JPH09213604A - レジスト膜画像の除去方法 - Google Patents
レジスト膜画像の除去方法Info
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- JPH09213604A JPH09213604A JP8014202A JP1420296A JPH09213604A JP H09213604 A JPH09213604 A JP H09213604A JP 8014202 A JP8014202 A JP 8014202A JP 1420296 A JP1420296 A JP 1420296A JP H09213604 A JPH09213604 A JP H09213604A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線硬化型接着シ―ト類を用いて、半導体
基板などの物品上の不要となつたレジスト材を、イオン
注入による表面層の変質などに左右されることなく、簡
単かつ確実に除去できる方法を提供する。 【解決手段】 レジスト膜画像が存在する物品上に紫外
線硬化型接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類に
紫外線を照射して硬化させたのち、硬化後の接着シ―ト
類とレジスト膜画像とを一体に剥離するレジスト膜画像
の除去方法において、上記の紫外線照射時に紫外線硬化
型接着シ―ト類およびレジスト膜画像が存在する物品の
最高温度が30〜140℃の範囲となるように温度制御
する。
基板などの物品上の不要となつたレジスト材を、イオン
注入による表面層の変質などに左右されることなく、簡
単かつ確実に除去できる方法を提供する。 【解決手段】 レジスト膜画像が存在する物品上に紫外
線硬化型接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類に
紫外線を照射して硬化させたのち、硬化後の接着シ―ト
類とレジスト膜画像とを一体に剥離するレジスト膜画像
の除去方法において、上記の紫外線照射時に紫外線硬化
型接着シ―ト類およびレジスト膜画像が存在する物品の
最高温度が30〜140℃の範囲となるように温度制御
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造段階における微細パタ―ンの形成工程
において、レジスト膜画像、つまりレジスト材からなる
画像を除去する方法に関する。
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造段階における微細パタ―ンの形成工程
において、レジスト膜画像、つまりレジスト材からなる
画像を除去する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造においては、
シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト材を塗布
し、通常のフオトプロセスにより、所定のレジスト膜画
像(レジストパタ―ン)が形成される。これをマスクと
して、たとえば開孔部にP+ 、B+ 、As+ などのイオ
ン注入、その他エツチングなど種々の処理が施される。
この際、前記イオンはレジスト膜画像の上表面層にも注
入される。
シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト材を塗布
し、通常のフオトプロセスにより、所定のレジスト膜画
像(レジストパタ―ン)が形成される。これをマスクと
して、たとえば開孔部にP+ 、B+ 、As+ などのイオ
ン注入、その他エツチングなど種々の処理が施される。
この際、前記イオンはレジスト膜画像の上表面層にも注
入される。
【0003】その後、不要になつたレジスト膜画像が除
去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回路
を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサイ
クルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形成
する場合も、画像形成後、不要になつた画像が除去され
る。この際、不要になつたレジスト膜画像の除去は、イ
オンアシストエツチング(灰化手段)、溶剤(剥離液)
や薬品による方法、あるいはレジスト膜画像の上面に接
着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト膜
画像とを一体に剥離するテ―プ工法にて行われている。
去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回路
を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサイ
クルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形成
する場合も、画像形成後、不要になつた画像が除去され
る。この際、不要になつたレジスト膜画像の除去は、イ
オンアシストエツチング(灰化手段)、溶剤(剥離液)
や薬品による方法、あるいはレジスト膜画像の上面に接
着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト膜
画像とを一体に剥離するテ―プ工法にて行われている。
【0004】しかしながら、レジスト膜画像の除去に通
常の灰化手段を用いると、レジスト材中の不純物イオン
や前記の注入イオンが半導体基板上に残留し、その後の
熱処理により半導体基板中に注入され、設計どおりの半
導体集積回路の構築が不可能となり、半導体装置の特性
を劣化させる問題があつた。また、とくに灰化手段に酸
素プラズマを使用した場合は、半導体基板にダメ―ジを
与えることがあり、半導体装置の信頼性を劣化させる問
題もあつた。さらに、溶剤(剥離液)や薬品による方法
では、作業環境を害するという問題があつた。
常の灰化手段を用いると、レジスト材中の不純物イオン
や前記の注入イオンが半導体基板上に残留し、その後の
熱処理により半導体基板中に注入され、設計どおりの半
導体集積回路の構築が不可能となり、半導体装置の特性
を劣化させる問題があつた。また、とくに灰化手段に酸
素プラズマを使用した場合は、半導体基板にダメ―ジを
与えることがあり、半導体装置の信頼性を劣化させる問
題もあつた。さらに、溶剤(剥離液)や薬品による方法
では、作業環境を害するという問題があつた。
【0005】他方、テ―プ工法は、このような問題のな
い方法として、特開平4−345015号、同5−27
5324号などの公報に提案されている。この方法は、
レジスト膜画像中の不純物がウエハに注入されたり、作
業環境を害するという問題がなく、簡単かつ確実な除去
方法として、その実用化が期待されている。
い方法として、特開平4−345015号、同5−27
5324号などの公報に提案されている。この方法は、
レジスト膜画像中の不純物がウエハに注入されたり、作
業環境を害するという問題がなく、簡単かつ確実な除去
方法として、その実用化が期待されている。
【0006】しかるに、上記のテ―プ工法では、回路形
成に際しP+ イオンなどを高ド―ズ量または高エネルギ
―量で注入し、このイオン注入によりレジストパタ―ン
の表面層が変質した場合、接着シ―ト類による剥離性が
悪くなり、全面残さず剥離除去することが難しかつた。
とくに、パタ―ン端部において変質したレジストが物品
に直接付着している場合、その剥離除去が難しかつた。
成に際しP+ イオンなどを高ド―ズ量または高エネルギ
―量で注入し、このイオン注入によりレジストパタ―ン
の表面層が変質した場合、接着シ―ト類による剥離性が
悪くなり、全面残さず剥離除去することが難しかつた。
とくに、パタ―ン端部において変質したレジストが物品
に直接付着している場合、その剥離除去が難しかつた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、このよ
うな問題を克服するため、先に、テ―プ工法に用いる接
着シ―ト類として、紫外線照射による硬化後の弾性率が
1〜1,000Kg/mm2となるような紫外線硬化型のも
のを用いることを提案した。この接着シ―ト類によれ
ば、紫外線照射にてレジスト膜画像と一体に硬化させる
ことができるため、レジスト膜画像の剥離性に好結果が
得られるものである。
うな問題を克服するため、先に、テ―プ工法に用いる接
着シ―ト類として、紫外線照射による硬化後の弾性率が
1〜1,000Kg/mm2となるような紫外線硬化型のも
のを用いることを提案した。この接着シ―ト類によれ
ば、紫外線照射にてレジスト膜画像と一体に硬化させる
ことができるため、レジスト膜画像の剥離性に好結果が
得られるものである。
【0008】本発明は、このような紫外線硬化型接着シ
―ト類を用いる方法をさらに改良することにより、半導
体基板などの物品上の不要となつたレジスト材を、イオ
ン注入による表面層の変質などに左右されることなく、
より簡単かつ確実に除去できる方法を提供することを目
的としている。
―ト類を用いる方法をさらに改良することにより、半導
体基板などの物品上の不要となつたレジスト材を、イオ
ン注入による表面層の変質などに左右されることなく、
より簡単かつ確実に除去できる方法を提供することを目
的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対する鋭意検討の過程において、紫外線硬化型接着
シ―ト類を用いる方法では、接着剤層が硬化する際に、
接着剤層の収縮も起こるため、ミクロな領域で接着剤層
とレジスト材との接触面積が減少し、その結果として、
接着剤層とレジスト材との接着力が低下し、レジスト膜
画像の剥離性が十分に得られないものであることがわか
つた。
的に対する鋭意検討の過程において、紫外線硬化型接着
シ―ト類を用いる方法では、接着剤層が硬化する際に、
接着剤層の収縮も起こるため、ミクロな領域で接着剤層
とレジスト材との接触面積が減少し、その結果として、
接着剤層とレジスト材との接着力が低下し、レジスト膜
画像の剥離性が十分に得られないものであることがわか
つた。
【0010】この知見に基づき、さらに検討を加えた結
果、紫外線の照射に際し、接着シ―ト類およびレジスト
膜画像が存在する物品の温度が一定範囲となるように温
度制御したときに、接着剤層とレジスト材との間におけ
るミクロな領域での接触面積が増加して、接着剤層とレ
ジスト材との接着力が向上し、これにより、接着シ―ト
類とレジスト膜画像との一体剥離性に好結果が得られ
て、レジスト膜画像の表面層の変質の有無に関係なく、
この画像をより簡単かつ確実に剥離除去できることを見
い出し、本発明を完成するに至つた。
果、紫外線の照射に際し、接着シ―ト類およびレジスト
膜画像が存在する物品の温度が一定範囲となるように温
度制御したときに、接着剤層とレジスト材との間におけ
るミクロな領域での接触面積が増加して、接着剤層とレ
ジスト材との接着力が向上し、これにより、接着シ―ト
類とレジスト膜画像との一体剥離性に好結果が得られ
て、レジスト膜画像の表面層の変質の有無に関係なく、
この画像をより簡単かつ確実に剥離除去できることを見
い出し、本発明を完成するに至つた。
【0011】すなわち、本発明は、レジスト膜画像が存
在する物品上に紫外線硬化型接着シ―ト類を貼り付け、
この接着シ―ト類に紫外線を照射して硬化させたのち、
硬化後の接着シ―ト類とレジスト膜画像とを一体に剥離
するレジスト膜画像の除去方法において、上記の紫外線
照射時に紫外線硬化型接着シ―ト類およびレジスト膜画
像が存在する物品の最高温度が30〜140℃の範囲と
なるように温度制御することを特徴とするレジスト膜画
像の除去方法に係るものである。
在する物品上に紫外線硬化型接着シ―ト類を貼り付け、
この接着シ―ト類に紫外線を照射して硬化させたのち、
硬化後の接着シ―ト類とレジスト膜画像とを一体に剥離
するレジスト膜画像の除去方法において、上記の紫外線
照射時に紫外線硬化型接着シ―ト類およびレジスト膜画
像が存在する物品の最高温度が30〜140℃の範囲と
なるように温度制御することを特徴とするレジスト膜画
像の除去方法に係るものである。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明においては、まず、レジス
ト膜画像が存在する物品上に、シ―ト状、テ―プ状など
の形態とされた紫外線硬化型接着シ―ト類を貼り付け
る。ここで、上記の物品とは、所定のレジストパタ―ン
が形成され、通常はその表面層にP+ 、B+ 、As+ な
どのイオンが注入されて、表面層が変質した構造のレジ
スト膜画像を有する半導体基板などである。
ト膜画像が存在する物品上に、シ―ト状、テ―プ状など
の形態とされた紫外線硬化型接着シ―ト類を貼り付け
る。ここで、上記の物品とは、所定のレジストパタ―ン
が形成され、通常はその表面層にP+ 、B+ 、As+ な
どのイオンが注入されて、表面層が変質した構造のレジ
スト膜画像を有する半導体基板などである。
【0013】また、紫外線硬化型接着シ―ト類とは、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ
―ト、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸
ビニル共重合体ケン化物などの厚さが通常10〜150
μm程度の樹脂フイルムなどからなる紫外線透過性の基
材上に、紫外線硬化型接着剤を乾燥後の厚さが一般に1
0〜180μmとなるように塗設してなるものである。
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ
―ト、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸
ビニル共重合体ケン化物などの厚さが通常10〜150
μm程度の樹脂フイルムなどからなる紫外線透過性の基
材上に、紫外線硬化型接着剤を乾燥後の厚さが一般に1
0〜180μmとなるように塗設してなるものである。
【0014】紫外線硬化型接着剤は、紫外線照射により
硬化するタイプのものであれば、とくに限定なく使用で
きるが、通常は、アクリル系ポリマ―などの感圧接着性
ポリマ―を主成分とし、これに公知の光重合性モノマ―
ないしオリゴマ―と光重合開始剤を加え、また必要によ
り公知の架橋剤や充てん剤、粘着付与樹脂、着色剤、老
化防止剤などの各種の添加剤を含ませてなるものが用い
られる。
硬化するタイプのものであれば、とくに限定なく使用で
きるが、通常は、アクリル系ポリマ―などの感圧接着性
ポリマ―を主成分とし、これに公知の光重合性モノマ―
ないしオリゴマ―と光重合開始剤を加え、また必要によ
り公知の架橋剤や充てん剤、粘着付与樹脂、着色剤、老
化防止剤などの各種の添加剤を含ませてなるものが用い
られる。
【0015】このような紫外線硬化型接着剤は、硬化後
の弾性率が1〜1,000Kg/mm2の範囲にあることが
好ましい。これは、このような弾性率を有していると、
レジスト膜画像が前記変質した構造のものであつても、
接着剤層の良好な被膜強度により、上記画像との一体剥
離性に好結果が得られるためである。なお、上記の弾性
率とは、断面積0.5mm2 の接着剤を、標準距離10mm
として、23℃の温度下、50mm/分の引張速度で引張
試験を行い、応力−歪み曲線を得、初期の傾きから求め
る方法により、測定される値を意味する。
の弾性率が1〜1,000Kg/mm2の範囲にあることが
好ましい。これは、このような弾性率を有していると、
レジスト膜画像が前記変質した構造のものであつても、
接着剤層の良好な被膜強度により、上記画像との一体剥
離性に好結果が得られるためである。なお、上記の弾性
率とは、断面積0.5mm2 の接着剤を、標準距離10mm
として、23℃の温度下、50mm/分の引張速度で引張
試験を行い、応力−歪み曲線を得、初期の傾きから求め
る方法により、測定される値を意味する。
【0016】本発明においては、このようにレジスト膜
画像が存在する物品上に紫外線硬化型接着シ―ト類を貼
り付けたのち、この接着シ―ト類に高圧水銀ランプ、メ
タルハライドランプなどの紫外線照射ランプを用いて通
常0.3〜3J/cm2 の照射量で紫外線を照射して、接
着剤層を硬化させる。この際、紫外線硬化型接着シ―ト
類およびレジスト膜画像が存在する物品の最高温度が3
0〜140℃、好ましくは30〜120℃の範囲となる
ように温度制御することが重要であり、これによりレジ
スト膜画像の簡単かつ確実な除去が可能となる。
画像が存在する物品上に紫外線硬化型接着シ―ト類を貼
り付けたのち、この接着シ―ト類に高圧水銀ランプ、メ
タルハライドランプなどの紫外線照射ランプを用いて通
常0.3〜3J/cm2 の照射量で紫外線を照射して、接
着剤層を硬化させる。この際、紫外線硬化型接着シ―ト
類およびレジスト膜画像が存在する物品の最高温度が3
0〜140℃、好ましくは30〜120℃の範囲となる
ように温度制御することが重要であり、これによりレジ
スト膜画像の簡単かつ確実な除去が可能となる。
【0017】上記温度は、用いる接着剤の種類に応じて
最適の温度範囲が適宜選択される。30℃より低い温度
では、接着剤層の硬化時にこの層とレジスト材の接触面
積をミクロな領域で増加させるという効果が失われる。
140℃より高い温度では、接着剤層とレジスト膜画像
が存在する物品との接着力も大きくなり、上記物品から
接着シ―ト類を剥がせなくなるか、あるいは接着剤が凝
集破壊して、レジスト膜画像が存在する物品上に大量に
付着する。また、接着シ―ト類の変形により、紫外線照
射中に接着シ―ト類の一部または全部が物品上から浮い
てしまい、結果としてレジスト膜画像を除去できなくな
るか、変形しないまでも基材が劣化し、剥離操作を行な
つたときに基材が切れてしまうこともある。
最適の温度範囲が適宜選択される。30℃より低い温度
では、接着剤層の硬化時にこの層とレジスト材の接触面
積をミクロな領域で増加させるという効果が失われる。
140℃より高い温度では、接着剤層とレジスト膜画像
が存在する物品との接着力も大きくなり、上記物品から
接着シ―ト類を剥がせなくなるか、あるいは接着剤が凝
集破壊して、レジスト膜画像が存在する物品上に大量に
付着する。また、接着シ―ト類の変形により、紫外線照
射中に接着シ―ト類の一部または全部が物品上から浮い
てしまい、結果としてレジスト膜画像を除去できなくな
るか、変形しないまでも基材が劣化し、剥離操作を行な
つたときに基材が切れてしまうこともある。
【0018】温度制御の方法としては、たとえば、
(a)レジスト膜画像が存在する物品を載置するステ―
ジの冷却ないし加熱により行う方法、(b)接着シ―ト
類またはレジスト膜画像が存在する物品への気体の吹き
付けによる冷却ないし加熱にて行う方法、(c)紫外線
照射ランプとレジスト膜画像が存在する物品との間にコ
―ルドフイルタを設けることにより行う方法などがあ
る。また、必要であれば、これらの方法を組み合わせて
温度制御してもよい。
(a)レジスト膜画像が存在する物品を載置するステ―
ジの冷却ないし加熱により行う方法、(b)接着シ―ト
類またはレジスト膜画像が存在する物品への気体の吹き
付けによる冷却ないし加熱にて行う方法、(c)紫外線
照射ランプとレジスト膜画像が存在する物品との間にコ
―ルドフイルタを設けることにより行う方法などがあ
る。また、必要であれば、これらの方法を組み合わせて
温度制御してもよい。
【0019】上記aの方法では、ステ―ジの内部または
裏面を媒体にて冷却ないし加熱するか、あるいはペルチ
エ素子により冷却したりヒ―タにより加熱することによ
り、実施される。媒体としては、液体は水など、気体は
空気、窒素などが例示されるが、腐食性のものでなけれ
ば、とくに限定なく使用できる。冷却媒体は室温または
室温より低い温度に、加熱媒体は室温より高い温度に、
それぞれ設定されて、使用に供される。これらの媒体
は、ステ―ジの内部または裏面に設けられた室または通
路に流すか、あるいは気体の場合ノズルなどからの直接
の吹き付けなどの手段により、ステ―ジを冷却または加
熱すればよい。
裏面を媒体にて冷却ないし加熱するか、あるいはペルチ
エ素子により冷却したりヒ―タにより加熱することによ
り、実施される。媒体としては、液体は水など、気体は
空気、窒素などが例示されるが、腐食性のものでなけれ
ば、とくに限定なく使用できる。冷却媒体は室温または
室温より低い温度に、加熱媒体は室温より高い温度に、
それぞれ設定されて、使用に供される。これらの媒体
は、ステ―ジの内部または裏面に設けられた室または通
路に流すか、あるいは気体の場合ノズルなどからの直接
の吹き付けなどの手段により、ステ―ジを冷却または加
熱すればよい。
【0020】その際、ステ―ジに温度計を設けたり、赤
外線による表面温度測定器を設け、ステ―ジまたは接着
シ―ト類やレジスト膜画像が存在する物品の温度を計測
し、所定の温度範囲となるように、媒体の流量や、ペル
チエ素子またはヒ―タの温度を調整する。また、あらか
じめレジスト膜画像が存在する物品およびステ―ジの熱
容量を測定し、紫外線照射時の温度を測定して、必要な
媒体の流量や、ペルチエ素子またはヒ―タの温度を決定
してもよい。
外線による表面温度測定器を設け、ステ―ジまたは接着
シ―ト類やレジスト膜画像が存在する物品の温度を計測
し、所定の温度範囲となるように、媒体の流量や、ペル
チエ素子またはヒ―タの温度を調整する。また、あらか
じめレジスト膜画像が存在する物品およびステ―ジの熱
容量を測定し、紫外線照射時の温度を測定して、必要な
媒体の流量や、ペルチエ素子またはヒ―タの温度を決定
してもよい。
【0021】上記bの方法では、空気、窒素などの気体
をノズルなどにより接着シ―ト類の紫外線照射面やレジ
スト膜画像が存在する物品の裏面に吹き付けるようにす
ればよい。また、上記cの方法では、紫外線照射ランプ
とレジスト膜画像が存在する物品との間に、通常ガラス
に金属を蒸着して形成され、赤外線をカツトする構造と
されたコ―ルドフイルタを設けるようにすればよい。こ
れらの方法でも、前記と同様に温度計などを設けて、同
様の温度調整を行うことができる。
をノズルなどにより接着シ―ト類の紫外線照射面やレジ
スト膜画像が存在する物品の裏面に吹き付けるようにす
ればよい。また、上記cの方法では、紫外線照射ランプ
とレジスト膜画像が存在する物品との間に、通常ガラス
に金属を蒸着して形成され、赤外線をカツトする構造と
されたコ―ルドフイルタを設けるようにすればよい。こ
れらの方法でも、前記と同様に温度計などを設けて、同
様の温度調整を行うことができる。
【0022】このように温度制御しながら紫外線の照射
処理を施して、接着剤層を硬化させたのち、この硬化後
の接着シ―ト類とレジスト膜画像とを一体に剥離操作す
る。その際、接着剤層が良好にレジスト材に接着してい
るため、レジスト材の表面層がイオン注入にて変質し、
とくに、パタ―ン端部において物品へしつかりと付着し
ていても、その剥離除去が確実になされ、剥離後に0.
1μm以上のレジスト残渣が生じることはほとんどな
い。
処理を施して、接着剤層を硬化させたのち、この硬化後
の接着シ―ト類とレジスト膜画像とを一体に剥離操作す
る。その際、接着剤層が良好にレジスト材に接着してい
るため、レジスト材の表面層がイオン注入にて変質し、
とくに、パタ―ン端部において物品へしつかりと付着し
ていても、その剥離除去が確実になされ、剥離後に0.
1μm以上のレジスト残渣が生じることはほとんどな
い。
【0023】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、各実施例で除去の対象となるレ
ジスト膜画像AおよびBは、それぞれ、下記の参考例1
および2の方法により、半導体基板上に形成したもので
ある。
体的に説明する。なお、各実施例で除去の対象となるレ
ジスト膜画像AおよびBは、それぞれ、下記の参考例1
および2の方法により、半導体基板上に形成したもので
ある。
【0024】参考例1 5インチのシリコンウエハ(半導体基板)の表面に、ク
レゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルから
なるポジ型フオトレジストを塗布し、加熱、露光、現
像、ポストベ―クを行い、レジスト膜画像(レジストパ
タ―ン)を全表面に形成した。その後に、P+ イオンを
加速エネルギ―80Kevで注入量1×1016ions
/cm2 の濃度で全面に注入した。これをレジスト膜画像
Aとした。
レゾ―ルノボラツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルから
なるポジ型フオトレジストを塗布し、加熱、露光、現
像、ポストベ―クを行い、レジスト膜画像(レジストパ
タ―ン)を全表面に形成した。その後に、P+ イオンを
加速エネルギ―80Kevで注入量1×1016ions
/cm2 の濃度で全面に注入した。これをレジスト膜画像
Aとした。
【0025】参考例2 参考例1と同様にして、レジスト膜画像を形成したの
ち、P+ イオンを加速エネルギ―2Mevで注入量5×
1013ions/cm2 の濃度で全面に注入した。これを
レジスト膜画像Bとした。
ち、P+ イオンを加速エネルギ―2Mevで注入量5×
1013ions/cm2 の濃度で全面に注入した。これを
レジスト膜画像Bとした。
【0026】実施例1 イオン注入を行つたレジスト膜画像AまたはBが存在す
るシリコンウエハに、厚さが50μmのポリエチレンテ
レフタレ―トフイルム(以下、PETフイルムという)
からなる基材に紫外線硬化型接着剤〔ポリエチレングリ
コ―ル(以下、PEGという)換算重量平均分子量が4
37万のアクリル酸ポリマ―を主成分としこれに光重合
性モノマ―としてエトキシ化ペンタエリスリト―ルテト
ラアクリレ―トと光重合開始剤としてα−ヒドロキシシ
クロヘキシルフエニルケトンを配合したもの;紫外線硬
化後の弾性率が43Kg/mm2 〕を厚さが40μmとなる
ように塗設した紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付け
た。
るシリコンウエハに、厚さが50μmのポリエチレンテ
レフタレ―トフイルム(以下、PETフイルムという)
からなる基材に紫外線硬化型接着剤〔ポリエチレングリ
コ―ル(以下、PEGという)換算重量平均分子量が4
37万のアクリル酸ポリマ―を主成分としこれに光重合
性モノマ―としてエトキシ化ペンタエリスリト―ルテト
ラアクリレ―トと光重合開始剤としてα−ヒドロキシシ
クロヘキシルフエニルケトンを配合したもの;紫外線硬
化後の弾性率が43Kg/mm2 〕を厚さが40μmとなる
ように塗設した紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付け
た。
【0027】つぎに、メタルハライドランプで紫外線を
2J/cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。
このとき、シリコンウエハを載置したステ―ジを、ステ
―ジ内部に設けた冷却室に窒素を流すことにより冷却
し、シリコンウエハと接着シ―トの最高温度が少なくと
も60℃以上で100℃を超えないように温度制御し
た。このように処理したのち、硬化後の接着シ―トを剥
離操作したところ、レジスト膜画像AまたはBは、いず
れも、接着シ―トと一体に剥離除去された。
2J/cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。
このとき、シリコンウエハを載置したステ―ジを、ステ
―ジ内部に設けた冷却室に窒素を流すことにより冷却
し、シリコンウエハと接着シ―トの最高温度が少なくと
も60℃以上で100℃を超えないように温度制御し
た。このように処理したのち、硬化後の接着シ―トを剥
離操作したところ、レジスト膜画像AまたはBは、いず
れも、接着シ―トと一体に剥離除去された。
【0028】比較例1 紫外線照射時に、ステ―ジ内部に設けた冷却室に5℃の
冷水を流して、シリコンウエハと接着シ―トの温度が2
0℃を超えないように温度制御した以外は、実施例1と
すべて同様に処理した。その結果、50倍の光学顕微鏡
観察において、レジスト膜画像AまたはBは、いずれ
も、部分的に全く除去できていないことが確認された。
冷水を流して、シリコンウエハと接着シ―トの温度が2
0℃を超えないように温度制御した以外は、実施例1と
すべて同様に処理した。その結果、50倍の光学顕微鏡
観察において、レジスト膜画像AまたはBは、いずれ
も、部分的に全く除去できていないことが確認された。
【0029】比較例2 紫外線照射時に、ステ―ジをヒ―タにより60℃に加熱
し、シリコンウエハと接着シ―トの温度が140℃を超
えるように温度制御した以外は、実施例1とすべて同様
に処理した。その結果、剥離操作の際に、フイルム基材
が切れてしまい、レジスト膜画像AまたはBは、いずれ
も、除去できなかつた。
し、シリコンウエハと接着シ―トの温度が140℃を超
えるように温度制御した以外は、実施例1とすべて同様
に処理した。その結果、剥離操作の際に、フイルム基材
が切れてしまい、レジスト膜画像AまたはBは、いずれ
も、除去できなかつた。
【0030】実施例2 イオン注入を行つたレジスト膜画像AまたはBが存在す
るシリコンウエハに、厚さが50μmのポリプロピレン
フイルム(以下、PPフイルムという)からなる基材に
紫外線硬化型接着剤(PEG換算重量平均分子量が3.
5万のアクリル酸ポリマ―を主成分としこれに光重合性
モノマ―としてポリエチレンオキサイドジアクリレ―ト
と光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフ
エニルケトンを配合したもの;紫外線硬化後の弾性率が
72Kg/mm2 )を厚さが60μmとなるように塗設した
紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付けた。
るシリコンウエハに、厚さが50μmのポリプロピレン
フイルム(以下、PPフイルムという)からなる基材に
紫外線硬化型接着剤(PEG換算重量平均分子量が3.
5万のアクリル酸ポリマ―を主成分としこれに光重合性
モノマ―としてポリエチレンオキサイドジアクリレ―ト
と光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフ
エニルケトンを配合したもの;紫外線硬化後の弾性率が
72Kg/mm2 )を厚さが60μmとなるように塗設した
紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付けた。
【0031】つぎに、メタルハライドランプで紫外線を
2J/cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。
このとき、シリコンウエハを載置したステ―ジを、ステ
―ジ内部に設けた冷却室に5℃の冷水を流すことにより
冷却し、シリコンウエハと接着シ―トの最高温度が30
℃以上で40℃を超えないように温度制御した。このよ
うに処理したのち、硬化後の接着シ―トを剥離操作した
ところ、レジスト膜画像AまたはBは、いずれも、接着
シ―トと一体に剥離除去された。
2J/cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。
このとき、シリコンウエハを載置したステ―ジを、ステ
―ジ内部に設けた冷却室に5℃の冷水を流すことにより
冷却し、シリコンウエハと接着シ―トの最高温度が30
℃以上で40℃を超えないように温度制御した。このよ
うに処理したのち、硬化後の接着シ―トを剥離操作した
ところ、レジスト膜画像AまたはBは、いずれも、接着
シ―トと一体に剥離除去された。
【0032】比較例3 紫外線照射時に、5℃の冷水を冷却室に流す量を増やす
ことによつて、シリコンウエハと接着シ―トの温度が2
0℃を超えないように温度制御した以外は、実施例2と
すべて同様に処理した。その結果、50倍の光学顕微鏡
観察において、レジスト膜画像AまたはBは、いずれ
も、部分的に全く除去できていないことが確認された。
ことによつて、シリコンウエハと接着シ―トの温度が2
0℃を超えないように温度制御した以外は、実施例2と
すべて同様に処理した。その結果、50倍の光学顕微鏡
観察において、レジスト膜画像AまたはBは、いずれ
も、部分的に全く除去できていないことが確認された。
【0033】比較例4 紫外線照射時に、ステ―ジをヒ―タにより100℃に加
熱し、シリコンウエハと接着シ―トの温度が140℃を
超えるように温度制御した以外は、実施例2とすべて同
様に処理した。その結果、接着シ―トが変形してレジス
ト膜画像から浮いてしまい、レジスト膜画像AまたはB
は、いずれも、除去できなかつた。
熱し、シリコンウエハと接着シ―トの温度が140℃を
超えるように温度制御した以外は、実施例2とすべて同
様に処理した。その結果、接着シ―トが変形してレジス
ト膜画像から浮いてしまい、レジスト膜画像AまたはB
は、いずれも、除去できなかつた。
【0034】実施例3 イオン注入を行つたレジスト膜画像AまたはBが存在す
るシリコンウエハに、厚さが50μmのPETフイルム
からなる基材に紫外線硬化型接着剤(PEG換算重量平
均分子量が14万のアクリル酸ポリマ―を主成分としこ
れに光重合性モノマ―としてエトキシ化トリメチロ―ル
プロパントリアクリレ―トと光重合開始剤としてベンジ
ルジメチルケタ―ルを配合したもの;紫外線硬化後の弾
性率が96Kg/mm2 )を厚さが40μmとなるように塗
設した紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付けた。
るシリコンウエハに、厚さが50μmのPETフイルム
からなる基材に紫外線硬化型接着剤(PEG換算重量平
均分子量が14万のアクリル酸ポリマ―を主成分としこ
れに光重合性モノマ―としてエトキシ化トリメチロ―ル
プロパントリアクリレ―トと光重合開始剤としてベンジ
ルジメチルケタ―ルを配合したもの;紫外線硬化後の弾
性率が96Kg/mm2 )を厚さが40μmとなるように塗
設した紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付けた。
【0035】つぎに、高圧水銀ランプで紫外線を1J/
cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。この
際、シリコンウエハを接着シ―トでシリコンウエハの裏
面が完全に浮いた状態に保持し、窒素を表裏両面に流す
ことにより冷却し、シリコンウエハと接着シ―トの最高
温度が40℃以上で50℃を超えないように温度制御し
た。このように処理したのち、硬化後の接着シ―トを剥
離操作したところ、レジスト膜画像AまたはBは、いず
れも、接着シ―トと一体に剥離除去された。
cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。この
際、シリコンウエハを接着シ―トでシリコンウエハの裏
面が完全に浮いた状態に保持し、窒素を表裏両面に流す
ことにより冷却し、シリコンウエハと接着シ―トの最高
温度が40℃以上で50℃を超えないように温度制御し
た。このように処理したのち、硬化後の接着シ―トを剥
離操作したところ、レジスト膜画像AまたはBは、いず
れも、接着シ―トと一体に剥離除去された。
【0036】実施例4 イオン注入を行つたレジスト膜画像AまたはBが存在す
るシリコンウエハに、厚さが50μmのPETフイルム
からなる基材に紫外線硬化型接着剤(PEG換算重量平
均分子量が437万のアクリル酸ポリマ―を主成分とし
これに光重合性モノマ―としてポリエチレンオキサイド
ジメタクリレ―トと光重合開始剤としてベンジルジメチ
ルケタ―ルを配合したもの;紫外線硬化後の弾性率が1
08Kg/mm2 )を厚さが40μmとなるように塗設した
紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付けた。
るシリコンウエハに、厚さが50μmのPETフイルム
からなる基材に紫外線硬化型接着剤(PEG換算重量平
均分子量が437万のアクリル酸ポリマ―を主成分とし
これに光重合性モノマ―としてポリエチレンオキサイド
ジメタクリレ―トと光重合開始剤としてベンジルジメチ
ルケタ―ルを配合したもの;紫外線硬化後の弾性率が1
08Kg/mm2 )を厚さが40μmとなるように塗設した
紫外線硬化型接着シ―トを、貼り付けた。
【0037】つぎに、高圧水銀ランプで紫外線を1J/
cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。このと
き、シリコンウエハを載置したステ―ジを、ステ―ジ内
部に設けた加熱室に温水を流すことにより加熱し、シリ
コンウエハと接着シ―トの温度が100℃程度となるよ
うに温度制御した。このように処理したのち、硬化後の
接着シ―トを剥離操作したところ、レジスト膜画像Aま
たはBは、いずれも、接着シ―トと一体に剥離除去され
た。
cm2 の照射量で照射して、接着剤を硬化させた。このと
き、シリコンウエハを載置したステ―ジを、ステ―ジ内
部に設けた加熱室に温水を流すことにより加熱し、シリ
コンウエハと接着シ―トの温度が100℃程度となるよ
うに温度制御した。このように処理したのち、硬化後の
接着シ―トを剥離操作したところ、レジスト膜画像Aま
たはBは、いずれも、接着シ―トと一体に剥離除去され
た。
【0038】以上の実施例1〜4のレジスト膜画像の除
去試験において、接着シ―トによる剥離除去後に、ウエ
ハ上に付着残存するレジストの高さをテンコ―ル製表面
形状測定装置P−10にて測定した。パタ―ンの端部を
ウエハ上20点測定したが、100nmを超えてレジス
トが残存する部分は、実施例1〜4のいずれも、存在し
なかつた。表1に上記測定の平均値を示した。
去試験において、接着シ―トによる剥離除去後に、ウエ
ハ上に付着残存するレジストの高さをテンコ―ル製表面
形状測定装置P−10にて測定した。パタ―ンの端部を
ウエハ上20点測定したが、100nmを超えてレジス
トが残存する部分は、実施例1〜4のいずれも、存在し
なかつた。表1に上記測定の平均値を示した。
【0039】
【0040】
【発明の効果】以上のように、本発明の除去方法によれ
ば、物品上の不要となつたレジスト材を、イオン注入に
よる表面層の変質などに左右されることなく、簡単かつ
確実に除去することができるから、半導体の製造工程
や、その他液晶などの各種の分野に広く利用することが
できる。
ば、物品上の不要となつたレジスト材を、イオン注入に
よる表面層の変質などに左右されることなく、簡単かつ
確実に除去することができるから、半導体の製造工程
や、その他液晶などの各種の分野に広く利用することが
できる。
Claims (4)
- 【請求項1】 レジスト膜画像が存在する物品上に紫外
線硬化型接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類に
紫外線を照射して硬化させたのち、硬化後の接着シ―ト
類とレジスト膜画像とを一体に剥離するレジスト膜画像
の除去方法において、上記の紫外線照射時に紫外線硬化
型接着シ―ト類およびレジスト膜画像が存在する物品の
最高温度が30〜140℃の範囲となるように温度制御
することを特徴とするレジスト膜画像の除去方法。 - 【請求項2】 紫外線照射時の温度制御を、レジスト膜
画像が存在する物品を載置するステ―ジの冷却ないし加
熱により行う請求項1に記載のレジスト膜画像の除去方
法。 - 【請求項3】 紫外線照射時の温度制御を、紫外線硬化
型接着シ―ト類またはレジスト膜画像が存在する物品へ
の気体の吹き付けによる冷却ないし加熱にて行う請求項
1に記載のレジスト膜画像の除去方法。 - 【請求項4】 紫外線照射時の温度制御を、紫外線照射
ランプとレジスト膜画像が存在する物品との間にコ―ル
ドフイルタを設けることにより行う請求項1に記載のレ
ジスト膜画像の除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8014202A JPH09213604A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | レジスト膜画像の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8014202A JPH09213604A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | レジスト膜画像の除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09213604A true JPH09213604A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11854535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8014202A Pending JPH09213604A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | レジスト膜画像の除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09213604A (ja) |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP8014202A patent/JPH09213604A/ja active Pending
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