JPH1167626A - レジスト除去方法および装置 - Google Patents

レジスト除去方法および装置

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JPH1167626A
JPH1167626A JP9217358A JP21735897A JPH1167626A JP H1167626 A JPH1167626 A JP H1167626A JP 9217358 A JP9217358 A JP 9217358A JP 21735897 A JP21735897 A JP 21735897A JP H1167626 A JPH1167626 A JP H1167626A
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JP
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resist
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gate oxide
oxide film
film
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JP9217358A
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Seiichiro Shirai
精一郎 白井
Toshihiko Onozuka
利彦 小野塚
Takayuki Noisshiki
孝行 野一色
Satoru Sakai
哲 酒井
Katsuhiro Sasajima
勝博 笹島
Hideshi Toyoda
英志 豊田
Akira Namikawa
亮 並河
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Hitachi Ltd
Nitto Denko Corp
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Hitachi Ltd
Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート酸化膜にダメージを与えることなく容
易にレジスト膜の除去が行える。 【解決手段】 多種のゲート酸化膜２を形成する半導体
ウェハ１において、この半導体ウェハ１に形成したゲー
ト酸化膜２上に、ゲート酸化膜２の不要箇所をエッチン
グする際のマスクとしてレジスト膜３を形成し、このレ
ジスト膜３をマスクとしてゲート酸化膜２の不要箇所を
エッチングした後に前記レジスト膜３を粘着テープ４に
よって除去し、これにより、半導体ウェハ１上に１回目
のゲート酸化膜２を形成し、その後、この１回目のゲー
ト酸化膜２の上層に２回目のゲート酸化膜２を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おいて、特に、半導体基板に形成したレジスト膜の除去
性を向上させるレジスト除去方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】半導体デバイスの製造工程においては、例
えば、シリコンの半導体ウェハ（半導体基板）上にレジ
ストパタンであるレジスト膜を形成し、このレジスト膜
をマスクとして、不純物イオンの注入やエッチングなど
の処理を施した後、不要となったレジスト膜をアッシン
グ装置（炭化処理装置）により除去して回路素子や配線
を形成する。
【０００４】近年、半導体デバイスの高集積化や高機能
化に伴い、メモリ、ロジック混載デバイスの開発が行わ
れてる。
【０００５】このようなデバイスの設計においては、同
一チップ内に、２種類の膜厚を有するゲート酸化膜を形
成することが必要となる。
【０００６】このためには、１回目のゲート酸化膜形成
後、このゲート酸化膜上にレジスト膜によるパターニン
グを行い、このレジスト膜をマスクとしてゲート酸化膜
をエッチングし、次いで、前記レジスト膜を除去する。
【０００７】これにより、半導体基板上には、前記パタ
ーニングのレジスト膜と同様の形状のゲート酸化膜が残
留する。
【０００８】その後、残留したゲート酸化膜上に２回目
のゲート酸化膜を形成して２種類のゲート酸化膜を形成
する。
【０００９】なお、レジスト膜は、１回目のゲート酸化
膜上に直接レジスト膜を塗布し、パターニング後、除去
する。
【００１０】ここで、種々のアッシング装置について
は、例えば、株式会社プレスジャーナル１９９４年９月
２０日発行、「月刊Semiconductor World １９９４年１
０月号」、９８〜１０１頁に記載されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術では、ゲート酸化膜に直接レジスト膜を塗布し、パタ
ーニング後除去するため、レジスト膜除去工程における
ゲート酸化膜へのダメージや汚染などはデバイス特性に
致命的な影響を与える。
【００１２】したがって、ゲート酸化膜へのダメージま
たは汚染の無い方法によってレジスト膜を除去するとい
う観点から、レジスト膜の除去には、薬液によるウェッ
ト除去処理、あるいは、低ダメージのアッシング装置に
よるドライ除去処理を用いる。
【００１３】しかし、前記ウェット除去処理において
は、溶剤を用いることによって作業環境が悪化すること
が問題とされ、かつ、アッシング装置によるドライ除去
処理においては、プラズマによってゲート酸化膜にダメ
ージを与えることが問題とされる。
【００１４】本発明の目的は、ゲート酸化膜にダメージ
を与えることなく容易にレジスト膜を除去可能なレジス
ト除去方法および装置を提供することにある。
【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１７】すなわち、本発明のレジスト除去方法は、
半導体基板にゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲー
ト酸化膜上にレジストパタンであるレジスト膜を形成し
た後、このレジスト膜をマスクとして前記ゲート酸化膜
の不要箇所を除去する工程と、前記半導体基板上に残っ
たゲート酸化膜と前記レジスト膜とを覆って前記半導体
基板上に粘着シートを貼付する工程と、前記粘着シート
を前記レジスト膜ごと前記半導体基板から剥がすことに
より、前記レジスト膜と前記半導体基板上のゲート酸化
膜とを分離させて前記レジスト膜を前記半導体基板上か
ら除去する工程とを有するものである。
【００１８】これにより、レジスト膜の除去の際に、ア
ッシング法を用いていないため、ゲート酸化膜にダメー
ジを与えることなく、容易にレジスト膜を除去すること
ができる。
【００１９】また、薬液を用いていないため、溶剤も用
いなくて済む。したがって、作業環境を悪化させること
なく、かつ、ゲート酸化膜に汚染を与えることなくレジ
スト膜を半導体基板から除去することができる。
【００２０】その結果、半導体基板に形成する半導体回
路の特性および信頼性を向上できるとともに、半導体基
板の歩留りを向上できる。
【００２１】さらに、本発明のレジスト除去方法は、前
記粘着シートを前記半導体基板から剥がして前記レジス
ト膜を前記半導体基板上から除去した後、前記半導体基
板上に残ったゲート酸化膜を覆って少なくとも他の１種
類のゲート酸化膜を形成するものである。
【００２２】また、本発明のレジスト除去装置は、半導
体基板に形成したゲート酸化膜から不要箇所を除去して
形成したゲート酸化膜とこれの上層に形成したレジスト
パタンである前記レジスト膜とを覆って前記半導体基板
上に粘着シートを貼付するシート貼付部と、前記粘着シ
ートを前記レジスト膜ごと前記半導体基板から剥がし
て、前記半導体基板上から前記レジスト膜を除去するシ
ート剥離部とを有するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明によるレジスト除去装置の構
造の実施の形態の一例を示す構成概要図、図２は図１に
示すレジスト除去装置の構成を示す平面図、図３は本発
明のレジスト除去方法におけるゲート酸化膜の形成方法
の実施の形態の一例を示す断面図、図４は本発明のレジ
スト除去方法の実施の形態の一例を示す部分断面図およ
び断面図、図５は本発明のレジスト除去方法によってレ
ジスト膜を除去した際のゲート酸化膜の初期耐圧の測定
結果の一例を示す測定結果図である。
【００２５】本実施の形態のレジスト除去装置は、半導
体製造工程において、シリコンからなる半導体ウェハ１
（半導体基板）に形成したゲート酸化膜２上に、このゲ
ート酸化膜２の不要箇所をエッチングする際のマスクと
してレジスト膜３を形成し、このレジスト膜３をマスク
として前記ゲート酸化膜２の不要箇所をエッチングした
後に前記レジスト膜３を粘着シートを用いて除去するも
のである。
【００２６】なお、本実施の形態において用いられる前
記粘着シートは、フィルム基板上に所望の厚さの粘着剤
層を設けてなるものであり、この粘着剤層は非硬化型の
ものであってもよいが、好ましくは、アクリル系ポリマ
ーなどの粘着性ポリマー、硬化性化合物および重合触媒
を含有する硬化型の粘着剤層を設けてなるものがよく、
とりわけ、紫外線硬化型の粘着シートを用いることが好
ましい。
【００２７】したがって、本実施の形態においては、前
記粘着シートがテープ状の紫外線硬化型の粘着テープ４
の場合について説明する。
【００２８】図１〜図４を用いて、図１および図２に示
すレジスト除去装置の構成について説明すると、半導体
ウェハ１に形成したゲート酸化膜２から前記不要箇所を
除去して形成した（残留させた）ゲート酸化膜２とこれ
の上層に形成したレジストパタンであるレジスト膜３と
を覆って半導体ウェハ１上に粘着テープ４（粘着シー
ト）を貼付するテープ貼付部５（シート貼付部）と、粘
着テープ４をレジスト膜３ごと半導体ウェハ１から剥が
して、半導体ウェハ１上からレジスト膜３を除去するテ
ープ剥離部６（シート剥離部）とからなる。
【００２９】さらに、前記レジスト除去装置には、図１
に示すように、粘着テープ４を供給するテープ繰り出し
部７と、レジスト膜３除去処理済みの粘着テープ４を巻
き取るテープ巻き取り部８と、テープ繰り出し部７から
繰り出された粘着テープ４から剥がされたセパレータ４
ａを巻き取って回収するセパ巻き取り部９とが設けられ
ている。
【００３０】また、テープ貼付部５には、粘着テープ４
の貼り付け時に半導体ウェハ１を支持する貼り付けテー
ブル５ａと、粘着テープ４の貼り付け時に減圧を行う減
圧槽５ｂとが設置され、かつ、テープ剥離部６には、粘
着テープ４の剥離時に半導体ウェハ１を支持する剥離テ
ーブル６ａと、紫外線を照射するＵＶ照射ユニット６ｂ
とが設置されている。
【００３１】さらに、図２に示すように、前記レジスト
除去装置のウェハ搬送系には、半導体ウェハ１を前記ウ
ェハ搬送系に供給するロードユニット１０と、半導体ウ
ェハ１を位置決めするアライナユニット１１と、半導体
ウェハ１を把持して搬送するロボットユニット１２と、
処理を終えた半導体ウェハ１を収容するアンロードユニ
ット１３とが設置されている。
【００３２】次に、本実施の形態の粘着テープ４の製造
方法について説明する。
【００３３】なお、ここで述べる重量部とは、２つ以上
の物質を配合する際、主となる物質の重量を、例えば１
００と決めた時に、それに対する他の物質の重量比のこ
とである。
【００３４】まず、アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アク
リル酸エチル１５部、アクリル酸５部からなるモノマー
混合物を、酢酸エチル１５０部、アゾビスイソブチロニ
トリル0.１部を用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間
溶液重合を行い、重量平均分子量が５０万のアクリル系
ポリマー溶液Ａを得る。
【００３５】このアクリル系ポリマー溶液Ａに、アクリ
ル系ポリマー１００部に対し、硬化性化合物としてポリ
エチレングリコールジアクリレート１０部、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート１０部、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート３０部、多官能性化合物と
してジフェニルメタンジイソシアネート３部、光重合開
始剤として〔ジメトキシ（フェニル）〕メチルフェニル
ケトン３部を均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶
液を調整した。
【００３６】この紫外線硬化型の粘着剤溶液を厚さが５
０μｍのポリエステルフィルム上に、乾燥後の厚さが３
５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分乾燥して、
紫外線硬化型の粘着テープ４を製造した（すなわち、乾
燥後の厚さが８５μｍとなるような粘着テープ４を製造
した）。
【００３７】なお、この粘着テープ４の紫外線硬化前の
シリコンの半導体ウェハ１に対する１８０度剥離接着力
は、１２ｇ／１０ｍｍ幅であり、また、紫外線硬化後の
同剥離接着力は、１０ｇ／１０ｍｍ幅である。
【００３８】次に、図１〜図４を用いて、本実施の形態
によるレジスト除去方法について説明する。
【００３９】本実施の形態のレジスト除去方法は、半導
体ウェハ１に形成したゲート酸化膜２上にレジスト膜３
を形成し、このゲート酸化膜２の不要箇所をエッチング
する際のマスクとして形成したレジスト膜３をエッチン
グ後に粘着テープ４を用いて除去するものである。
【００４０】なお、本実施の形態のレジスト除去方法
は、半導体ウェハ１に多種のゲート酸化膜２を形成する
場合であるが、その一例として、半導体ウェハ１上に２
種類のゲート酸化膜２を形成する場合について説明す
る。
【００４１】ただし、半導体ウェハ１上に形成するゲー
ト酸化膜２の種類の数は、２種類に限らず、１種類であ
っても、また、３種類以上であってもよい。
【００４２】まず、図３（ａ）に示すように、半導体ウ
ェハ１を準備する。
【００４３】続いて、半導体ウェハ１上にＳｉ3 Ｎ4 膜
（窒化ケイ素）を形成し、このＳｉ3 Ｎ4 膜に所望のパ
ターニングを行った後、このＳｉ3 Ｎ4 膜をマスクとし
て選択酸化を行う。
【００４４】さらに、前記Ｓｉ3 Ｎ4 膜を除去し、洗浄
後、ここに、図３（ｂ）に示すような厚さ１０ｎｍのゲ
ート酸化膜２を形成する。
【００４５】その後、図３（ｃ）に示すように、この半
導体ウェハ１上、すなわち、ゲート酸化膜２上に、クレ
ゾールノボラック樹脂と、ポリヒドロキシ化合物のナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステルと、乳酸エチルと
からなるボジ形フォトレジストであるレジスト膜３を厚
さ１μｍに塗布し、所望のパターニングを行う。
【００４６】つまり、半導体ウェハ１に形成したゲート
酸化膜２上にレジストパタンであるレジスト膜３を形成
する。
【００４７】その後、このレジスト膜３をマスクとして
ゲート酸化膜２の不要箇所をエッチングによって除去す
る。
【００４８】これにより、図３（ｄ）に示すような、レ
ジストパタンであるレジスト膜３と、このレジスト膜３
の形状に対応した１回目のゲート酸化膜２とを半導体ウ
ェハ１上に形成できる。
【００４９】さらに、この状態の半導体ウェハ１を図２
に示すレジスト除去装置のロードユニット１０に搬送
し、このロードユニット１０に収容する。
【００５０】その後、ロードユニット１０から半導体ウ
ェハ１を取り出し、アライナユニット１１によって位置
決めを行いながら、テープ貼付部５の貼り付けテーブル
５ａ上に半導体ウェハ１を載置する。
【００５１】続いて、図１に示すテープ繰り出し部７か
ら粘着テープ４を供給し、さらに、テープ貼付部５の直
前でセパレータ４ａを分離させ、不要となったセパレー
タ４ａをセパ巻き取り部９によって巻き取る。
【００５２】その後、減圧槽５ｂによって１０ｍｍＴｏ
ｒｒ程度の減圧雰囲気を形成し、この減圧雰囲気の中
で、図４（ａ）に示すように、半導体ウェハ１上に残っ
たゲート酸化膜２とレジスト膜３とを覆って半導体ウェ
ハ１に粘着テープ４を貼付する。
【００５３】ここで、本実施の形態において用いる粘着
テープ４は、紫外線硬化型のものである。
【００５４】また、粘着テープ４を貼付する際には、貼
り付けテーブル５ａを９０℃程度に加熱し、これによ
り、熱圧着する。
【００５５】つまり、加熱された貼り付けテーブル５ａ
上において、テープ貼付部５に設置された加圧ローラ５
ｃを粘着テープ４上で半導体ウェハ１の主面に対して押
し付けながら回転移動させ、これにより、半導体ウェハ
１に粘着テープ４を貼付（熱圧着）する。
【００５６】なお、粘着テープ４は半導体ウェハ１の主
面全体を覆うことが可能な程度の幅を有しているため、
貼付後、半導体ウェハ１はその主面全体が粘着テープ４
によって覆われる。
【００５７】すなわち、回路パターンの広さや形状に限
らず、粘着テープ４を半導体ウェハ１の主面全体に貼付
する。
【００５８】ここで、粘着テープ４も半導体ウェハ１に
接触すると、加熱されて温度が上昇する。
【００５９】その結果、粘着テープ４に含まれている粘
着剤が柔らかくなり、レジスト膜３に浸透しかつ密着す
る。
【００６０】その後、ロボットユニット１２によって、
半導体ウェハ１を粘着テープ４とともにテープ剥離部６
（シート剥離部）の剥離テーブル６ａ上に移し換える。
【００６１】続いて、テープ剥離部６において、ＵＶ照
射ユニット６ｂに設けられた高圧水銀ランプを用い、例
えば、９００ｍＪ／ｃｍ2 の照射量により、剥離テーブ
ル６ａに載置された半導体ウェハ１上の粘着テープ４に
対して紫外線を照射する。
【００６２】ここで、本実施の形態の粘着テープ４は、
紫外線硬化型であるため、レジスト膜３に浸透した粘着
剤層が硬化し、これにより、粘着テープ４の粘着剤層の
弾性率が高くなる。
【００６３】続いて、テープ巻き取り部８によって粘着
テープ４を巻き取りながら、剥離テーブル６ａを粘着テ
ープ４の巻き取り方向と同じ側に移動させる。
【００６４】なお、図４（ｂ）に示すように、剥離テー
ブル６ａが水平に移動するのに対し、粘着テープ４が斜
め上方の方向に移動しながら巻き取られていくため、両
者が移動するにつれ、両者は分離していく。
【００６５】この際、レジスト膜３に浸透した粘着剤層
が硬化して前記粘着剤層の弾性率が高くなっているた
め、レジスト膜３ごと粘着テープ４と半導体ウェハ１と
を分離することができる。すなわち、粘着テープ４とレ
ジスト膜３とを一体にして半導体ウェハ１から剥離する
ことができる。
【００６６】これにより、レジスト膜３と残留したゲー
ト酸化膜２とを分離させてレジスト膜３を半導体ウェハ
１上から除去することができる。
【００６７】その後、紫外線オゾン洗浄（オゾンアッシ
ング）によって半導体ウェハ１を洗浄し、これにより、
半導体ウェハ１に付着した残留粘着物（粘着テープ４か
ら発生した粘着剤成分）を半導体ウェハ１から除去す
る。
【００６８】例えば、２００℃で３０秒間程度、前記オ
ゾンアッシングを行う。
【００６９】続いて、半導体ウェハ１をアンモニア洗浄
することにより、図４（ｃ）に示すような、クリーンな
状態の半導体ウェハ１とこれに形成された（残留した）
ゲート酸化膜２とを得ることができる。
【００７０】なお、本実施の形態は、半導体ウェハ１上
に２種類のゲート酸化膜２を形成する場合であるため、
前記アンモニア洗浄後、図４（ｄ）に示すように、半導
体ウェハ１上に形成した（残留させた）ゲート酸化膜２
を覆って他のゲート酸化膜２、すなわち、２回目のゲー
ト酸化膜２を化学気相成長法により形成する。ただし、
２回目のゲート酸化膜２を熱酸化法を用いて形成するこ
ともできる。
【００７１】ここで、前記２回目のゲート酸化膜２の厚
さは、例えば、その仕上がり膜厚が、１1.５ｎｍであ
る。
【００７２】その後、この半導体ウェハ１に対してタン
グステン・シリコン／ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる図示しな
いゲート電極を形成し、水素アニールを行う。
【００７３】なお、多種のゲート酸化膜２を形成する場
合、つまり、３種類以上のゲート酸化膜２を形成する場
合には、例えば、前記２回目のゲート酸化膜２の上層に
３回目のゲート酸化膜２を形成し、さらに、４回目・・
・Ｎ回目と形成していく。
【００７４】本実施の形態のレジスト除去方法および装
置によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００７５】すなわち、半導体ウェハ１上に残ったゲー
ト酸化膜２とレジスト膜３とを覆って半導体ウェハ１上
に粘着テープ４（粘着シート）を貼付し、さらに、この
粘着テープ４をレジスト膜３ごと半導体ウェハ１から剥
がしてレジスト膜３を半導体ウェハ１上から除去するこ
とにより、アッシング法（ドライ除去処理法）を用いな
いため、ゲート酸化膜２にダメージを与えずに、容易に
レジスト膜３を除去することができる。
【００７６】また、ウェット除去処理法も行わないた
め、薬液や溶剤も用いなくて済む。
【００７７】したがって、作業環境を悪化させることな
く、かつ、ゲート酸化膜２に汚染を与えることなくレジ
スト膜３を半導体ウェハ１から除去することができる。
【００７８】その結果、半導体ウェハ１に形成する半導
体回路の特性および信頼性を向上できるとともに、半導
体ウェハ１の歩留りを向上できる。
【００７９】ここで、本実施の形態のレジスト除去方法
を用いて形成されたゲート酸化膜２の初期耐圧の測定を
行った結果を、図５を用いて説明する。
【００８０】図５は、本実施の形態のレジスト除去方法
に対する比較例によってレジスト膜３を除去した場合の
欠陥密度と、本実施の形態のレジスト除去方法によって
レジスト膜３を除去した場合の欠陥密度とを比較したも
のである。
【００８１】なお、前記比較例は、前記実施の形態で説
明した図３（ｄ）に示す半導体ウェハ１に対して、枚葉
形低ダメージアッシング装置を用いてレジスト膜３を除
去し、前記実施の形態と同様のゲート酸化膜２の形成を
行い、電極形成およびアニール後、ゲート酸化膜２の初
期耐圧を評価したものである。
【００８２】これによれば、前記実施の形態のレジスト
除去方法と比べ、前記比較例の方が明らかに欠陥密度が
高く、その際のゲート酸化膜２が何らかの汚染やダメー
ジを受けていることが判明した。
【００８３】その結果、本実施の形態のレジスト除去方
法によれば、前記初期耐圧に良好な値を得ることがで
き、粘着テープ４を用いてレジスト膜３を除去すること
により、多種のゲート酸化膜２のプロセスにおいて、ゲ
ート酸化膜２にダメージを与えることなくレジスト膜３
の除去が行えることが確認できる。
【００８４】また、レジスト膜３除去の際に、ゲート酸
化膜２にダメージを与えずに除去ができるため、レジス
ト膜３を半導体ウェハ１上から除去した後、半導体ウェ
ハ１上に形成した１回目のゲート酸化膜２を覆って他の
ゲート酸化膜２を形成することが可能になる。
【００８５】すなわち、多種のゲート酸化膜２のプロセ
スにおいて、半導体回路の信頼性を向上させることがで
きる。
【００８６】また、粘着テープ４として、紫外線硬化型
のものを用いることにより、粘着テープ４に紫外線を照
射した際に、粘着テープ４の粘着剤を硬化させることが
できる。
【００８７】これにより、粘着テープ４の弾性率を高め
ることができ、粘着テープ４を剥がした際に、レジスト
膜３を残留させずに除去することができる。
【００８８】その結果、多種のゲート酸化膜２のプロセ
スにおいて、半導体回路の信頼性を向上させることがで
きる。
【００８９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【００９０】例えば、前記実施の形態においては、粘着
テープ４を用いてレジスト膜３を除去した後の半導体ウ
ェハ１の洗浄方法として、オゾンアッシングによって半
導体ウェハ１を洗浄し、これにより、半導体ウェハ１に
付着した残留粘着物を除去する場合について説明した
が、前記洗浄方法として、半導体ウェハ１に付着した前
記残留粘着物を硫酸過水洗浄（例えば、硫酸と過酸化水
素の割合が４対１の洗浄液を用い、１５０℃の前記洗浄
液中で１０分程度洗浄する）によって除去してもよく、
これによれば、硫酸により前記残留粘着物などの不純物
をゲート酸化膜２および半導体ウェハ１から取り出すこ
とができる。
【００９１】したがって、ゲート酸化膜２の純度を高め
ることができ、その結果、半導体回路の信頼性を向上で
きる。
【００９２】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００９３】（１）．半導体基板上に残ったゲート酸化
膜とレジスト膜とを覆って半導体基板上に粘着シートを
貼付し、さらに、この粘着シートをレジスト膜ごと半導
体基板から剥がしてレジスト膜を半導体基板上から除去
することにより、アッシング法を用いていないため、ゲ
ート酸化膜にダメージを与えずに、容易にレジスト膜を
除去することができる。
【００９４】（２）．ウェット除去処理法を用いないた
め、薬液や溶剤も用いなくて済む。したがって、作業環
境を悪化させることなく、かつ、ゲート酸化膜に汚染を
与えることなくレジスト膜を半導体基板から除去するこ
とができる。その結果、半導体基板に形成する半導体回
路の特性および信頼性を向上できるとともに、半導体基
板の歩留りを向上できる。
【００９５】（３）．前記（１),（２）により、多種の
ゲート酸化膜プロセスにおいて、半導体回路の信頼性を
向上させることができる。
【００９６】（４）．粘着シートを半導体基板から剥が
した後、半導体基板に付着した残留粘着物を硫酸過水洗
浄によって除去することにより、硫酸によって残留粘着
物などの不純物をゲート酸化膜および半導体基板から取
り出すことができる。これにより、ゲート酸化膜の純度
を高めることができ、その結果、半導体回路の信頼性を
向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレジスト除去装置の構造の実施の
形態の一例を示す構成概要図である。
【図２】図１に示すレジスト除去装置の構成を示す平面
図である。
【図３】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明のレジスト
除去方法におけるゲート酸化膜の形成方法の実施の形態
の一例を示す断面図である。
【図４】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明のレジスト
除去方法の実施の形態の一例を示す部分断面図および断
面図である。
【図５】本発明のレジスト除去方法によってレジスト膜
を除去した際のゲート酸化膜の初期耐圧の測定結果の一
例を示す測定結果図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウェハ（半導体基板） ２ ゲート酸化膜 ３ レジスト膜 ４ 粘着テープ（粘着シート） ４ａ セパレータ ５ テープ貼付部（シート貼付部） ５ａ 貼り付けテーブル ５ｂ 減圧槽 ５ｃ 加圧ローラ ６ テープ剥離部（シート剥離部） ６ａ 剥離テーブル ６ｂ ＵＶ照射ユニット ７ テープ繰り出し部 ８ テープ巻き取り部 ９ セパ巻き取り部 １０ ロードユニット １１ アライナユニット １２ ロボットユニット １３ アンロードユニット
フロントページの続き (72)発明者 野一色 孝行 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 酒井 哲 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 笹島 勝博 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 豊田 英志 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 並河 亮 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に形成したレジスト膜を除去
    するレジスト除去方法であって、 前記半導体基板にゲート酸化膜を形成する工程と、 前記ゲート酸化膜上にレジストパタンであるレジスト膜
    を形成した後、このレジスト膜をマスクとして前記ゲー
    ト酸化膜の不要箇所を除去する工程と、 前記半導体基板上に残ったゲート酸化膜と前記レジスト
    膜とを覆って前記半導体基板上に粘着シートを貼付する
    工程と、 前記粘着シートを前記レジスト膜ごと前記半導体基板か
    ら剥がすことにより、前記レジスト膜と前記半導体基板
    上のゲート酸化膜とを分離させて前記レジスト膜を前記
    半導体基板上から除去する工程とを有することを特徴と
    するレジスト除去方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のレジスト除去方法であっ
    て、前記粘着シートを前記半導体基板から剥がして前記
    レジスト膜を前記半導体基板上から除去した後、前記半
    導体基板上に残った前記ゲート酸化膜を覆って少なくと
    も他の１種類のゲート酸化膜を形成することを特徴とす
    るレジスト除去方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載のレジスト除去方
    法であって、前記粘着シートを前記半導体基板から剥が
    して前記レジスト膜を前記半導体基板上から除去した
    後、前記半導体基板に付着した残留粘着物を紫外線オゾ
    ン洗浄によって前記半導体基板から除去することを特徴
    とするレジスト除去方法。
  4. 【請求項４】 請求項１または２記載のレジスト除去方
    法であって、前記粘着シートを前記半導体基板から剥が
    して前記レジスト膜を前記半導体基板上から除去した
    後、前記半導体基板に付着した残留粘着物を硫酸過水洗
    浄によって前記半導体基板から除去することを特徴とす
    るレジスト除去方法。
  5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載のレジス
    ト除去方法であって、前記粘着シートとして、テープ状
    の紫外線硬化型の粘着テープを用いることを特徴とする
    レジスト除去方法。
  6. 【請求項６】 半導体基板に形成したレジスト膜の除去
    を行うレジスト除去装置であって、 前記半導体基板に形成したゲート酸化膜から不要箇所を
    除去して残留させたゲート酸化膜とこのゲート酸化膜の
    上層に形成したレジストパタンである前記レジスト膜と
    を覆って前記半導体基板上に粘着シートを貼付するシー
    ト貼付部と、 前記粘着シートを前記レジスト膜ごと前記半導体基板か
    ら剥がして、前記半導体基板上から前記レジスト膜を除
    去するシート剥離部とを有することを特徴とするレジス
    ト除去装置。
  7. 【請求項７】 請求項６記載のレジスト除去装置であっ
    て、前記粘着シートがテープ状の紫外線硬化型の粘着テ
    ープであり、前記粘着テープを供給するテープ繰り出し
    部と、レジスト膜除去処理済みの前記粘着テープを巻き
    取るテープ巻き取り部とが設けられていることを特徴と
    するレジスト除去装置。
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