JPH08107098A - 半導体ウエハに付着した異物の除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プによる異物除去操作の簡略化を図
るとともに、半導体ウエハの一方の面の除去処理時に他
方の面の汚染や回路パタ―ン形成面の損傷を防ぎ、もつ
て半導体ウエハの表裏両面の異物を効果的に除去する。 【構成】 半導体ウエハ３の表面３ａおよび裏面３ｂ
に、支持フイルム１１上に粘着剤層１２を設けてなる粘
着テ―プ１（１Ａ，１Ｂ）を連続して貼り付け、半導体
ウエハ３の周辺に沿つて表裏両面の粘着テ―プ１Ａ，１
Ｂを同時にカツトしたのち、剥離用粘着テ―プ６（６
Ａ，６Ｂ）を用いて、裏面側の粘着テ―プ１Ｂから順次
剥離操作して、半導体ウエハ３の表裏面に付着する異物
４を粘着剤層１２面に吸着させて半導体ウエハ３から除
去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。

【０００３】このため、ＬＳＩの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。

【０００４】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄（超純
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
₂ プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。

【０００５】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。

【０００６】別の試みとして、粘着テ―プを用い、半導
体ウエハに付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面に吸
着させて除去する方法が知られている。この方法は、一
種のドライ洗浄といえ、ウエツト洗浄における異物の再
付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避でき、しか
もＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマなどの他のドライ洗浄に比
べ、異物の除去能力をより高められるものと期待されて
いる。中でも、粘着テ―プを半導体ウエハの表面および
裏面に対し、その粘着剤層が十分に馴染むように貼り付
け操作したのちに、剥離操作する方法によると、半導体
ウエハ上の異物が効果的に除去されるという提案がなさ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
除去方法では、粘着テ―プの貼り付け操作および剥離操
作を、半導体ウエハの表面および裏面に対し繰り返し行
う必要があることから、操作的に面倒であり、また一方
の面の除去処理時に他方の面を汚染したり、回路パタ―
ン形成面の損傷をきたすおそれもあつた。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、粘着テ
―プによる異物除去操作の簡略化を図るとともに、半導
体ウエハの一方の面の除去処理時に他方の面の汚染や回
路パタ―ン形成面の損傷を防ぎ、もつて半導体ウエハの
表裏両面の異物を効果的に除去することを目的としてい
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、支持フイルム上に粘着剤
層を設けてなる粘着テ―プを、半導体ウエハの表裏両面
に連続して貼り付け操作したのち、半導体ウエハの周辺
部において粘着する表裏両面側の粘着テ―プをカツタ―
刃などを用いて同時にカツトし、その後に裏面側から順
次剥離操作すると、上記の目的を十分に達成できること
を見い出した。

【００１０】すなわち、この方法によると、貼り付けお
よび剥離操作を表裏両面に対し繰り返し行つていた方法
に比べて、異物除去操作の簡略化を図れ、しかも半導体
ウエハの周辺部において粘着する表裏両面側の粘着テ―
プを同時にカツトしたのち、裏面側から剥離操作する際
に、表面側に粘着テ―プが貼り付けられて、その回路パ
タ―ン形成面が被覆保護されていることから、回路パタ
―ン形成面の損傷が回避され、また上記剥離操作時に上
記形成面が汚染されるおそれも少なくなり、もつて半導
体ウエハの表裏両面の異物を高い除去率で除去できるこ
とを見い出し、本発明を完成するに至つたものである。

【００１１】このように、本発明は、半導体ウエハの表
裏両面に、支持フイルム上に粘着剤層を設けてなる粘着
テ―プを貼り付け、半導体ウエハの周辺に沿つて表裏両
面の粘着テ―プを同時にカツトしたのち、裏面側から順
次剥離操作して、半導体ウエハの表裏面に付着する異物
を粘着剤層面に吸着させて半導体ウエハから除去するこ
とを特徴とする半導体ウエハに付着した異物の除去方法
に係るものであり、またこの方法において、粘着テ―プ
の剥離操作を剥離用粘着テ―プを用いて行うことによ
り、剥離操作を容易にした上記除去方法を提供するもの
である。

【００１２】

【発明の構成・作用】図１は、本発明の半導体ウエハに
付着した異物の除去方法の一例を示したものであり、
（Ａ）は表裏両面への貼り付けおよびカツト工程、
（Ｂ）は裏面側の剥離工程、（Ｃ）は表面側の剥離工程
である。

【００１３】本発明では、まず、（Ａ）に示すように、
支持フイルム１１上に粘着剤層１２を設けてなる粘着テ
―プ１（１Ａ，１Ｂ）を、ウエハ固定台２上で半導体ウ
エハ３の表面（回路パタ―ン形成面）３ａと裏面（回路
パタ―ン面の反対面）３ｂに、連続的に貼り付ける。貼
り付け手順は、表面３ａ側を先にするのがよく、これに
よると回路パタ―ン形成面を粘着テ―プ１Ａで被覆保護
した状態で、裏面３ｂ側に粘着テ―プ１Ｂを貼り付け操
作できる。表裏両面側への貼り付け操作は、ゴム製弾性
ロ―ラなどを用いて、所定圧力で押圧したのち、数分程
度放置するといつた方法で行えばよく、これにより粘着
剤層１２面をウエハ表面３ａ，裏面３ｂ上の異物４に対
し十分に馴染ませることができる。

【００１４】粘着テ―プ１（１Ａ，１Ｂ）を構成する支
持フイルム１１は、ポリエステル、ポリカ―ボネ―ト、
ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチ
レン−エチルアクリレ―ト共重合体、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体などのプ
ラスチツクからなる厚さが通常１０〜１，０００μｍ程
度のフイルムが用いられる。

【００１５】この支持フイルム１１上に設けられる粘着
剤層１２は、アクリル樹脂系、シリコ―ン樹脂系、フツ
素樹脂系、ゴム系（天然ゴム、合成ゴム）などのポリマ
―を主成分とした、常温下で感圧接着性を有するもので
あり、厚さは通常５〜１００μｍ程度である。この粘着
剤層１２は、上記ポリマ―を主成分とした粘着剤を支持
フイルム１１上に塗布したのち、加熱などにより架橋処
理するか、離型紙上に上記と同じ方法で形成した粘着剤
層１２を支持フイルム１１上に貼着することにより、形
成できる。この粘着剤層１２としては、紫外線、電子線
などの活性エネルギ−源で硬化するタイプのものも好ま
しく使用できる。

【００１６】このような粘着テ―プ１の粘着力として
は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度
引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）が、
通常５０〜５００ｇ／２０mm幅にあるものが適してい
る。また、活性エネルギ−源で硬化するタイプのもので
は、同１８０度引き剥がし粘着力が、活性エネルギ−源
供給前で通常５００〜２，０００ｇ／２０mm幅であり、
活性エネルギ−源供給後で通常３〜５００ｇ／２０mm幅
となるものが適している。

【００１７】また、粘着テ―プ１Ａ，１Ｂは、同じ粘着
力を有するものであつてもよいが、好ましくは、ウエハ
表面３ａ側に貼り付ける粘着テ―プ１Ａがウエハ裏面３
ｂ側に貼り付ける粘着テ―プ１Ｂに比べ、より大きな粘
着力を有しているのがよい。これは、裏面３ｂ側の粘着
テ―プ１Ｂの剥離操作時に、表面３ａ側の粘着テ―プ１
Ａが剥がれてしまうのを防ぐためである。このように、
表裏両面側で粘着力に差を付けるには、両テ―プの粘着
剤の種類を代えるか、あるいはより簡便には表面側のテ
―プ厚さを裏面側より厚くすればよい。

【００１８】このようにして、半導体ウエハ３の表裏両
面に粘着テ―プ１Ａ，１Ｂを貼り付けると、両テ―プは
長尺状のため、半導体ウエハ３の表裏両面とその周辺部
のごく近傍を除いて、テ―プ同志が不可避的に粘着す
る。粘着を避ける細心の注意を払つて貼り付け操作する
と、時間と手間がかかり、実用性に乏しいものとなる。
このため、本発明では、テ―プ同志の粘着を避けるので
はなく、両テ―プを積極的に粘着させて半導体ウエハを
袋状に被覆することにより、除去作業環境下での異物の
余計な付着をさける一方、この袋状の被覆を行つたのち
に、（Ａ）に示すように、適宜のカツタ―刃５を用い
て、半導体ウエハ３の周辺に沿つて表裏両面の粘着テ―
プ１Ａ，１Ｂを同時にカツトする。

【００１９】ここで、半導体ウエハ３は、粘着テ―プに
比べてかなり厚いため、ウエハ周辺部のごく近傍では、
図示のように、テ―プ同志の粘着がみられない隙間３ｃ
が存在する。上記カツトはこの隙間３ｃ部分で行われ、
これにより粘着テ―プ１Ａ，１Ｂは互いに粘着すること
のないふたつのテ―プに完全に分離される。なお、この
ようなカツトは、カツタ―刃５による以外に、レ―ザ―
光線カツト、熱線カツト（ニクロム線など）などの他の
方法を採用して行つてもよい。

【００２０】つぎに、上記の貼り付け操作後、図１の
（Ｂ）に示すように、まず、裏面３ｂ側に貼り付けた粘
着テ―プ１Ｂに対して、剥離用粘着テ―プ６（６Ｂ）を
ゴム製弾性ロ―ラなどを用いて貼り付け、この剥離用粘
着テ―プ６Ｂを引き上げる、剥離操作を施すと、裏面３
ｂ側に付着した異物４は上記テ―プ１Ｂの粘着剤層１２
面に吸着されて、半導体ウエハ３より除去される。

【００２１】その際、表面３ａ側に粘着テ―プ１Ａが貼
り付けられて、回路パタ―ン形成面が粘着剤層１２によ
り被覆保護されているため、この形成面を損傷する心配
がなく、また裏面３ｂ側に付着した異物が表面３ａ側に
転着して汚染するといつた心配もない。また、言うまで
もなく、この粘着テ―プ１Ａと粘着テ―プ１Ｂとは、ウ
エハ周辺部に沿う前記カツトにより完全に分離されてい
るため、上記粘着テ―プ１Ｂの剥離操作に支障をきたす
ことはない。

【００２２】このような裏面３ｂ側の剥離操作後、引き
続き、ウエハ固定台２上の半導体ウエハ３をこれに貼り
付けた粘着テ―プ１Ａと一体に反転させ、図３の（Ｃ）
に示すように、上記テ―プ１Ａに対して、剥離用粘着テ
―プ６Ａをゴム製弾性ロ―ラなどを用いて貼り付けたう
えで、この剥離用粘着テ―プ６Ａを引き上げる、剥離操
作を施すと、半導体ウエハ３の表面３ａ側に付着した異
物４は上記テ―プ１Ａの粘着剤層１２面に吸着されて、
半導体ウエハ３より除去される。この際、半導体ウエハ
３のウエハ固定台２への接触面は、異物４が既に除去さ
れて清浄な面とされた裏面３ｂ側であり、したがつて、
上記の接触によつて半導体ウエハ３の損傷といつた問題
などはとくに生じない。

【００２３】なお、上記の剥離操作に際し、粘着テ―プ
１Ａ，１Ｂが活性エネルギ−源で硬化するタイプのもの
であるときは、剥離操作前に、紫外線、電子線などの活
性エネルギ−源を供給して硬化させ、粘着力を既述の如
く低下させるのがよく、これによると剥離操作が非常に
スム―スとなる。また、この活性エネルギ−源の供給
を、表裏両面に貼り付けた粘着テ―プ１Ａ，１Ｂの前記
カツトの前に行うようにすると、カツト自体も容易とな
り、より好ましいものである。

【００２４】また、上記の剥離操作では、剥離用粘着テ
―プ６（６Ａ，６Ｂ）を用いて、粘着テ―プ１Ａ，１Ｂ
の剥離操作を容易にしたものであるが、この剥離用粘着
テ―プ６の構成としては、支持フイルムと粘着剤層とか
らなり、これらの材質および厚さは、粘着力が粘着テ―
プ１Ａ，１Ｂの粘着力より大きい、通常ＪＩＳ Ｚ−０
２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力
（常温、被着体：ＳＵＳ３０４ＢＡ板、剥離速度３００
mm／分）で１，０００ｇ以上／２０mm幅、好適には１，
２００〜１，５００ｇ／２０mm幅となる以外は、粘着テ
―プ１Ａ，１Ｂと同じである。なお、粘着テ―プ１Ａ，
１Ｂの粘着剤構成などにより、このテ―プだけで剥離操
作を容易に行える場合は、剥離用粘着テ―プ６（６Ａ，
６Ｂ）の使用を省いてもよい。

【００２５】このように、本発明では、粘着テ―プ１
（１Ａ，１Ｂ）の貼り付け操作を、半導体ウエハ３の表
裏面に対し連続して行い、かつ半導体ウエハ３の周辺部
において互いに粘着する両テ―プ１Ａ，１Ｂをカツトし
て分離したのち、その剥離操作を裏面側から順次連続し
て行うものであるため、表裏面の一方の面に貼り付けお
よび剥離操作を行い、その後に他方の面に同じ操作を繰
り返し行つていた方法に比べて、異物除去操作の簡略化
を図れ、しかも除去操作時に回路パタ―ン形成面の損傷
や汚染をきたさないという効果も得られる。

【００２６】この方法により、半導体ウエハに付着した
異物は、高い除去率（通常０．２μｍ以上の大きさの異
物が７０％以上となる高い除去率）で除去され、その結
果、回路形成時の回路の断線やシヨ―ト、露光不良発生
が低減し、半導体デバイスの歩留りや信頼性が向上す
る。また、地球環境保全の立場から、従来のウエツト洗
浄やドライ洗浄のような純水、薬品、空気、電力などを
大量に消費する洗浄方式を、上記方式に置き換えること
で、地球環境保全にも寄与できる。

【００２７】

【発明の効果】本発明の異物の除去方法によれば、異物
除去操作の簡略化を図れるとともに、半導体ウエハの一
方の面の除去処理時に他方の面の汚染や回路パタ―ン形
成面の損傷といつた問題を生じることなく、半導体ウエ
ハに付着した異物を高い除去率で除去できるから、半導
体デバイスの歩留りや信頼性の向上に大きく寄与させる
ことができる。また、従来の他の洗浄方式などに比べ
て、既述のように、地球環境保全の面での寄与効果も得
られる。

【００２８】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。

【００２９】実施例１ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液を塗布し、１２０℃で３
分間加熱架橋処理して、厚さ４０μｍの粘着剤層を有す
る粘着テ―プＸ₁ を作製した。この粘着テ―プＸ₁ のシ
リコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力は、ＪＩＳ
Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘
着力（常温、剥離速度３００mm／分）で２５０ｇ／２０
mm幅であつた。また、上記同様にして、厚さ２０μｍの
粘着剤層を有し、同粘着力が１９０ｇ／２０mm幅である
粘着テ―プＸ₂ を作製した。さらに、これらの粘着テ―
プＸ₁ ，Ｘ₂ とは別に、ゴム系粘着剤の溶液を用い、塗
布後の加熱処理を１５０℃で３分間とした以外は、上記
同様にして、厚さ３０μｍの粘着剤層を有し、同粘着力
（ただし、被着体：ＳＵＳ３０４ＢＡ板）が１，２００
ｇ／２０mm幅である剥離用粘着テ―プＹ₁ を作製した。

【００３０】つぎに、０．２μｍ以上の大きさの異物が
０個である５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのな
い両面ミラ―ウエハ）を所定の工程（イオン打ち込み処
理工程）に通して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装
置〔日立電子エンジニアリング（株）製のＬＳ−５００
０〕を用いて、シリコンウエハの表裏両面に付着した
０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウントした。

【００３１】このように異物を付着させたシリコンウエ
ハの表面側に、図３の（Ａ）に示す要領で、前記の方法
で作製した粘着テ―プＸ₁ を、ハンドロ―ラ（ゴム製弾
性ロ―ラ）を用いて貼り付けたのち、これをウエハ固定
台上で反転させて、上記ウエハの裏面側に、前記の方法
で作製した粘着テ―プＸ₂ を、上記同様のハンドロ―ラ
を用いて貼り付けて、３分間放置した。しかるのち、シ
リコンウエハの周辺部において互いに粘着した上記２枚
のテ―プをカツタ―刃により同時にカツトし、両粘着テ
―プＸ₁ ，Ｘ₂ を分離した。

【００３２】その後、図３の（Ｂ）に示す要領で、裏面
側の粘着テ―プＸ₂ に、前記の方法で作製した剥離用粘
着テ―プＹ₁ を、前記同様のハンドロ―ラにより貼り付
け、このテ―プＹ₁ を引き剥がすことで上記粘着テ―プ
Ｘ₂ を剥離したのち、これをウエハ固定台上で反転させ
て、再び、図３の（Ｃ）に示す要領で、表面側の粘着テ
―プＸ₁ に、上記同様の剥離用粘着テ―プＹ₁ を、前記
同様のハンドロ―ラにより貼り付け、このテ―プＹ₁ を
引き剥がすことで上記粘着テ―プＸ₁ を剥離して、シリ
コンウエハの表裏両面に付着した異物を洗浄除去した。

【００３３】このようにシリコンウエハの表裏両面の異
物を洗浄除去したのち、再びレ―ザ―表面検査装置を用
いて、０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウントし
た。この洗浄後の異物数と、前記洗浄前の異物数とか
ら、異物除去率を算出した。なお、一連の作業は、クラ
ス１０のクリ―ンル―ム内（温度２３℃、湿度６０％）
で行つた。結果は、後記の表１に示されるとおりであつ
た。

【００３４】実施例２ 粘着剤として、アクリル系紫外線硬化型粘着剤を用いた
ほかは、実施例１に準じて、厚さ４０μｍの粘着剤層を
有し、シリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力がＪ
ＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度引き剥
がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）で１，４８
０ｇ／２０mm幅で、紫外線（波長３６５ｎｍ、１，００
０ｍｊ／ｃｍ² ）照射後の同粘着力が２５ｇ／２０mm幅
である粘着テ―プＸ₃ を作製した。また、上記同様にし
て、厚さ２０μｍの粘着剤層を有し、上記同様の粘着力
が１，１５０ｇ／２０mm幅で、紫外線照射後の同粘着力
が１３ｇ／２０mm幅となる粘着テ―プＸ₄ を作製した。

【００３５】これらの粘着テ―プを用いて、実施例１に
準じてシリコンウエハの表面および裏面に粘着テ―プＸ
₃ ，Ｘ₄ を貼り付けるとともに、ウエハ周辺部において
粘着する両粘着テ―プＸ₃ ，Ｘ₄ をカツトして分離した
のち、剥離用粘着テ―プＹ₁を用いて、実施例１と同様
にし裏面側の粘着テ―プＸ₄ から順次剥離操作して、シ
リコンウエハの両面に付着した異物を洗浄除去した。た
だし、剥離操作前（粘着テ―プＸ₃ ，Ｘ₄ のカツト前）
に、紫外線（波長３６５ｎｍ、１，０００ｍｊ／ｃ
ｍ² ）を照射した。洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数
とから、異物除去率を算出した結果は、後記の表１に示
されるとおりであつた。

【００３６】比較例１ 異物洗浄試験として、実施例１と同様の操作により表裏
両面に異物を付着させたシリコンウエハを、超純水洗浄
装置（現行ウエツト洗浄方法）を用いて、所定の条件に
て洗浄した。乾燥後、レ―ザ―表面検査装置を用いて、
シリコンウエハの表裏両面に付着している０．２μｍ以
上の大きさの異物の数をカウントした。この洗浄後の異
物数と、洗浄前に上記同様の装置によりカウントした
０．２μｍ以上の大きさの異物の数とから、異物除去率
を算出した。この試験結果は、後記の表１に示されると
おりであつた。

【００３７】比較例２ 洗浄方法をＵＶオゾン洗浄（現行ドライ洗浄）に代えた
ほかは、比較例１に準じて異物洗浄試験を行い、異物除
去率を算出した。この試験結果は、後記の表１に示され
るとおりであつた。

【００３８】

【表１】

【００３９】上記の表１の結果から、本発明の実施例
１，２の除去方法によれば、シリコンウエハの表裏両面
に粘着テ―プを貼り付けおよびカツトしたのち、裏面側
から順次剥離操作するという簡単な手法により、シリコ
ンウエハの表裏面に付着した異物を７０％以上という高
い除去率で除去できることが明らかである。

【００４０】また、上記の実施例１，２および比較例１
で示した除去方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計してみた結果、実施例１および実施例２の方法では、
比較例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１２％お
よび１４％高くなることがわかつた。ここで、上記実施
例１，２の方法では、粘着テ―プによる異物の除去時
に、半導体ウエハの回路パタ―ン形成面を損傷するおそ
れがほとんどなく、これが上記高い歩留りを示すひとつ
の原因となつているものと思われる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異物の除去方法の一例を示す断面図で
あり、（Ａ）は表裏両面への貼り付けおよびカツト工
程、（Ｂ）は裏面側の剥離工程、（Ｃ）は表面側の剥離
工程を示したものである。

【符号の説明】

１（１Ａ，１Ｂ） 粘着テ―プ １１ 支持フイルム １２ 粘着剤層 ２ ウエハ固定台 ３ 半導体ウエハ ３ａ 半導体ウエハの表面 ３ｂ 半導体ウエハの裏面 ４ 半導体ウエハに付着した異物 ５ カツタ―刃 ６（６Ａ，６Ｂ） 剥離用粘着テ―プ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの表裏両面に、支持フイル
   ム上に粘着剤層を設けてなる粘着テ―プを貼り付け、半
   導体ウエハの周辺に沿つて表裏両面の粘着テ―プを同時
   にカツトしたのち、裏面側から順次剥離操作して、半導
   体ウエハの表裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着さ
   せて半導体ウエハから除去することを特徴とする半導体
   ウエハに付着した異物の除去方法。
2. 【請求項２】 粘着テ―プの剥離操作を剥離用粘着テ―
   プを用いて行う請求項１に記載の半導体ウエハに付着し
   た異物の除去方法。