JP2002231600A - レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、例えば半導体、薄膜磁気ヘッド、
回路、各種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ム
などの微細加工部品の製造に際し、これら半導体ウエハ
などの物品上の不要となったレジスト材を除去するのに
用いられる接着テープ、シート類（以下、接着テープと
いう）と、これを用いたレジスト除去方法を提供する。 【解決手段】 支持基材上に、硬化後の100℃における
初期引張り弾性率が10MPa以上となるような硬化型の接
着剤層を有する、又は／及び曲げ剛性が単位幅あたり1
×10‐4（N・ｍ）以上である支持基材上に、接着剤層を
有することを特徴とするレジスト除去用接着テープであ
る。
回路、各種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ム
などの微細加工部品の製造に際し、これら半導体ウエハ
などの物品上の不要となったレジスト材を除去するのに
用いられる接着テープ、シート類（以下、接着テープと
いう）と、これを用いたレジスト除去方法を提供する。 【解決手段】 支持基材上に、硬化後の100℃における
初期引張り弾性率が10MPa以上となるような硬化型の接
着剤層を有する、又は／及び曲げ剛性が単位幅あたり1
×10‐4（N・ｍ）以上である支持基材上に、接着剤層を
有することを特徴とするレジスト除去用接着テープであ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体、薄
膜磁気ヘッド、回路、各種プリント基板、各種マスク、
リ―ドフレ―ムなどの微細加工部品の製造に際し、これ
ら半導体ウエハなどの物品上の不要となったレジスト材
を除去するのに用いられる接着テープ、シート類（以
下、接着テープという）と、これを用いたレジスト除去
方法に関する。以下、半導体デバイス製造の例を用いて
説明するが、本発明は、レジスト材が表面に存在する物
品であれば、何らその用途に限定されるものではない
が、特に半導体デバイス製造において、ウエハ上の不要
となったメッキ後あるいはエッチング後のレジスト材の
除去に好適に採用される。
膜磁気ヘッド、回路、各種プリント基板、各種マスク、
リ―ドフレ―ムなどの微細加工部品の製造に際し、これ
ら半導体ウエハなどの物品上の不要となったレジスト材
を除去するのに用いられる接着テープ、シート類（以
下、接着テープという）と、これを用いたレジスト除去
方法に関する。以下、半導体デバイス製造の例を用いて
説明するが、本発明は、レジスト材が表面に存在する物
品であれば、何らその用途に限定されるものではない
が、特に半導体デバイス製造において、ウエハ上の不要
となったメッキ後あるいはエッチング後のレジスト材の
除去に好適に採用される。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エッチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。この際、不要となつたレジス
ト材の除去は溶剤、薬液を用いて行われるのが一般的で
ある。しかし、有害な薬液を使用することによる作業環
境の悪化や、廃液処理等の環境対策が煩わしいという問
題があった。特に各種バンプ形成におけるメッキ工程に
おいては、２０〜１２０μｍ程度の厚膜のレジスト材が
使用されるため、大量の薬液による長時間の除去処理が
必要となり、薬液除去後のレジスト残渣も問題となって
いる。このため、最近では高分子重合体からなる接着テ
ープをレジスト膜画像の上面に貼り付け、加熱処理など
の特定の処理を施したのち、この接着テープとレジスト
材とを一体に剥離する方法などが提案されている（例え
ば特開平4-345015号公報など）。
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エッチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。この際、不要となつたレジス
ト材の除去は溶剤、薬液を用いて行われるのが一般的で
ある。しかし、有害な薬液を使用することによる作業環
境の悪化や、廃液処理等の環境対策が煩わしいという問
題があった。特に各種バンプ形成におけるメッキ工程に
おいては、２０〜１２０μｍ程度の厚膜のレジスト材が
使用されるため、大量の薬液による長時間の除去処理が
必要となり、薬液除去後のレジスト残渣も問題となって
いる。このため、最近では高分子重合体からなる接着テ
ープをレジスト膜画像の上面に貼り付け、加熱処理など
の特定の処理を施したのち、この接着テープとレジスト
材とを一体に剥離する方法などが提案されている（例え
ば特開平4-345015号公報など）。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな接着テープ類を使用する方法は、レジストの種類に
よっては剥離がうまく行なえない場合がある。特にレジ
スト膜厚が１０μmを超えるような場合は、従来のレジ
スト除去用接着テープでは剥離が困難な場合が多い。本
発明は、上記のような厚膜のレジスト材についても良好
に剥離を行なうことができることを目的としている。
うな接着テープ類を使用する方法は、レジストの種類に
よっては剥離がうまく行なえない場合がある。特にレジ
スト膜厚が１０μmを超えるような場合は、従来のレジ
スト除去用接着テープでは剥離が困難な場合が多い。本
発明は、上記のような厚膜のレジスト材についても良好
に剥離を行なうことができることを目的としている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため鋭意検討した結果、加熱条件下で剥離
操作を行なうことで剥離しやすくなり、この際、硬化後
に加熱条件下においても高弾性率を維持するような接着
剤層を有する接着テープを用いることで剥離性が向上す
ることを見出した。さらに、曲げ剛性の高い支持基材に
このような接着剤層を設けた接着テープを用いることに
より、より一層剥離性が向上することを見出し、本発明
を完成するに至った。
的を達成するため鋭意検討した結果、加熱条件下で剥離
操作を行なうことで剥離しやすくなり、この際、硬化後
に加熱条件下においても高弾性率を維持するような接着
剤層を有する接着テープを用いることで剥離性が向上す
ることを見出した。さらに、曲げ剛性の高い支持基材に
このような接着剤層を設けた接着テープを用いることに
より、より一層剥離性が向上することを見出し、本発明
を完成するに至った。
【0005】すなわち本発明は、支持基材上に、硬化後の10
0℃における初期引張り弾性率が10MPa以上となるような
硬化型の接着剤層を有することを特徴とするレジスト除
去用接着テープ（請求項１）、曲げ剛性が単位幅あたり
1×10‐4（N・ｍ）以上である支持基材上に、接着剤層
を有することを特徴とするレジスト除去用接着テープ
（請求項２）、上記接着剤層と上記支持基材との組み合
わせからなるレジスト除去用接着テープ（請求項３）、
レジスト膜画像が存在する物品上に請求項１〜３のいず
れかに記載の接着テープを貼り付け、この接着テープと
レジスト膜画像とを一体に剥離することを特徴とするレ
ジスト除去方法（請求項４）および、請求項４記載のレ
ジスト除去方法において、剥離操作を５０℃以上の加熱
条件下で行なうことを特徴とするレジスト除去方法（請
求項５）に関する。
0℃における初期引張り弾性率が10MPa以上となるような
硬化型の接着剤層を有することを特徴とするレジスト除
去用接着テープ（請求項１）、曲げ剛性が単位幅あたり
1×10‐4（N・ｍ）以上である支持基材上に、接着剤層
を有することを特徴とするレジスト除去用接着テープ
（請求項２）、上記接着剤層と上記支持基材との組み合
わせからなるレジスト除去用接着テープ（請求項３）、
レジスト膜画像が存在する物品上に請求項１〜３のいず
れかに記載の接着テープを貼り付け、この接着テープと
レジスト膜画像とを一体に剥離することを特徴とするレ
ジスト除去方法（請求項４）および、請求項４記載のレ
ジスト除去方法において、剥離操作を５０℃以上の加熱
条件下で行なうことを特徴とするレジスト除去方法（請
求項５）に関する。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明において、レジスト材が存
在する物品とは、例えば半導体基板やガラス基板などの
物品上に公知のレジスト材を塗布し、通常のフォトプロ
セスにより所定のレジストパターンを形成し、このレジ
スト材をマスクに開口部に金属めっき、エッチングなど
の種々の処理を施した状態にあるものなどが挙げられ
る。ここでは、レジスト材の厚さは上記めっきを行なう
場合などでは、通常１０μｍ〜１５０μｍの膜厚で、主
にネガ型の液体レジストもしくはドライフィルムレジス
トが好んで用いられる。このような厚膜のレジスト材
は、パターニング時の紫外線照射等により硬化している
ため、室温状態ではテープによる引き剥がしを行なうこ
とが困難である。
在する物品とは、例えば半導体基板やガラス基板などの
物品上に公知のレジスト材を塗布し、通常のフォトプロ
セスにより所定のレジストパターンを形成し、このレジ
スト材をマスクに開口部に金属めっき、エッチングなど
の種々の処理を施した状態にあるものなどが挙げられ
る。ここでは、レジスト材の厚さは上記めっきを行なう
場合などでは、通常１０μｍ〜１５０μｍの膜厚で、主
にネガ型の液体レジストもしくはドライフィルムレジス
トが好んで用いられる。このような厚膜のレジスト材
は、パターニング時の紫外線照射等により硬化している
ため、室温状態ではテープによる引き剥がしを行なうこ
とが困難である。
【0007】しかしながら、この硬化後のレジスト材は熱可
塑性を有しているため、加熱することで柔らかくなり、
基板との密着性も低下する。このために引き剥がしがよ
り容易となる。引き剥がし時の温度は、剥離するレジス
ト材によるが、一般に５０℃〜２００℃、好ましくは８
０℃〜１５０℃の間である。ところが、通常のレジスト
除去用接着テープに用いられる接着剤も、レジスト材と
同様にこのような加熱条件で可塑化するため、剥離応力
をレジスト表面に伝達することが困難となり、結果とし
てうまくレジスト材を剥離できない。上記の問題点は、
接着剤層として、加熱条件下においても高弾性率を維持
するものを用いることで解決可能であることを見出し
た。このことにより、剥離応力をレジスト材上へ集中さ
せることができ、剥離に対して好結果をもたらす。すな
わち、100℃における硬化後の接着剤層の初期引っ張り
弾性率が10MPa以上、好ましくは２０〜２００MPa程度と
なるような接着テープを用いることにより、レジスト材
を良好に剥離できることがわかった。
塑性を有しているため、加熱することで柔らかくなり、
基板との密着性も低下する。このために引き剥がしがよ
り容易となる。引き剥がし時の温度は、剥離するレジス
ト材によるが、一般に５０℃〜２００℃、好ましくは８
０℃〜１５０℃の間である。ところが、通常のレジスト
除去用接着テープに用いられる接着剤も、レジスト材と
同様にこのような加熱条件で可塑化するため、剥離応力
をレジスト表面に伝達することが困難となり、結果とし
てうまくレジスト材を剥離できない。上記の問題点は、
接着剤層として、加熱条件下においても高弾性率を維持
するものを用いることで解決可能であることを見出し
た。このことにより、剥離応力をレジスト材上へ集中さ
せることができ、剥離に対して好結果をもたらす。すな
わち、100℃における硬化後の接着剤層の初期引っ張り
弾性率が10MPa以上、好ましくは２０〜２００MPa程度と
なるような接着テープを用いることにより、レジスト材
を良好に剥離できることがわかった。
【0008】ここで用いられる接着テープは、支持基材上に
通常20〜150μｍの接着剤層を設けて、シート状やテー
プ状などの形態としたものである。支持基材表面は通
常、接着剤層との密着性を確保する目的で、コロナ放電
処理などの物理的な表面処理や、密着付与層の下塗り処
理が行なわれる。また、貼り付け時の基板凹凸への追従
性を確保するために、支持基材とレジスト除去用接着剤
層との間にアクリル系、ゴム系などの各種ポリマー、あ
るいはこれらを主成分とする感圧接着剤などからなる所
定の厚みの中間層を設けたりすることも可能である。支
持基材としては特に限定されず、例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどからなる厚さが通常25〜500μｍ程度
のプラスチツクフイルムが好ましく用いられるが、特に
曲げ剛性の大きいものが好ましい。具体的には単位長さ
（幅）あたりの曲げ剛性が1×10-4(N・m)以上となるも
のがよく、より好ましくは5×10-4以上1×10-1以下であ
る。このような支持基材を用いることにより、より均一
な剥離が行なえる。ここでいう曲げ剛性とは、材料力学
でいうところの曲げに対する物体の変形しにくさの度合
いであり、フィルムの引張り弾性率Ｅと断面二次モーメ
ントIを掛けたものであらわされる。この曲げ剛性は、
曲げを受けるフィルムの厚さの3乗に比例し、フィルム
の素材と形状が決まれば計算により算出される（式１参
照）。 曲げ剛性＝E(N/m2)×I(m4) （式１） ここで、I=1/12×b×h3 (b:曲げを受けるフィルムの
幅; h：フィルム厚み)
通常20〜150μｍの接着剤層を設けて、シート状やテー
プ状などの形態としたものである。支持基材表面は通
常、接着剤層との密着性を確保する目的で、コロナ放電
処理などの物理的な表面処理や、密着付与層の下塗り処
理が行なわれる。また、貼り付け時の基板凹凸への追従
性を確保するために、支持基材とレジスト除去用接着剤
層との間にアクリル系、ゴム系などの各種ポリマー、あ
るいはこれらを主成分とする感圧接着剤などからなる所
定の厚みの中間層を設けたりすることも可能である。支
持基材としては特に限定されず、例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどからなる厚さが通常25〜500μｍ程度
のプラスチツクフイルムが好ましく用いられるが、特に
曲げ剛性の大きいものが好ましい。具体的には単位長さ
（幅）あたりの曲げ剛性が1×10-4(N・m)以上となるも
のがよく、より好ましくは5×10-4以上1×10-1以下であ
る。このような支持基材を用いることにより、より均一
な剥離が行なえる。ここでいう曲げ剛性とは、材料力学
でいうところの曲げに対する物体の変形しにくさの度合
いであり、フィルムの引張り弾性率Ｅと断面二次モーメ
ントIを掛けたものであらわされる。この曲げ剛性は、
曲げを受けるフィルムの厚さの3乗に比例し、フィルム
の素材と形状が決まれば計算により算出される（式１参
照）。 曲げ剛性＝E(N/m2)×I(m4) （式１） ここで、I=1/12×b×h3 (b:曲げを受けるフィルムの
幅; h：フィルム厚み)
【0009】ここで用いられる接着剤層は特に限定されない
が、好ましくは、光照射などにより硬化してレジスト材
と一体となる硬化型接着剤を用いるのがよく、中でも、
アクリルポリマーに光重合性化合物と光重合開始剤を含
ませてなる光硬化型接着剤が好ましく用いられる。
が、好ましくは、光照射などにより硬化してレジスト材
と一体となる硬化型接着剤を用いるのがよく、中でも、
アクリルポリマーに光重合性化合物と光重合開始剤を含
ませてなる光硬化型接着剤が好ましく用いられる。
【0010】ポリマーは、感圧性接着剤に適用される公知の
各種重合体がいずれも使用可能であるが、加熱時の高弾
性を発現する観点から、全体の組成の50重量%以上がメ
タクリル酸アルキルエステル類とするのが好ましい。こ
のメタクリル系重合体は、メタクリル酸アルキルエステ
ル、およびアクリル酸アルキルエステルなどを主単量体
とし、これにカルボキシル基ないし水酸基含有単量体や
その他の反応性官能基含有単量体を用いて、これらの単
量体を常法により溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状
重合などの方法で重合させることにより、得ることがで
きる。このようなモノマーから構成されるメタクリル系
ポリマーの分子量は、重量平均分子量で、通常1万〜150
万、特に3万〜30万であるのが好ましい。
各種重合体がいずれも使用可能であるが、加熱時の高弾
性を発現する観点から、全体の組成の50重量%以上がメ
タクリル酸アルキルエステル類とするのが好ましい。こ
のメタクリル系重合体は、メタクリル酸アルキルエステ
ル、およびアクリル酸アルキルエステルなどを主単量体
とし、これにカルボキシル基ないし水酸基含有単量体や
その他の反応性官能基含有単量体を用いて、これらの単
量体を常法により溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状
重合などの方法で重合させることにより、得ることがで
きる。このようなモノマーから構成されるメタクリル系
ポリマーの分子量は、重量平均分子量で、通常1万〜150
万、特に3万〜30万であるのが好ましい。
【0011】重合性化合物は、光もしくは熱エネルギーの付
与により硬化しうるものであるが、好ましくは、光硬化
型化合物が用いられる。このような化合物は、光照射に
より硬化しうる不飽和二重結合を１個以上有する不揮発
性化合物であり、この光重合性化合物の使用量は高分子
重合体１００重量部あたり、通常10重量部以上200重量
部以下とするのが好ましい。このような重合性化合物と
しては、たとえば、フエノキシポリエチレングリコ―ル
（メタ）アクリレ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）ア
クリレ─ト、ポリエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリ
レ─ト、ポリプロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ
─ト、トリメチロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─
ト、ジペンタエリスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─
ト、ウレタン（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）
アクリレ─ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─トな
どが挙げられ、これらの中から、１種または２種以上が
用いられる。硬化後加熱時における弾性率を上げるた
め、通常これらのうち1種類以上は分子内に3個または4
個の不飽和二重結合を有するものが用いられる。また、
上記の重合開始剤、特に光重合開始剤としては、ベンジ
ルジメチルケタール、ベンゾイン、ジベンジル、チオキ
サンソン系化合物、ベンゾインエチルエーテルなどの紫
外線など、照射にてラジカルを発生するものなどが主と
して用いられる。
与により硬化しうるものであるが、好ましくは、光硬化
型化合物が用いられる。このような化合物は、光照射に
より硬化しうる不飽和二重結合を１個以上有する不揮発
性化合物であり、この光重合性化合物の使用量は高分子
重合体１００重量部あたり、通常10重量部以上200重量
部以下とするのが好ましい。このような重合性化合物と
しては、たとえば、フエノキシポリエチレングリコ―ル
（メタ）アクリレ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）ア
クリレ─ト、ポリエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリ
レ─ト、ポリプロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ
─ト、トリメチロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─
ト、ジペンタエリスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─
ト、ウレタン（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）
アクリレ─ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─トな
どが挙げられ、これらの中から、１種または２種以上が
用いられる。硬化後加熱時における弾性率を上げるた
め、通常これらのうち1種類以上は分子内に3個または4
個の不飽和二重結合を有するものが用いられる。また、
上記の重合開始剤、特に光重合開始剤としては、ベンジ
ルジメチルケタール、ベンゾイン、ジベンジル、チオキ
サンソン系化合物、ベンゾインエチルエーテルなどの紫
外線など、照射にてラジカルを発生するものなどが主と
して用いられる。
【0012】また、硬化後接着剤中の低分子量成分を減少さ
せ、接着剤の凝集力を向上させるために、多官能性化合
物、たとえば、多官能エポキシ化合物、ポリイソシアネ
ート化合物、アジリジン化合物などを適当量含ませる場
合もある。さらに、本発明の効果を損なわない限り、粘
着付与剤、着色剤、老化防止剤などの公知の各種添加剤
を含ませることもできる。
せ、接着剤の凝集力を向上させるために、多官能性化合
物、たとえば、多官能エポキシ化合物、ポリイソシアネ
ート化合物、アジリジン化合物などを適当量含ませる場
合もある。さらに、本発明の効果を損なわない限り、粘
着付与剤、着色剤、老化防止剤などの公知の各種添加剤
を含ませることもできる。
【0013】本発明の最も好ましい態様は、上記の曲げ剛性
が単位幅あたり1×10‐4（N・ｍ）以上である支持基材
上に、硬化後の100℃における初期引張り弾性率が10MPa
以上となるような硬化型の接着剤層を有するレジスト除
去用接着テープである。
が単位幅あたり1×10‐4（N・ｍ）以上である支持基材
上に、硬化後の100℃における初期引張り弾性率が10MPa
以上となるような硬化型の接着剤層を有するレジスト除
去用接着テープである。
【0014】また本発明のレジスト除去方法は、その適用工
程は特に限定されないが、特に半導体、薄膜磁気ヘッ
ド、回路、各種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ
―ムなどの微細加工部品の製造工程に採用することがで
きる。よって本発明は、かかるレジスト除去方法を少な
くとも工程中に含む各種微細加工部品の製造方法、及び
かかるレジスト除去方法を用いて製造した半導体、薄膜
磁気ヘッド、回路、各種プリント基板、各種マスク、リ
―ドフレ―ムなどの微細加工部品も提供するものであ
る。
程は特に限定されないが、特に半導体、薄膜磁気ヘッ
ド、回路、各種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ
―ムなどの微細加工部品の製造工程に採用することがで
きる。よって本発明は、かかるレジスト除去方法を少な
くとも工程中に含む各種微細加工部品の製造方法、及び
かかるレジスト除去方法を用いて製造した半導体、薄膜
磁気ヘッド、回路、各種プリント基板、各種マスク、リ
―ドフレ―ムなどの微細加工部品も提供するものであ
る。
【0015】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Ａは、つぎの参考例１の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。 参考例１ 半導体素子が形成されたシリコンウエハ表面に外部との
接続のための電極部と絶縁部を設け、表面にネガ型のド
ライフィルムレジスト（厚さ120μｍ）を貼り合わせ、
定法により露光、現像を行い、パターンを形成した。そ
の後、このレジストパターンをマスクにしてウエハ表面
に銅めっき（めっき厚み110μｍ）を施した。このよう
に形成したシリコンウエハ上の画像パターンを、レジス
ト膜画像Ａとした。
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Ａは、つぎの参考例１の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。 参考例１ 半導体素子が形成されたシリコンウエハ表面に外部との
接続のための電極部と絶縁部を設け、表面にネガ型のド
ライフィルムレジスト（厚さ120μｍ）を貼り合わせ、
定法により露光、現像を行い、パターンを形成した。そ
の後、このレジストパターンをマスクにしてウエハ表面
に銅めっき（めっき厚み110μｍ）を施した。このよう
に形成したシリコンウエハ上の画像パターンを、レジス
ト膜画像Ａとした。
【0016】実施例１ 常法により合成したメタクリル酸メチル／メタクリル酸
エチル／メタクリル酸n-ブチル／アクリル酸＝40/25/25
/10（重量比）の共重合体からなるアクリルポリマーＡ
（重量平均分子量11万、重量平均分子量（Mw）÷数平均
分子量（Mn）＝2）の35%トルエン溶液200g、ポリエチレ
ングリコール400ジアクリレート（新中村化学製「ＮＫ
エステルＡ−4００」）10g、トリメチロールプロパント
リアクリレート（新中村化学製「A-TMPT」）10g、テト
ラメチロールメタントリアクリレート（新中村化学製
「A-TMM3」）10g、ベンジルジメチルケタール（チバス
ペシャリティケミカルズ製「イルガキュア６５１」）2g
のトルエン溶液を、厚さが50μｍのポリエステル支持フ
イルム（三菱化学ポリエステルフィルム(株)製「N100G5
0」。単位長さあたりの曲げ剛性；4.2×10-5 (N・m)
）上に塗布し、乾燥オ─ブンにて130℃で各々3分間乾
燥し、厚さが50μｍの接着剤層を形成し、レジスト除去
用接着テープを作製した。この接着剤層の硬化後の100
℃における初期引っ張り弾性率（ヤンク゛率）は32MPaであ
った。
エチル／メタクリル酸n-ブチル／アクリル酸＝40/25/25
/10（重量比）の共重合体からなるアクリルポリマーＡ
（重量平均分子量11万、重量平均分子量（Mw）÷数平均
分子量（Mn）＝2）の35%トルエン溶液200g、ポリエチレ
ングリコール400ジアクリレート（新中村化学製「ＮＫ
エステルＡ−4００」）10g、トリメチロールプロパント
リアクリレート（新中村化学製「A-TMPT」）10g、テト
ラメチロールメタントリアクリレート（新中村化学製
「A-TMM3」）10g、ベンジルジメチルケタール（チバス
ペシャリティケミカルズ製「イルガキュア６５１」）2g
のトルエン溶液を、厚さが50μｍのポリエステル支持フ
イルム（三菱化学ポリエステルフィルム(株)製「N100G5
0」。単位長さあたりの曲げ剛性；4.2×10-5 (N・m)
）上に塗布し、乾燥オ─ブンにて130℃で各々3分間乾
燥し、厚さが50μｍの接着剤層を形成し、レジスト除去
用接着テープを作製した。この接着剤層の硬化後の100
℃における初期引っ張り弾性率（ヤンク゛率）は32MPaであ
った。
【0017】つぎに、半導体ウエハ上のレジスト膜画像Ａ
に、上記の接着テープを100℃の加熱下、圧着ロ─ルに
より貼り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を
１Ｊ／cm2の照射量で照射し、接着テープを硬化させ
た。その後、この接着テープと上記画像Ａとを100℃の
加熱条件下で一体に剥離して、ウエハ上から上記画像Ａ
を除去した。除去後の目視観察では半導体ウエハ上のレ
ジスト材は全て除去されたが、顕微鏡観察からはレジス
ト材の下地膜と銅めっき柱との境界付近にわずかに厚さ
数十μmのレジスト材の残渣が観察された。
に、上記の接着テープを100℃の加熱下、圧着ロ─ルに
より貼り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を
１Ｊ／cm2の照射量で照射し、接着テープを硬化させ
た。その後、この接着テープと上記画像Ａとを100℃の
加熱条件下で一体に剥離して、ウエハ上から上記画像Ａ
を除去した。除去後の目視観察では半導体ウエハ上のレ
ジスト材は全て除去されたが、顕微鏡観察からはレジス
ト材の下地膜と銅めっき柱との境界付近にわずかに厚さ
数十μmのレジスト材の残渣が観察された。
【0018】実施例２ 支持フィルムとして、厚さ125μmのポリエステルフィル
ム（東洋紡績（株）製「A4100」。単位長さあたりの曲
げ剛性；6．5×10-4(N・m)を使用し、他は実施例１と全
く同様にして、光硬化型のレジスト除去用接着テープを
作製した。実施例１と同様にしてレジスト膜画像Ａの剥
離除去を行った。除去後の目視観察では半導体ウエハ上
のレジスト材は全て除去されていた。また、顕微鏡観察
からもレジスト材の残渣は観察されなかった。
ム（東洋紡績（株）製「A4100」。単位長さあたりの曲
げ剛性；6．5×10-4(N・m)を使用し、他は実施例１と全
く同様にして、光硬化型のレジスト除去用接着テープを
作製した。実施例１と同様にしてレジスト膜画像Ａの剥
離除去を行った。除去後の目視観察では半導体ウエハ上
のレジスト材は全て除去されていた。また、顕微鏡観察
からもレジスト材の残渣は観察されなかった。
【0019】実施例３ 常法により合成したアクリル酸n-ブチル／アクリルニト
リル／アクリル酸＝85/15/3（重量比）の共重合体から
なるアクリルポリマーB（重量平均分子量82万、重量平
均分子量（Mw）÷数平均分子量（Mn）＝4）の20%トルエ
ン溶液100g、ウレタンアクリレート（新中村化学製「U-
N-01」）6g、イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン
製「コロネートＬ」）0.6g、ベンジルジメチルケタール
（チバスペシャリティケミカルズ製「イルガキュア６５
１」）0.6gのトルエン溶液を粘着剤溶液として用いた以
外は実施例１と同様にして光硬化型のレジスト除去用接
着テープを作製した。この接着剤層の硬化後の100℃に
おける初期引っ張り弾性率（ヤンク゛率）は2.5MPaであっ
た。実施例１と同様にしてレジスト膜画像Ａの剥離除去
を行った。除去後の目視観察では半導体ウエハ上のレジ
スト材は全て除去されたが、顕微鏡観察からはレジスト
材の下地膜と銅めっき柱との境界付近に厚さ数十μmの
レジスト材の残渣が観察された。
リル／アクリル酸＝85/15/3（重量比）の共重合体から
なるアクリルポリマーB（重量平均分子量82万、重量平
均分子量（Mw）÷数平均分子量（Mn）＝4）の20%トルエ
ン溶液100g、ウレタンアクリレート（新中村化学製「U-
N-01」）6g、イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン
製「コロネートＬ」）0.6g、ベンジルジメチルケタール
（チバスペシャリティケミカルズ製「イルガキュア６５
１」）0.6gのトルエン溶液を粘着剤溶液として用いた以
外は実施例１と同様にして光硬化型のレジスト除去用接
着テープを作製した。この接着剤層の硬化後の100℃に
おける初期引っ張り弾性率（ヤンク゛率）は2.5MPaであっ
た。実施例１と同様にしてレジスト膜画像Ａの剥離除去
を行った。除去後の目視観察では半導体ウエハ上のレジ
スト材は全て除去されたが、顕微鏡観察からはレジスト
材の下地膜と銅めっき柱との境界付近に厚さ数十μmの
レジスト材の残渣が観察された。
【0020】比較例１ 実施例1で用いた厚さ50μmの支持フィルム上に、実施例
3で用いた粘着剤溶液を塗布し、厚み50μmの光硬化型の
レジスト除去用接着テープを作製した。実施例１と同様
にしてレジスト膜画像Ａの剥離除去を行った結果、レジ
スト材は殆ど除去できず、接着テープとレジスト材表面
の間の界面剥離が起こった。
3で用いた粘着剤溶液を塗布し、厚み50μmの光硬化型の
レジスト除去用接着テープを作製した。実施例１と同様
にしてレジスト膜画像Ａの剥離除去を行った結果、レジ
スト材は殆ど除去できず、接着テープとレジスト材表面
の間の界面剥離が起こった。
【0021】比較例２ 剥離時の基板の温度を室温でおこなう他は実施例３と全
く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行った。
その結果、基板上のレジスト材は全く除去することがで
きなかった。
く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を行った。
その結果、基板上のレジスト材は全く除去することがで
きなかった。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明は、硬化後の接着剤
層の初期引張り弾性率を高く設定すること、又は／およ
び支持基材の曲げ剛性を高くすることにより、剥離時の
応力をレジスト材表面に集中させ剥離を均一に行なうこ
とができる。これにより、特に厚膜のレジスト材の除去
を確実に行なう方法を提供することができる。
層の初期引張り弾性率を高く設定すること、又は／およ
び支持基材の曲げ剛性を高くすることにより、剥離時の
応力をレジスト材表面に集中させ剥離を均一に行なうこ
とができる。これにより、特に厚膜のレジスト材の除去
を確実に行なう方法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 LA06 4J004 AA10 AB07 CA01 CB03 CC02 FA10 4J040 DF031 DF032 FA261 FA262 FA271 FA272 FA281 FA282 FA291 FA292 JA12 JB02 KA13 LA08 MA10 MA11 MB03 NA20 NA21 PA42 5F046 MA19
Claims (5)
- 【請求項1】支持基材上に、硬化後の100℃における初期
引張り弾性率が10MPa以上となるような硬化型の接着剤
層を有することを特徴とするレジスト除去用接着テー
プ。 - 【請求項２】曲げ剛性が単位幅あたり1×10‐4（N・
ｍ）以上である支持基材上に、接着剤層を有することを
特徴とするレジスト除去用接着テープ。 - 【請求項３】請求項２に記載の支持基材上に、請求項１
に記載の接着剤層を有することを特徴とするレジスト除
去用接着テープ。 - 【請求項４】レジスト膜画像が存在する物品上に、請求
項１〜３のいずれかに記載の接着テープを貼り付け、こ
の接着テープとレジスト膜画像とを一体に剥離すること
を特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項５】請求項４記載のレジスト除去方法におい
て、剥離操作を５０℃以上の加熱条件下で行なうことを
特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001020946A JP2002231600A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法 |
| US10/055,995 US20020100553A1 (en) | 2001-01-30 | 2002-01-28 | Adhesive tape and process for removing resist |
| KR1020020005043A KR20020063818A (ko) | 2001-01-30 | 2002-01-29 | 레지스트 제거를 위한 접착 테이프 및 방법 |
| TW091101541A TW552633B (en) | 2001-01-30 | 2002-01-30 | Adhesive tape and process for removing resist |
| EP02002275A EP1229388A3 (en) | 2001-01-30 | 2002-01-30 | Adhesive tape and process for removing photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001020946A JP2002231600A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002231600A true JP2002231600A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18886575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001020946A Pending JP2002231600A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020100553A1 (ja) |
| EP (1) | EP1229388A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002231600A (ja) |
| KR (1) | KR20020063818A (ja) |
| TW (1) | TW552633B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US7534498B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body |
| JP4565804B2 (ja) | 2002-06-03 | 2010-10-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| DE10260235B4 (de) * | 2002-12-20 | 2010-10-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht |
| JP2005150235A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Three M Innovative Properties Co | 半導体表面保護シート及び方法 |
| JP4405246B2 (ja) | 2003-11-27 | 2010-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体チップの製造方法 |
| US8435373B2 (en) * | 2005-06-20 | 2013-05-07 | Microcontinumm, Inc. | Systems and methods for roll-to-roll patterning |
| US9307648B2 (en) * | 2004-01-21 | 2016-04-05 | Microcontinuum, Inc. | Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers |
| US7833389B1 (en) * | 2005-01-21 | 2010-11-16 | Microcontinuum, Inc. | Replication tools and related fabrication methods and apparatus |
| WO2006078918A2 (en) | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Microcontinuum, Inc. | Replication tools and related fabrication methods and apparatus |
| CA2643510C (en) | 2006-02-27 | 2014-04-29 | Microcontinuum, Inc. | Formation of pattern replicating tools |
| WO2009088357A1 (en) * | 2008-01-07 | 2009-07-16 | Agency For Science, Technology And Research | Method for lift-off patterning films on a substrate |
| US8845912B2 (en) | 2010-11-22 | 2014-09-30 | Microcontinuum, Inc. | Tools and methods for forming semi-transparent patterning masks |
| US9589797B2 (en) | 2013-05-17 | 2017-03-07 | Microcontinuum, Inc. | Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466325A (en) * | 1993-06-02 | 1995-11-14 | Nitto Denko Corporation | Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method |
| JPH0934130A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Nitto Denko Corp | レジストの除去方法とこれに用いる接着シ―ト類 |
| JP2868720B2 (ja) * | 1996-03-29 | 1999-03-10 | 日東電工株式会社 | レジストの除去方法、およびこれに用いる接着剤もしくは接着シート類 |
| JPH10247321A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-14 | Nitto Denko Corp | スタンパ―の製造方法 |
| DE69940168D1 (de) * | 1998-07-08 | 2009-02-05 | Nitto Denko Corp | Verfahren zum Entschichten von Resistmaterial |
| TW567221B (en) * | 1999-06-10 | 2003-12-21 | Nitto Denko Corp | Low-staining adhesive sheets and method for removing resist material |
-
2001
- 2001-01-30 JP JP2001020946A patent/JP2002231600A/ja active Pending
-
2002
- 2002-01-28 US US10/055,995 patent/US20020100553A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-29 KR KR1020020005043A patent/KR20020063818A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-01-30 TW TW091101541A patent/TW552633B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-01-30 EP EP02002275A patent/EP1229388A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1229388A2 (en) | 2002-08-07 |
| TW552633B (en) | 2003-09-11 |
| US20020100553A1 (en) | 2002-08-01 |
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| EP1229388A3 (en) | 2002-08-14 |
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