JPH09311466A

JPH09311466A - レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法

Info

Publication number: JPH09311466A
Application number: JP12564296A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Kihara; 康夫木原; Takayuki Yamamoto; 孝幸山本; Koichi Hashimoto; 浩一橋本; Tatsuya Sekido; 達也関戸
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1996-05-21
Filing date: 1996-05-21
Publication date: 1997-12-02

Abstract

(57)【要約】【課題】物品上の不要となつたレジスト膜画像を、そ
の種類や性状に関係なく、接着シ―ト類を用いて簡便に
かつ確実に除去し、また除去後に物品上にパ─テイクル
が残らなくなるようにする。【解決手段】フイルム基材上に、水酸基を有する高分
子重合体とともに、無水マレイン酸などの不飽和酸無水
物を、上記の水酸基を有する高分子重合体１００重量部
に対し、０．５〜５０重量部の割合で含む光硬化型接着
剤層を設けてなるレジスト除去用接着シ―ト類を用い、
これをレジスト膜画像が存在する物品上に貼り付け、こ
の接着シ―ト類を光硬化させたのち、この接着シ―ト類
とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材
を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造に際して、不要となつたレジスト膜画
像（レジストパタ―ン）を除去する技術に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体のデバイス製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エツチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。

【０００３】この際、不要となつたレジスト材の除去は
アツシヤ―（灰化手段）や溶剤、薬品などにて行われる
のが一般的である。しかし、レジスト材の除去にアツシ
ヤ―を用いると、作業に長時間を要したり、レジスト材
中の不純物がウエハに注入されるおそれがあり、また半
導体基板にダメ─ジを与えることがある。また、溶剤や
薬品を用いると、作業環境を害するという問題があつ
た。

【０００４】このため、レジスト膜画像の除去に際し、
高分子重合体の溶液を上記画像を有する半導体基板上に
塗布し、加熱乾燥などの特定の処理を施したのち、高分
子重合体とレジスト材とを一体に剥離する方法、高分子
重合体からなる接着シ―ト類をレジスト膜画像の上面に
貼り付け、加熱処理などの特定の処理を施したのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離する方法な
どが提案された。とくに、後者の方法は、簡易な除去方
法として注目されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、接着シ―ト
類を用いる方法は、レジスト膜画像の種類や性状により
レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで物品
上に残る場合があり、とくに半導体基板にイオンを注入
したり、半導体基板をドライエツチングしたのちレジス
ト材を除去する際には、全く除去されない場合があり、
接着シ─ト類による除去操作を２度、３度と繰り返す必
要があつた。しかも、レジスト材が剥離された基板上に
レジスト材や接着シ─ト類由来の微粒子状有機物質（以
下、パ─テイクルという）が多量に残るという問題もあ
つた。

【０００６】本発明は、上記の事情に照らし、物品上の
不要となつたレジスト膜画像を、その種類や性状に関係
なく、接着シ―ト類を用いて簡便にかつ確実に除去し、
また除去後に物品上にパ─テイクルが残らなくすること
を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着剤層中に特
定の不飽和化合物を含ませた光硬化型接着シ―ト類を用
いたときに、高いレジスト除去性が得られ、レジスト膜
画像を簡便にかつ確実に除去でき、物品上のパ─テイク
ルの数も低減できることを知り、本発明を完成するに至
つた。

【０００８】すなわち、本発明は、フイルム基材上に、
水酸基を有する高分子重合体とともに、つぎの一般式
（１）；（式中、Ｒ₁，Ｒ₂はそれぞれ水素またはメチル基であ
る）で表わされる不飽和酸無水物を、上記の水酸基を有
する高分子重合体１００重量部に対し、０．５〜５０重
量部の割合で含む光硬化型接着剤層が設けられているこ
とを特徴とするレジスト除去用接着シ―ト類（請求項
１）と、レジスト膜画像が存在する物品上に、上記構成
のレジスト除去用接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ
―ト類を光硬化させたのち、この接着シ―ト類とレジス
ト材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去す
ることを特徴とするレジスト除去方法（請求項２）に係
るものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のレジスト除去用接着シ―
ト類において、フイルム基材としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどの各種プラスチツクからなる、厚さが
通常１０〜１００μｍ程度の紫外線などの光を透過しう
るプラスチツクフイルムが用いられる。

【００１０】このフイルム基材上に通常１０〜１８０μ
ｍ程度の光硬化型接着剤層を設け、シ―ト状やテ―プ状
などのレジスト除去用接着シ―ト類とする。本発明で
は、上記の光硬化型接着剤層中に、水酸基を有する高分
子重合体とともに、前記の一般式（１）で表わされる不
飽和酸無水物を含ませることにより、レジスト材の種類
や性状に関係なく、高いレジスト除去性を得ることがで
き、また良好なパ─テイクル低減効果が得られるもので
ある。

【００１１】この理由についは必ずしも明らかではない
が、上記の不飽和酸無水物がレジスト材中に浸透親和し
てこれが光照射によりレジスト材と一体に硬化する一
方、光硬化型接着剤を構成する高分子重合体に含まれる
水酸基との間で官能基同志の反応によるエステル結合を
生じて、レジスト材と高分子重合体との一体性を高め、
これらのことが要因となつて上記効果を発現するものと
思われる。

【００１２】このような効果を発現する上記の不飽和酸
無水物には、無水マレイン酸、メチルマレイン酸無水
物、ジメチルマレイン酸無水物などがある。使用量は、
水酸基を有する高分子重合体１００重量部あたり、０．
５〜５０重量部、好ましくは３〜３０重量部である。
０．５重量部より少ないと、上記効果が得られず、また
５０重量部より多くなると、光硬化後の接着剤層が脆く
なり、レジスト除去性やパ─テイクル低減効果が低下し
てくる。

【００１３】この不飽和酸無水物を含ませる光硬化型接
着剤は、ベ―スポリマ―として、水酸基を有する高分子
重合体を有するもので、常態で感圧接着性を備えるとと
もに、物品上のレジスト材との親和性が良好で、紫外線
などの光照射によりレジスト材と一体に硬化するもので
あればよい。一般には、上記の高分子重合体に光重合性
化合物と光重合開始剤を含ませてなるものが用いられ
る。

【００１４】水酸基を有する高分子重合体は、感圧性接
着剤に適用される公知の各種重合体がいずれも使用可能
である。通常は、重量平均分子量が６千〜１００万の重
合体が用いられる。分子量が低すぎると、光硬化型接着
剤層とレジスト材とを一体に剥離する際に、皮膜強度が
十分でないため、破断や凝集破壊を生じるおそれがあ
り、レジスト材を十分に剥離することが難しい。また、
分子量が高すぎると、取り扱い上の問題を生じやすい。

【００１５】このような高分子重合体には、水酸基含有
単量体を共重合成分としたアクリル系重合体、酢酸ビニ
ル共重合体のケン化物や、アクリル系重合体などに水酸
基を有する化合物を化学反応させたものなど、種々のも
のを包含される。これらの中でも、（メタ）アクリル酸
アルキルエステル（アクリル酸やメタクリル酸と炭素数
が通常１２以下のアルコ―ル類とのエステル）を主単量
体とし、これに水酸基含有単量体を加え、また必要によ
りカルボキシル基含有単量体やその他の改質用単量体を
加えて、これらの単量体を常法により溶液重合、乳化重
合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させて得られ
るアクリル系重合体が好ましい。

【００１６】上記の水酸基含有単量体としては、ヒドロ
キシエチル（メタ）アクリレ─ト、ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレ─ト、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）
アクリルアミドなどがある。また、カルボキシル基含有
単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン
酸などがある。その他の改質用単量体としては、酢酸ビ
ニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、（メタ）アクリ
ロニトリル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ─
トなどがある。

【００１７】光重合性化合物は、光照射により硬化しう
る不飽和二重結合を１個以上有する不揮発性化合物であ
り、ここで、不揮発性とは、接着剤の製造工程、たとえ
ば塗布工程や乾燥工程などにおいて、この化合物が簡単
に揮散してしまうことがないことを意味している。この
光重合性化合物の使用量は、水酸基を有する高分子重合
体１００重量部あたり、通常２００重量部以下とするの
がよい。この使用量が過多となると、保存時に接着剤が
流れ出すため、好ましくない。

【００１８】このような光重合性化合物としては、たと
えば、フエノキシポリエチレングリコ―ル（メタ）アク
リレ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレ─ト、
ポリエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、ポリ
プロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、トリメ
チロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─ト、ジペンタ
エリスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─ト、ウレタン
（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）アクリレ─
ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─トなどが挙げら
れ、これらの中から、１種または２種以上が用いられ
る。

【００１９】光重合開始剤は、紫外線などの光照射によ
りラジカルを発生するものであり、ベンゾイン、ベンゾ
インエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知の光重合開
始剤をいずれも使用できる。これらの光重合開始剤は、
水酸基を有する高分子重合体１００重量部あたり、通常
０．１〜１０重量部の範囲で使用される。

【００２０】これらの成分からなる光硬化型接着剤は、
弾性率が光硬化前で０．０５〜１kg／mm²、光硬化後で
１〜５００kg／mm²となるように、各成分の種類や量を
決めるのが望ましい。光硬化前つまり貼り付け時の弾性
率が小さすぎると保存時に接着剤が流れ出すおそれがあ
り、逆に大きすぎると貼り付け時にレジスト材との一体
化が不十分となつて、レジスト除去性に劣りやすい。ま
た、光硬化後の弾性率が小さすぎるとレジスト除去性に
劣り、大きすぎると接着剤層の切断が生じやすくなつ
て、レジスト除去性にやはり劣ることになる。

【００２１】本発明のレジスト除去方法においては、ま
ず、レジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品
上に、上記構成の接着シ―ト類を貼り付けて、光硬化型
接着剤層とレジスト材とを一体化させる。この一体化を
促進するため、貼り付け時に加熱および／または加圧し
てもよい。この一体化後、紫外線を３００〜３，０００
mj／cm² 程度の照射量で照射して光硬化させたのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去する。

【００２２】この除去操作によると、物品上のレジスト
膜画像は、その種類や性状に関係なく、たとえばイオン
の注入などによりレジスト材が変質などしているときで
も、レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで
物品上に残るといつた心配がなく、簡便な操作にて確実
に剥離除去できる。しかも、このようにレジスト材が剥
離除去された物品の表面にレジスト材や接着シ─ト類由
来のパ─テイクルが残るという心配も少なく、その後の
洗浄工程も容易である。

【００２３】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Ａは、つぎの参考例１の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。

【００２４】参考例１シリコンウエハ（５インチの半導体基板）の表面にノボ
ラツクとナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗
布し、加熱、露光、現像を行い、これを全表面に形成し
たのち、Ｐ⁺イオンを加速エネルギ―８０ＫｅＶでド─
ズ量１×１０¹⁶ｉｏｎｓ／cm²の濃度で全面に注入し
た。このように形成したシリコンウエハ上の画像を、レ
ジスト膜画像Ａとした。

【００２５】実施例１アクリル酸／アクリル酸メチル／アクリル酸ヒドロキシ
エチル＝５０／４５／５（重量比）の共重合体（重量平
均分子量３１万）６０ｇ、無水マレイン酸６ｇ、ポリエ
チレングリコ―ルジアクリレ―ト４５ｇ、光重合開始剤
２ｇの酢酸エチル溶液を、厚さが５０μｍのポリエステ
ルフイルムからなるフイルム基材上に塗布し、乾燥オ─
ブンにて７０℃および１３０℃で各々３分間乾燥して、
厚さが４０μｍの光硬化型接着剤層を形成して、レジス
ト除去用接着シ―トとした。

【００２６】つぎに、半導体ウエハ上のレジスト膜画像
Ａに、上記の接着シ―トを加熱下、圧着ロ─ルにより貼
り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を１Ｊ／
cm²の照射量で照射し、接着シ―トを硬化させた。その
後、この接着シ―トと上記画像Ａとを一体に剥離して、
ウエハ上から上記画像Ａを除去した。

【００２７】実施例２アクリル酸２−エチルヘキシル／アクリル酸エチル／メ
タクリル酸メチル／メタクリル酸ヒドロキシエチル＝２
６／６５／５／４（重量比）の共重合体（重量平均分子
量３７万）６０ｇ、無水マレイン酸６ｇ、ポリエチレン
グリコ―ルジメタクリレ―ト３０ｇ、光重合開始剤２ｇ
の酢酸エチル溶液を使用し、他は実施例１と同様にし
て、レジスト除去用接着シ―トを作製した。また、この
接着シ―トを用いて、実施例１と同様にして、レジスト
膜画像Ａの剥離除去を行つた。

【００２８】実施例３アクリル酸／アクリル酸メチル／アクリル酸ヒドロキシ
エチル＝５０／４５／５（重量比）の共重合体（重量平
均分子量３１万）６０ｇ、メチルマレイン酸無水物５
ｇ、トリアクリル酸ペンタエリスリト―ル１５ｇ、光重
合開始剤２ｇの酢酸エチル溶液を使用し、他は実施例１
と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。
また、この接着シ―トを用いて、実施例１と同様にし
て、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。

【００２９】比較例１無水マレイン酸の使用量を８０ｇに変更した以外は、実
施例１と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製
した。また、この接着シ―トを用いて、実施例１と同様
にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。

【００３０】比較例２無水マレイン酸の使用を省いた以外は、実施例２と同様
にして、レジスト除去用接着シ―トを作製した。また、
この接着シ―トを用いて、実施例２と同様にして、レジ
スト膜画像Ａの剥離除去を行つた。

【００３１】比較例３メチルマレイン酸無水物の使用を省いた以外は、実施例
３と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製し
た。また、この接着シ―トを用いて、実施例３と同様に
して、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行つた。

【００３２】上記の実施例１〜３および比較例１〜３に
よるレジスト膜画像Ａの剥離除去の結果について、その
レジスト除去性を下記の基準で評価した。また、剥離除
去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数として、レ─
ザ─表面検査装置〔日立電子エンジニアリング（株）製
の商品名「ＬＳ−５０００」〕によりウエハ表面に付着
する０．２μｍ以上の異物数〔５インチウエハ１枚（ウ
エハ面積１２３cm²）あたり〕をカウントし、下記の基
準で評価した。

【００３３】＜レジスト除去性＞ ◎：レジストが全く認められない。 ○：レジストが痕跡量認められる。 △：レジストが部分的にしか除去されない。 ×：レジストが全く除去されない。

【００３４】＜パ―テイクル数＞Ａ：１００個未満であるＢ：１００〜１，０００個であるＣ：１，０００個より多い

【００３５】

【００３６】上記の表１の結果から明らかなように、本
発明の実施例１〜３の接着シ―トを用いることにより、
レジスト膜画像Ａの除去性に好結果が得られており、ま
た剥離除去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数も大
きく低減されている。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明は、レジスト除去
用接着シ―ト類として、光硬化型接着剤層中に特定の不
飽和酸無水物を含ませたものを用いるようにしたことに
より、半導体ウエハなどの物品上の不要となつたレジス
ト膜画像を、その種類や性状に関係なく、簡便にかつ確
実に除去することができ、しかも、上記除去後に物品上
のパ─テイクルの数も低減できるという効果が奏され
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＬＥＣ０９Ｊ 7/02 ＪＬＥＨ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｚ (72)発明者関戸達也大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フイルム基材上に、水酸基を有する高分
子重合体とともに、つぎの一般式（１）；（式中、Ｒ₁，Ｒ₂はそれぞれ水素またはメチル基であ
る）で表わされる不飽和酸無水物を、上記の水酸基を有
する高分子重合体１００重量部に対し、０．５〜５０重
量部の割合で含む光硬化型接着剤層が設けられているこ
とを特徴とするレジスト除去用接着シ―ト類。
【請求項２】レジスト膜画像が存在する物品上に、請
求項１に記載の接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―
ト類を光硬化させたのち、この接着シ―ト類とレジスト
材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する
ことを特徴とするレジスト除去方法。