WO1998036445A1 - Procede pour retirer en une seule operation un element de resist et une couche de protection de paroi laterale - Google Patents

Procede pour retirer en une seule operation un element de resist et une couche de protection de paroi laterale Download PDF

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WO1998036445A1
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resist material
adhesive
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side wall
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Eiji Toyoda
Makoto Namikawa
Kouichi Hashimoto
Seiichirou Shirai
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Nitto Denko Corporation
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    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face

Definitions

  • the present invention relates to a process for forming a fine pattern in the manufacture of semiconductors, circuits, various print substrates, various masks, lead frames, and the like, and a process of forming unnecessary patterns on articles such as semiconductor wafers and dry etching.
  • the present invention relates to a method for removing a sidewall protective film deposited on a pattern sidewall during processing.
  • a resist pattern is formed on a silicon wafer, and this is used as a mask to carry out processes such as implantation of impurity ions and draining. It is removed by an asher (carbonization equipment) to form circuit elements and wiring.
  • a sidewall protection process is preferably employed in order to obtain anisotropic etching.
  • This articles such as semiconductor substrate with a registry pattern as a mask, when etched with Etsuchin Gugasu ionized, and adding a polymer forming gas (e.g., halocarbon gases, such as CC 1 4, CF 4)
  • a polymer forming gas e.g., halocarbon gases, such as CC 1 4, CF 4
  • a polymer protective film is deposited on the side walls of the pattern, and the sidewall protective film prevents radicals from penetrating into the side walls of the pattern and performs anisotropic etching without side etching (see Fig. 4). ).
  • the present invention simplifies the manufacturing process of semiconductors and the like by removing unnecessary resist material and sidewall protection film at a time after dry etching by a sidewall protection process. It is for this purpose. Disclosure of the invention
  • the present inventors have conducted intensive studies on the above object, and as a result, after performing dry etching treatment by a side wall protection process, a method in which an adhesive sheet is pasted on an article and the sheet is peeled off to obtain a resist. We learned that the material and the sidewall protective film could be peeled off at the same time and completed the present invention.
  • dry etching is performed by a sidewall protection process using a resist pattern present on an article as a mask, and then unnecessary resist material and a sidewall protection film deposited on the pattern sidewall are removed.
  • an adhesive sheet in the form of a sheet or tape is stuck on the above-mentioned article, and the adhesive is brought into close contact with the pattern side wall by heating and pressing, and then the adhesive sheet and the resist material and
  • the present invention relates to a method for simultaneously removing a resist material and a sidewall protective film, wherein the resist material and the sidewall protective film are peeled off and removed integrally.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the pressure-sensitive adhesive sheets used in the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for simultaneously removing the resist material and the sidewall protective film according to the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an enlarged part III in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where dry etching is performed by a sidewall protection process using a resist pattern as a mask.
  • FIG. 1 shows the configuration of pressure-sensitive adhesive sheets used in the present invention.
  • the pressure-sensitive adhesive sheets 1 are made of a plastic such as polyethylene, polypropylene or polyethylene terephthalate, and usually have a thickness of 10 to 100 / xm. This is a sheet-to-tape form provided with an adhesive layer 11 of ⁇ 200 // m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be a non-curable type or a curable type that is cured by active energy such as heat or ultraviolet light, but is preferably an ultraviolet curable type.
  • an acrylic polymer is used as a pressure-sensitive adhesive, and a molecular weight having at least one polymerizable carbon-carbon double bond in a molecule is usually 10 or 0.
  • a non-volatile low-molecular-weight compound (hereinafter referred to as a curable compound) having a molecular weight of 100 or less and a photopolymerization initiator are blended.
  • a polyisocyanate, a polyepoxy, various metal salts, a chelate compound are used as a crosslinking agent
  • various functional additives such as a polyfunctional compound such as silica powder, a filler such as finely divided silica, a tackifier resin, a coloring agent, an antioxidant, and a polymerization inhibitor are preferably used.
  • a general lower limit for the molecular weight of the curable compound is 100.
  • the adhesive force is, for example, 180 ° peel adhesion to a silicon wafer, and is 150 g / 10 mm or more before UV curing (usually 200 to 1, OOO g Z l O mm width). After UV curing, less than 150 g width of 10 mm (usually 10 ⁇ ! 1 Omm width).
  • the blending amounts of the other components with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer are as follows.
  • Curable compound usually 5 to 300 parts by weight, preferably 20 to 200 parts by weight
  • Photopolymerization initiator usually 0.1 to 15 parts by weight, preferably 0.5 to 10 parts by weight
  • Crosslinking agent usually 20 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less •
  • Total amount of additives other than the curable compound and the photopolymerization initiator usually 0.1 part by weight.
  • acrylic polymer examples include a homopolymer of an alkyl ester of (meth) acrylic acid, a copolymer of the above monomer with a monomer having a carboxyl group or a hydroxyl group, and other modifying monomers. Those having a weight average molecular weight of usually 300,000 to 200,000 are preferred.
  • Curable compounds include, for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane tetra (meth) acrylate, oligoester (Meta) acrylate, urethane (meta) acrylate oligomers, etc.
  • Photopolymerization initiators include, for example, benzoin, benzoynetinoleatenoate, dibenzinole, isopropizolebenzoineatenoate, benzophenone, micro-ketone crotin, xanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, acetophenoxenone. N-ethyl ketal, benzyl dimethyl ketal, ⁇ -hydroxy cyclohexyl phenyl ketone and the like.
  • FIG. 2 shows a method of peeling and removing a resist material and a side wall protective film present on an article such as a semiconductor substrate using the pressure-sensitive adhesive sheets having the above-mentioned structure.
  • Arrow ⁇ indicates the direction in which the adhesive sheets are peeled off.
  • FIG. 3 is an enlarged view of part III of FIG. 2 above.
  • the above-described resist material is applied to the entire surface of a semiconductor substrate 2 provided with a metal thin film 21 for wiring on a silicon wafer 20 and is subjected to a normal photo process. This is formed as a predetermined resist pattern (resist film image) 3. Further, the sidewall protective film is used in a step of forming a desired wiring circuit by performing dry etching on the metal thin film 21 by a sidewall protective process using the resist pattern 3 as a mask. The polymer is deposited on the turn side wall 22 as a protective film 4.
  • This side wall protective film 4 prevents an invasion of radicals into the side wall 22 when the metal thin film 21 is dry-etched by the ionized etching gas 5 and enables anisotropic etching without side etching. .
  • a gas for forming a polymer is usually added to an etching gas.
  • a gas for forming a polymer is dissociated from a material to be etched such as a photoresist.
  • an adhesive sheet 1 is attached on a semiconductor substrate 2.
  • a pressure H is applied by heat so that the pressure-sensitive adhesive layer 11 is plasticized and sufficiently adheres to the pattern side wall 22.
  • the conditions at this time can be determined as appropriate according to the adhesion state of the resist pattern 3 and the type of the adhesive, but generally, the adhesive hardens or protrudes to the side under a wide range of conditions from finger pressure to roll pressure. But Does not occur, usually a temperature of 20 to 150 ° C is better.
  • the ultraviolet ray-curable pressure-sensitive adhesive sheets are irradiated with ultraviolet rays to be cured, and then the pressure-sensitive adhesive sheets 1 are peeled off in the direction of arrow P in FIG.
  • the resist material (resist pattern) 3 on the semiconductor substrate 2 and the side wall protective film 4 of the pattern side wall 22 are peeled off together with the adhesive sheet 1.
  • the resist material and the side wall protective film can be collectively removed by the peeling operation of the pressure-sensitive adhesive sheet 1, so that there is no need to add a conventional cleaning step after this operation.
  • Significant simplification of the process is achieved.
  • parts means “parts by weight”.
  • a poly-type photoresist consisting of cresol novolak resin, naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of polyhydroxy compound and ethyl lactate is applied on a silicon wafer with a multilayer metal thin film for wiring formed on the surface, and heated, exposed and developed. Was performed to form a resist pattern. Then, using this resist pattern as a mask, a desired metal wiring pattern was formed by performing dry etching by a sidewall protection process.
  • a monomer mixture consisting of 80 parts of n-butyl acrylate and 15 parts of ethyl acrylate and 5 parts of acrylic acid is mixed with 150 parts of ethyl ethyl acetate and 0.1 part of azobisisobutyronitrile to obtain nitrogen.
  • Solution polymerization was carried out at 60 ° C. for 12 hours under an air stream to obtain an acrylic polymer solution A having a weight average molecular weight of 56,000.
  • This UV-curable pressure-sensitive adhesive solution is applied on a 50 / m-thick polyester film so that the thickness after drying becomes 45 ⁇ m, and dried at 130 ° C for 3 minutes.
  • an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive sheet was produced.
  • the 180 ° peel adhesion of this adhesive sheet to the silicon wafer before UV curing is 23.5 g 1 Omm width, and the same peel adhesion after UV curing is 13 g / 10 mm width Met.
  • the above-mentioned UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet was placed on a silicon wafer having a resist material (resist pattern) and a side wall protective film formed by forming a metal wiring pattern by the method of Reference Example 1, and 130 It was pressed and attached on a heating plate at ° C. After that, it was cured by irradiating ultraviolet rays with a high-pressure mercury lamp at a dose of 1, OOO mj Z cm 2 . After this curing treatment, when the adhesive sheet was peeled off, the resist material and the side wall protective film were peeled and removed integrally with the adhesive sheet.
  • Example 1 After the above peeling operation, the surface of the silicon wafer was observed with a fluorescence microscope and the cross section was observed with an SEM (scanning electron microscope). As a result, it was confirmed that the sidewall protective film was cleanly removed together with the resist material.
  • Example 1 when the adhesive sheet was attached to the silicon wafer at 90 ° C, it was possible to remove the side wall protective film all at once also in this case. Observation shows that there is a part of the side wall protective film left behind, and it is desirable to set the bonding temperature higher as in Example 1 for complete peeling and removal. I got it.
  • solution A of the acrylic polymer obtained in Example 1 100 parts of the acrylic polymer, 20 parts of polyethylene glycol methacrylate as a curable compound, and trimethylolpropane glycol UV-curable type by uniformly mixing 30 parts of a rate, 3 parts of tolylene diisocyanate as a polyfunctional compound, and 5 parts of ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a polymerization initiator.
  • 100 parts of the acrylic polymer, 20 parts of polyethylene glycol methacrylate as a curable compound, and trimethylolpropane glycol UV-curable type by uniformly mixing 30 parts of a rate, 3 parts of tolylene diisocyanate as a polyfunctional compound, and 5 parts of ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a polymerization initiator.
  • a UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1.
  • the 180 ° peel adhesion of the pressure-sensitive adhesive sheet to the silicon wafer before ultraviolet curing was 5381 Omm width, and the peel adhesion after ultraviolet curing was 12 g / 10 mm width.
  • the resist material and the side wall protective film were peeled and removed in the same manner as in Example 1. It was peeled off and removed integrally with the sheet.
  • the surface of the silicon wafer was observed with a fluorescence microscope and the cross section was observed with a SEM. As a result, it was confirmed that the sidewall material and the resist material were completely removed.
  • the measurement of the 180-degree peel adhesion was performed as follows.
  • a strip-shaped adhesive sheet having a width of 100 mm and a length of 100 mm was stuck on a silicon wafer, and heated at 130 ° C for 30 seconds. Thereafter, if necessary, ultraviolet light was irradiated from the substrate side using a high-pressure mercury lamp at a dose of 1 J / cm 2 to cure the adhesive.
  • the peeling force of the adhesive sheet at a peeling angle of 180 degrees was measured at a peeling speed of 300 mm / min. The measurement was performed at 23 ° C and 65% RH.
  • Comparative Example 1 The silicon wafer having a resist material (resist pattern) and a sidewall protective film, which is formed by forming a metal wiring pattern by the method of Reference Example 1, was subjected to oxygen plasma asking treatment. Fluorescence microscopy of the wafer surface and SEM observation of the cross section confirmed that the resist material had been removed, but the sidewall protective film remained, making it difficult to remove this protective film at once. There was found. Industrial applicability
  • an adhesive sheet is attached on the article, and the sheet is peeled off.
  • the unnecessary resist material and the side wall protective film can be removed at once, which has the effect of simplifying the manufacturing process of semiconductors and the like.

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Description

明細書 レジス ト材と側壁保護膜との一括除去方法 技術分野
本発明は、 半導体、 回路、 各種プリ ン ト基板、 各種マスク、 リー ドフレームなどの製造における微細パターンを形成する工程におい て、 半導体ウェハなどの物品上の不要となったレジス ト材と ドライ ェツチング処理時にパターン側壁に堆積した側壁保護膜とを除去す る方法に関する。
半導体の製造工程では、 たとえば、 シリ コンウェハ上にレジス ト パターンを形成し、 これをマスクと して不純物イオンの注入、 ドラ ィェツチングなどの処理を施したのち、 不要となったレジス ト材を 通常はアッシャー （炭化処理装置） によ り除去して、 回路素子や配 線を形成するよ うにしている。
上記のドライエツチング処理は、 ェツチングの異方性を得るため、 側壁保護プロセスが好ましく採用される。 これは、 半導体基板など の物品をレジス トパターンをマスクと して、 イオン化したエツチン グガスにてエッチングするにあたり、 ポリマー形成用ガス （例えば、 C C 1 4、 C F 4などのハロカーボンガス） を添加して、 パターン側 壁にポリマー保護膜を堆積させ、 この側壁保護膜にてパターン側壁 へのラジカルの侵入を防いで、 サイ ドエッチングのない異方性エツ チングを行うものである （第 4図参照） 。
しかるに、 このような側壁保護プロセスによると、 エッチング処 理後ァッシヤー ( a s h e r ) により レジス ト材を除去する工程に おいて、 上記の側壁保護膜を一緒に除去することができず、 上記ェ 程後に側壁保護膜を除去するための洗浄工程を別途付加する必要が あり、 製造工程上の不利を免れなかった。
本発明は、 上記の事情に照らし、 側壁保護プロセスによる ドライ エツチング処理後、 不要となったレジス ト材と側壁保護膜とを一括 して除去することにより、 半導体などの製造工程の簡略化を図るこ とを目的とする。 発明の開示
本発明者らは、 上記の目的に対して、 鋭意検討した結果、 側壁保 護プロセスによる ドライエッチング処理後、 物品上に粘着シート類 を貼り付けて、 このシート類を剥離操作する方法により、 レジス ト 材と側壁保護膜とを一括して剥離除去できることを知り、 本発明を 完成するに至った。
すなわち、 本発明は、 物品上に存在するレジス トパターンをマス クとして側壁保護プロセスによる ドライエッチング処理を施し、 そ の後不要となったレジス ト材とバターン側壁に堆積した側壁保護膜 を除去するにあたり、 上記物品上にシート状やテープ状などの形態 とした粘着シート類を貼り付け、 加熱加圧によりパターン側壁部分 にまで粘着剤を密着させたのち、 この粘着シート類とレジス ト材ぉ よび側壁保護膜とを一体に剥離除去することを特徴とするレジス ト 材と側壁保護膜との一括除去方法に係るものである。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明に使用する粘着シート類の一例を示す断面図で める。
第 2図は、 本発明のレジス ト材と側壁保護膜との一括除去方法を 示す断面図である。
第 3図は、 第 2図の I I I 部分を拡大して示す断面図である。 第 4図は、 レジス トパターンをマスク と して側壁保護プロセスに よる ドライエッチング処理を施している状態を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を、 第 1図〜第 4図を参考にして説明 する。
第 1図は、 本発明に使用する粘着シート類の構成を示したもので ある。
第 1図において、 粘着シート類 1は、 ポリエチレン、 ポリプロピ レン、 ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチックからなる厚 さが通常 1 0〜 1 0 0 /x mのフィルム基材 1 0上に、 厚さが通常 1 0〜 2 0 0 // mの粘着剤層 1 1 を設けて、 シ一ト状ゃテープ状の形 態と したものである。 上記の粘着剤層 2は非硬化型であっても、 熱 または紫外線などの活性エネルギーによ り硬化する硬化型であって もよいが、 好ましく は紫外線硬化型であるのがよい。
紫外線硬化型の粘着剤と しては、 ァク リル系ポリマ一を粘着性ポ リマーと し、 これに分子内に重合性炭素一炭素二重結合を 1個以上 有する分子量が通常 1 0， 0 0 0以下の不揮発性低分子量体 （以下、 硬化性化合物という） および光重合開始剤を配合し、 また必要によ り架橋剤と してポリイソシァネート、 ポリエポキシ、 各種金属塩、 キレート化合物などの多官能性化合物や、 微粉シリカなどの充てん 剤、 粘着付与樹脂、 着色剤、 老化防止剤、 重合禁止剤などの各種添 加剤を配合してなるものが、 好ましく用いられる。 硬化性化合物の 分子量の一般的な下限は 1 0 0である。 粘着力は、 たとえば、 シリ コンウェハに対する 1 8 0度剥離接着力と して、 紫外線硬化前では 1 5 0 g / 1 0 mm幅以上 （通常 2 0 0〜1， O O O g Z l O mm幅） 紫外線硬化後では 1 5 0 g 1 0 mm幅未満 （通常 1 0〜：！ O O gノ 1 O mm幅） であるのがよレヽ。
ァク リル系ポリマー 1 0 0重量部に対するその他の各成分の配合 量は以下のとおりである。
• 硬化性化合物 ： 通常 5〜 3 0 0重量部、 好ましくは 2 0〜 2 0 0重量部
• 光重合開始剤 ： 通常 0 . 1〜 1 5重量部、 好ましく は 0 · 5〜 1 0重量部
• 架橋剤 ： 通常 2 0重量部以下、 好ましく は 1 0重量部以下 • 硬化性化合物、 光重合開始剤以外の添加剤の合計量 ： 通常 0 .
1〜 1 5重量部
アク リル系ポリマーと しては、 （メタ） アク リル酸アルキルエス テルの単独重合体、 上記モノマーとカルボキシル基または水酸基含 有モノマ一やその他の改質用モノマーとの共重合体などからなる、 重量平均分子量が通常 3 0万〜 2 0 0万のものが好ましい。 硬化性 化合物には、 たとえば、 トリ メチロールプロパント リ （メタ） ァク リ レート、 テ トラメチロールメタン ト リ （メタ） アタ リ レート、 テ トラメチロールメタンテ トラ （メタ） アタ リ レート、 オリ ゴエステ ル （メ タ） ァク リ レート、 ウ レタン （メタ） アタ リ レ一 ト系オリ ゴ マーなどがある。 光重合開始剤には、 たとえば、 ベンゾイン、 ベン ゾイ ンェチノレエーテノレ、 ジベンジノレ、 イ ソプロ ピゾレベンゾイ ンエー テノレ、 ベンゾフエノ ン、 ミ ヒ ラーズケ トンク ロロチ才キサン トン、 ドデシルチオキサン トン、 ジメチルチオキサントン、 ァセ トフエノ ンジェチルケタール、 ベンジルジメチルケタール、 α —ヒ ドロキシ シクロへキシルフェニルケ トンなどが挙げられる。
第 2図は、 上記構成の粘着シート類を用いて、 半導体基板などの 物品上に存在するレジス ト材および側壁保護膜を剥離除去する方法 を示したものである。 矢印 Ρは粘着シー ト類が剥離される方向を示 す。 また、 第 3図は、 上記第 2図の I I I 部を拡大して示したもので ある。
ここで、 上記のレジス ト材は、 たとえば、 第 4図に示すように、 シリ コンウェハ 2 0上に配線用金属薄膜 2 1 を設けた半導体基板 2 の全面に塗布されて、 通常のフォトプロセスにより、 所定のレジス トパターン （レジス ト膜画像） 3 と して、 形成されたものである。 また、 上記の側壁保護膜は、 上記のレジス トパターン 3をマスクと して、 上記金属薄膜 2 1 に対して側壁保護プロセスによる ドライエ ツチング処理を施して所望の配線回路を形成する工程において、 パ ターン側壁 2 2にポリマ一保護膜 4 と して堆積されたものである。 この側壁保護膜 4は、 イオン化したェツチングガス 5により金属 薄膜 2 1 を ドライエッチングする際に、 側壁 2 2へのラジカルの侵 入を防いで、 サイ ドエッチングのない異方性エッチングを可能とす る。 なお、 このような保護膜 4を形成するため、 通常はエッチング ガス中にポリマー形成用ガスを添加しておくが、 場合によりフォト レジス トなどの被エッチング材料そのものからポリマー形成用ガス を解離生成させることもある。 このよ うな側壁保護プロセスの組み 立ては、 一般に、 イオンのエネルギーとプラズマ形成を独立に制御 できるマイクロ波プラズマェツチングを採用して行うのが好ましレ、 c なお、 エッチングの処理操作自体は、 従来公知の方法に準じて行え るものである。
本発明では、 まず、 第 2図および第 3図に示すよ うに、 半導体基 板 2上に粘着シート類 1 を貼り付ける。 その際、 粘着剤層 1 1が可 塑化してパターン側壁 2 2の部分にまで十分に密着するように、 力 H 熱加圧する。 このときの条件は、 レジス トパターン 3の付着状況や 粘着剤の種類などに応じて、 適宜決定できるが、 一般に、 指圧から ロール圧までの広い条件下で、 接着剤の硬化や側面へのはみ出しが 起こらない、 通常 2 0〜 1 5 0 °Cの温度を選ぶのがよい。
このような貼り付け処理後、 紫外線硬化型の粘着シート類ではこ れに紫外線を照射して硬化させたのち、 この粘着シート類 1 を、 第 2図中、 矢印方向 Pに剥離操作する。 この操作により、 半導体基板 2上のレジス ト材 （レジス トパターン） 3 とさらにパターン側壁 2 2の側壁保護膜 4は、 粘着シート類 1 と一体となって剥離除去され る。 このよ う に、 粘着シート類 1 の剥離操作にて、 レジス ト材と側 壁保護膜とを一括して除去できる結果、 この操作後に、 従来のよ う な洗浄工程を付加する必要がなく、 工程の大幅な簡素化が達成され る。
つぎに、 本発明の実施例を記載して、 より具体的に説明する。 な お、 以下、 部とあるのは重量部を意味するものとする。
参考例 1
表面に配線用多層金属薄膜を形成したシリ コンウェハ上に、 ク レ ゾールノボラック樹脂とポリ ヒ ドロキシ化合物のナフ トキノンジァ ジドスルホン酸エステルと乳酸ェチルからなるポリ型フォトレジス トを塗布し、 加熱、 露光および現像を行い、 レジス トパターンを形 成した。 その後、 このレジス トパターンをマスクと して、 側壁保護 プロセスによる ドライエッチング処理を施すことにより、 所望の金 属配線パターンを形成した。
実施例 1
アタ リル酸 n —ブチル 8 0部、 アタ リル酸ェチル 1 5部、 アタ リ ル酸 5部からなるモノマ一混合物を、 酢酸ェチル 1 5 0部、 ァゾビ スイソプチロニ トリル 0 . 1部を用いて、 窒素気流下、 6 0 °Cで 1 2時間溶液重合を行い、 重量平均分子量が 5 6万のアク リル系ポリ マーの溶液 Aを得た。
この溶液 Aに、 ァク リル系ポリマー 1 0 0部に対し、 硬化性化合 物と してポリエチレングリ コールジァク リ レート 1 0部、 ジペンタ エリスリ トールへキサァク リ レート 1 0部、 トリメチロ一ルプロノ、。 ントリアタ リ レート 3 0部、 多官能性化合物と してジフエニルメタ ンジィ ソシァネート 3部、 光重合開始剤と して α—ヒ ドロキシシク 口へキシルフェニルケトン 3部を、 均一に混合して、 紫外線硬化型 の粘着剤溶液を調製した。
この紫外線硬化型の粘着剤溶液を、 厚さが 5 0 / mのポリエステ ルフィルム上に、 乾燥後の厚さが 4 5 μ mとなるよ うに塗布し、 1 3 0 °Cで 3分乾燥して、 紫外線硬化型の粘着シートを作製した。 こ の粘着シートの紫外線硬化前のシリ コンウェハに対する 1 8 0度剥 離接着力は 2 3 5 g 1 O mm幅であり、 また紫外線硬化後の同剥離 接着力は 1 3 g / 1 0 mm幅であった。
つぎに、 参考例 1 の方法により金属配線パターンを形成してなる、 レジス ト材 （レジス トパターン） および側壁保護膜が存在するシリ コンウェハに、 上記の紫外線硬化型の粘着シートを、 1 3 0 °Cの加 熱板上で圧着して貼り付けた。 その後高圧水銀ランプにより、 紫外 線を 1， O O O m j Z cm2 の照射量で照射して、 硬化処理した。 こ の硬化処理後、 粘着シートを剥離操作したところ、 レジス ト材と側 壁保護膜は、 粘着シートと一体に剥離除去された。
上記の剥離操作後に、 シリ コンウェハの表面を蛍光顕微鏡、 断面 を S E M (走査型電子顕微鏡） で観察した結果、 レジス ト材と とも に側壁保護膜がきれいに除去されていることを確認できた。 なお、 上記の実施例 1 において、 粘着シートのシリ コンウェハへの貼り付 けを 9 0 °Cで行ったところ、 この場合も側壁保護膜の一括除去は可 能であつたが、 ウェハ断面の S E M観察から、 側壁保護膜がごく一 部取り残されている箇所があり、 完全な剥離除去のためには、 実施 例 1のように貼り付け温度をより高く した方が望ましいことがわか つた。
実施例 2
実施例 1で得たァク リル系ポリマーの溶液 Aに、 アク リル系ポリ マー 1 0 0部に対し、 硬化性化合物と してポリエチレングリ コール メタク リ レート 2 0部、 トリ メチロールプロパント リァク リ レート 3 0部、 多官能性化合物と して ト リ レンジイソシァネート 3部、 重 合開始剤と して α —ヒ ドロキシシク口へキシルフェニルケトン 5部 を、 均一に混合して、 紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製した。
この粘着剤溶液を用いて、 実施例 1 と同様にして、 紫外線硬化型 の粘着シートを作製した。 この粘着シートの紫外線硬化前のシリ コ ンウェハに対する 1 8 0度剥離接着力は 5 3 8 1 O mm幅、 紫外 線硬化後の同剥離接着力は 1 2 g / l 0 mm幅であった。 つぎに、 こ の紫外線硬化型の粘着シートを用いて、 実施例 1 と同様にして、 レ ジス ト材および側壁保護膜の剥離除去を試みたところ、 レジス ト材 および側壁保護膜は、 この粘着シートと一体に剥離除去された。 シ リ コンウェハの表面を蛍光顕微鏡、 断面を S E Mで観察した結果、 レジス ト材とともに側壁保護膜がきれいに除去されていることを確 認できた。
上記の実施例において、 1 8 0度剥離接着力の測定は以下のよう にして行った。
シリ コンウェハ上に幅 1 0 m m、 長さ 1 0 0 m mの短冊状にした 接着シートを貼りつけ、 1 3 0 °Cで 3 0秒間加熱した。 その後必要 に応じて基材側から高圧水銀灯により紫外線を 1 J / c m 2の照射量 で照射し、 粘着剤を硬化させた。 この接着シー トの剥離角度 1 8 0 度における剥離力を、 剥離速度 3 0 0 m m /分で測定した。 なお、 測 定は 2 3 °C、 6 5 % R Hの条件下で行った。
比較例 1 参考例 1 の方法により金属配線パターンを形成してなる、 レジス ト材 （レジス トパターン） および側壁保護膜が存在するシリコンゥ ェハに対して、 酸素プラズマによるアツシング処理を行った。 ゥェ ハ表面を蛍光顕微鏡、 断面を S E M観察したところ、 レジス ト材が 除去されていることは確認できたが、 側壁保護膜は残存しており、 この保護膜の一括除去は困難であることが判明した。 産業上の利用可能性
以上のように、 本発明は、 物品上に存在するレジス トパターンを マスクとして側壁保護プロセスによる ドライエッチング処理後、 上 記物品上に粘着シート類を貼り付けて、 このシート類を剥離操作す る方法により、 不要となったレジス ト材と側壁保護膜とを一括して 除去することができることから、 半導体などの製造工程の簡略化を 図れるという効果が奏される。

Claims

請求の範囲
1 . 物品上に存在するレジス トパターンをマスクとして側壁保護プ ロセスによる ドライエッチング処理を施し、 その後不要となったレ ジス ト材とパターン側壁に堆積した側壁保護膜を除去するにあたり、 上記物品上に粘着シート類を貼り付け、 加熱加圧によりパターン側 壁部分にまで粘着剤を密着させたのち、 この粘着シ一ト類とレジス ト材および側壁保護膜とを一体に剥離除去することを特徴とするレ ジス ト材と側壁保護膜との一括除去方法。
2 . 該物品がシリ コンウェハであり、 該粘着剤が紫外線硬化型であ り、 該粘着剤をシリ コンウェハに密着させ、 紫外線照射により硬化 後、 粘着シ一ト類とレジス ト材および側壁保護膜を一体に剥離除去 する方法であって、 該粘着剤のシリ コンウェハに対する剥離接着力 、 紫外線硬化前では 1 5 0 g / 1 O m m幅以上、 紫外線硬化後では 1 5 0 g /m m幅未満である請求の範囲第 1項記載のレジス ト材と側 壁保護膜との一括除去方法。
3 . 該粘着剤が、 アク リル系ポリマー、 分子内に重合性炭素一炭素 二重結合を一個以上有する分子量が、 1 0， 0 0 0以下の不揮発性 低分子量体、 及び、 光重合開始剤を含んでいる請求の範囲第 2項記 載のレジス ト材と側壁保護膜との一括除去方法。
4 . アク リル系ポリマ一 1 0 0重量部に対し、 分子内に重合性炭素 一炭素二重結合を一個以上有する分子量が 1 0， 0 0 0以下の不揮 発性低分子量体を 5〜 3 0 0重量部、 光重合開始剤 0 . 1 〜 1 5重 量部を含有する請求の範囲第 3項記載のレジス ト材と側壁保護膜と の一括除去方法。
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