JPH08124892A - 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プによる異物除去操作の簡略化を図
るとともに、半導体ウエハの表裏両面の異物を効果的に
除去する。 【構成】 支持フイルム１１上に粘着剤層１２を有し、
この粘着剤層１２がテ―プ長手方向に左右対称にパタ―
ン成形された二つの粘着片１２Ａ，１２Ｂから構成され
て、各粘着片１２Ａ，１２Ｂが半導体ウエハ２とほぼ同
じ形状を有する異物除去用粘着テ―プ１を用い、この粘
着テ―プ１を、上記粘着片１２Ａ，１２Ｂが半導体ウエ
ハ２の表裏面に対向するように、半導体ウエハ２の表裏
両面側から挟んで貼り付けたのち、剥離操作して、半導
体ウエハ２の表裏面に付着した異物３を粘着剤層１２面
に吸着させて半導体ウエハ２から除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去用粘着テ―プと除去方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。

【０００３】このため、ＬＳＩの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。

【０００４】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄（超純
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
₂ プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。

【０００５】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。

【０００６】別の試みとして、粘着テ―プを用い、半導
体ウエハに付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面に吸
着させて除去する方法が知られている。この方法は、一
種のドライ洗浄といえ、ウエツト洗浄における異物の再
付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避でき、しか
もＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマなどの他のドライ洗浄に比
べ、異物の除去能力をより高められるものと期待されて
いる。中でも、粘着テ―プを半導体ウエハの表面および
裏面に対し、その粘着剤層が十分に馴染むように貼り付
け操作したのちに、剥離操作する方法によると、半導体
ウエハ上の異物が効果的に除去されるという提案がなさ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
除去方法では、粘着テ―プの貼り付け操作および剥離操
作を、半導体ウエハの表面および裏面に対し繰り返し行
う必要があることから、操作的に面倒であり、また一方
の面の除去処理時に他方の面を汚染しやすく、そのぶん
異物の除去率が低下するおそれがあつた。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、特定の
粘着テ―プを用いることによつて、異物除去操作の簡略
化を図るとともに、半導体ウエハ上の異物をより効果的
に除去することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、支持フイルム上の粘着剤
層をウエハの表裏面に合致する特定形状にパタ―ン成形
した粘着テ―プを用いて、この粘着テ―プを半導体ウエ
ハの表裏両面側から挟んで貼り付けたのち、剥離操作す
ると、貼り付けと剥離操作を表裏両面に繰り返し行つて
いた方法に比べて、異物除去操作の大幅な簡略化を図
れ、また一方の面の除去処理時に他方の面を汚染すると
いう問題もなく、半導体ウエハ上の異物を高い除去率で
除去できることを見い出し、本発明を完成するに至つ
た。

【００１０】すなわち、本発明は、第一に、支持フイル
ム上に粘着剤層を有し、この粘着剤層がテ―プ長手方向
に左右対称にパタ―ン成形された二つの粘着片から構成
されて、各粘着片が半導体ウエハとほぼ同じ形状を有す
ることを特徴とする半導体ウエハに付着した異物の除去
用粘着テ―プを提供するものである。また、第二に、半
導体ウエハの表裏両面に、上記の粘着テ―プを、粘着剤
層を構成する二つの粘着片が半導体ウエハの表裏面に対
向するように、半導体ウエハの表裏両面側から挟んで貼
り付けたのち、剥離操作して、半導体ウエハの表裏面に
付着した異物を粘着剤層面に吸着させて半導体ウエハか
ら除去することを特徴とする半導体ウエハに付着した異
物の除去方法を提供するものである。

【００１１】なお、本発明の上記特定の粘着テ―プに代
えて、粘着剤層をテ―プ全面にべた塗りしたものを用い
ると、表裏両面側に貼り付けた粘着テ―プがウエハ周縁
部で互いに粘着し、剥離操作が不能となる。本発明で
は、この問題を回避するため、上記特定の粘着テ―プを
用いるようにしたものである。

【００１２】

【発明の構成・作用】図１は、本発明の異物除去用粘着
テ―プの一例を示したもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は上記（Ａ）図におけるＢ−Ｂ線断面図である。図中、
１は粘着テ―プであり、支持フイルム１１上に、テ―プ
長手方向Ｙに左右対称にパタ―ン成形された二つの粘着
片１２Ａ，１２Ｂから構成されて、各粘着片１２Ａ，１
２Ｂがそれぞれ半導体ウエハとほぼ同じ形状を有する粘
着剤層１２が、テ―プ長手方向Ｙに沿つて多数個形成さ
れており、この粘着剤層１２上にはさらにセパレ―タ１
３が重ね合わされた構成となつている。

【００１３】支持フイルム１１は、ポリエステル、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレ―ト共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共
重合体などのプラスチツクからなる厚さが通常１０〜
１，０００μｍのフイルムである。

【００１４】粘着剤層１２は、アクリル樹脂系、シリコ
―ン樹脂系、フツ素樹脂系、ゴム系（天然ゴム、合成ゴ
ム）などのポリマ―を主成分とした、常温下で感圧接着
性を有するものであり、厚さは通常５〜１００μｍであ
る。この粘着剤層は、上記ポリマ―を主成分とした粘着
剤をグラビア塗工機、シルクスクリ―ンなどにより支持
フイルム１１上に前記形状にパタ―ン塗布したのち、加
熱などにより架橋処理するか、離型紙上に上記と同じ方
法でパタ―ン形成した粘着剤層を支持フイルム１１上に
貼着することにより、形成できる。

【００１５】なお、図１では、粘着剤層１２を構成させ
る、半導体ウエハとほぼ同じ形状の二つの粘着片１２
Ａ，１２Ｂを、テ―プ長手方向Ｙに直交する対称軸１２
Ｃを境として一体にパタ―ン成形しているが、テ―プ長
手方向Ｙに沿つて、上記対称軸１２Ｃから左右に多少離
れた位置（つまり、半導体ウエハの表裏両面側から挟ん
で貼り付ける際に、上記ウエハの厚みに相当する分だけ
離れた位置）に、分離してパタ―ン成形するようにして
もよい。

【００１６】また、本発明では、半導体ウエハに貼り付
け、粘着剤層面に異物をよく馴染ませたのち、剥離操作
して、上記異物を吸着除去するため、粘着剤層１２は、
貼り付け時、剥離操作時のそれぞれに適した特性を
有している必要がある。しかし、とで要求される特
性は、通常相反する。つまり、の貼り付け時には、粘
着剤は異物に馴染むように塑性変形しやすく、かつ高粘
着力であることが必要であり、一方、の剥離操作時に
は、異物を確実に固定するため、粘着剤は硬く、強靭で
あり、かつ低粘着力であることが必要である。

【００１７】このような特性を実現させる第一の手段
は、，の各段階でバランスよく適合する特性を持つ
た粘着剤を選択することである。この目的には、特性が
比較的安定しているアクリル系樹脂を主成分としたもの
が好ましく用いられる。シリコンウエハに対する粘着力
としては、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１
８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／
分）が、通常５０〜５００ｇ／２０mm幅にあるものが適
している。

【００１８】また、第二の手段は、，の各段階で適
合するように、段階ごとに特性を変化させることであ
る。この目的には、活性エネルギ−源の供給により特性
が変化する粘着剤が好ましく用いられる。ここで、活性
エネルギ−源とは、たとえば、紫外線、赤外線（熱）、
電子線、エツクス線などに代表される電磁波、超音波な
どに代表される弾性波のことである。

【００１９】上記特性が変化する粘着剤には、紫外線硬
化性粘着剤、電子線硬化性粘着剤、熱硬化性粘着剤、熱
可塑性粘着剤、熱発泡性粘着剤などがあり、それぞれ単
独で用いてもよいし、複数種を同時に用いてもよい。シ
リコンウエハに対する粘着力としては、ＪＩＳ Ｚ−０
２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力
（常温、剥離速度３００mm／分）が、活性エネルギ−源
供給前（貼り付け時）で通常５００〜２，０００ｇ／２
０mm幅であり、活性エネルギ−源供給後（剥離操作時）
で通常３〜５００ｇ／２０mm幅となるものが適してい
る。

【００２０】セパレ―タ１３は、粘着テ―プ１の保管時
や流通時などでの汚染防止の点から、半導体ウエハに貼
り付けるまでの間、粘着剤層１２の表面を保護するため
のもので、上記貼り付け使用時に剥離除去される。この
セパレ―タ１３は、通常、紙（無塵紙）、プラスチツク
フイルム、金属箔などからなる柔軟な薄葉体で、必要に
より剥離剤で表面処理して離型性を付与したものが用い
られる。

【００２１】本発明においては、上記構成の粘着テ―プ
を用いて、半導体ウエハに付着した異物を除去する。こ
の方法は、まず、図２の（Ａ）に示すように、粘着テ―
プ１を、半導体ウエハ２のオリエンテ―シヨンフラツト
部が粘着剤層１２の前記対称軸１２Ｃに接するように位
置決めしたうえで、粘着剤層１２を構成する二つの粘着
片１２Ａ，１２Ｂが半導体ウエハ２の表面２ａ（回路パ
タ―ン形成面）および裏面２ｂ（回路パタ―ン面の反対
面）にそれぞれ対向するように、半導体ウエハ２の表裏
両面側から挟んで貼り付ける。

【００２２】この貼り付け操作は、たとえば、ゴム製弾
性ロ―ラを用いて、粘着剤層１２の二つの粘着片１２
Ａ，１２Ｂをそれぞれウエハ表面２ａ，裏面２ｂに対し
て所定の圧力で押圧したのち、数分程度放置するといつ
た方法で行えばよい。これにより、上記の各粘着片１２
Ａ，１２Ｂをウエハ表面２ａ，裏面２ｂ上の異物３に対
し十分に馴染ませることができる。その際、粘着片１２
Ａ，１２Ｂは半導体ウエハ２とほぼ同じ形状とされてい
るため、ウエハ周辺部で互いに粘着することはなく、そ
の後の剥離操作に支障をきたさない。

【００２３】このような貼り付け操作後、図２の（Ｂ）
に示すように、粘着テ―プ１に対して、支持フイルム１
１を引き上げる、剥離操作を施すと、裏面２ｂ側に付着
した異物３は粘着片１２Ｂに、また表面２ａ側に付着し
た異物３は粘着片１２Ａに、それぞれ吸着されて、半導
体ウエハ２より除去される。支持フイルム１１の引き上
げは、裏面２ｂ側から行つてもよいし、表面２ａ側から
行つてもよい。また、より好ましくは表裏両面側から同
時に引き上げればよい。

【００２４】図３および図４は、上記の貼り付けおよび
剥離操作からなる除去方法を、自動機により連続的に行
う例を示したもので、図３の（Ａ）〜（Ｃ）は上記方法
を工程順に示す側面図、図４は上記方法を立体的に示す
概略斜視図である。

【００２５】この方法では、まず、ウエハケ―ス４に収
納されて、オリエンテ―シヨンフラツトが上部となつて
いる半導体ウエハ２が、図３の（Ａ）に示すように、１
個ずつ、ロボツトア―ム５によつて押し出される。

【００２６】ウエハケ―ス４の上方には、粘着テ―プ１
がガイドロ―ラ６，６を介して粘着剤層を下側にして張
設されており、さらにその上方に上記押し出される半導
体ウエハ２の左右両側に位置する貼り付け装置７が配設
されている。この装置７は、図４に示すように、固定治
具８Ａ，８Ｂに上下３段に取り付けられた左右一対のロ
―ラ９（９Ａ，９Ｂ）を有し、各ロ―ラ９は、回転軸９
１に筒状のゴム製弾性体９２を取着させた構造となつて
いる。

【００２７】ロボツトア―ム５により押し出された半導
体ウエハ２は、オリエンテ―シヨンフラツトが粘着テ―
プ１の粘着片１２Ａ，１２Ｂの境界となる対称軸１２Ｃ
近傍に接触して、この粘着テ―プ１と一緒に上記一対の
ロ―ラ９Ａ，９Ｂに挟み込まれ、このロ―ラ９Ａ，９Ｂ
の回転により上方に引き込まれる。なお、上記接触を可
能とするため、粘着テ―プ１を適宜位置決めする必要が
あるが、この位置決めは、粘着テ―プ１にあらかじめマ
―クを付けておき、このマ―クをセンサ―で識別するな
どの方法により、容易に行うことができる。

【００２８】このように引き込み操作すると、図３の
（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ２の表面２ａ側の全
面に粘着片１２Ａが、裏面２ｂ側の全面に粘着片１２Ｂ
が、それぞれ貼り付けられ、その際、上記ロ―ラ９Ａ，
９Ｂによる押圧力を適宜調整するなどすれば、上記の両
粘着片１２Ａ，１２Ｂをウエハ表面２ａ，裏面２ｂ上の
異物に対し十分に馴染ませることができる。

【００２９】粘着テ―プ１が活性エネルギ−源の供給で
粘着特性が変化するものであるときは、上記貼り付け操
作したのち、剥離操作に移る前に、ロ―ラ９Ａ，９Ｂ
を、その固定治具８Ａ，８Ｂの左右への拡開によつて、
半導体ウエハ２および粘着テ―プ１との接触状態から開
放し、この状態で粘着テ―プ１に活性エネルギ−源を供
給して粘着片１２Ａ，１２Ｂの粘着特性を変化させれば
よい。

【００３０】つぎに、図３の（Ｃ）に示すように、上記
ロ―ラ９Ａ，９Ｂを反対回りに回転させ、同時に粘着テ
―プ１を左右に引つ張り、またその際半導体ウエハ２が
左右に振れないようにウエハ下部をロボツトア―ム５で
支えておくことにより、粘着テ―プ１は半導体ウエハ２
の表裏両面側から同時に剥離される。これにより、半導
体ウエハ２上の異物は粘着片１２Ａ，１２Ｂに吸着され
て、半導体ウエハ２より除去される。除去後の半導体ウ
エハ２は、ウエハケ―ス４に収納される。その後、ウエ
ハケ―ス４内の他の半導体ウエハ２に対して、上記の貼
り付けおよび剥離操作が自動的に連続して繰り返され
る。

【００３１】このように、本発明では、粘着テ―プの貼
り付け操作を半導体ウエハの表裏両面に対し連続して
（好ましくは同時に）行い、またその剥離操作を表裏両
面に対しやはり連続して（好ましくは同時に）行えるか
ら、表裏面の一方の面に貼り付けと剥離操作を行い、そ
の後に他方の面に同じ操作を繰り返していた方法に比べ
て、異物除去操作の大幅な簡略化を図れる。しかも、上
記本発明の貼り付けおよび剥離操作では、半導体ウエハ
をウエハ固定台などに設置して行う必要もなく、粘着テ
―プをウエハ両面側から挟んで貼り付けこれを剥離すれ
ばよいので、一方の面の除去操作時に他方の面を汚染さ
せるといつた問題は生じにくい。

【００３２】このため、本発明の方法により、半導体ウ
エハの表裏両面に付着した異物は、高い除去率（通常
０．２μｍ以上の大きさの異物が５０％以上、好ましく
は７５％以上となる高い除去率）で洗浄除去され、回路
形成時の回路の断線やシヨ―ト、露光不良発生が低減
し、半導体デバイスの歩留りや信頼性が向上する。ま
た、地球環境保全の立場からみて、従来のウエツト洗浄
やドライ洗浄のような純水、薬品、空気、電力などを大
量に消費する洗浄方式を、上記本発明の方式に置き換え
ることで、地球環境保全に寄与させることもできる。

【００３３】

【発明の効果】本発明の異物除去用粘着テ―プとその除
去方法によれば、異物除去操作の簡略化を図れ、しかも
半導体ウエハに付着した異物を高い除去率で除去できる
から、半導体デバイスの歩留りや信頼性の向上に寄与で
きる。また、従来の他の洗浄方式などに比べて、地球環
境保全の面での寄与効果も得られる。

【００３４】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。

【００３５】実施例１ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液を、グラビア塗工機を用
いてパタ―ン塗布したのち、１２０℃で３分間加熱架橋
処理して、テ―プ長手方向に左右対称にパタ―ン成形さ
れた二つの粘着片から構成されて、各粘着片が５インチ
シリコンウエハとほぼ同じ形状を有する厚さ２０μｍの
パタ―ン化粘着剤層を形成した。このようにして作製し
た粘着テ―プのシリコンウエハ（ミラ―面）に対する粘
着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１８
０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／分）
で１９９ｇ／２０mm幅であつた。

【００３６】つぎに、０．２μｍ以上の大きさの異物が
０個である５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのな
い両面ミラ―ウエハ）を所定の工程（イオン打ち込み処
理工程）に通して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装
置〔日立電子エンジニアリング（株）製のＬＳ−５００
０〕を用いて、シリコンウエハの表裏両面に付着した
０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウントした。

【００３７】このように異物を付着させたシリコンウエ
ハの表裏両面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、
図２の（Ａ）に示す要領で、二つの粘着片がシリコンウ
エハの表裏面に対向するように、ウエハ両面側から挟ん
で貼り付けた。３分間放置後、図２の（Ｂ）に示す要領
で、粘着テ―プを剥離操作して、シリコンウエハに付着
した異物を洗浄除去した。この洗浄後、再びレ―ザ―表
面検査装置を用いて、０．２μｍ以上の大きさの異物の
数をカウントした。この貼り付けおよび剥離操作による
洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とから、異物除去率
を算出した。なお、一連の作業は、クラス１０のクリ―
ンル―ム内（温度２３℃、湿度６０％）で行つた。結果
は、後記の表１に示されるとおりであつた。

【００３８】実施例２ 粘着剤として、アクリル系紫外線硬化型粘着剤を用いた
ほかは、実施例１に準じて、テ―プ長手方向に左右対称
にパタ―ン成形された二つの粘着片から構成されて、各
粘着片が５インチシリコンウエハとほぼ同じ形状を有す
る厚さ２０μｍのパタ―ン化粘着剤層を形成して、粘着
テ―プを作製した。この粘着テ―プのシリコンウエハ
（ミラ―面）に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７
に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力（常温、
剥離速度３００mm／分）で１，２２０ｇ／２０mm幅であ
つた。また、支持フイルム側から紫外線（波長３６５ｎ
ｍ、１，０００ｍｊ／ｃｍ² ）を照射したのちの同１８
０度引き剥がし粘着力は、１５ｇ／２０mm幅であつた。

【００３９】この粘着テ―プを用いて、実施例１に準じ
てシリコンウエハの表裏両面に挟んで貼り付け、３分間
放置後、剥離操作して、シリコンウエハに付着した異物
を洗浄除去した。ただし、ここでは、剥離操作の直前
に、紫外線（波長３６５ｎｍ、１，０００ｍｊ／ｃ
ｍ² ）を照射した。貼り付けおよび剥離操作による洗浄
後の異物数と、洗浄前の異物数とから、異物除去率を算
出した結果は、後記の表１に示されるとおりであつた。

【００４０】比較例１ 異物洗浄試験として、実施例１と同様の操作により表裏
両面に異物を付着させたシリコンウエハを、超純水洗浄
装置（現行ウエツト洗浄方法）を用いて、所定の条件に
て洗浄した。乾燥後、レ―ザ―表面検査装置を用いて、
シリコンウエハの表裏両面に付着している０．２μｍ以
上の大きさの異物の数をカウントした。この洗浄後の異
物数と、洗浄前に上記同様の装置によりカウントした
０．２μｍ以上の大きさの異物の数とから、異物除去率
を算出した。この試験結果は、後記の表１に示されると
おりであつた。

【００４１】比較例２ 洗浄方法をＵＶオゾン洗浄（現行ドライ洗浄）に代えた
ほかは、比較例１に準じて異物洗浄試験を行い、異物除
去率を算出した。この試験結果は、後記の表１に示され
るとおりであつた。

【００４２】

【表１】

【００４３】上記の表１の結果から、本発明の実施例
１，２の粘着テ―プによれば、シリコンウエハの表裏両
面側から挟んで貼り付けこれを剥離操作するという簡単
な手法により、シリコンウエハの表裏面に付着した異物
を約７０％以上という高い除去率で除去できるものであ
ることが明らかである。

【００４４】また、上記の実施例１，２および比較例１
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計してみた結果、実施例１および実施例２の方法では、
比較例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１２％お
よび１７％高くなることがわかつた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異物除去用粘着テ―プの一例を示した
ものであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は上記Ａ図のＢ−
Ｂ線断面図である。

【図２】本発明の異物除去用粘着テ―プを用いた除去方
法を示す断面図であり、（Ａ）は貼り付け工程、（Ｂ）
は剥離工程を示したものである。

【図３】上記の除去方法を自動機により連続的に行う例
を示したものであり、（Ａ），（Ｂ）は貼り付け工程、
（Ｃ）は剥離工程を示したものである。

【図４】上記の自動機による除去方法を立体的に示した
概略斜視図である。

【符号の説明】

１ 粘着テ―プ １１ 支持フイルム １２ 粘着剤層 １２Ａ，１２Ｂ 粘着片 １２Ｃ 対称軸 １３ セパレ―タ Ｙ テ―プ長手方向 ２ 半導体ウエハ ２ａ 半導体ウエハの表面 ２ｂ 半導体ウエハの裏面 ３ 半導体ウエハに付着した異物 ４ ウエハケ―ス ５ ロボツトア―ム ６ ガイドロ―ラ ７ 貼り付け装置 ８Ａ，８Ｂ ロ―ラ固定治具 ９（９Ａ，９Ｂ） 左右一対のロ―ラ ９１ ロ―ラ回転軸 ９２ ゴム製弾性体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＬＫ Ｈ０１Ｌ 21/301

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持フイルム上に粘着剤層を有し、この
   粘着剤層がテ―プ長手方向に左右対称にパタ―ン成形さ
   れた二つの粘着片から構成されて、各粘着片が半導体ウ
   エハとほぼ同じ形状を有することを特徴とする半導体ウ
   エハに付着した異物の除去用粘着テ―プ。
2. 【請求項２】 半導体ウエハの表裏両面に、請求項１に
   記載の粘着テ―プを、粘着剤層を構成する二つの粘着片
   が半導体ウエハの表裏面に対向するように、半導体ウエ
   ハの表裏両面側から挟んで貼り付けたのち、剥離操作し
   て、半導体ウエハの表裏面に付着した異物を粘着剤層面
   に吸着させて半導体ウエハから除去することを特徴とす
   る半導体ウエハに付着した異物の除去方法。