JPH08305042A - レジストの除去方法 - Google Patents

レジストの除去方法

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JPH08305042A
JPH08305042A JP12932895A JP12932895A JPH08305042A JP H08305042 A JPH08305042 A JP H08305042A JP 12932895 A JP12932895 A JP 12932895A JP 12932895 A JP12932895 A JP 12932895A JP H08305042 A JPH08305042 A JP H08305042A
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JP
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resist
adhesive
resist material
monomer
adhesive sheet
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JP12932895A
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English (en)
Inventor
Yutaka Nakabayashi
豊 中林
Yasuo Kihara
康夫 木原
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体の製造や回路の作製などにおいて、不
用となつた物品上のレジストを簡単かつ確実に除去す
る。 【構成】 イオン注入によつて褐色ないし黒色に変質し
たレジストパタ―ンが存在する物品上に、ラジカル連鎖
反応性のモノマ―を含む光硬化型感圧性接着剤を用いた
シ―ト状、テ―プ状などの接着シ―ト類を貼り付けて、
上記モノマ―の一部をレジスト材中に浸透させたのち、
この接着シ―ト類に光照射して上記接着剤を光硬化さ
せ、その際レジスト材中に浸透させた上記モノマ―もラ
ジカル連鎖反応によつてレジスト材内部まで連鎖的に硬
化反応させ、その後にこの接着シ―ト類とレジスト材と
を一体に剥離除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路など
において、イオン注入されて不用となつたレジストパタ
―ンを除去する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体のデバイス製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて、所定のレジストパタ―ンからなる画像を形成
し、これをマスクとして開口部にP+ 、B+ 、As+
どのイオンを注入する。その際レジストパタ―ン膜の上
表面層にも、上記のイオンが注入される。このようにイ
オンが注入されて不用になつたレジストパタ―ンは、そ
の後、アツシヤ―(灰化手段)や溶剤により除去される
のが一般的である。
【0003】しかるに、レジストパタ―ン膜の上表面層
に前記のイオンが注入されて、上表面層が変質すると、
通常の灰化手段では、除去作業に長時間を要したり、レ
ジスト材中の不純物イオンがシリコンウエハ中に注入さ
れるおそれがある。また、溶剤を用いると、作業環境に
問題を生じる。
【0004】このため、最近、不用となつたレジスト材
の除去に、シ―ト状やテ―プ状などの光硬化型の接着シ
―ト類を用い、これをレジストパタ―ンの上面に貼り付
け、紫外線などの光を照射して光硬化させたのち、この
接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離するという方
法が提案されている。この方法は、レジスト材中の不純
物イオンがウエハに注入されたり、作業環境を害すると
いう問題がなく、簡単かつ確実な除去方法として、その
実用化が期待されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、この発明者
らの検討によると、上記の接着シ―ト類を用いる方法で
は、除去されるべきレジストパタ―ンの一部または微小
部分が剥離されないで、そのまま物品上に残ることがあ
り、このため、接着シ―ト類の貼り付けおよび剥離操作
を、2度、3度と繰り返し行う必要があり、この場合、
除去操作が必ずしも簡単とはいえず、またこのように繰
り返し操作しても、レジスト材を完全に剥離除去できる
ものとはいえなかつた。
【0006】したがつて、この発明は、不用となつたレ
ジスト材を光硬化型の接着シ―ト類を用いて剥離除去す
る際の上記剥離性不良の問題を克服し、レジスト材を簡
単かつ確実に剥離除去することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明者らは、上記の
目的に対し、まず、接着シ―ト類の貼り付け時に、接着
剤の一部をレジスト材中に浸透させ、これをレジスト材
と一体に光硬化させると、レジスト材の除去率が高めら
れるものと考えた。しかし、上記浸透させた接着剤を光
硬化させることは決して容易ではなかつた。これは、前
記のようにイオン注入されたレジスト材では、それによ
つて変質し、褐色ないし黒色に変色しているため、紫外
線などの光の透過が不十分となるためである。
【0008】そこで、この光硬化の手段について、さら
に検討した結果、接着シ―ト類に用いる接着剤中に光硬
化反応に関与するラジカル連鎖反応性のモノマ―を含ま
せておき、このモノマ―をレジスト材中に浸透させたの
ち光照射すると、レジスト材がイオン注入によつて褐色
ないし黒色に変質していても、レジスト膜の表面側で発
生したラジカルによりレジスト膜内部まで連鎖的に架橋
または重合反応が起こり、これによりレジスト材全体の
光硬化が容易に達成されて、剥離操作によるレジスト材
の除去率が向上し、不用となつた物品上のレジストを簡
単かつ確実に除去できることを知り、この発明を完成す
るに至つた。
【0009】すなわち、この発明は、イオン注入によつ
て褐色ないし黒色に変質したレジストパタ―ンが存在す
る物品上に、ラジカル連鎖反応性のモノマ―を含む光硬
化型感圧性接着剤を用いたシ―ト状、テ―プ状などの接
着シ―ト類を貼り付けて、上記モノマ―の一部をレジス
ト材中に浸透させたのち、この接着シ―ト類に光照射し
て上記接着剤を光硬化させ、その際レジスト材中に浸透
させた上記モノマ―もラジカル連鎖反応によつてレジス
ト材内部まで連鎖的に硬化反応させ、その後にこの接着
シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離除去することを特
徴とするレジストの除去方法に係るものである。
【0010】
【発明の構成・作用】この発明に用いられる光硬化型感
圧性接着剤は、感圧接着性ポリマ―に、ラジカル連鎖反
応性のモノマ―と通常は光重合開始剤とを含ませてなる
ものであり、上記の感圧接着性ポリマ―としては、一般
の感圧性接着剤に適用される公知の各種ポリマ―がいず
れも使用可能である。とくに好ましいポリマ―として
は、アクリル酸アルキルエステルおよび/またはメタク
リル酸アルキルエステルを主モノマ―としたアクリル系
ポリマ―が挙げられる。
【0011】このアクリル系ポリマ―は、上記の主モノ
マ―、つまりアクリル酸またはメタクリル酸と炭素数が
通常12以下のアルコ―ルとのエステルのほか、必要に
よりカルボキシル基ないし水酸基を有するモノマ―や、
その他の改質用モノマ―を用いて、これらを常法により
溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で
重合させることにより、得ることができる。
【0012】カルボキシル基含有モノマ―には、アクリ
ル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などが、
水酸基含有モノマ―には、ヒドロキシエチルアクリレ―
ト、ヒドロキシプロピルアクリレ―トなどがある。これ
らのカルボキシル基ないし水酸基含有モノマ―の使用量
は、全モノマ―中、通常20重量%以下であるのがよ
い。また、その他の改質用モノマ―としては、酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アクリロニトリ
ル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ―トなどが
用いられる。これらの改質用モノマ―の使用量は、前記
主モノマ―との合計量中、通常50重量%以下であるの
がよい。
【0013】アクリル系ポリマ―の分子量は、重量平均
分子量で、通常30万〜200万であるのがよい。分子
量が低すぎるとラジカル連鎖反応性のモノマ―を配合し
たときに低粘度となつて、保存中に流れるなどの不都合
を生じやすく、また高くなりすぎると取り扱い上の問題
を生じやすい。このアクリル系ポリマ―は、レジスト剥
離時の作業性を勘案して、ガラス転移点が250°K以
下であるのがよい。これより高くなると、硬化後に硬く
なりすぎて剥離が重くなる傾向がみられる。ただし、こ
のような高いガラス転移点を有するアクリル系ポリマ―
の使用をすべて排除するものではなく、必要により使用
可能である。
【0014】このようなアクリル系ポリマ―の合成にあ
たり、共重合モノマ―として重合性炭素−炭素二重結合
を2個以上有するものを用いたり、あるいは合成後のア
クリル系ポリマ―に重合性炭素−炭素二重結合を有する
化合物を官能基間の反応で化学結合させるなどして、ア
クリル系ポリマ―の分子内に重合性炭素−炭素二重結合
を導入しておくことにより、このアクリル系ポリマ―自
体も紫外線の照射による硬化反応に関与させるようにし
てもよい。
【0015】ラジカル連鎖反応性のモノマ―は、レジス
ト材中に浸透しやすい、つまりレジスト膜のクラツクや
ピンホ―ルなどから拡散によつてレジスト膜中に移行し
やすいモノマ―であるとともに、紫外線などの光照射に
よつて発生するラジカルにて連鎖的に重合ないし架橋反
応する不飽和二重結合を1個以上有するものであり、そ
の代表例として、ポリグリコ―ル系の(メタ)アクリレ
―ト化合物またはアミン系のビニル化合物を挙げること
ができる。
【0016】ポリグリコ―ル系の(メタ)アクリレ―ト
化合物としては、たとえば、フエノキシポリエチレング
リコ―ル(メタ)アクリレ―ト、ポリエチレングリコ―
ルジ(メタ)アクリレ―ト、ポリプロピレングリコ―ル
ジ(メタ)アクリレ―トなどが挙げられる。また、アミ
ン系のビニル化合物としては、ビニルピリジン、ビニル
ピロリドンなどを挙げることができる。これらのモノマ
―は、その1種または2種以上が用いられるが、使用量
は、感圧接着性ポリマ―100重量部に対し、通常5〜
200重量部、好ましくは10〜100重量部とするの
がよい。使用量が少なすぎると、レジストの剥離効果が
十分でなく、また多すぎると、保存時に接着剤が流れだ
すおそれがあり、好ましくない。
【0017】光重合開始剤としては、紫外線などの光の
照射よつてラジカルを発生する、たとえば、ベンゾイ
ン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知
の各種化合物が用いられる。使用量は、感圧接着性ポリ
マ―100重量部に対して、通常0.1〜10重量部の
範囲とするのがよい。
【0018】この発明に用いる光硬化型感圧性接着剤に
は、上記の感圧接着性ポリマ―、ラジカル連鎖反応性の
モノマ―および光重合開始剤のほかに、上記ポリマ―を
架橋して接着剤の凝集力を高め、貼り付け作業性などを
改善するための架橋剤、たとえば、ポリイソシアネ―
ト、ポリエポキシ、各種金属塩、キレ―ト化合物などを
含ませてもよい。同様の目的で、微粉シリカなどの充て
ん剤を含ませてもよい。さらに、この感圧性接着剤中に
は、粘着付与樹脂、着色剤、老化防止剤などの公知の各
種添加剤を必要に応じて含ませることもできる。
【0019】この発明において、このような光硬化型感
圧性接着剤は、これ単独でシ―ト状やテ―プ状などに成
形することもできるが、通常はフイルム基材上に乾燥後
の厚さが約10〜180μmとなるように塗着されて、
上記形状の接着シ―ト類とされる。ここで用いるフイル
ム基材としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
エチレンテレフタレ―ト、ポリウレタン、ポリ塩化ビニ
ル、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物などからな
る、厚さが通常10〜100μm程度の樹脂フイルムが
用いられ、とくに接着剤の硬化を光照射にて行うため、
紫外線などの光を透過するものが選択使用される。
【0020】この発明のレジストの除去方法において
は、まず、イオン注入によつて褐色ないし黒色に変質し
たレジストパタ―ンが存在する物品上に、上記構成の接
着シ―ト類を貼り付ける。その際、好ましくは加熱,加
圧などの手段を付加して、接着シ―ト類に用いた光硬化
型感圧性接着剤の一部、とくにこの接着剤に含まれるラ
ジカル連鎖反応性のモノマ―の一部をレジスト材中に浸
透させる。
【0021】このように貼り付けたのち、紫外線などの
光を照射する硬化処理に供すると、接着シ―ト類の接着
剤は光硬化し、その際レジスト材中に浸透したモノマ―
も、レジスト膜表面側に発生したラジカルによつて膜内
部まで連鎖的に架橋ないし重合反応を起こし、レジスト
材全体が光硬化する。連鎖反応の様子は、たとえば、硬
化に要する紫外線の照射量がある一定値以上となると、
硬化度に変化がみられなくなること、時間に対するモノ
マ―の残存量を追跡すると、徐々にではあるがモノマ―
の減少がみられることなどからも、十分にうかがえる。
【0022】紫外線を用いるときの照射量としては、通
常300〜3,000mj/cm2 の範囲でよい。このよう
な硬化処理により、接着剤はレジスト材と一体化した状
態で硬化し、これに伴いレジスト材と物品との接着力が
大きく低下するため、この光硬化後に接着シ―ト類を剥
離操作すると、物品上のレジスト材は、接着シ―ト類と
一体となつて、簡単にかつ完全に剥離除去される。
【0023】このような方法によると、アツシヤ―を用
いる従来方法のような作業の長時間化や、レジスト材中
の不純物イオンがウエハに注入されるといつた心配がな
く、また溶剤を用いる従来方法のような作業環境の悪化
といつた心配もない。しかも、接着シ―ト類を用いる既
提案のような剥離不良の問題がなく、1度の貼り付けお
よび剥離操作により、ほぼ完全な除去目的を達成でき
る。
【0024】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、イオ
ン注入によつて褐色ないし黒色に変質したレジストパタ
―ンを、光硬化型の特定の接着シ―ト類による貼り付け
および光照射後の剥離操作にて、簡単かつ確実に剥離除
去できるから、半導体のデバイス製造に有利に応用で
き、また上記同様のレジストパタ―ンが存在する各種物
品のレジスト除去用としても広く利用することができ
る。
【0025】
【実施例】つぎに、この発明の実施例を記載してより具
体的に説明する。なお以下、部とあるのは重量部を意味
する。
【0026】実施例1 アクリル酸n−ブチル80部、アクリル酸メチル15
部、アクリル酸5部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル150部、アゾビスイソブチロニトリル0.1部を
用いて、窒素気流下60℃にて12時間溶液重合を行
い、重量平均分子量56万、ガラス転移点が229°K
のアクリル系ポリマ―の溶液を得た。この溶液250部
に、ポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―ト100
部、光重合開始剤としてベンジルジメチルケタ―ル3部
を均一に混合し、光硬化型感圧性接着剤の溶液を調製し
た。つぎに、この光硬化型感圧性接着剤の溶液を、厚さ
50μmのポリエステルフイルムの上に、乾燥後の厚さ
が50μmとなるように塗布し、70℃で24分乾燥し
て、接着シ―トを作製した。
【0027】これとは別に、シリコンウエハ(半導体基
板)の表面に、クレゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロ
キシ化合物のナフトキノンアジドスルホン酸エステルと
乳酸エチルからなるレジスト材を塗布し、加熱、露光、
現像を行い、レジストパタ―ン膜を全表面に形成したの
ち、As+ イオンを加速エネルギ―80KeVでド―ズ
量1×1,016ions/cm2 の高濃度で全面に注入
した。
【0028】このようにイオン注入されて褐色ないし黒
色に変質したレジストパタ―ン膜の全面に、前記の方法
で作製した接着シ―トを、120℃の加熱基板上で圧着
して貼り付け、接着剤中のモノマ―(ポリエチレングリ
コ―ルジメタクリレ―ト)をレジスト材中に浸透させた
のち、高圧水銀ランプにより、紫外線を1,000mj/
cm2 の照射量で照射して、上記接着シ―トを硬化させ
た。その際、レジスト材中に浸透した上記モノマ―も膜
内部まで連鎖的に硬化反応させた。その後、接着シ―ト
をレジスト材と一体に剥離した。シリコンウエハの表面
を蛍光顕微鏡で観察したが、レジスト材は全く認められ
なかつた。
【0029】実施例2 アクリル酸2−エチルヘキシル60部、アクリル酸メチ
ル30部、2−ヒドロキシエチルメタクリレ―ト5部、
アクリル酸5部からなるモノマ―混合物を、実施例1と
同様に重合して、重量平均分子量62万、ガラス転移点
が232°Kのアクリル系ポリマ―の溶液を得た。この
溶液250部に、ポリエチレングリコ―ルジメタクリレ
―ト50部、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ―ト
50部、光重合開始剤としてベンジルジメチルケタ―ル
3部を均一に混合し、光硬化型感圧性接着剤の溶液を調
製した。
【0030】この光硬化型感圧性接着剤の溶液を用い
て、実施例1と同様にして、接着シ―トを作製した。つ
ぎに、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にし
て、シリコンウエハ上のイオン注入されて褐色ないし黒
色に変質したレジストパタ―ン膜の剥離除去を試みた。
結果は、実施例1とほぼ同であり、シリコンウエハの表
面を蛍光顕微鏡で観察したが、レジスト材は全く認めら
れなかつた。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 171/00 JBT C09J 171/00 JBT H01L 21/027 H01L 21/30 572Z

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオン注入によつて褐色ないし黒色に変
    質したレジストパタ―ンが存在する物品上に、ラジカル
    連鎖反応性のモノマ―を含む光硬化型感圧性接着剤を用
    いた接着シ―ト類を貼り付けて、上記モノマ―の一部を
    レジスト材中に浸透させたのち、この接着シ―ト類に光
    照射して上記接着剤を光硬化させ、その際レジスト材中
    に浸透させた上記モノマ―もラジカル連鎖反応によつて
    レジスト材内部まで連鎖的に硬化反応させ、その後にこ
    の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離除去するこ
    とを特徴とするレジストの除去方法。
  2. 【請求項2】 光硬化型感圧性接着剤に含まれるラジカ
    ル連鎖反応性のモノマ―が、ポリグリコ―ル系の(メ
    タ)アクリレ―ト化合物またはアミン系のビニル化合物
    からなる請求項1に記載のレジストの除去方法。
JP12932895A 1995-04-27 1995-04-27 レジストの除去方法 Pending JPH08305042A (ja)

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Cited By (3)

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