JPH08115896A - 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 - Google Patents

半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法

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JPH08115896A
JPH08115896A JP27600694A JP27600694A JPH08115896A JP H08115896 A JPH08115896 A JP H08115896A JP 27600694 A JP27600694 A JP 27600694A JP 27600694 A JP27600694 A JP 27600694A JP H08115896 A JPH08115896 A JP H08115896A
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adhesive tape
foreign matter
film
semiconductor wafer
adhesive
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JP27600694A
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Yasu Chikada
縁 近田
Kazuyuki Miki
和幸 三木
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Nitto Denko Corp
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Nitto Denko Corp
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    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プを用いたドライ洗浄方式におい
て、ウエハ上の異物の除去効率を高めるとともに、糊残
りによるウエハ汚染の問題を回避する。 【構成】 異物除去用粘着テ―プ1として、引張弾性率
(試験法JIS K 7127に準ずる)が5,000Kg/cm2
下のポリオレフイン系樹脂フイルムからなる支持フイル
ム11上に粘着剤層12を設けてなるものを使用し、こ
の粘着テ―プ1を半導体ウエハ2の表面2aおよび/ま
たは裏面2bに貼り付けたのち、剥離操作して、半導体
ウエハ2の表面2aおよび/または裏面2bに付着する
異物3を粘着剤層12面に吸着させて半導体ウエハ2か
ら除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去用粘着テ―プと除去方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物(パ―テイクル)が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面(回路パタ―ン形成
面)に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面(回路パ
タ―ン面の反対面)に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。
【0003】このため、LSIの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約3
0%を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のLSIの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。
【0004】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄(超純
水、薬液などによる)と、ドライ洗浄(UVオゾン、O
2 プラズマなど)があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。
【0005】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化(UVオゾン、O2 プラズマな
ど)が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。
【0006】別の試みとして、特開昭48−35771
号公報、特開昭53−92665号公報、特開平1−1
35574号公報などには、粘着テ―プを用い、半導体
ウエハの表面に付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面
に吸着させて除去する方法が提案されている。この方法
は、一種のドライ洗浄といえるので、ウエツト洗浄にお
ける異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回
避することができ、しかもUVオゾン、O2 プラズマな
どの他のドライ洗浄に比べ、異物の除去能力をより高め
られるものと期待されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
方法では、粘着テ―プの粘着剤層面と半導体ウエハ上の
異物との馴染みが悪いためか、異物の除去効率が期待し
たほどに上がらず、逆に糊残りによるウエハの汚染とい
う新たな問題を生じやすかつた。
【0008】本発明は、このような事情に鑑み、ウエツ
ト洗浄方式に比べて有用な粘着テ―プを用いたドライ洗
浄方式において、特定の粘着テ―プを用いることによつ
て、ウエハ上の異物の除去効率を高めるとともに、糊残
りによるウエハの汚染という問題を回避することを目的
としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、鋭意検討した結果、粘着テ―プとして、粘
着剤層を支持する支持フイルムが特定の樹脂フイルムか
らなるものを用いることにより、半導体ウエハ上の異物
を効率よく除去でき、また糊残りによるウエハの汚染の
問題を回避できることを見い出し、本発明を完成するに
至つた。
【0010】すなわち、本発明は、第一に、上記特定の
粘着テ―プとして、引張弾性率(試験法JIS K 7127に準
ずる)が5,000Kg/cm2 以下のポリオレフイン系樹
脂フイルムからなる支持フイルム上に粘着剤層を設けて
なる半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プを
提供するものである。またとくに、上記弾性率が500
Kg/cm2 以下であるときは、この支持フイルムの背面側
に補強フイルムを設けてなる上記除去用粘着テ―プを提
供するものである。
【0011】また、第二に、半導体ウエハの表面および
/または裏面に、上記構成の粘着テ―プを貼り付けたの
ち、剥離操作して、半導体ウエハの表面および/または
裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着させて半導体ウ
エハから除去することを特徴とする半導体ウエハに付着
した異物の除去方法を提供するものである。
【0012】
【発明の構成・作用】図1は、本発明の異物除去用粘着
テ―プの一例を示したものである。1は粘着テ―プで、
支持フイルム11上に粘着剤層12を設け、この粘着剤
層12上にさらにセパレ―タ13を設けた構成となつて
いる。
【0013】支持フイルム11は、軟質ポリプロピレ
ン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エ
チレン−エチルアクリレ―ト共重合体、エチレン−プロ
ピレン共重合体などのポリオレフイン系樹脂フイルムか
らなる、厚さが通常10〜1,000μmの樹脂フイル
ムである。また、この支持フイルム11は、引張弾性率
(試験法JIS K 7127に準ずる、以下同じ)が5,000
Kg/cm2 以下、好ましくは200〜3,000Kg/cm2
の範囲に設定されている。ポリオレフイン系樹脂には、
物性値において広範囲のグレ―ド、品種が存在するた
め、引張弾性率を上記の如く設定することは容易であ
る。
【0014】粘着剤層12は、この支持フイルム11上
に、アクリル樹脂系、シリコ―ン樹脂系、フツ素樹脂
系、ゴム系などの常態下で粘着力を有する種々の粘着剤
を塗着し、加熱などにより架橋処理することにより、ま
た離型紙上に上記と同じ方法で形成した粘着剤層を支持
フイルム11上に貼着することにより、形成される。厚
さは、適宜に決定してよいが、通常は5〜100μmで
ある。粘着力は、剥離操作可能な粘着力として、JIS
Z−0237に準じて測定されるシリコンウエハに対
する180度引き剥がし粘着力(常温、剥離速度300
mm/分)が、通常50〜500g/20mm幅であるのが
よい。
【0015】セパレ―タ13は、粘着テ―プ1の保管時
や流通時などでの汚染防止の点から、半導体ウエハに貼
り付けるまでの間、粘着剤層12の表面を保護するため
のもので、上記貼り付け使用時に剥離除去される。この
セパレ―タ13は、通常、紙(無塵紙)、プラスチツク
フイルム、金属箔などからなる柔軟な薄葉体で、必要に
より剥離剤で表面処理して離型性を付与したものが用い
られる。
【0016】本発明においては、上記構成の粘着テ―プ
を用いて、半導体ウエハに付着した異物を除去する。こ
の方法は、まず、図3に示すように、粘着テ―プ1をそ
の粘着剤層12面が内側となるように半導体ウエハ2の
表面2aおよび/または裏面2bの全面に貼り付ける。
これは、たとえば、ハンドロ―ラにて押圧したのち、数
分程度放置するといつた方法で行えばよい。
【0017】粘着テ―プ1は、支持フイルム11が引張
弾性率5,000Kg/cm2 以下の塑性変形しやすいポリ
オレフイン系樹脂フイルムからなり、テ―プ自体のクツ
シヨン性や粗面吸収性などにすぐれるため、上記ハンド
ロ―ラによる押圧で粘着剤層12を半導体ウエハ2の異
物3に対し十分に馴染ませることができる。この貼り付
け後、図3に示すように、粘着テ―プ1の端部より引き
剥がす、剥離操作を施すと、半導体ウエハ2上の付着異
物3は粘着剤層12面に吸着されて、上記ウエハ2より
除去される。一般には、0.2μm以上の大きさの異物
を50%以上、好ましくは70%以上除去できるほどの
高い除去率が得られる。
【0018】このように、本発明では、支持フイルム1
1の引張弾性率を上記特定の値に設定したことにより、
貼り付け時の粘着剤層12と異物3との馴染みが良くな
り、剥離操作後の異物除去率が高められる。また、支持
フイルム11を軟質ポリ塩化ビニル樹脂などの他の樹脂
フイルムで構成したときには、フイルム中に含まれる可
塑剤などが粘着剤層中に移行して、粘着特性を悪化さ
せ、これが糊残りの原因となつて、ウエハ汚染の問題を
生じやすいが、本発明では、支持フイルム11を可塑剤
などを含まないポリオレフイン系樹脂フイルムで構成し
ているため、上記のような問題を生じるおそれは少な
い。
【0019】このような貼り付けおよび剥離操作によ
り、半導体ウエハ上の異物を高い除去率で洗浄除去する
と、回路形成時の回路の断線やシヨ―ト、露光不良発生
が低減し、半導体デバイスの歩留りや信頼性が大きく向
上する。また、地球環境保全の立場からみて、従来のウ
エツト洗浄やドライ洗浄のような純水、薬品、空気、電
力などを大量に消費する洗浄方式を、上記本発明の方式
に置き換えることで、地球環境保全に大きく寄与させる
こともできる。
【0020】図2は、本発明の異物除去用粘着テ―プの
他の例を示したものであり、前記構成の支持フイルム1
1、粘着剤層12およびセパレ―タ13のほかに、支持
フイルム11の背面側に補強フイルム14が設けられて
おり、これらの各要素11〜14により粘着テ―プ1を
構成させている。この種の粘着テ―プ1としては、支持
フイルム11の引張弾性率が500Kg/cm2 以下、通常
200Kg/cm2 までである場合に、とくに有用な構成で
ある。
【0021】すなわち、引張弾性率が500Kg/cm2
下となるポリオレフイン系樹脂フイルムは、伸びやすい
ため、粘着テ―プの剥離操作時に、テ―プにかかる応力
により粘着テ―プが伸びてしまい、うまく剥離操作でき
ないか、最悪の場合は粘着テ―プが破断してしまうおそ
れがある。補強フイルム14は、上記ポリオレフイン系
樹脂フイルムからなる支持フイルム11の欠点を回避す
る、つまり、テ―プの伸びを小さくし、テ―プ強度を大
きくするためのものである。
【0022】このため、補強フイルム14としては、ポ
リエステル、ポリカ―ボネ―ト、ポリプロピレンなどの
硬質フイルムが好ましく用いられる。厚さは、通常10
〜100μm程度であるのがよい。補強フイルム14の
設け方は、任意であるが、一例として、補強フイルム1
4上に前記材料構成の支持フイルム11を押出成形する
方法、つまり、支持フイルム11の成膜加工と同時に補
強フイルム14と積層一体化するといつた方法などが挙
げられる。
【0023】このような補強フイルム14を有する粘着
テ―プ1を用いて、半導体ウエハに付着した異物を除去
する方法は、前記と全く同じであり、図3に示す要領に
て、半導体ウエハの表面および/または裏面に貼り付け
および剥離操作すると、上記ウエハに付着した異物が前
記同様の高い除去率で除去され、これにより半導体デバ
イスの歩留りや信頼性などを大きく向上できる。
【0024】
【発明の効果】本発明の異物除去用粘着テ―プとその除
去方法によれば、糊残りによるウエハの汚染という問題
をきたすことなく、半導体ウエハ上の異物を高い除去率
で除去でき、半導体デバイスの歩留りや信頼性の向上に
寄与できる。また、従来の他の洗浄方式などに比べて、
地球環境保全の面での寄与効果も得られる。
【0025】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重
量部を意味する。
【0026】実施例1 低密度ポリエチレン〔日本ユニカ―(株)製のLLDP
E NUCG−5210〕を、フラツトフイルム製造装
置〔モダンマシナリ―(株)製〕を用いて、押出温度1
90℃、引き取り速度3m/分で成膜し、引き続きコロ
ナ処理強度(濡れ指数)45dyn /cmでコロナ処理を施
して、厚さ100μmの支持フイルムを作製した。この
フイルムの引張弾性率は3,000Kg/cm2 であつた。
【0027】厚さ50μmのポリプロピレン製フイルム
からなるセパレ―タに、アクリル系樹脂とイソシアネ―
ト系架橋剤とからなるアクリル系粘着剤の溶液を塗布し
て、120℃で3分間加熱架橋処理し、その直後に粘着
剤層面に前記の支持フイルムのコロナ処理面側を貼り合
わせ、厚さ10μmの粘着剤層を有する粘着テ―プを作
製した。この粘着テ―プのシリコンウエハ(ミラ―面)
に対する粘着力は、JIS Z−0237に準じて測定
される180度引き剥がし粘着力(常温、剥離速度30
0mm/分)で100g/20mm幅であつた。
【0028】つぎに、0.2μm以上の大きさの異物が
0個である5インチシリコンウエハ(回路パタ―ンのな
いミラ―ウエハ)を所定の工程(イオン打ち込み処理工
程)に通して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装置
〔日立電子エンジニアリング(株)製のLS−500
0〕を用い、シリコンウエハのミラ―面に付着した0.
2μm以上の大きさの異物の数をカウントした。なお、
シリコンウエハの表裏に付着する異物をカウントするた
め、ミラ―面を表裏逆にした2通りの場合について同様
の検査を行つた。
【0029】異物洗浄試験として、上記のように異物を
付着させたシリコンウエハのミラ―面に、前記の方法で
作製した粘着テ―プを、ハンドロ―ラ(ゴム製弾性ロ―
ラ)を用いて貼り付け、貼り付け後3分間放置したの
ち、粘着テ―プを剥離操作して、洗浄した。この洗浄
後、再びレ―ザ―表面検査装置を用いて、ミラ―面に付
着している0.2μm以上の大きさの異物の数をカウン
トした。この貼り付けおよび剥離操作による洗浄後の異
物数と、洗浄前の異物数とから、シリコンウエハの表裏
両面側の異物除去率をそれぞれ算出した。
【0030】これとは別に、粘着剤汚染試験として、
0.2μm以上の大きさの異物が0個である5インチシ
リコンウエハ(回路パタ―ンのないミラ―ウエハ)のミ
ラ―面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、ハンド
ロ―ラを用いて貼り付け、貼り付け後3分間放置したの
ち、粘着テ―プを剥離操作した。この操作後、レ―ザ―
表面検査装置を用いて、ミラ―面に付着している0.2
μm以上の大きさの異物の数をカウントし、粘着剤によ
る汚染状況を調べた。
【0031】なお、上記の異物洗浄試験および粘着剤汚
染試験において、一連の作業は、クラス10のクリ―ン
ル―ム内(温度23℃、湿度60%)で行つた。これら
の結果は、後記の表1に示されるとおりであつた。
【0032】実施例2 ポリオレフイン系樹脂として、低密度ポリエチレン〔日
本ユニカ―(株)製のLLDPE NUCG−521
0〕100部にポリオレフイン系樹脂改質剤〔三井石油
化学工業(株)製のA−4085〕20部を混合したも
のを用いた以外、実施例1と同様にして、厚さ100μ
mの支持フイルムを作製した。このフイルムの引張弾性
率は1,750Kg/cm2 であつた。
【0033】この支持フイルムを用いて、実施例1と同
様にして、厚さ10μmの粘着剤層を有する粘着テ―プ
を作製した。この粘着テ―プのシリコンウエハ(ミラ―
面)に対する粘着力は、JIS Z−0237に準じて
測定される180度引き剥がし粘着力(常温、剥離速度
300mm/分)で102g/20mm幅であつた。このテ
―プを用い、実施例1と同様にして、異物洗浄試験およ
び粘着剤汚染試験を行つた。これらの試験結果は、後記
の表1に示されるとおりであつた。
【0034】実施例3 ポリオレフイン系樹脂として、低密度ポリエチレン〔日
本ユニカ―(株)製のLLDPE NUCG−521
0〕100部にポリオレフイン系樹脂改質剤〔三井石油
化学工業(株)製のA−4085〕50部を混合したも
のを用いた以外、実施例1と同様にして、厚さ100μ
mの支持フイルムを作製した。このフイルムの引張弾性
率は830Kg/cm2 であつた。
【0035】この支持フイルムを用いて、実施例1と同
様にして、厚さ10μmの粘着剤層を有する粘着テ―プ
を作製した。この粘着テ―プのシリコンウエハ(ミラ―
面)に対する粘着力は、JIS Z−0237に準じて
測定される180度引き剥がし粘着力(常温、剥離速度
300mm/分)で103g/20mm幅であつた。このテ
―プを用い、実施例1と同様にして、異物洗浄試験およ
び粘着剤汚染試験を行つた。これらの試験結果は、後記
の表1に示されるとおりであつた。
【0036】実施例4 ポリオレフイン系樹脂として、低密度ポリエチレン〔日
本ユニカ―(株)製のLLDPE NUCG−521
0〕100部にポリオレフイン系樹脂改質剤〔三井石油
化学工業(株)製のA−4085〕100部を混合した
ものを用い、これを、厚さ25μmのポリエステルフイ
ルムからなる補強フイルムのコロナ処理面上に、フラツ
トフイルム製造装置〔モダンマシナリ―(株)製〕を用
いて、押出温度190℃、引き取り速度3m/分で成膜
し、引き続きコロナ処理強度(濡れ指数)45dyn /cm
でポリオレフイン系樹脂フイルム側にコロナ処理を施し
て、補強フイルムと一体化された厚さ100μmの支持
フイルムを作製した。この支持フイルム、つまり低密度
ポリエチレンとポリオレフイン系樹脂改質剤とからなる
支持フイルムの引張弾性率は280Kg/cm2 であつた。
【0037】この補強フイルムと一体化された支持フイ
ルムを用いて、実施例1と同様にして、支持フイルム側
に厚さ10μmの粘着剤層を有する粘着テ―プを作製し
た。この粘着テ―プのシリコンウエハ(ミラ―面)に対
する粘着力は、JIS Z−0237に準じて測定され
る180度引き剥がし粘着力(常温、剥離速度300mm
/分)で98g/20mm幅であつた。このテ―プを用
い、実施例1と同様にして、異物洗浄試験および粘着剤
汚染試験を行つた。これらの試験結果は、後記の表1に
示されるとおりであつた。
【0038】比較例1 ポリオレフイン系樹脂として、高密度ポリエチレン〔三
井石油化学工業(株)製の2100J〕を用いた以外
は、実施例1と同様にして、厚さ100μmの支持フイ
ルムを作製した。このフイルムの引張弾性率は6,00
0Kg/cm2 であつた。この支持フイルムを用いて、実施
例1と同様にして、厚さ10μmの粘着剤層を有する粘
着テ―プを作製した。このテ―プのシリコンウエハ(ミ
ラ―面)に対する粘着力は、JIS Z−0237に準
じて測定される180度引き剥がし粘着力(常温、剥離
速度300mm/分)で98g/20mm幅であつた。この
粘着テ―プを用い、実施例1と同様にして、異物洗浄試
験および粘着剤汚染試験を行つた。これらの試験結果
は、後記の表2に示されるとおりであつた。
【0039】比較例2 支持フイルムとして、厚さ100μmの軟質ポリ塩化ビ
ニル樹脂フイルム〔日東電工(株)製のVフイルム、引
張弾性率400Kg/cm2 〕を用い、実施例1と同様にし
て、厚さ10μmの粘着剤層を有する粘着テ―プを作製
した。この粘着テ―プのシリコンウエハ(ミラ―面)に
対する粘着力は、JIS Z−0237に準じて測定さ
れる180度引き剥がし粘着力(常温、剥離速度300
mm/分)で105g/20mm幅であつた。この粘着テ―
プを用い、実施例1と同様にして、異物洗浄試験および
粘着剤汚染試験を行つた。これらの試験結果は、後記の
表2に示されるとおりであつた。
【0040】
【表1】
【0041】
【表2】
【0042】上記の表1,表2の結果から明らかなよう
に、本発明の実施例1〜4の粘着テ―プによれば、シリ
コンウエハの表面や裏面に付着した異物を70%以上も
の高い除去率で除去でき、しかも粘着剤によるウエハの
汚染が少ないものであることがわかる。これに対し、引
張弾性率が本発明の範囲外となる比較例1の粘着テ―プ
では、異物除去率が50%にも満たない低い値となつて
おり、また軟質ポリ塩化ビニル樹脂フイルムを支持フイ
ルムとした比較例2の粘着テ―プでは、可塑剤の移行に
よる粘着剤の変質で糊残りによるシリコンウエハの汚染
が著しく、異物の数がウエハ裏面側に比べて比較的少な
いウエハ表面側において、異物除去率が極端に低下して
しまうことがわかる。
【0043】なお、上記の実施例1〜4および比較例1
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計した結果、実施例1〜実施例4の方法では、比較例1
の方法と比較して、歩留りが5%から9%も高くなるこ
とがわかつた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の異物除去用粘着テ―プの一例を示す断
面図である。
【図2】本発明の異物除去用粘着テ―プの他の例を示す
断面図である。
【図3】本発明の異物除去方法の一例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】 1 粘着テ―プ 11 支持フイルム 12 粘着剤層 13 セパレ―タ 14 補強フイルム 2 シリコンウエハ 2a シリコンウエハの表面 2b シリコンウエハの裏面 3 シリコンウエハに付着した異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 7/02 JKK JLK

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 引張弾性率(試験法JIS K 7127に準ず
    る)が5,000Kg/cm2 以下のポリオレフイン系樹脂
    フイルムからなる支持フイルム上に粘着剤層を設けてな
    る半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プ。
  2. 【請求項2】 支持フイルムの引張弾性率が500Kg/
    cm2 以下であり、この支持フイルムの背面側に補強フイ
    ルムを設けてなる請求項1に記載の半導体ウエハに付着
    した異物の除去用粘着テ―プ。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハの表面および/または裏面
    に、請求項1または請求項2に記載の粘着テ―プを貼り
    付けたのち、剥離操作して、半導体ウエハの表面および
    /または裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着させて
    半導体ウエハから除去することを特徴とする半導体ウエ
    ハに付着した異物の除去方法。
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