JPH0897179A - 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プおよびラベルと除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プによる異物除去操作の簡略化を図
るとともに、半導体ウエハの一方の面の除去処理時に他
方の面の汚染や回路パタ―ン形成面の損傷を防ぎ、もつ
て半導体ウエハの表裏両面の異物を効果的に除去する。 【構成】 支持フイルム１１上に粘着剤層１２を有し、
この粘着剤層１２が半導体ウエハとほぼ同じ形状にパタ
―ン成形されてなる異物除去用粘着テ―プ１Ａ，１Ｂ
（または支持フイルム上に粘着剤層を有し、かつ半導体
ウエハとほぼ同じ形状に成形加工されてなる異物除去用
粘着ラベル）を用い、この粘着テ―プ１Ａ，１Ｂ（また
はラベル）を半導体ウエハ４の表裏両面４ａ，４ｂに貼
り付け操作したのち、裏面４ｂ側から順次剥離操作し
て、半導体ウエハ４の表裏面に付着する異物６を粘着剤
層１２面に吸着させて半導体ウエハ４から除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去用粘着テ―プおよびラベルと除去方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。

【０００３】このため、ＬＳＩの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。

【０００４】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄（超純
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
₂ プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。

【０００５】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。

【０００６】別の試みとして、粘着テ―プを用い、半導
体ウエハに付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面に吸
着させて除去する方法が知られている。この方法は、一
種のドライ洗浄といえ、ウエツト洗浄における異物の再
付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避でき、しか
もＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマなどの他のドライ洗浄に比
べ、異物の除去能力をより高められるものと期待されて
いる。中でも、粘着テ―プを半導体ウエハの表面および
裏面に対し、その粘着剤層が十分に馴染むように貼り付
け操作したのちに、剥離操作する方法によると、半導体
ウエハ上の異物が効果的に除去されるという提案がなさ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
除去方法では、粘着テ―プの貼り付け操作および剥離操
作を、半導体ウエハの表面および裏面に対し繰り返し行
う必要があることから、操作的に面倒であり、また一方
の面の除去処理時に他方の面を汚染したり、回路パタ―
ン形成面の損傷をきたすおそれもあつた。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、特定の
粘着テ―プまたはラベルを用いて、異物除去操作の簡略
化を図るとともに、半導体ウエハの一方の面の除去処理
時に他方の面の汚染や回路パタ―ン形成面の損傷を防
ぎ、もつて半導体ウエハの表裏両面の異物を効果的に除
去することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、支持フイルム上の粘着剤
層を半導体ウエハとほぼ同じ形状にパタ―ン成形した粘
着テ―プを用いるか、支持フイルム上に粘着剤層を設け
た粘着テ―プを半導体ウエハとほぼ同じ形状に成形加工
したラベルを用いて、この粘着テ―プまたはラベルを、
半導体ウエハの表裏両面に連続して貼り付け操作し、そ
の後に裏面側から順次剥離操作すると、上記の目的を十
分に達成できることを見い出した。

【００１０】すなわち、この方法によると、貼り付けお
よび剥離操作を表裏両面に対し繰り返し行つていた方法
に比べ、異物除去操作の簡略化を図れ、しかも裏面側か
ら剥離操作する際に、表面側に粘着テ―プまたはラベル
が貼り付けられて、その回路パタ―ン形成面が被覆保護
されていることから、回路パタ―ン形成面の損傷が回避
され、また上記剥離操作時に上記形成面が汚染されるお
それも少なくなり、もつて半導体ウエハの表裏両面の異
物を高い除去率で除去できることを見い出し、本発明を
完成するに至つたものである。

【００１１】なお、この方法において、上記特定の粘着
テ―プやラベルに代え、通常の粘着テ―プを用いた場
合、表裏両面側に貼り付けられた粘着テ―プがウエハ周
縁部で互いに粘着し、剥離操作が不能となる。本発明で
は、この問題を回避するため、上記特定の粘着テ―プや
ラベルを用いるようにしたものである。

【００１２】このように、本発明は、第一に、支持フイ
ルム上に粘着剤層を有し、この粘着剤層が半導体ウエハ
とほぼ同じ形状にパタ―ン成形されてなることを特徴と
する半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プを
提供するものである。また、第二に、支持フイルム上に
粘着剤層を有し、かつ半導体ウエハとほぼ同じ形状に成
形加工されてなることを特徴とする半導体ウエハに付着
した異物の除去用粘着ラベルを提供するものである。

【００１３】さらに、第三に、半導体ウエハの表裏両面
に、上記の粘着テ―プまたはラベルを貼り付けたのち、
裏面側から順次剥離操作して、半導体ウエハの表裏面に
付着する異物を粘着剤層面に吸着させて半導体ウエハか
ら除去することを特徴とする半導体ウエハに付着した異
物の除去方法を提供するものである。

【００１４】

【発明の構成・作用】図１は、本発明の異物除去用粘着
テ―プの一例を示したもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は上記（Ａ）図におけるＢ−Ｂ線断面図である。図中、
１は粘着テ―プであり、支持フイルム１１上に半導体ウ
エハとほぼ同じ形状の粘着剤層１２が長手方向に沿つて
多数個パタ―ン成形されており、この粘着剤層１２上に
はさらにセパレ―タ１３が重ね合わされた構成となつて
いる。

【００１５】支持フイルム１１は、ポリエステル、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレ―ト共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共
重合体などのプラスチツクからなる厚さが通常１０〜
１，０００μｍのフイルムである。

【００１６】粘着剤層１２は、アクリル樹脂系、シリコ
―ン樹脂系、フツ素樹脂系、ゴム系（天然ゴム、合成ゴ
ム）などのポリマ―を主成分とした、常温下で感圧接着
性を有するものであり、厚さは通常５〜１００μｍであ
る。この粘着剤層は、上記ポリマ―を主成分とした粘着
剤をグラビア塗工機、シルクスクリ―ンなどにより支持
フイルム１１上に半導体ウエハとほぼ同じ形状にパタ―
ン塗布したのち、加熱などにより架橋処理するか、離型
紙上に上記と同じ方法でパタ―ン形成した粘着剤層を支
持フイルム１１上に貼着することにより、形成できる。

【００１７】本発明では、半導体ウエハに貼り付け、粘
着剤層面に異物をよく馴染ませたのち、剥離操作して、
上記異物を吸着除去するものであるため、粘着剤層１２
は、貼り付け時、剥離操作時のそれぞれに適した特
性を有している必要がある。しかし、とで要求され
る特性は、通常相反する。つまり、の貼り付け時に
は、粘着剤は異物に馴染むように塑性変形しやすく、か
つ高粘着力であることが必要であり、一方、の剥離操
作時には、異物を確実に固定するため、粘着剤は硬く、
強靭であり、かつ低粘着力であることが必要である。

【００１８】このような特性を実現させる第一の手段
は、，の各段階でバランスよく適合する特性を持つ
た粘着剤を選択することである。この目的には、特性が
比較的安定しているアクリル系樹脂を主成分としたもの
が好ましく用いられる。シリコンウエハに対する粘着力
としては、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１
８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／
分）が、通常５０〜５００ｇ／２０mm幅にあるものが適
している。

【００１９】また、第二の手段は、，の各段階で適
合するように、段階ごとに特性を変化させることであ
る。この目的には、活性エネルギ−源の供給により特性
が変化する粘着剤が好ましく用いられる。ここで、活性
エネルギ−源とは、たとえば、紫外線、赤外線（熱）、
電子線、エツクス線などに代表される電磁波、超音波な
どに代表される弾性波のことである。

【００２０】上記特性が変化する粘着剤には、紫外線硬
化性粘着剤、電子線硬化性粘着剤、熱硬化性粘着剤、熱
可塑性粘着剤、熱発泡性粘着剤などがあり、それぞれ単
独で用いてもよいし、複数種を同時に用いてもよい。シ
リコンウエハに対する粘着力としては、ＪＩＳ Ｚ−０
２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力
（常温、剥離速度３００mm／分）が、活性エネルギ−源
供給前（貼り付け時）で通常５００〜２，０００ｇ／２
０mm幅であり、活性エネルギ−源供給後（剥離操作時）
で通常３〜５００ｇ／２０mm幅となるものが適してい
る。

【００２１】セパレ―タ１３は、粘着テ―プ１の保管時
や流通時などでの汚染防止の点から、半導体ウエハに貼
り付けるまでの間、粘着剤層１２の表面を保護するため
のもので、上記貼り付け使用時に剥離除去される。この
セパレ―タ１３は、通常、紙（無塵紙）、プラスチツク
フイルム、金属箔などからなる柔軟な薄葉体で、必要に
より剥離剤で表面処理して離型性を付与したものが用い
られる。

【００２２】本発明においては、上記構成の粘着テ―プ
を用いて、半導体ウエハに付着した異物を除去する。こ
の方法は、まず、図３の（Ａ）に示すように、ウエハ固
定台３上の半導体ウエハ４の表面（回路パタ―ン形成
面）４ａ側に、粘着テ―プ１Ａを、そのパタ―ン状の粘
着剤層１２が上記表面４ａの全面を覆うように、貼り付
け、引き続き、上記固定台３上でウエハ４を反転させ、
このウエハ４の裏面（回路パタ―ン面の反対面）４ｂ側
に、粘着テ―プ１Ｂを、そのパタ―ン状の粘着剤層１２
が上記裏面４ｂの全面を覆うように、貼り付ける。

【００２３】粘着テ―プ１Ａ，１Ｂの貼り付け操作は、
たとえば、ゴム製弾性ロ―ラ５を用いて、粘着テ―プ１
Ａ，１Ｂの各粘着剤層１２面をそれぞれウエハ表面４
ａ，裏面４ｂに対し所定の圧力で押圧したのち、数分程
度放置するといつた方法で行えばよい。これにより上記
の各粘着剤層１２面をウエハ表面４ａ，裏面４ｂ上の異
物６に対し十分に馴染ませることができる。

【００２４】つぎに、上記の貼り付け操作後、図３の
（Ｂ）に示すように、まず、裏面４ｂ側に貼り付けた粘
着テ―プ１Ｂに対して、その支持フイルム１１を引き上
げる、剥離操作を施すと、裏面４ｂ側に付着した異物６
は上記テ―プ１Ｂの粘着剤層１２面に吸着されて、半導
体ウエハ４より除去される。

【００２５】その際、表面４ａ側に粘着テ―プ１Ａが貼
り付けられて、回路パタ―ン形成面が粘着剤層１２によ
り被覆保護されているため、この形成面を損傷する心配
がなく、また裏面４ｂ側に付着した異物が表面４ａ側に
転着して汚染するといつた心配もない。一方、この粘着
テ―プ１Ａと前記の粘着テ―プ１Ｂは、互いの粘着剤層
１２が半導体ウエハ４とほぼ同じ形状にパタ―ン成形さ
れたものであるため、ウエハ周辺部において上記テ―プ
１Ａ，１Ｂ同志が粘着してしまう心配がなく、上記粘着
テ―プ１Ｂの剥離操作に支障をきたさない。

【００２６】このような裏面４ｂ側の剥離操作後、引き
続き、ウエハ固定台３上の半導体ウエハ４をこれに貼り
付けた粘着テ―プ１Ａと一体に反転させ、図３の（Ｃ）
に示すように、上記テ―プ１Ａに対し、その支持フイル
ム１１を引き上げる、剥離操作を施すと、半導体ウエハ
４の表面４ａ側に付着した異物６は上記テ―プ１Ａの粘
着剤層１２面に吸着されて、半導体ウエハ４より除去さ
れる。この際、半導体ウエハ４のウエハ固定台３への接
触面は、異物６が既に除去されて清浄な面とされた裏面
４ｂ側であり、したがつて、上記の接触によつて半導体
ウエハ４の損傷といつた問題などはとくに生じない。

【００２７】このように、本発明では、粘着テ―プの貼
り付け操作を半導体ウエハの表裏両面に対し連続して行
い、かつその剥離操作を表裏両面に対しやはり連続して
行うものであるため、表裏面の一方の面に貼り付けおよ
び剥離操作を行い、その後に他方の面に同じ操作を繰り
返し行つていた方法に比べると、異物除去操作の大幅な
簡略化を図ることができ、しかも除去操作時に回路パタ
―ン形成面の損傷や汚染をきたさないという効果も得ら
れる。

【００２８】この本発明の方法により、半導体ウエハの
表裏両面に付着した異物は、高い除去率（通常０．２μ
ｍ以上の大きさの異物が５０％以上、好ましくは７５％
以上となる高い除去率）で洗浄除去される。その結果、
回路形成時の回路の断線やシヨ―ト、露光不良発生が低
減し、半導体デバイスの歩留りや信頼性が向上する。ま
た、地球環境保全の立場からみて、従来のウエツト洗浄
やドライ洗浄のような純水、薬品、空気、電力などを大
量に消費する洗浄方式を、上記本発明の方式に置き換え
ることで、地球環境保全に寄与させることもできる。

【００２９】図２は、本発明の異物除去用粘着ラベルの
一例を示したもので、支持フイルム２１上に粘着剤層２
２を有し、この両者が半導体ウエハとほぼ同じ形状に成
形加工されて粘着ラベル２を構成しており、とくにこの
例では、上記構成の粘着ラベル２がセパレ―タ２３上に
支持された状態で多数個連設されている。

【００３０】このような粘着ラベル２は、たとえば、支
持フイルム２１上に粘着剤を塗布し加熱架橋して粘着剤
層２２を形成したのち、これを半導体ウエハとほぼ同じ
形状に成形加工し、この加工前後にセパレ―タ２３を重
ね合わせるといつた方法で、作製することができる。支
持フイルム２１、粘着剤層２２およびセパレ―タ２３の
材質や厚さなどは、いずれも、図１の異物除去用粘着テ
―プ１の支持フイルム１１、粘着剤層１２およびセパレ
―タ１３と同じである。

【００３１】この粘着ラベル２を用いて、半導体ウエハ
に付着した異物を除去する方法は、図３の（Ａ）〜
（Ｃ）に準じて、半導体ウエハ４の表裏両面に粘着ラベ
ル２を貼り付け操作したのち、裏面側から順次剥離操作
すればよい。これにより、半導体ウエハの表裏両面に付
着した異物が前記同様の高い除去率で簡便に除去され
て、半導体デバイスの歩留りや信頼性などが向上する。

【００３２】

【発明の効果】本発明の異物除去用粘着テ―プおよびラ
ベルとその除去方法によれば、異物除去操作の簡略化を
図れるとともに、半導体ウエハの一方の面の除去処理時
に他方の面の汚染や回路パタ―ン形成面の損傷といつた
問題を生じることなく、半導体ウエハに付着した異物を
高い除去率で除去できるから、半導体デバイスの歩留り
や信頼性の向上に大きく寄与させることができる。ま
た、従来の他の洗浄方式などに比べて、地球環境保全の
面での寄与効果も得られる。

【００３３】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。

【００３４】実施例１ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液を、グラビア塗工機を用
いて、５インチシリコンウエハと同じ形状に塗布し、１
２０℃で３分間加熱架橋処理して、厚さ２０μｍのパタ
―ン化粘着剤層を有する粘着テ―プを作製した。この粘
着テ―プのシリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力
は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度
引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）で２
２５ｇ／２０mm幅であつた。

【００３５】つぎに、０．２μｍ以上の大きさの異物が
０個である５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのな
い両面ミラ―ウエハ）を所定の工程（イオン打ち込み処
理工程）に通して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装
置〔日立電子エンジニアリング（株）製のＬＳ−５００
０〕を用いて、シリコンウエハの表裏両面に付着した
０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウントした。

【００３６】このように異物を付着させたシリコンウエ
ハの表裏両面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、
粘着剤層面がシリコンウエハを覆うように位置合わせし
て、ハンドロ―ラ（ゴム製弾性ロ―ラ）により貼り付
け、３分間放置した。その後、裏面側から順次粘着テ―
プを剥離操作して、シリコンウエハに付着した異物を洗
浄除去した。この洗浄後、再びレ―ザ―表面検査装置を
用いて、０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウント
した。この貼り付けおよび剥離操作による洗浄後の異物
数と、洗浄前の異物数とから、異物除去率を算出した。
なお、一連の作業は、クラス１０のクリ―ンル―ム内
（温度２３℃、湿度６０％）で行つた。結果は、後記の
表１に示されるとおりであつた。

【００３７】実施例２ 粘着剤として、アクリル系紫外線硬化型粘着剤を用いた
ほかは、実施例１に準じて、厚さ２０μｍのパタ―ン化
粘着剤層を有する粘着テ―プを作製した。この粘着テ―
プのシリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力は、Ｊ
ＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度引き剥
がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）で１，１６
０ｇ／２０mm幅であつた。また、支持フイルム側から紫
外線（波長３６５ｎｍ、１，０００ｍｊ／ｃｍ² ）を照
射したのちの同１８０度引き剥がし粘着力は、１０ｇ／
２０mm幅であつた。

【００３８】この粘着テ―プを用いて、実施例１に準じ
てシリコンウエハの表裏両面に粘着テ―プを貼り付け操
作したのち、裏面側から順次剥離操作して、シリコンウ
エハに付着した異物を洗浄除去した。ただし、ここで
は、剥離操作の直前に、紫外線（波長３６５ｎｍ、１，
０００ｍｊ／ｃｍ² ）を照射した。貼り付けおよび剥離
操作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とから、
異物除去率を算出した結果は、後記の表１に示されると
おりであつた。

【００３９】比較例１ 異物洗浄試験として、実施例１と同様の操作により表裏
両面に異物を付着させたシリコンウエハを、超純水洗浄
装置（現行ウエツト洗浄方法）を用いて、所定の条件に
て洗浄した。乾燥後、レ―ザ―表面検査装置を用いて、
シリコンウエハの表裏両面に付着している０．２μｍ以
上の大きさの異物の数をカウントした。この洗浄後の異
物数と、洗浄前に上記同様の装置によりカウントした
０．２μｍ以上の大きさの異物の数とから、異物除去率
を算出した。この試験結果は、後記の表１に示されると
おりであつた。

【００４０】比較例２ 洗浄方法をＵＶオゾン洗浄（現行ドライ洗浄）に代えた
ほかは、比較例１に準じて異物洗浄試験を行い、異物除
去率を算出した。この試験結果は、後記の表１に示され
るとおりであつた。

【００４１】比較例３ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液をべた塗りし、１２０℃
で３分間加熱架橋処理して、厚さ２０μｍの粘着剤層を
有する粘着テ―プを作製した。この粘着テ―プの粘着力
は、実施例１と同じであつた。つぎに、この粘着テ―プ
を用いて、実施例１と同様にして、シリコンウエハの表
裏両面に粘着テ―プを貼り付け操作したのち、裏面側か
ら順次剥離操作してみたが、粘着テ―プ同志がシリコン
ウエハの周縁部で互いに粘着し、剥離操作が不能であつ
た。つまり、上記のような通常の粘着テ―プを用いて、
これをシリコンウエハの表裏両面に貼り付け操作したの
では、引き続く剥離操作に支障をきたし、円滑な除去作
業をできなかつた。

【００４２】

【表１】

【００４３】上記の表１の結果から、本発明の実施例
１，２の粘着テ―プによれば、シリコンウエハの表裏両
面に貼り付けて裏面側から順次剥離操作するという簡単
な手法により、シリコンウエハの表裏面に付着した異物
を、７０％以上という高い除去率で除去できるものであ
ることが明らかである。

【００４４】また、上記の実施例１，２および比較例１
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計してみた結果、実施例１および実施例２の方法では、
比較例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１３％お
よび１６％高くなることがわかつた。ここで、上記実施
例１，２の方法では、粘着テ―プによる異物の除去時
に、半導体ウエハの回路パタ―ン形成面を損傷するおそ
れがほとんどなく、これが上記高い歩留りを示すひとつ
の原因となつているものと思われる。

【００４５】実施例３ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液をべた塗りし、１２０℃
で３分間加熱架橋処理して、厚さ２０μｍの粘着剤層を
有する粘着テ―プを得、これをシリコンウエハと同じ形
状に成形加工して、粘着ラベルを作製した。この粘着ラ
ベルのシリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力は、
ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度引き
剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）で２３０
ｇ／２０mm幅であつた。

【００４６】この粘着ラベルを用いて、実施例１に準じ
てシリコンウエハの表裏両面に粘着ラベルを貼り付け操
作したのち、裏面側から順次剥離操作して、シリコンウ
エハに付着した異物を洗浄除去した。貼り付けおよび剥
離操作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とか
ら、表裏両面の異物除去率を算出した結果は、後記の表
２に示されるとおりであつた。

【００４７】実施例４ 粘着剤として、アクリル系紫外線硬化型粘着剤を用いた
ほかは、実施例３に準じて、厚さ２０μｍの粘着剤層を
有する粘着ラベルを作製した。このように作製した粘着
ラベルのシリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力
は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度
引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）で
１，１２０ｇ／２０mm幅であつた。また、支持フイルム
側から紫外線（波長３６５ｎｍ、１，０００ｍｊ／ｃｍ
² ）を照射したのちの同１８０度引き剥がし粘着力は、
１２ｇ／２０mm幅であつた。

【００４８】この粘着ラベルを用いて、実施例１に準じ
てシリコンウエハの表裏両面に粘着ラベルを貼り付け操
作したのち、裏面側から順次剥離操作して、シリコンウ
エハに付着した異物を洗浄除去した。ただし、ここで
は、剥離操作の直前に、紫外線（波長３６５ｎｍ、１，
０００ｍｊ／ｃｍ² ）を照射した。貼り付けおよび剥離
操作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とから、
異物除去率を算出した結果は、後記の表２に示されると
おりであつた。

【００４９】

【表２】

【００５０】上記の表２の結果から、本発明の実施例
３，４の粘着ラベルによれば、前記の実施例１，２の場
合と同じように、シリコンウエハの表裏両面に貼り付け
て裏面側から順次剥離操作するという簡単な手法によ
り、シリコンウエハの表裏面に付着した異物を、やはり
７０％以上という高い除去率で除去できるものであるこ
とが明らかである。

【００５１】また、上記の実施例３および実施例４で示
した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に適用
し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集計し
てみた結果、実施例３および実施例４の方法では、前記
比較例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１２％お
よび１５％高くなることがわかつた。ここで、上記実施
例３，４の方法では、粘着ラベルによる異物の除去時
に、半導体ウエハの回路パタ―ン形成面を損傷するおそ
れがほとんどなく、これがやはり上記高い歩留りを示す
ひとつの要因となつているものと思われる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異物除去用粘着テ―プの一例を示した
ものであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は上記Ａ図のＢ−
Ｂ線断面図である。

【図２】本発明の異物除去用粘着ラベルの一例を示す断
面図である。

【図３】本発明の異物除去用粘着テ―プを用いた除去方
法を示す断面図であり、（Ａ）は表裏両面への貼り付け
工程、（Ｂ）は裏面側の剥離工程、（Ｃ）は表面側の剥
離工程を示したものである。

【符号の説明】

１（１Ａ，１Ｂ） 粘着テ―プ ２ 粘着ラベル １１，２１ 支持フイルム １２，２２ 粘着剤層 １３，２３ セパレ―タ ３ ウエハ固定台 ４ 半導体ウエハ ４ａ 半導体ウエハの表面 ４ｂ 半導体ウエハの裏面 ５ ゴム製弾性ロ―ラ（ハンドロ―ラ） ６ 半導体ウエハに付着した異物

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持フイルム上に粘着剤層を有し、この
   粘着剤層が半導体ウエハとほぼ同じ形状にパタ―ン成形
   されてなることを特徴とする半導体ウエハに付着した異
   物の除去用粘着テ―プ。
2. 【請求項２】 支持フイルム上に粘着剤層を有し、かつ
   半導体ウエハとほぼ同じ形状に成形加工されてなること
   を特徴とする半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着
   ラベル。
3. 【請求項３】 半導体ウエハの表裏両面に、請求項１ま
   たは請求項２に記載の粘着テ―プまたはラベルを貼り付
   けたのち、裏面側から順次剥離操作して、半導体ウエハ
   の表裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着させて半導
   体ウエハから除去することを特徴とする半導体ウエハに
   付着した異物の除去方法。