JPH0888206A - 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プを用いたドライ洗浄方式におい
て、糊残りによるウエハ表面の汚染の問題をきたすこと
なく、半導体ウエハに付着した異物を高い除去率で除去
することを目的とする。 【構成】 異物除去用粘着テ―プ１として、支持フイル
ム１１上に粘着剤層１２を設けてなり、この粘着剤層１
２が非イオン界面活性剤を含むゲル分率が５０％以上の
水エマルジヨン型粘着剤からなるものを使用し、この粘
着テ―プ１を半導体ウエハの表面および／または裏面に
貼り付けたのち、剥離操作して、半導体ウエハの表面お
よび／または裏面に付着する異物を粘着剤層１２面に吸
着させて半導体ウエハから除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去用粘着テ―プと除去方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。

【０００３】このため、ＬＳＩの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。

【０００４】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄（超純
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
₂ プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。

【０００５】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。

【０００６】別の試みとして、特開昭４８−３５７７１
号公報、特開昭５３−９２６６５号公報、特開平１−１
３５５７４号公報などには、粘着テ―プを用い、半導体
ウエハの表面に付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面
に吸着させて除去する方法が提案されている。この方法
は、一種のドライ洗浄といえるので、ウエツト洗浄にお
ける異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回
避することができ、しかもＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマな
どの他のドライ洗浄に比べ、異物の除去能力をより高め
られるものと期待されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
方法では、粘着テ―プを貼り付け剥離操作したのちに、
半導体ウエハ上に糊残りを生じやすく、これが新たな汚
染源となることから、ウエハの洗浄という所期の目的を
十分に果たせない問題があつた。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、ウエツ
ト洗浄方式に比べて有用な粘着テ―プを用いたドライ洗
浄方式において、特定の粘着テ―プを用いることによ
り、剥離操作後の糊残りを少なくし、半導体ウエハに付
着した異物を高い除去率で吸着除去する一方、上記糊残
りがかりに生じたとしてもこれを水洗によつて簡単に洗
浄除去することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、鋭意検討した結果、粘着テ―プとして、非
イオン界面活性剤を含む水エマルジヨン型粘着剤より作
製した特定のゲル分率を有するものを用いたときには、
糊残りによるウエハ表面の汚染の問題が回避され、半導
体ウエハに付着した異物を高い除去率で除去でき、また
上記糊残りが生じてもこれを半導体製造プロセスにおけ
る水洗工程で簡単に洗浄除去できることを見い出し、本
発明を完成するに至つた。

【００１０】すなわち、本発明は、第一に、上記特定の
粘着テ―プとして、支持フイルム上に粘着剤層を設けて
なり、この粘着剤層が、非イオン界面活性剤を含むゲル
分率が５０％以上の水エマルジヨン型粘着剤からなるこ
とを特徴とする半導体ウエハに付着した異物の除去用粘
着テ―プを提供するものである。

【００１１】また、第二に、半導体ウエハの表面および
／または裏面に、上記特定の粘着テ―プを貼り付けたの
ち、剥離操作して、半導体ウエハの表面および／または
裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着させて半導体ウ
エハから除去することを特徴とする半導体ウエハに付着
した異物の除去方法を提供するものである。

【００１２】

【発明の構成・作用】図１は、本発明の異物除去用粘着
テ―プの一例を示したものである。１は粘着テ―プで、
支持フイルム１１上に粘着剤層１２を設け、この上にセ
パレ―タ１３を重ね合わせた構成となつている。

【００１３】支持フイルム１１は、たとえば、ポリエス
テル、ポリカ―ボネ―ト、ポリ塩化ビニル、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレ―ト共
重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プ
ロピレン共重合体などのプラスチツクからなる厚さが通
常１０〜１，０００μｍのフイルムである。

【００１４】粘着剤層１２は、非イオン界面活性剤を含
む水エマルジヨン型粘着剤を用いて形成される、常態下
で粘着力、つまり感圧接着性を有するものであつて、ゲ
ル分率が５０％以上、好ましくは５５〜９５％とされた
ものである。ゲル分率は、粘着剤層１２を支持フイルム
１１上から剥ぎ取つて、トルエン（２０℃）中に２４時
間浸漬し、浸漬前後の重量変化から算出される値であ
る。なお、粘着力としては、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準
じて測定される、シリコンウエハ（ミラ―面）に対する
１８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／
分）で、通常５００ｇ以下／２０mm幅であるのがよい。
これより大きくなると、剥離が重くなり、また剥離操作
時に半導体ウエハに損傷を与えやすい。

【００１５】このような粘着剤層１２によると、ゲル分
率が５０％以上であることにより、半導体ウエハに付着
した異物の吸着固定力が大きくなり、異物除去効果が飛
躍的に向上し、同時に剥離操作に際してのウエハ表面へ
の糊残りが少なくなつて、上記ウエハの汚染が大幅に回
避される。また、かりに上記糊残りが生じても、これが
水エマルジヨン型粘着剤からなる非イオン界面活性剤を
含むものであるため、この非イオン界面活性剤の働きに
より、半導体製造プロセスにおけるその後の水洗工程で
簡単に洗浄除去できる。したがつて、上記糊残りが半導
体製造の歩留り、信頼性に悪影響を及ぼすおそれはとく
にない。

【００１６】この粘着剤層１２は、非イオン界面活性剤
を含む水エマルジヨン型粘着剤を、支持フイルム１１上
に塗着したのち、加熱などにより架橋処理するか、ある
いは離型紙上に上記と同じ方法で形成した粘着剤層を支
持フイルム１１上に貼着することにより、形成すること
ができる。その際、架橋処理の条件などを適宜選択する
ことにより、そのゲル分率やさらに粘着力を前記範囲に
容易に設定できる。このように形成される粘着剤層１２
の厚さとしては、とくに限定されないが、通常は５〜１
００μｍであるのがよい。

【００１７】非イオン界面活性剤としては、たとえば、
ポリオキシエチレンラウリルエ―テル、ポリオキシエチ
レンステアリルエ―テルなどのエ―テル型非イオン界面
活性剤、ポリオキシエチレンノニルフエニルエ―テル、
ポリオキシエチレンオクチルフエニルエ―テルなどのア
ルキルフエノ―ル型非イオン界面活性剤、ポリオキシエ
チレンモノラウレ―ト、ポリオキシエチレンモノステア
レ―トなどのエステル型非イオン界面活性剤、ソルビタ
ンモノラウレ―ト、ソルビタンモノステアレ―トなどの
ソルビタンエステル型非イオン界面活性剤、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノラウレ―ト、ポリオキシエチレ
ンソルビタンモノステアレ―トなどのソルビタンエステ
ルエ―テル型非イオン界面活性剤などが挙げられる。使
用量は、水エマルジヨン型粘着剤のベ―スポリマ―１０
０重量部あたり、通常、０．０１〜１０重量部、好まし
くは０．５〜３重量部であるのがよい。

【００１８】このような非イオン界面活性剤を含む水エ
マルジヨン型粘着剤は、アクリル系ポリマ―をベ―スポ
リマ―としたものがとくに好ましい。この理由は、ゲル
分率や粘着力の調整が容易であるとともに、天然ゴムや
合成ゴムなどの他のポリマ―を主成分とした粘着剤に比
べて、イオン性不純物が少ないため、これを半導体ウエ
ハに適用しても、不純物によるアルミ配線などの腐食の
問題をきたさないといつた利点があるためである。

【００１９】このアクリル系ポリマ―を主成分とした水
エマルジヨン型粘着剤は、一般に、（メタ）アクリル酸
アルキルエステルを主モノマ―とし、これに架橋性官能
基を有する共重合性モノマ―と、さらに必要によりその
他の改質用モノマ―を加えたモノマ―混合物を、乳化剤
として前記の非イオン界面活性剤を用いて、常法により
乳化重合させることにより、調製できる。このように調
製される水エマルジヨン型粘着剤において、生成するア
クリル系ポリマ―は、低分子量物の含有量が少ないもの
であるのがよく、その数平均分子量が４０万以上、とく
に４０万〜３００万の範囲にあるものが望ましい。

【００２０】また、このアクリル系の水エマルジヨン型
粘着剤において、ゲル分率や粘着力を前記範囲に設定す
るために、粘着剤層の形成時に適宜の架橋処理が施され
る。このような架橋処理を施すため、乳化重合後のエマ
ルジヨンに、架橋剤としてポリイソシアネ―ト化合物、
エポキシ系化合物、メラミン系化合物、過酸化物などを
配合しておくのがよい。また、互いに反応する２種の架
橋性官能基を有する共重合性モノマ―を用いたアクリル
系の水エマルジヨン型粘着剤では、粘着剤層の形成時に
加熱するだけで架橋処理を施すこともできる。この場
合、必要であれば触媒を添加して架橋反応を促進させて
もよい。

【００２１】このようなアクリル系の水エマルジヨン型
粘着剤の調製にあたり、主モノマ―である（メタ）アク
リル酸アルキルエステルとしては、たとえば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソデシル基、
イソアミル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、イ
ソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル
基などの炭素数が３０以下、とくに１４以下のアルキル
基を有するアクリル酸やメタクリル酸のアルキルエステ
ルが用いられる。

【００２２】架橋性官能基を有する共重合性モノマ―と
しては、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、
イタコン酸などのカルボキシル基含有モノマ―、アクリ
ル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキ
シエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、メタク
リル酸２−ヒドロキシプロピル、Ｎ−メチロ―ルアクリ
ルアミドなどのヒドロキシ基含有モノマ―、アクリルア
ミド、メタクリルアミドなどのアミド基含有モノマ―、
アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジルなどの
エポキシ基含有モノマ―、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチ
ルアクリレ―トなどのアミノ基含有モノマ―などが挙げ
られる。これらのモノマ―は、粘着剤のゲル分率や粘着
力を調整するために用いられるものであり、一般には、
主モノマ―である（メタ）アクリル酸アルキルエステル
１００重量部に対して、０．１〜３０重量部、好ましく
は２〜１０重量部の割合で用いられる。

【００２３】必要により用いられるその他の改質用モノ
マ―としては、たとえば、酢酸ビニル、スチレン、Ｎ−
ビニルピロリドン、アクリロニトリル、メタクリロニト
リルなどの、いわゆるアクリル系粘着剤に通常用いられ
るものがすべて使用できる。これらの改質用モノマ―の
使用量は、主モノマ―である（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルとの合計量中、通常５０重量％以下であるの
がよい。

【００２４】セパレ―タ１３は、粘着テ―プ１の保管時
や流通時などでの汚染防止の点から、半導体ウエハに貼
り付けるまでの間、粘着剤層１２の表面を保護するため
のもので、上記貼り付け使用時に剥離除去される。この
セパレ―タ１３は、通常、紙（無塵紙）、プラスチツク
フイルム、金属箔などからなる柔軟な薄葉体で、必要に
より剥離剤で表面処理して離型性を付与したものが用い
られる。

【００２５】本発明においては、上記構成の粘着テ―プ
を用いて、半導体ウエハに付着した異物を除去するが、
この方法は、まず、半導体ウエハの表面および／または
裏面の全面に粘着テ―プを貼り付けて、粘着剤層面を上
記ウエハ上の異物に対し十分に馴染ませる。これは、た
とえば、粘着テ―プをウエハ上にハンドロ―ラにより押
圧したのち、数分程度放置するといつた方法で行えばよ
い。

【００２６】このように貼り付けたのち、粘着テ―プの
端部より引き剥がす、剥離操作を施すと、半導体ウエハ
上の異物は粘着剤層面に強く吸着固定されて、上記ウエ
ハから効果的に除去される。その際、糊残りによる半導
体ウエハ表面の汚染といつた問題はほとんど生じない。
かりに多少糊残りしたとしても、半導体製造プロセスの
以後の工程において簡単に水洗除去できる。

【００２７】このようにして半導体ウエハ上の異物を高
い除去率（通常０．２μｍ以上の大きさの異物を７０％
以上の除去率）で除去できる結果、回路形成時の回路の
断線やシヨ―ト、露光不良発生が低減し、半導体デバイ
スの歩留りや信頼性が向上する。また、地球環境保全の
立場から、従来のウエツト洗浄やドライ洗浄のような純
水、薬品、空気、電力などを大量に消費する洗浄方式
を、本発明の方式に置き換えることで、地球環境保全に
寄与させることもできる。

【００２８】

【発明の効果】以上のように、本発明の異物除去用粘着
テ―プとその除去方法によれば、糊残りによる半導体ウ
エハの汚染の問題を生じることなく、半導体ウエハに付
着した異物を高い除去率で除去できる効果があり、また
従来の他の洗浄方式などに比べて、地球環境保全の面で
の寄与効果も得られる。

【００２９】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお以下、部とあるのは重量部を意味
するものとする。

【００３０】実施例１ イオン交換水２００部に、非イオン界面活性剤としてポ
リオキシエチレンノニルフエニルエ―テル１部を加え、
これにさらに、アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリロ
ニトリル１０部、アクリル酸５部、アクリル酸２−ヒド
ロキシエチル５部、アクリル酸グリシジル５部、重合開
始剤として過酸化硫酸アンモニウム０．２部を加え、８
０℃に昇温し、撹拌しながら乳化重合させることによ
り、数平均分子量９７万のアクリル系ポリマ―と上記の
非イオン界面活性剤を含むアクリル系の水エマルジヨン
型粘着剤を調製した。

【００３１】厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルム
のコロナ処理面に、上記の水エマルジヨン型粘着剤を塗
布し、１２０℃で１０分間加熱架橋処理して、厚さ２０
μｍの粘着剤層を有する粘着テ―プを作製した。この粘
着テ―プの粘着剤層のゲル分率は６０％、シリコンウエ
ハ（ミラ―面）に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３
７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力（常
温、剥離速度３００mm／分）で１５０ｇ／２０mm幅であ
つた。

【００３２】つぎに、０．２μｍ以上の大きさの異物が
０個である５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのな
いミラ―ウエハ）を所定の工程（イオン打ち込み処理工
程）に通して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装置
〔日立電子エンジニアリング（株）製のＬＳ−５００
０；シリコンウエハのミラ―面のみ異物数をカウントす
ることができる装置〕を用い、ミラ―面に付着した０．
２μｍ以上の大きさの異物の数をカウントした。なお、
ウエハの表裏に付着する異物をカウントするため、ミラ
―面を表裏逆にした２通りの場合について同様の検査を
行つた。

【００３３】異物洗浄試験として、上記のように異物を
付着させたシリコンウエハのミラ―面に、前記の方法で
作製した粘着テ―プを、ハンドロ―ラを用いて貼り付
け、３分間放置したのち、粘着テ―プを剥離操作して、
洗浄した。この洗浄後、再びレ―ザ―表面検査装置を用
いて、ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさ
の異物の数をカウントした。この貼り付けおよび剥離操
作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とから、異
物除去率を算出した。

【００３４】これとは別に、粘着剤による汚染試験とし
て、０．２μｍ以上の大きさの異物が０個である５イン
チシリコンウエハ（回路パタ―ンのないミラ―ウエハ）
のミラ―面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、ハ
ンドロ―ラを用いて貼り付け、３分間放置したのち、粘
着テ―プを剥離操作した。この操作後、レ―ザ―表面検
査装置を用いて、ミラ―面に付着している０．２μｍ以
上の大きさの異物の数をカウントし、粘着剤の付着によ
る汚染状況を調べた。

【００３５】なお、上記の異物洗浄試験（異物除去率の
測定）および粘着剤汚染試験（付着異物数の測定）に際
し、一連の作業は、クラス１０のクリ―ンル―ム内（温
度２３℃、湿度６０％）で行つた。これらの試験結果
は、後記の表１（ウエハ表面）および表２（ウエハ裏
面）に示されるとおりであつた。

【００３６】実施例２ 非イオン界面活性剤として、ポリオキシエチレンノニル
フエニルエ―テル１部に代えて、ポリオキシエチレンラ
ウリルエ―テルを１部用いた以外は、実施例１と同様に
して、数平均分子量９４万のアクリル系ポリマ―と上記
の非イオン界面活性剤を含むアクリル系の水エマルジヨ
ン型粘着剤を調製し、これより実施例１と同様にして粘
着テ―プを作製した。この粘着テ―プの粘着剤層のゲル
分率は６６％、シリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘
着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８
０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）
で１３０ｇ／２０mm幅であつた。

【００３７】つぎに、この粘着テ―プを用いて、実施例
１と同様にして、異物洗浄試験（異物除去率の測定）お
よび粘着剤汚染試験（付着異物数の測定）を行つた。こ
れらの試験結果は、後記の表１および表２に示されると
おりであつた。

【００３８】比較例１ アクリル酸ｎ−ブチル８０部とアクリロニトリル１５部
とアクリル酸５部を、酢酸エチル中で常法により共重合
させることにより、数平均分子量９０万のアクリル系ポ
リマ―を含むポリマ―溶液を得、このポリマ―溶液に、
アクリル系ポリマ―１００部に対して、架橋剤としてポ
リイソシアネ―ト化合物５部を加えて、アクリル系の粘
着剤溶液を調製した。

【００３９】厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルム
のコロナ処理面に、上記のアクリル系の粘着剤溶液を塗
布し、１２０℃で１０分間加熱架橋処理して、厚さ２０
μｍの粘着剤層を有する粘着テ―プを作製した。この粘
着テ―プの粘着剤層のゲル分率は６２％、シリコンウエ
ハ（ミラ―面）に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３
７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力（常
温、剥離速度３００mm／分）で１６０ｇ／２０mm幅であ
つた。

【００４０】つぎに、この粘着テ―プを用いて、実施例
１と同様にして、異物洗浄試験（異物除去率の測定）お
よび粘着剤汚染試験（付着異物数の測定）を行つた。こ
れらの試験結果は、後記の表１および表２に示されると
おりであつた。

【００４１】比較例２ アクリル酸グリシジルの使用量を、５部から２部に変更
した以外は、実施例１と同様にして、粘着テ―プを作製
した。この粘着テ―プの粘着剤層のゲル分率は４３％、
シリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘着力は、ＪＩＳ
Ｚ−０２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし
粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）で２８５ｇ／２
０mm幅であつた。

【００４２】つぎに、この粘着テ―プを用いて、実施例
１と同様にして、異物洗浄試験（異物除去率の測定）お
よび粘着剤汚染試験（付着異物数の測定）を行つた。こ
れらの試験結果は、後記の表１および表２に示されると
おりであつた。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【表２】

【００４５】上記の表１，表２の結果から、本発明の実
施例１，２の粘着テ―プでは、比較例１の粘着テ―プと
同様に、シリコンウエハの表面や裏面に付着した異物
を、ウエハの汚染をきたすことなく、７０％以上の高い
除去率で除去できることがわかる。これに対し、比較例
２の粘着テ―プでは、ゲル分率の低さからくる粘着剤層
の凝集力の不足により、粘着剤成分がウエハ表面に転写
して、異物除去率がマイナス値となる、つまり付着異物
が逆に増加してくることがわかる。

【００４６】つぎに、上記の実施例１，２と比較例１で
示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に適
用して、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計してみた結果、本発明の実施例１，２の方法では、比
較例１の方法と比較して、歩留りが約５％高くなること
がわかつた。

【００４７】これは、ウエハの水洗浄を一部取り入れた
製造工程に適用したことによるもので、半導体ウエハに
移行した粘着剤成分が実施例１，２では水洗により十分
に落とせたのに対し、比較例１では簡単に落とせなかつ
たためである。ちなみに、ウエハの水洗浄を取り入れて
いない製造工程に適用した場合、実施例１，２と比較例
１とは、半導体デバイスの歩留りにおいて同等レベルで
あつた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異物除去用粘着テ―プの一例を示す断
面図である。

【符号の説明】

１ 粘着テ―プ １１ 支持フイルム １２ 粘着剤層 １３ セパレ―タ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持フイルム上に粘着剤層を設けてな
   り、この粘着剤層が、非イオン界面活性剤を含むゲル分
   率が５０％以上の水エマルジヨン型粘着剤からなること
   を特徴とする半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着
   テ―プ。
2. 【請求項２】 半導体ウエハの表面および／または裏面
   に、請求項１に記載の粘着テ―プを貼り付けたのち、剥
   離操作して、半導体ウエハの表面および／または裏面に
   付着する異物を粘着剤層面に吸着させて半導体ウエハか
   ら除去することを特徴とする半導体ウエハに付着した異
   物の除去方法。