JP2006510064A - レジスト層の塗布方法、接着剤の使用、接着剤およびレジスト層 - Google Patents
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Abstract
特にレジスト層(12)がベース層(24)上に塗布される方法に関する。レジスト層(12)は接着剤を備えており、この接着剤の接着力は照射の間に減少または増加する。特に、この方法はレジスト層(12)の残留物を剥離することを促進する。詳しくは、レジスト層(12)は固体材料を含み、または固体材料を備え、レジスト層(12)の材料は、集積回路構造を製造するための選択的な現像および露光に適しする。レジスト層(12)は、キャリヤ上で自由に移動可能なように、あるいはキャリヤ剤または保護剤(14、16)に粘着して接合されるように配置されており、キャリヤ剤または保護剤(14、16)はレジスト層を破壊または損傷せずにレジスト層(12)から剥離され得る。
Description
本発明は、ベース層上に、レジスト層が塗布され、選択的に照射され、および現像される方法に関する。
例として、そのような方法はレジスト層の現像後ベース層をパターニングするリソグラフィ方法との関連で、または、例としてコンタクトエリアがベース層のコネクティングパッド上に堆積される電気メッキ方法との関連で用いられる。液体の状態でベース層にスピンされるフォトレジストは、これまではレジスト層として用いられてきた。フォトレジストに含まれる溶媒が蒸発またはベークアウトした後、レジストは硬化し、その後露光される。スピニングオン処理の間、生成されるフォトレジスト層の厚さに変動が生じる。さらに、現像の後フォトレジスト層の残留物を除去することは複雑である。例として、処分がコストインテンシブである溶媒を用いることが必要である。回転塗布されたレジスト層は通常30μm(マイクロメートル)よりも薄い。より厚いレジスト層を生成しようとする場合、スピニングオン処理が適切に繰り返されなければならなく、多くの場合はその前に塗布されたレジスト層が硬化した後に繰り返されなければならない。
本発明の目的は、レジスト層を塗布(Aufbringen)する簡単な方法を提供することにある。さらに、接着剤の使用、また、特にそのような方法で用いられる接着剤とレジスト層とを提供することにある。
この方法に関する目的は、特許請求項1に明記された方法ステップを用いて達成される。さらなる形態は、従属請求項に明記される。
本発明に従った方法では、レジスト層は固体の状態でベース層上に塗布され、特に粘着して接合される。これは一連の利点を与える。特に、レジスト層が、例えば連続生産において非常に均一な層の厚さで平面的な支持体上に製造され得る。
レジスト層を塗布する直前に、例えばスプレーされるか、もしくは拡散されることによって接着剤がベース層上および/またはレジスト層上に塗布される場合、レジスト層はベース層に固定され得る。しかしながら、別の方法として、生産技術の点で接着剤の残留物に関してより清潔である改良型では、塗布されるずっと前にすでにベース層上に接着されているか、あるいは粘着層が塗布されているレジスト層が用いられる。
レジスト層でこれまでに用いられてきた材料の多くは、レジスト層の照射に敏感な材料として適切であり、例えば、ポジティブレジストの場合は、ジアゾナフトキノン(diazonaphthoquinone)あるいはナフトキノンジアジド(naphthoquinonediazide)、ネガティブレジストの場合は部分的に環化されたポリイソプロペン(polyisopropene)が適切である。レジスト層はさらに、適切な塗膜形成要素(例えば、フェノール樹脂化合物)を含む。レジスト層の添加剤は特に安定剤および/または抑制剤である。
本発明に従った方法は、レジスト膜を生成する間に用いられる液体のレジスト材を完全に利用することを可能にする。液体のレジストの10%のみが従来のスピニングオン処理で用いられる。残りの90%は酸化プロセスが原因で用いられない。
一つのさらなる形態は、レジスト層の材料を選択することと、またレジスト層を露光することとは後の剥離作業を考慮に入れて既に行われているべきであるという考察に基づいている。さらに、本発明は、照射の作用で接着力が変動する接着剤があるという事実に基づいている。例として、照射はモノマーまたはオリゴマーからポリマーあるいはコポリマーを生成し、この場合に生じる架橋は接着力を減少させる原因となる。しかしながら他方で、ポリマーまたはコポリマーはまた、照射によってモノマーまたはオリゴマーに分割され得、接着力は増加する。接着剤の他の部類は、接着剤を分解する物質を含み、照射によって活性化または非活性化され得る。異なる程度まで架橋されるレジスト層の領域または粘着層の領域は、溶媒によって異なる速度で剥離され、その結果、レジスト層は簡単な方法で現像され得る。
その結果、一方では、初めはより低い接着力を有するレジスト層は、例えば、所謂ポジティブレジストに用いられ得る。露光する間にポリマーは分割され、その結果、露光された領域では接着力が増加するが、これら領域は露光されない領域よりも容易に溶媒によって除去され得る。
他方で、生来高い接着力を有する材料は、ネガティブレジストの場合に用いられ得る。例えば露光する間に露光された領域は架橋され、その結果、接着力はこれら領域において減少する。しかしながら、現像の間は露光されない領域のみが除去される。つまり、まだ架橋されていない領域のみが除去される。
よって、本発明に従った方法の1つのさらなる形態では、もしくは本発明の第2の局面では、接着力が照射の間に減少または増加する接着剤で出来ているレジスト層が利用される。この手段によって、現像後ベース層に残る領域が簡単な方法で除去され得る簡単な方法が結果として得られる。生来低い接着力または照射の間に減少する接着力が原因で、これら領域は例えば剥離粘着テープを用いることによって、特に追加の溶媒を使用せずに、または減らされた量の溶媒を用いて簡単な方法で除去され得る。
特にネガティブレジストに関する本発明に従った方法のさらなる形態では、接着力は照射の間、ベース層において最初の接着力に対して30%より大きく、または50%より大きく、あるいは90%より大きく減少する。製造データは、例えばシリコンウェハまたはポリイミドウェハにおける接着力に関する。シリコンにおける最初の接着力は例えば1N/20mmよりも大きく、あるいは10N/20mmよりさえも大きい。露光の後、接着力は例えば0.16N/20mmまで減少する。特に、接着力が90%よりも大きく減少する物質の場合もまた、物質は簡単な方法で製造され得る。
別のさらなる形態では、接着力は50%より大きく、または100%より大きく増加する。そのような物質もまた簡単な方法で製造され得、特にポジティブレジストに適している。
次のさらなる形態では、レジスト層は電磁放射を用いて照射または露光され、好ましくは紫外線放射またはX線放射を用いる。しかしながら、別の方法として、粒子ビーム(例えば、電子ビームまたはイオンビーム)を用いることもまた可能である。放射は、放射によって引き起こされる特定の化学変化(例えば、重合またはポリマーの分割)によって接着力を変化させる役目を果たす。
次のさらなる形態では、現像の後、層上に残っていてパターン化されるレジスト層の領域は、照射されないレジスト層と比べて減少した接着力を有する。減少した接着力は、後の残留領域の除去を促進する。隣接領域が関わる場合、残留レジスト層は例えばピンセットを用いて簡単な方法で剥離され得る。
別のさらなる形態では、残留領域は接着力がレジスト層の減少した接着力よりも大きい接着面を用いて剥離され、好ましくは粘着テープまたは粘着シートを用いて剥離される。粘着テープまたは粘着シートは、剥離角を広範囲の中から自由に選べることを可能にし、かつ、適切な場合、剥離処理の間に剥離角が変化することも可能にする。
別のさらなる形態では、残留領域は溶媒を用いて除去される。溶媒を用いる除去はこれまでよりも簡単である。何故ならば、残留領域の接着力が大幅に減少するからであり、特にベース層で硬化するフォトレジストと比べて大きく減少する。
本発明に従った方法の次のさらなる形態では、有機溶剤が現像剤として用いられ、特にN−メチルピロリドンまたはジメチルスルホキシドが用いられる。ジメチルスルホキシドの構造式は、以下のようである。
H3C−SO−CH3
上記現像剤は、今までフォトレジストの現像においても用いられてきており、好ましい費用で利用可能である。
上記現像剤は、今までフォトレジストの現像においても用いられてきており、好ましい費用で利用可能である。
次のさらなる形態では、レジスト層は接着力がベース層における照射されない層の接着力に満たない接着エリアを用いて塗布される。1つの改良点で、粘着テープまたは粘着シートが用いられる。そのようなレジスト層を塗布することは、その塗布する際に用いられる機械または道具に現れる接着剤残りなしで実行され得る。別の方法として、例として、レジスト層はまたスクリーン印刷法に類似する方法でベース層上に塗布され得る。
次のさらなる形態では、反射防止層を有するレジストが利用される。反射防止層を用いることにより、レジスト層のパターニングの間と、よってまた例えばベース層のパターニングの間との最小特徴寸法を小さくすることが可能になる。本発明に従った方法は、5μmまたは10μmよりも大きい最小寸法の構造を生成するのにも用いられるが、この方法はまた最小特徴寸法が1μm以下の領域にある場合でも用いられ得る。
次のさらなる形態では、レジスト層は、30μmよりも厚い厚さ、50μmよりも厚い厚さ、あるいは100μmより厚い厚ささえも有する。そのような厚いレジスト層は、塗布作業に適用され得る。フォトレジストを用いる場合、複数の塗布作業が必要であり、すなわち交互にスピニングオン、硬化、スピニングオフなどが必要である。レジスト層を塗布する方法は、よってこの形態によって実質的に簡易化される。
別のさらなる形態では、好ましくは、ドライエッチング処理またはウェット化学的エッチング処理において、ベース層が現像の後に残存するレジスト層の領域に従ってパターン化される。別の方法として、材料が、例えばスパッタリング方法を用いて、好ましくは電気メッキ、化学的あるいは化学物理的堆積によってベース層上のレジスト層の残存する領域間に塗布される。
さらなる局面として、本発明はさらに、層を選択的にパターニングするために、または材料を層に選択的に塗布するために、接着力が照射の間変化する接着剤を用いることに関する。層を選択的にパターニングするため、または材料を層に選択的に塗布するためのそのような接着剤を有する粘着テープまたは粘着シートを用いることはさらに保護されている。
さらなる局面は、レジスト層、特に本発明または本発明のさらなる形態のうち1つに従う方法に基づいてパターン化されたレジスト層の残留物を除去するための粘着テープまたは粘着シートを用いることを保護する。
本発明はさらに、接着力が照射の間変化する粘着層を含む粘着テープまたは粘着シートに関する。さらに、粘着テープまたは粘着シートは、粘着層の1つの側面上に外層を含み、この外層はベース層における粘着層の接着力と比べて小さい力を費やして粘着層から除去され得る。例として、この接着力は0.5N/20mm(20ミリメートル当たりのニュートン)未満である。これは0.5ニュートンの力が20mm幅の粘着層から外層を剥離するのに必要とされることを意味する。よって、必要な力は例えば、粘着層がベース層に接着する接着力の50%のみ、あるいはさらに10%のみということになる。さらなる外層が粘着層の他方の側面上に配置され、同様に小さい力で剥離され得る。そのような粘着テープは、ベース層への粘着層の簡単な塗布に適している。よって、第一に1つの外層が除去される。その後、粘着テープまたは粘着シートがベース層に粘着して接合される。他方の外層が除去されるのはその時のみである。本発明または本発明のさらなる形態のうち1つに従う方法は、その後に続いて実行される。
1つのさらなる形態において、さらなる外層は巻き上げた粘着テープの同一の外層の別の部分の外層によって形成され、あるいは少なくとも2つの粘着シートを備える粘着シートスタックの別の粘着シートの外側によって形成される。その結果、外層は多数重なって利用され得、すなわち、それぞれ2つの粘着層の覆い、あるいはそれぞれ1つの粘着層の2つの部分の覆いのために、多数重なって利用され得る。
本発明はさらに、接着力が照射の間変化する粘着層を含む粘着テープまたは粘着シートに関する。粘着テープまたは粘着シートは、少なくとも1つの反射防止層を含み、この反射防止層は放射の反射を防ぐか、あるいは減少させる。反射防止層を用いることにより、粘着層のパターニングの間最小特徴寸法を小さくすることが可能になる。
1つのさらなる形態では、反射防止層は粘着層の中央に、あるいは粘着層の端に配置される。反射防止層は、例として、他の粘着層とは異なる屈折率を有する。別の方法として、あるいはそれに加えて、放射の吸収係数は粘着層におけるよりも反射防止層においてより大きい。
記載した接着剤は、特に本発明または本発明のさらなる形態のうち1つに従う方法において用いられる。
本発明の例示的な実施形態は、添付の図面を参照しながら以下に説明される。
図1は、粘着層(Klebeschicht)12と外層14とを含む粘着テープ10を示す。粘着層12は、接着力が紫外光による照射によって減少する物質を含む。粘着テープ10を製造する間、シリコンウェハ上の粘着層12の接着力は例えば2.0N/20mmである。粘着層12の厚さは、例示的な実施形態において50μmである。粘着層12の化合物の1つの例は、以下により詳細に説明される。外層14は例えばPETまたはPETP(ポリエチレンテレフタラート)、すなわちポリエチレンまたは他の適切なプラスティックから構成される。外層14は粘着層12から容易に剥離され得る。
粘着テープ10は、ロール上で巻き上げられ、その結果、外層14が両側から粘着層12を囲む。
別の例示的な実施形態では、粘着テープ10は、粘着層12と外層14とに加えて、粘着層12と同一の化合物を有する反射防止層16をも含む。さらに、しかしながら、反射防止層16は、反射防止層16に紫外線放射の吸収を上げる粒子をも含む。
図2Aは、集積された構成要素(図示せず)(例えば、トランジスタ)を含む集積回路構造20を示す。さらに、集積回路構造20は酸化被膜22(例えば、二酸化ケイ素層)を含む。酸化被膜22に存在するものはメタライゼーション層24であり、これは多数の銅導体路を含み、そのうち2つの銅導体路26および28が図2Aに図示される。バリヤー層は説明を明確にするために図2Aに描かれていない。
CMP(化学機械的研磨)法と洗浄とが実行された後、粘着テープ10は集積回路構造20に粘着して接合された。外層14はその後に続いて、例えばピンセットを用いて手動で、あるいは剥離粘着テープと剥離装置とを用いて剥離された。
それから選択的な露光がフォトマスクを用いて実行される。矢印30は入射する紫外光を記号で表す。露光により、粘着層12の領域32から領域36までが露光される。露光した領域は銅導体路26と銅導体路28との間の空間上にある。露光領域32〜36は、銅導体路26または28の上にそれぞれ位置する非露光領域38、40を区切る。露光領域32〜36では、強く架橋されたポリマーが露光の結果として形成され、このポリマーは露光領域32〜36における粘着層12の接着力を小さくする。非露光領域38および40では、対照的に、比較的弱い架橋されたポリマーまたは短いポリマーのみが存在し、その結果、接着力は変化せずに高く保たれる。
図2Bに示されるように、現像作業は、その後、少なく架橋される領域(すなわち非露光領域38および40)を露光領域32〜36よりも強く剥離する溶媒を用いて、行われる。従って、現像の間、粘着層12の非露光領域38および40が除去され、その結果、カットアウト50および52がそれらの場所に生成される。そのカットアウトの底部は、それぞれ銅導体路26および28の所まで達する。
その後に、銅コンタクト54および56がそれぞれ、電気メッキ(galvanisches)法によってカットアウト50とカットアウト52とに堆積される。外部電流を用いる電気メッキ法または外部電流を必要としない電気メッキ法が用いられる。
他の例示的な実施形態では、ポジティブレジストとして働く接着剤12が用いられる。この場合、接着剤12は本来小さい接着力を有する。露光の間、領域38および40が露光される。これら領域では、ポリマーが露光の結果分割される。同時に、接着力がこれら領域において大きくなる。現像の間、領域38および40は再び除去され、さらなる方法はまた図2Bを参照しながら前に説明した通りである。
図2Aと図2Bとを参照しながら説明した両方の方法において、電着の後に、粘着層12に塗布され、その後剥ぎ取られる剥離粘着テープが利用される。剥ぎ取る処理の間、残留領域32〜36は剥離粘着テープに付着したままで、集積回路構造20から除去される。
図3Aに示されるように、粘着テープ10はまた、層をパターニングする際にも用いられ得る。集積回路構造100は酸化被膜102、例えば、二酸化ケイ素層またはBPSG層(ボロホスホシリケートガラス(borophosphosilicate glass))を含む。パターン化される金属層104は、二酸化ケイ素層102上に位置し、この金属層は、例示的な実施形態において、アルミニウムまたは5重量%未満の少量な添加物を有するアルミニウム合金から構成される。
粘着テープ10は、アルミニウム層104に粘着して接合される。外層14はその後剥ぎ取られて、金属層104上に粘着層12のみ、あるいは粘着層および反射防止層16のみを残す。粘着層12はそれからフォトマスクを用いて選択的に露光される(矢印130を参照)。これにより、露光領域132〜136が結果として得られ、これら露光領域132〜136は非露光領域138および140を区切る。露光領域132〜136では、露光の結果、架橋がより強くなり、金属層104における粘着層12の接着力が減少する。
図3Bに示すように、粘着層12はその後溶媒を用いて現像される。これにより、露光領域132〜136の間にカットアウト150および152が結果として得られる。これらカットアウトは非露光領域138および140がそれぞれ最初に位置していた場所に位置する。露光領域132〜136は現像の間変化しないままである。
図3Cに示されるように、金属層104はその後、粘着層12にある構造に従って異方性エッチング処理によってパターン化される。この場合、カットアウト150および152が、金属層104を貫通して延びる。エッチング処理の終わりに、カットアウト150の底部は酸化被膜102上に位置する。カットアウト152の底部は同様に酸化被膜102の底部上に位置する。金属導体路160〜164が、パターニングの間に連続金属層104から生成される。
エッチング処理の後、粘着層12の残留物132〜136は、図2Bに関連して上記した方法によって剥離粘着テープを用いて除去される。
他の例示的実施形態では、ポジティブレジストとして機能する粘着層12が同様に、図3A〜図3Cを参照しながら説明した方法に用いられる。ポジティブレジストに関して図2Aおよび図2Bに対する説明が参照される。
1つの例示的実施形態では、粘着層12は分子毎に少なくとも2つの光重合可能な(photopolymerizable)炭素−炭素二重結合を含む小さい分子量を有する化合物を含む。粘着層12はさらに光重合イニシエーターを含む。
光重合可能な化合物は、約10,000以下の数平均分子量を有し、好ましくは5000以下の数平均分子量を有する。一分子当たりの光重合可能な炭素−炭素二重結合の数は、2〜6で、特に3〜6であるべきである。これら光重合可能な化合物の特に好ましい例は、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート(pentaerythritol tetraacrylate)、ジペンタエリトリトールモノヒドロキシペンタアクリレート(dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate)およびジペンタエリトリトールヘキサアクリレート(dipentaerythritol hexa−acrylate)である。用いられ得る他の光重合可能な化合物は、1,4−ブタンジオールジアクリレート(butanediol diacrylate)、1,6−ヘキサン‐ジオール‐ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートおよび商業的に利用可能なオリゴエステルアクリレート(oligoester acrylate)を含む。
これら光重合可能な化合物は単独で、あるいは混合して使用され得る。光重合可能な化合物が用いられる量は、100重量部のベースポリマーに対して1〜100重量部の範囲にある。光重合可能な化合物が用いられる量が少な過ぎると、粘着層12を光で照射する場合に三次元網目構造が不十分にしか形成されず、かつ、集積回路構造20における薄い粘着層12の接着力における減少が小さ過ぎる。他方で、その量が多すぎると、結果として生じる粘着層の可塑性が大幅に大きくなり、最初の接着力は過度に増加する。光重合可能なイニシエーターの例は、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーのケトン、クロロチオキサントン(chlorothioxanthone)、ドデシルチオキサントン(dodecylthioxanthone)、ジメチルチオキサントン(dimethylthioxanthone)、ジエチルチオキサントン(diethylthioxanthone)、アセトフェノン−ジエチル−ケタール、ベンジルジメチルケタール(benzyl dimethyl ketal)、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(α−hydroxycyclohexyl phenyl ketone)および2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン(2−hydroxymethylphenylpropane)である。これら化合物は単独で、あるいは混合物の状態で用いられ得る。
具体的には、100部のブチルアクリレート、5部のアクリロニトリルおよび5部のアクリル酸を備える組成物が、数平均分子量300,000を有するアクリルコポリマーを調製するためにトルエンの共重合に利用された。
以下のものが100部のアクリルコポリマーに加えられた。すなわち、5部のポリイソシアネート化合物(商標名「Coronate L」、日本ポリウレタン株式会社が調製したもの)、15部のジペンタエリトリトールモノヒドロキシペンタアクリレートおよび1部のα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが加えられた。これら部は、粘着層12を生成するために共に混ぜ合わされた。
組成物は50μmの厚さD1を有する外層14の表面に層の形で塗布され、その後に数分間(例えば、130℃で3分間)乾燥させられた。
他の例示的な実施形態では、数平均分子量3000または30,000を有するアクリルコポリマーが調製され、そこに前記の部がその後に加えられる。
他の既知の組成物もまた、説明した組成物の代わりに粘着層12に用いられ得る。
特に、レジスト層の均一な厚さは前に明記した方法によって達成される。+/−3%未満の厚さ許容差は簡単な方法で適合され得る。
特定のウェハ加工作業では、ウェハを機械に問題なく移送し導入すること、あるいは電気メッキ法の電気接続を保証するために、例えばスライスエッジにレジスト塗布が加えられないことが必要である。エッジにおいてスプレーのみされる溶媒でエッジを除去することにより、除去されるべきでないレジストにも溶媒が導入されることが避けられないことが原因で、スライスエッジにおけるレジストの厚さが15パーセントまで増加することがもたらされる。
周辺エッジ領域をさらに除去するステップは、テープ型またはシート型のレジスト層がウェア直径よりも少なくとも2mmまたは少なくとも5mm小さい寸法に予めスタンプされる(予め切り取られる)場合、避けられる。センタリングステップがこの場合必要である。そのようなセンタリングステップはまた、ウェハの輪郭を有する膜が用いられる場合も必要である。ウェハ平面(wafer flat)が、予めスタンプされた、あるいは予成形された膜に関して勘案される場合、フラット領域の正しい位置もレジスト膜を塗布するときに考慮されねばならない。
しかしながら、スタンプされないテープまたはシートもまた用いられ、適合するレジスト片は膜を塗布した後に切刃(例えば、ウェハエッジに沿ってロールからの切刃)を用いて切断される。センタリング作業はこの場合取り除かれる。
テープ積層工程はさらに、レジスト塗布工程よりも相当に速く、かつ費用がかからない。露光はこれまで用いられてきたマスクアライナーシステムによって行われ得る。
膜の反射防止性質は、収縮せずにトポグラフィー上に金属導体路をパターン化することも可能にする。
レジストおよび/または接着剤における放射線過敏化合物(例えば、UV光過敏化合物(紫外線))は、スライス面から残留物を残さずに、特に裂け目なく除去することを可能にする。
レジストは照射の間にさらに硬化すると、プラズマアタックに対してより耐久性のあるようになる。レジストに耐熱性化合物を使用することにより、レジストの下に位置する層のパターニングの間、プラズマ電力をさらに増加させることが可能になる。
Claims (19)
- レジスト層(12)を塗布する方法であって、
レジスト層(12)はベース層(24、104)上に塗布されて、選択的に照射および現像され、該レジスト層は固体の状態で該ベース層(24、104)に塗布され、あるいは粘着して接合される、方法。 - 前記レジスト層は、前記ベース層(24、104)上に塗布される前に保護剤(14、16)に覆われており、
および/または、該保護剤(14、16)は該レジスト層(12)に配置された接着剤または該レジスト層に含まれる接着剤の硬化を防ぎ、
および/または、該保護剤(14、16)は該塗布前に除去され、好ましくは該塗布前の10分未満に除去され、
および/または、半導体基板上に配置された層または半導体基板は、該ベース層(24、104)として用いられ、
および/または、該レジスト層(12)は電磁放射を用いて照射され、好ましくは紫外線放射またはX線放射を用いて、あるいは粒子線を用いて、好ましくは電子線またはイオン線を用いて照射される、請求項1に記載の方法。 - レジスト層(12)をパターニングする方法であって、
接着剤を含むレジスト層(12)または接着力が前記照射の間減少または増加する接着剤を備えるレジスト層(12)が用いられ、
および/または、該接着力は、好ましくはベースエリアまたはシリコン基板あるいはポリイミド基板における接着力に対して、30%より大きく、または50%より大きく、あるいは90%より大きく減少し、または該接着力は50%より大きく、または100%より大きく増加する、特に請求項1または請求項2に記載の方法。 - 前記現像後、前記ベース層(24)上に残留する前記レジスト層(12)の領域(32〜36)は、照射されないレジスト層と比べて減少した接着力を有する、請求項3に記載の方法。
- 前記現像後、前記ベース層(24)上に残留する前記レジスト層(12)の領域(32〜36)は、該残留する領域(32〜36)における接着力が該ベース層(24、104)に対して該残留する領域の該接着力より大きい接着エリアを用いて剥離され、好ましくは粘着テープまたは粘着シートを用いて剥離される、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記現像後、前記ベース層(24、104)上に残留する前記レジスト層(12)の領域(32〜36)は溶媒を用いて除去される、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の方法。
- 有機溶剤が現像剤として用いられ、特にN−メチルピロリドンまたはジメチルスルホキシドが用いられる、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジスト層(12)は前記ベース層(24)における前記照射されないレジスト層の前記接着力に満たない接着力で該レジスト層(12)に接着する補助エリア(14)を用いて塗布され、好ましくは補助テープ(14)または補助シートを用いて塗布される、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の方法。
- 反射防止層(16)は、前記レジスト層(12)が前記ベース層上に塗布される前と同じほど早期に該レジスト層(12)内にまたは該レジスト層(12)に設けられ、該反射防止層は該レジスト層(12)における前記放射の反射を防ぐまたは減少させる、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の方法。
- 30μmより厚い、または50μmより厚い、あるいは100μmより厚い厚さ(D1)を有するレジスト層(12)は塗布作業に適用される、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ベース層(104)は、好ましくはドライエッチング方法またはウェット化学的エッチング方法で、前記現像後に残留する前記レジスト層(12)の前記領域(132〜136)に従ってパターン化され、
あるいは材料が、好ましくは電気メッキ、化学的または化学物理的または物理的塗布によって、該現像後の該レジスト層(12)の残留する領域(32〜36)間に配置される該ベース層(24)の覆われない領域に塗布され、
あるいは該ベース層(104)が該現像後に残留する該レジスト層(12)の該領域(132〜136)に従って選択的にドープされる、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の方法。 - 特に請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の方法において、接着力が照射の間減少または増加する接着剤(12)の使用、あるいは層(104)を選択的にパターニングするため、または層(24)に材料を選択的に塗布するため、あるいは他に層を選択的に処理するためにそのような接着剤を用いた粘着テープ(10)または粘着シートの使用。
- レジスト層(12)であって、特に請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の方法によってパターン化されたレジスト層(12)の残留物を除去するための、粘着テープまたは粘着シートの使用。
- 粘着テープ(10)または粘着シートであって、
接着力が照射の間減少または増加する粘着層(12)を有し、
および、該粘着層(12)の1つの側面上に配置され、2N/20mm未満、または1N/20mm未満、あるいは0.25N/20mm未満の接着力で該粘着層(12)に接着する外層(14)を有し、
さらなる外層は該粘着層(12)の他方の側面上に配置され、該さらなる外層は2N/20mm未満、または1N/20mm未満、あるいは0.25N/20mm未満の接着力で該粘着層(12)に接着する、粘着テープ(10)または粘着シート。 - 前記さらなる外層は、巻き上げた粘着テープ(10)の別の部分の外層(12)によって形成され、あるいは少なくとも2つの粘着シートを含む粘着シートスタックの別の粘着シートの外層によって形成され、
および/または、該粘着層(12)の材料は、集積回路構造を製造するための選択的な露光および現像に適する、請求項14に記載の粘着テープ(10)または粘着シート。 - 粘着テープ(10)または粘着シートであって、
接着力が照射の間に減少または増加する粘着層(12)を有し、
該粘着テープ(10)または粘着シートは、放射の反射を防ぐまたは減少させる少なくとも1つの反射防止層(16)を含む、特に請求項14または請求項15に記載の粘着テープ(10)または粘着シート。 - 前記反射防止層(16)は、前記粘着層(12)内にまたは該粘着層(12)に配置され、
および/または、該反射防止層(12)は、該粘着層(12)とは異なる屈折率を有し、該反射防止層(16)の該屈折率は好ましくは、パターニングの間隣接する層の屈折率の相乗平均と等しく、および/または該反射防止層(16)の厚さは好ましくは、n λ/4に等しく、ここでλは前記放射の波長であり、かつ、nは該反射防止層(16)の該屈折率である、
および/または、該反射防止層(16)は、該粘着層(12)より高い該放射の吸収量を有する、請求項16に記載の粘着テープ(10)または粘着シート。 - レジスト層であって、
該レジスト層(12)は固体材料を含み、または固体材料を備え、
該レジスト層(12)の材料は、集積回路構造を製造するための選択的な現像および露光に適しており、
該レジスト層(12)は、キャリヤ上で自由に移動可能なように、あるいはキャリヤ剤または保護剤(14、16)に粘着して接合されるように配置されており、該キャリヤ剤または該保護剤(14、16)は該レジスト層を破壊または損傷せずに該レジスト層(12)から剥離され得る、特に請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の方法において用いられるレジスト層。 - 前記保護剤(14、16)は、2N/20mm未満、または1N/20mm未満、あるいは0.25N/20mm未満の接着力で前記レジスト層(12)に接着するテープまたはシートである、請求項18に記載のレジスト層(12)。
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