JPH09288359A - レジスト材の除去方法 - Google Patents
レジスト材の除去方法Info
- Publication number
- JPH09288359A JPH09288359A JP10057896A JP10057896A JPH09288359A JP H09288359 A JPH09288359 A JP H09288359A JP 10057896 A JP10057896 A JP 10057896A JP 10057896 A JP10057896 A JP 10057896A JP H09288359 A JPH09288359 A JP H09288359A
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- JP
- Japan
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- resist material
- article
- resist
- silylating agent
- adhesive sheet
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着シ―ト類を用いてレジスト材を剥離除去
する際の剥離性を高め、物品上からレジスト材を簡単に
かつ確実に除去する。 【解決手段】 物品上に存在するレジスト材の上面に接
着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト材
とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する方
法において、物品上にレジスト材を設ける前に、物品上
にレジスト材の除去を容易にするための疎水化処理を施
すようにする。
する際の剥離性を高め、物品上からレジスト材を簡単に
かつ確実に除去する。 【解決手段】 物品上に存在するレジスト材の上面に接
着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト材
とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する方
法において、物品上にレジスト材を設ける前に、物品上
にレジスト材の除去を容易にするための疎水化処理を施
すようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部分の製造の際の微細パタ―ンを形成する加工に
おいて、半導体ウエハなどの物品上の不要となつたレジ
スト材を除去する方法に関する。
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部分の製造の際の微細パタ―ンを形成する加工に
おいて、半導体ウエハなどの物品上の不要となつたレジ
スト材を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のデバイス製造では、シリコンな
どのウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにてレジストパタ―ンからなる画像を形成し、これ
をマスクとして、エツチングしたのち、不要レジスト材
を除去する工程が繰り返し行われる。各種基板に回路を
形成する場合も、不要レジスト材が除去される。
どのウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにてレジストパタ―ンからなる画像を形成し、これ
をマスクとして、エツチングしたのち、不要レジスト材
を除去する工程が繰り返し行われる。各種基板に回路を
形成する場合も、不要レジスト材が除去される。
【０００３】不要レジスト材の除去は、アツシヤ―（灰
化手段）や溶剤（剥離液）などで行われるのが一般的で
ある。しかし、アツシヤ―を用いると、長時間を要した
り、レジスト材中の不純物イオンがウエハに注入される
おそれがあつた。また、溶剤を用いると、作業環境を害
するという問題があつた。
化手段）や溶剤（剥離液）などで行われるのが一般的で
ある。しかし、アツシヤ―を用いると、長時間を要した
り、レジスト材中の不純物イオンがウエハに注入される
おそれがあつた。また、溶剤を用いると、作業環境を害
するという問題があつた。
【０００４】そこで、本出願人らは、特開平４−３４５
０１５号、特開平５−２７５３２４号などの公報に開示
されているように、レジスト材の上面に接着シ―ト類を
貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥
離して、物品上のレジスト材を除去するという方法を提
案した。この方法は、長時間を要したり不純物イオンが
ウエハに注入されるといつた心配がなく、また作業環境
を害するという問題もないことから、実用性によりすぐ
れた方法といえる。
０１５号、特開平５−２７５３２４号などの公報に開示
されているように、レジスト材の上面に接着シ―ト類を
貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥
離して、物品上のレジスト材を除去するという方法を提
案した。この方法は、長時間を要したり不純物イオンが
ウエハに注入されるといつた心配がなく、また作業環境
を害するという問題もないことから、実用性によりすぐ
れた方法といえる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
接着シ―ト類を用いる方法では、接着シ―ト類による剥
離性が必ずしも安定せず、レジスト材の性状などによつ
ては、物品上からレジスト材を十分に剥離除去できない
場合があることがわかつた。
接着シ―ト類を用いる方法では、接着シ―ト類による剥
離性が必ずしも安定せず、レジスト材の性状などによつ
ては、物品上からレジスト材を十分に剥離除去できない
場合があることがわかつた。
【０００６】本発明は、このような事情に照らし、接着
シ―ト類を用いてレジスト材を剥離除去する方法を改良
して、レジスト材の剥離性を高め、物品上からレジスト
材を簡単にかつ確実に除去することを目的としている。
シ―ト類を用いてレジスト材を剥離除去する方法を改良
して、レジスト材の剥離性を高め、物品上からレジスト
材を簡単にかつ確実に除去することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、レジスト材を半導体基板
などの物品上に設ける前に、この物品に特定の処理を施
しておくと、物品上に設けられたレジスト材を接着シ―
ト類の貼り付けおよび剥離操作により、簡単にかつ確実
に除去できることを知り、本発明を完成するに至つた。
的に対し、鋭意検討した結果、レジスト材を半導体基板
などの物品上に設ける前に、この物品に特定の処理を施
しておくと、物品上に設けられたレジスト材を接着シ―
ト類の貼り付けおよび剥離操作により、簡単にかつ確実
に除去できることを知り、本発明を完成するに至つた。
【０００８】すなわち、本発明は、物品上に存在するレ
ジスト材の上面に、接着シ―ト類を貼り付け、この接着
シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレ
ジスト材を除去する方法において、物品上にレジスト材
を設ける前に、物品上にレジスト材の除去を容易にする
ための疎水化処理を施しておくことを特徴とするレジス
ト材の除去方法に係るものである。
ジスト材の上面に、接着シ―ト類を貼り付け、この接着
シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレ
ジスト材を除去する方法において、物品上にレジスト材
を設ける前に、物品上にレジスト材の除去を容易にする
ための疎水化処理を施しておくことを特徴とするレジス
ト材の除去方法に係るものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明においては、半導体基板な
どの物品上にレジスト材を設けるにあたり、上記物品の
レジスト材を設ける面にあらかじめレジスト材の除去を
容易にするための疎水化処理を施すことを特徴とする。
この疎水化処理には、種々の方法があるが、好ましくは
シリル化剤を用いて処理する方法が挙げられる。
どの物品上にレジスト材を設けるにあたり、上記物品の
レジスト材を設ける面にあらかじめレジスト材の除去を
容易にするための疎水化処理を施すことを特徴とする。
この疎水化処理には、種々の方法があるが、好ましくは
シリル化剤を用いて処理する方法が挙げられる。
【００１０】シリル化剤としては、ヘキサメチルジシラ
ザン、トリメチルクロルシラン、トリメチルヨ―ドシラ
ン、ジメチルジクロルシランなどがある。これらのシリ
ル化剤を半導体基板などの物品上に塗布するか、これら
のシリル化剤の雰囲気内に上記物品を曝すことにより、
上記物品の疎水化処理が達成される。
ザン、トリメチルクロルシラン、トリメチルヨ―ドシラ
ン、ジメチルジクロルシランなどがある。これらのシリ
ル化剤を半導体基板などの物品上に塗布するか、これら
のシリル化剤の雰囲気内に上記物品を曝すことにより、
上記物品の疎水化処理が達成される。
【００１１】このように疎水化処理したのち、この上に
公知のレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスによ
り、所定のレジストパタ―ン（レジスト膜画像）を形成
し、このレジスト材をマスクとして、たとえば開口部に
Ａｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ などのイオン注入、その他エツチン
グなどの種々の処理を施し、最後に、不要になつたレジ
スト膜画像を除去して、回路を形成する。
公知のレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスによ
り、所定のレジストパタ―ン（レジスト膜画像）を形成
し、このレジスト材をマスクとして、たとえば開口部に
Ａｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ などのイオン注入、その他エツチン
グなどの種々の処理を施し、最後に、不要になつたレジ
スト膜画像を除去して、回路を形成する。
【００１２】ここで、上記レジスト膜画像の除去は、そ
の上面にシ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類を貼り
付け、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離す
る方法にて、行われる。用いる接着シ―ト類は、とくに
限定されず、非硬化型のものであつても、硬化型のもの
であつてもよい。
の上面にシ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類を貼り
付け、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離す
る方法にて、行われる。用いる接着シ―ト類は、とくに
限定されず、非硬化型のものであつても、硬化型のもの
であつてもよい。
【００１３】良好な剥離性を得るためには、ポリエステ
ルフイルムなどのフイルム基材上にアクリル系ポリマ―
などの接着性ポリマ―、硬化性化合物および重合触媒を
含有する接着剤層を設けた硬化型の接着シ―ト類を用い
るのが望ましく、とくに紫外線硬化型の接着シ―ト類が
望ましい。これら硬化型の接着シ―ト類を用いる場合
は、レジスト材の上面に貼り付けた上記接着シ―ト類に
対し、紫外線照射などの適宜の硬化処理を施したのち、
剥離操作に供する。
ルフイルムなどのフイルム基材上にアクリル系ポリマ―
などの接着性ポリマ―、硬化性化合物および重合触媒を
含有する接着剤層を設けた硬化型の接着シ―ト類を用い
るのが望ましく、とくに紫外線硬化型の接着シ―ト類が
望ましい。これら硬化型の接着シ―ト類を用いる場合
は、レジスト材の上面に貼り付けた上記接着シ―ト類に
対し、紫外線照射などの適宜の硬化処理を施したのち、
剥離操作に供する。
【００１４】このような剥離操作により、レジスト材は
接着シ―ト類と一体となつて物品上から除去されるが、
その際、レジスト材と物品との接着性が前記した疎水化
処理により弱められているため、レジスト材がイオン注
入などにより変質して固い表面層などを形成していて
も、このレジスト材が物品上に残存する心配は少なく、
所期の目的とする良好な剥離除去性が達成される。
接着シ―ト類と一体となつて物品上から除去されるが、
その際、レジスト材と物品との接着性が前記した疎水化
処理により弱められているため、レジスト材がイオン注
入などにより変質して固い表面層などを形成していて
も、このレジスト材が物品上に残存する心配は少なく、
所期の目的とする良好な剥離除去性が達成される。
【００１５】なお、本発明は、半導体のデバイス製造の
例に限定されず、レジスト材からなるパタ―ンが存在す
る物品であれば、なんらその用途は限定されず、種々の
物品に適用できるものであることは言うまでもない。
例に限定されず、レジスト材からなるパタ―ンが存在す
る物品であれば、なんらその用途は限定されず、種々の
物品に適用できるものであることは言うまでもない。
【００１６】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１７】実施例１ ヘキサメチルジシラザンを８０℃に加熱し、その雰囲気
内に５インチのシリコンウエハ（半導体基板）を１分間
曝したのち、大気中で１５０℃で９０秒間加熱した。つ
いで、このシリコンウエハの表面に、クレゾ―ルノボラ
ツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルと乳酸エチルからなるポジ型フオ
トレジストを塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジス
トパタ―ン（膜画像）を全表面に形成した。その後、Ｐ
+ イオンを加速エネルギ―１００Ｋｅｖで注入量１×１
０16ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入した。
内に５インチのシリコンウエハ（半導体基板）を１分間
曝したのち、大気中で１５０℃で９０秒間加熱した。つ
いで、このシリコンウエハの表面に、クレゾ―ルノボラ
ツク樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルと乳酸エチルからなるポジ型フオ
トレジストを塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジス
トパタ―ン（膜画像）を全表面に形成した。その後、Ｐ
+ イオンを加速エネルギ―１００Ｋｅｖで注入量１×１
０16ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入した。
【００１８】つぎに、このレジストパタ―ンを形成した
ウエハの全面に、アクリル系ポリマ―を主成分とした紫
外線硬化型の感圧性接着シ―トを貼り付け、紫外線照射
により硬化させたのち、この接着シ―トを剥離したとこ
ろ、レジストパタ―ンは接着シ―トと一体に除去され
た。ウエハ表面を表面検査装置〔日立電子エンジニアリ
ング（株）製の「Ｌｓ−６０００」〕にて０．２μｍ以
上の異物を測定したが、ウエハ全面で９個であり、レジ
スト材がほぼ完全に除去されていた。
ウエハの全面に、アクリル系ポリマ―を主成分とした紫
外線硬化型の感圧性接着シ―トを貼り付け、紫外線照射
により硬化させたのち、この接着シ―トを剥離したとこ
ろ、レジストパタ―ンは接着シ―トと一体に除去され
た。ウエハ表面を表面検査装置〔日立電子エンジニアリ
ング（株）製の「Ｌｓ−６０００」〕にて０．２μｍ以
上の異物を測定したが、ウエハ全面で９個であり、レジ
スト材がほぼ完全に除去されていた。
【００１９】実施例２ シリル化剤として、トリメチルクロルシランを用い、そ
れを５インチのシリコンウエハ（半導体基板）に塗布し
たのち、大気中で８０℃で９０秒間加熱して乾燥した。
その後は、実施例１と同様にしてレジストパタ―ン（膜
画像）の形成、Ｐ+ イオンの注入を行い、その上面に実
施例１と同じ紫外線硬化型の感圧性接着シ―トを貼り付
け、紫外線照射により硬化させたのち、この接着シ―ト
を剥離したところ、レジストパタ―ンは接着シ―トと一
体に除去された。ウエハ表面について、実施例１と同様
にして表面検査装置により０．２μｍ以上の異物を測定
したが、ウエハ全面で４８個であり、レジスト材がほぼ
除去されていた。
れを５インチのシリコンウエハ（半導体基板）に塗布し
たのち、大気中で８０℃で９０秒間加熱して乾燥した。
その後は、実施例１と同様にしてレジストパタ―ン（膜
画像）の形成、Ｐ+ イオンの注入を行い、その上面に実
施例１と同じ紫外線硬化型の感圧性接着シ―トを貼り付
け、紫外線照射により硬化させたのち、この接着シ―ト
を剥離したところ、レジストパタ―ンは接着シ―トと一
体に除去された。ウエハ表面について、実施例１と同様
にして表面検査装置により０．２μｍ以上の異物を測定
したが、ウエハ全面で４８個であり、レジスト材がほぼ
除去されていた。
【００２０】比較例１ ヘキサメチルジシラザンによる処理を施さなかつた以外
は、実施例１と同様にしてレジストパタ―ン（膜画像）
の形成、Ｐ+ イオンの注入を行い、その上面に実施例１
と同じ紫外線硬化型の感圧性接着シ―トを貼り付け、紫
外線照射により硬化させたのち、この接着シ―トを剥離
した。その結果、レジストパタ―ンは除去されず、ウエ
ハ上にほとんど残つていた。
は、実施例１と同様にしてレジストパタ―ン（膜画像）
の形成、Ｐ+ イオンの注入を行い、その上面に実施例１
と同じ紫外線硬化型の感圧性接着シ―トを貼り付け、紫
外線照射により硬化させたのち、この接着シ―トを剥離
した。その結果、レジストパタ―ンは除去されず、ウエ
ハ上にほとんど残つていた。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明は、物品上に存在
するレジスト材の上面に、接着シ―ト類を貼り付け、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去する方法において、物品上にレジ
スト材を設ける前に、物品上にレジスト材の除去を容易
にするための疎水化処理を施しておくことにより、レジ
スト材の剥離性を大きく高めることができ、物品上から
レジスト材を簡単にかつ確実に除去できるという効果が
得られる。
するレジスト材の上面に、接着シ―ト類を貼り付け、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品
上のレジスト材を除去する方法において、物品上にレジ
スト材を設ける前に、物品上にレジスト材の除去を容易
にするための疎水化処理を施しておくことにより、レジ
スト材の剥離性を大きく高めることができ、物品上から
レジスト材を簡単にかつ確実に除去できるという効果が
得られる。
Claims (3)
- 【請求項１】 物品上に存在するレジスト材の上面に、
接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類とレジスト
材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する
方法において、物品上にレジスト材を設ける前に、物品
上にレジスト材の除去を容易にするための疎水化処理を
施しておくことを特徴とするレジスト材の除去方法。 - 【請求項２】 レジスト材の除去を容易にするための疎
水化処理として、シリル化剤を用いる請求項１に記載の
レジスト材の除去方法。 - 【請求項３】 シリル化剤が、ヘキサメチルジシラザ
ン、トリメチルクロルシラン、トリメチルヨ―ドシラ
ン、ジメチルジクロルシランである請求項２に記載のレ
ジスト材の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057896A JPH09288359A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | レジスト材の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057896A JPH09288359A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | レジスト材の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288359A true JPH09288359A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14277782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10057896A Pending JPH09288359A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | レジスト材の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09288359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015216234A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | エッチング方法 |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP10057896A patent/JPH09288359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015216234A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | エッチング方法 |
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