可能なトラツプ剤を含ませたものを用いることにより、半導体ウエハなどの物品上からレジスト膜画像を簡単に除去できるとともに、上記物品にその電気特性などに悪影響を及ぼす有害金属が付着するのを抑制できることを見い出し、本発明を完成するに至つた。
【0008】
すなわち、本発明は、フイルム基材とこの上に設けられた接着剤層(あるいはこれらとさらに接着剤層面に貼り合わされたセパレ―タ)とにより接着シ─ト類を構成し、これら構成部材の有する有害金属と結合可能なトラツプ剤として、エチレンジアミン四酢酸、ヘキサメチレンジアミン四酢酸、クエン酸の中から選ばれる少なくとも1種を接着剤層中に含ませたことを特徴とするシ―ト状やテ―プ状などのレジスト除去用接着シ―ト類(請求項1)と、レジスト膜画像が存在する物品上に、上記構成の接着シ―ト類を、セパレ―タが貼り合わされたものではこれを剥がして、貼り付け、この接着シ―ト類が硬化型であるときはこれを硬化させたのちに、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去することを特徴とするレジスト除去方法(請求項2)に係るものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト除去用接着シ―ト類において、フイルム基材としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチルセルロ―スなどからなる厚さが通常10〜100μm程度のプラスチツクフイルムが好ましく用いられる。とくに接着剤層が光硬化型のものであるときは、紫外線などの光を透過するプラスチツクフイルムが選択使用される。
【0010】
このフイルム基材上に通常10〜180μm程度の接着剤層を設けて、シ―ト状やテ―プ状などのレジスト除去用接着シ―ト類とする。この接着シ―ト類は、フイルム基材の背面側にシリコン処理などの剥離処理を施したうえでロ―ル状に巻回されるか、あるいは接着剤層面にシリコン処理などの剥離処理を施したシ―ト類などからなるセパレ―タが貼り合わされてロ―ル状に巻回される。つまり、この接着シ―ト類は、フイルム基材と接着剤層(あるいはこれらとさらに接着剤層面に貼り合わされたセパレ―タ)とを構成部材とする。
【0011】
本発明では、このような接着シ─ト類において、上記構成部材の有する有害金属と結合可能なトラツプ剤を接着剤層中に含ませたことを特徴とする。このトラツプ剤は接着剤層中の有害金属と反応してこれをトラツプし、また接着剤層と接触するフイルム基材やセパレ―タに含まれる有害金属とも反応してこれらをトラツプする。このため、接着シ─ト類を半導体ウエハなどに貼り付けたときに、上記構成部材に由来する有害金属が上記物品に転写ないし転移する心配は少なく、上記物品への電気特性などの悪影響が著しく抑制される。
【0012】
ここで、有害金属とは、半導体材料としてのウエハでは周期律表の第2、第3、第4、第5周期のアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属などであり、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、As、Se、Sbなどである。
【0013】
この有害金属と結合可能なトラツプ剤としては、エチレンジアミン四酢酸、ヘキサメチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ポリアミノカルボン酸、クエン酸、グリシン、ジメチルグリオキシム、オキシンなど、金属と錯体やイオン結合を形成する化合物が挙げられる。これらの中でも、エチレンジアミン四酢酸、ヘキサメチレンジアミン四酢酸、クエン酸の中から選ばれる少なくとも1種が、特に好ましく用いられる。これらのトラツプ剤は、接着シ─ト類の構成部材の有する有害金属の種類や量などに応じて、適宜、単独または混合物として、使用される。使用量は、トラツプ剤や金属の種類、量により異なるが、通常は、接着剤層の重量に対して、100ppm 〜100,000ppm 、好適には500〜10,000ppm である。過少ではトラツプ剤としての効果がなく、過多となるとレジスト除去性が悪化するなどの問題がある。
【0014】
これらのトラツプ剤を含ませる接着剤は、通常感圧接着性を有し、かつ物品上のレジスト材との親和性が良好なものであれば、その種類はとくに問われない。好ましくは、光照射などにより硬化してレジスト材と一体となる硬化型接着剤を用いるのがよく、中でも、高分子重合体に光重合性化合物と光重合開始剤を含ませてなる光硬化型接着剤が好ましく用いられる。
【0015】
高分子重合体は、感圧性接着剤に適用される公知の各種重合体、たとえば、一般のアクリル系重合体、ポリビニルアルコ―ル、ポリアクリル酸などの合成高分子や、天然高分子として澱粉、カルボキシメチルセルロ―スなどのセルロ―ス系重合体などをいずれも使用可能である。通常は、重量平均分子量が6千〜100万の重合体が好ましく用いられる。分子量が低すぎると、接着剤層とレジスト材とを一体に剥離する際に、皮膜強度が十分でないため、破断や凝集破壊を生じるおそれがあり、レジスト材を十分に剥離することが難しい。また、分子量が高すぎると、取り扱い上の問題を生じやすい。
【0016】
このような高分子重合体の中でも、とくにアクリル酸アルキルエステルおよび/またはメタクリル酸アルキルエステルを主単量体としたアクリル系重合体が好ましく用いられる。このアクリル系重合体は、アクリル酸やメタクリル酸と炭素数が通常12以下のアルコ―ル類とのエステルを主単量体とし、必要によりカルボキシル基ないし水酸基含有単量体やその他の改質用単量体を加えて、これらの単量体を常法により溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させることにより、得ることができる。
【0017】
上記のカルボキシル基含有単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などが、水酸基含有単量体としては、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレ─ト、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ─トなどが、それぞれ用いられる。また、その他の改質用単量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、(メタ)アクリロニトリル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ─トなどを挙げることができる。
【0018】
光重合性化合物は、光照射により硬化しうる不飽和二重結合を1個以上有する不揮発性化合物であり、ここで、不揮発性とは、接着剤の製造工程、たとえば塗布工程や乾燥工程などにおいて、この化合物が簡単に揮散してしまうことがないことを意味している。この光重合性化合物の使用量は、高分子重合体100重量部あたり、通常200重量部以下とするのがよい。この使用量が過多となると、保存時に接着剤が流れ出すため、好ましくない。
【0019】
このような重合性化合物としては、たとえば、フエノキシポリエチレングリコ―ル(メタ)アクリレ─ト、ε−カプロラクトン(メタ)アクリレ─ト、ポリエチレングリコ―ルジ(メタ)アクリレ─ト、ポリプロピレングリコ―ルジ(メタ)アクリレ─ト、トリメチロ─ルプロパントリ(メタ)アクリレ─ト、ジペンタエリスリト─ルヘキサ(メタ)アクリレ─ト、ウレタン(メタ)アクリレ─ト、エポキシ(メタ)アクリレ─ト、オリゴエステル(メタ)アクリレ─トなどが挙げられ、これらの中から、1種または2種以上が用いられる。
【0020】
光重合開始剤は、紫外線などの光照射によりラジカルを発生するものであり、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知の光重合開始剤をいずれも使用できる。これらの光重合開始剤は、高分子重合体100重量部あたり、通常0.1〜10重量部の範囲で使用される。
【0021】
これらの成分からなる光硬化型接着剤は、弾性率が光硬化前で0.05〜1kg/mm2 、光硬化後で1〜500kg/mm2 となるように、各成分の種類や量を決めるのが望ましい。光硬化前つまり貼り付け時の弾性率が小さすぎると保存時に接着剤が流れ出すおそれがあり、逆に大きすぎると貼り付け時にレジスト材との一体化が不十分となつて、レジスト除去性に劣りやすい。また、光硬化後の弾性率が小さすぎるとレジスト除去性に劣り、大きすぎると接着剤層の切断が生じやすくなつて、レジスト除去性にやはり劣ることになる。
【0022】
本発明のレジスト除去方法においては、まず、レジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品上に、上記構成の接着シ―ト類を、セパレ―タが貼り合わされたものではこれを剥がして、貼り付ける。これにより、接着剤層とレジスト材とが一体化するが、この一体化を促進するため、貼り付け時に加熱および/または加圧してもよい。この一体化後、接着シ―ト類が硬化型のものであるときはこれを硬化させたのち、とくに光硬化型のものでは紫外線を300〜3,000mj/cm2 程度の照射量で照射して光硬化させたのち、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する。
【0023】
これにより、物品上のレジスト膜画像は簡単にかつ確実に除去される。また、このようにレジスト材が除去された物品の表面には、接着シ―ト類に由来する有害金属がほとんど転写ないし転移しておらず、この有害金属に起因した半導体ウエハの電気特性などへの悪影響の心配はとくにない。
【0024】
【実施例】
つぎに、本発明の実施例を記載して、より具体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象としたレジスト膜画像Aは、つぎの参考例1の方法により半導体ウエハ上に形成されたものである。
【0025】
参考例1
5インチのシリコンウエハ(ベア―ウエハ)の表面にノボラツクとナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像を全表面に形成した。これをレジスト膜画像Aとした。
【0026】
実施例1
アクリル酸/アクリル酸メチル=80/20(重量比)の共重合体(重量平均分子量33万)60g、エチレンジアミン四酢酸0.5g、ポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト45g、光重合開始剤2gのメタノ―ル溶液を、厚さが50μmのポリエステルフイルムからなるフイルム基材上に塗布し、乾燥オ─ブンにて70℃および130℃で各々3分間乾燥して、厚さが50μmの接着剤層を形成し、光硬化型のレジスト除去用接着シ―トを作製した。
【0027】
この接着シ―トについて、フイルム基材と接着剤層(ただし、エチレンジアミン四酢酸を除いた接着剤成分)に含まれる有害金属(Ca,Fe,Sb)を、誘導結合プラズマ発光分光分析装置(以下、ICP発光分析という)により調べたところ、フイルム基材では、Ca:0.09ppm 、Fe:0.85ppm 、Sb:3.0ppm 、接着剤層では、Ca:0.01ppm 、Fe:0.05ppm 、Sb:0.1ppm であつた。
【0028】
つぎに、半導体ウエハ上のレジスト膜画像Aに、上記の接着シ―トを加熱下、圧着ロ─ルにより貼り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を2J/cm2 の照射量で照射し、接着シ―トを硬化させた。その後、この接着シ―トと上記画像Aとを一体に剥離して、ウエハ上から上記画像Aを除去した。
【0029】
実施例2
実施例1で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤層面に、シリコン処理を施した厚さ38μmのポリエステルフイルムからなるセパレ―タの上記シリコン処理面を貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。
【0030】
なお、セパレ―タに含まれる有害金属は、ICP発光分析により、Ca:0.35ppm 、Fe:1.11ppm 、Sb:5.5ppm であつた。つぎに、この接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0031】
実施例3
アクリル酸ブチル/アクリル酸エチル/アクリル酸=80/15/5(重量比)の共重合体(重量平均分子量56万)60g、ヘキサメチレンジアミン四酢酸0.3g、ポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―ト45g、光重合開始剤2gの酢酸エチル溶液を使用し、実施例1と同一のフイルム基材上に実施例1と同様にして、厚さが50μmの接着剤層を形成し、光硬化型のレジスト除去用接着シ―トを作製した。
【0032】
なお、上記の接着剤層(ただし、ヘキサメチレンジアミン四酢酸を除いた接着剤成分)に含まれる有害金属は、ICP発光分析により、Ca:0.01ppm 、Fe:0.05ppm 、Sb:0.1ppm であつた。つぎに、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0033】
実施例4
実施例3で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0034】
実施例5
ポリアクリル酸(重量平均分子量66万)60g、クエン酸0.5g、エチレンオキシド変性オリゴエステルトリアクリレ―ト50g、光重合開始剤2gのメタノ―ル溶液を使用し、実施例1と同一のフイルム基材上に実施例1と同様にして、厚さが50μmの接着剤層を形成し、光硬化型のレジスト除去用接着シ―トを作製した。
【0035】
なお、上記の接着剤層(ただし、クエン酸を除いた接着剤成分)に含まれる有害金属は、ICP発光分析により、Ca:95.0ppm 、Fe:0.90ppm 、Sb:0.1ppm であつた。つぎに、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0036】
実施例6
実施例5で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0037】
比較例1
トラツプ剤(エチレンジアミン四酢酸)の使用を省いた以外は、実施例1と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0038】
比較例2
比較例1で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0039】
比較例3
トラツプ剤(ヘキサメチレンジアミン四酢酸)の使用を省いた以外は、実施例3と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0040】
比較例4
比較例3で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0041】
比較例5
トラツプ剤(クエン酸)の使用を省いた以外は、実施例5と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0042】
比較例6
比較例5で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
【0043】
上記の実施例1〜6および比較例1〜6によるレジスト膜画像Aの剥離除去の結果について、そのレジスト除去性を下記の基準で評価した。
◎:レジストが全く認められない。
○:レジストが痕跡量認められる。
△:レジストが部分的にしか除去されない。
×:レジストが全く除去されない。
【0044】
このレジスト除去性の結果を、各例で用いたレジスト除去用接着シ―トから転写ないし転移によりシリコンウエハ上に付着した有害金属(Ca,Fe,Sb)の量とともに、下記の表1に示した。なお、上記の有害金属の測定は、接着シ―ト由来の有害金属の量を調べる見地から、レジスト膜画像Aを形成しないベア―ウエハに対し上記接着シ―トを貼り付け、室温(20℃)で剥がしたのち、ウエハ表面の金属元素を全反射蛍光X線分析(テクノス社製のTREX−610T)により、表面を5点測定し、その平均値にて表したものである。
【0045】
【0046】
上記の表1の結果から明らかなように、本発明の実施例1〜6の接着シ―トを用いたときには、レジスト膜画像Aの除去性に好結果が得られ、しかもウエハ表面への有害金属の付着が大きく抑制されていることがわかる。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、レジスト除去用接着シ―ト類として、接着剤層中に有害金属と結合可能なトラツプ剤を含ませたものを用いたことにより、半導体ウエハなどの物品上の不要となつたレジスト膜画像を簡単に除去できるとともに、半導体ウエハなどへの有害金属の付着を大きく抑制でき、この金属に起因した電気特性などへの悪影響を防ぐことができる。
Claims (2)
- フイルム基材とこの上に設けられた接着剤層(あるいはこれらとさらに接着剤層面に貼り合わされたセパレ―タ)とにより接着シ─ト類を構成し、これら構成部材の有する有害金属と結合可能なトラツプ剤として、エチレンジアミン四酢酸、ヘキサメチレンジアミン四酢酸、クエン酸の中から選ばれる少なくとも1種を接着剤層中に含ませたことを特徴とするレジスト除去用接着シ―ト類。
- レジスト膜画像が存在する物品上に、請求項1に記載の接着シ―ト類を、セパレ―タが貼り合わされたものではこれを剥がして、貼り付け、この接着シ―ト類が硬化型であるときはこれを硬化させたのちに、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去することを特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12564496A JP3723277B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12564496A JP3723277B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09311468A JPH09311468A (ja) | 1997-12-02 |
JP3723277B2 true JP3723277B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=14915131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12564496A Expired - Fee Related JP3723277B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3723277B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5095697B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び接着シート |
JPWO2018179653A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-06 | 株式会社エンビジョンAescエナジーデバイス | セパレータの接合方法および電気化学デバイスの製造方法と電気化学デバイス |
-
1996
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09311468A (ja) | 1997-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050708 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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